In this article, we give an overview about the chemical and physical processes that play a role in etching at lower wafer temperatures. Conventionally, plasma etching processes rely on the formation of radicals, which readily chemisorb at the surface. Molecules adsorb via physisorption at low temperatures, but they lack enough energy to overcome the energy barrier for a chemical reaction. The density of radicals in a typical plasma used in semiconductor manufacturing is one to two orders of magnitude lower than the concentration of the neutrals. Physisorption of neutrals at low temperatures, therefore, increases the neutral concentration on the surface meaningfully and contributes to etching if they are chemically activated. The transport of neutrals in high aspect ratio features is enhanced at low temperatures because physisorbed species are mobile. The temperature window of low temperature etching is bracketed at the low end by condensation including capillary effects and diminished physisorption at the high end. The useful temperature window is chemistry dependent. Besides illuminating the fundamental effects, which make low temperature processing unique, this article illustrates its utility for semiconductor etching applications.

1.
T.
Lill
,
V.
Vahedi
, and
R.
Gottscho
, “
Etching of semiconductor devices
,” in
Materials Science and Technology
(
Wiley
,
New York
,
2019
).
2.
S.
Tachi
,
K.
Tsujimoto
, and
S.
Okudaira
,
Appl. Phys. Lett.
52
,
616
(
1988
).
3.
S.
Tachi
,
K.
Tsujimoto
,
S.
Arai
, and
T.
Kure
,
J. Vac. Sci. Technol. A
9
,
796
(
1991
).
4.
K.
Tsujimoto
,
S.
Okudaira
, and
S.
Tachi
,
Jpn. J. Appl. Phys.
30
,
3319
(
1991
).
5.
M.
Konuma
,
F.
Banhart
,
F.
Phillipp
, and
E.
Bauser
,
Mater. Sci. Eng. B
4
,
265
(
1989
).
6.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
F.
Ren
,
J. R.
Lothian
, and
R. F.
Kopf
,
Plasma Chem. Plasma Process.
14
,
505
(
1994
).
7.
E. S.
Aydil
,
J. A.
Gregus
, and
R. A.
Gottscho
,
Rev. Sci. Instrum.
64
,
3572
(
1993
).
8.
T. D.
Bestwick
,
G. S.
Oehrlein
, and
D.
Angell
,
Appl. Phys. Lett.
57
,
431
(
1990
).
9.
K.
Murakami
,
Y.
Wakabayashi
,
K.
Minami
, and
M.
Esashi
,
Proc. IEEE Micro Electro Mech. Syst.
65
(
1993
).
10.
R.
Chanson
,
S.
Tahara
,
K.
Vanstreels
, and
J.-F.
de Marneffe
,
Plasma Res. Express
1
,
015006
(
2019
).
11.
R.
Chanson
,
R.
Dussart
,
T.
Tillocher
,
P.
Lefaucheux
,
C.
Dussarrat
, and
J.-F.
de Marneffe
,
Front. Chem. Sci. Eng.
13
,
511
(
2019
).
12.
M. A.
Blauw
,
T.
Zijlstra
,
R. A.
Bakker
, and
E.
van der Drift
,
J. Vac. Sci. Technol. B
18
,
3453
(
2000
).
13.
L.
Zhang
,
R.
Ljazouli
,
P.
Lefaucheux
,
T.
Tillocher
,
R.
Dussart
,
Y.
Mankelevich
,
J.-F.
de Marneffe
,
S.
de Gendt
, and
M.
Baklanov
,
Electrochem. Solid State Lett.
2
,
N131
(
2013
).
14.
H.
Jansen
,
M.
de Boer
,
R.
Legtenberg
, and
M.
Elwenspoek
,
J. Micromech. Microeng.
5
,
115
(
1995
).
15.
H.
Jansen
,
M.
de Boer
,
J.
Burger
,
R.
Legtenberg
, and
M.
Elwenspoek
,
Microelectron. Eng.
27
,
475
(
1995
).
16.
M.
Esashi
,
M.
Takinami
,
Y.
Wakabayashi
, and
K.
Minami
,
J. Micromech. Microeng.
5
,
5
(
1995
).
17.
J. W.
Bartha
,
J.
Greschner
,
M.
Puech
, and
P.
Maquin
,
Microelectron. Eng.
27
,
453
(
1995
).
18.
T.
Wells
,
M. M.
El-Gomati
, and
J.
Wood
,
J. Vac. Sci. Technol. B
15
,
434
(
1997
).
19.
T.
Chevolleau
,
P. Y.
Tessier
,
C.
Cardinaud
, and
G.
Turban
,
J. Vac. Sci. Technol. A
15
,
2661
(
1997
).
20.
H.
Jansen
,
M.
de Boer
,
R.
Wiegerink
,
N.
Tas
,
E.
Smulders
,
C.
Neagu
, and
M.
Elwenspoek
,
Microelectron. Eng.
35
,
45
(
1997
).
21.
M. J. M.
Vugts
,
G. L. J.
Verschueren
,
M. F. A.
Eurlings
,
L. J. F.
Hermans
, and
H. C. W.
Beijerinck
,
J. Vac. Sci. Technol. A
14
,
2766
(
1996
).
22.
S.
Aachboun
and
P.
Ranson
,
J. Vac. Sci. Technol. A
17
,
2270
(
1999
).
23.
T.
Zijlstra
,
E.
van der Drift
,
M. J. A.
de Dood
,
E.
Snoeks
, and
A.
Polman
,
J. Vac. Sci. Technol. B
17
,
2734
(
1999
).
24.
H.
Jansen
,
M.
De Boer
,
H.
Wensink
,
B.
Kloeck
, and
M.
Elwenspoek
,
Microelectron. J.
32
,
769
(
2001
).
25.
G.
Craciun
,
M. A.
Blauw
,
E.
van der Drift
,
P. M.
Sarro
, and
P. J.
French
,
J. Micromech. Microeng.
12
,
390
(
2002
).
26.
M. W.
Pruessner
,
W. S.
Rabinovich
,
T. H.
Stievater
,
D.
Park
, and
J. W.
Baldwin
,
J. Vac. Sci. Technol. B
25
,
21
(
2007
).
27.
J.
Pereira
,
L. E.
Pichon
,
R.
Dussart
,
C.
Cardinaud
,
C. Y.
Duluard
,
E. H.
Oubensaid
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Boufnichel
, and
P.
Ranson
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
071501
(
2009
).
28.
N.
Chekurov
,
K.
Grigoras
,
A.
Peltonen
,
S.
Franssila
, and
I.
Tittonen
,
Nanotechnology
20
,
065307
(
2009
).
29.
T.
Maruyama
,
T.
Narukage
,
R.
Onuki
, and
N.
Fujiwara
,
J. Vac. Sci. Technol. B
28
,
854
(
2010
).
30.
T.
Maruyama
,
T.
Narukage
,
R.
Onuki
, and
N.
Fujiwara
,
J. Vac. Sci. Technol. B
28
,
862
(
2010
).
31.
R.
Dussart
,
T.
Tillocher
,
P.
Lefaucheux
, and
M.
Boufnichel
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
47
,
123001
(
2014
).
32.
M. J.
de Boer
,
J. G. E.
Gardeniers
,
H. V.
Jansen
,
E.
Smulders
,
M.-J.
Gilde
,
G.
Roelofs
,
J. N.
Sasserath
, and
M.
Elwenspoek
,
J. Microelectromech. Syst.
11
,
385
(
2002
).
33.
M.
Puech
and
P.
Maquin
,
Appl. Surf. Sci.
100–101
,
579
(
1996
).
34.
S.
Aachboun
,
P.
Ranson
,
C.
Hilbert
, and
M.
Boufnichel
,
J. Vac. Sci. Technol. A
18
,
1848
(
2000
).
35.
M. J.
de Boer
,
R.
Tjerkstra
,
J. W.
Berenschot
,
H.
Jansen
,
G. J.
Burger
,
J. G. E.
Gardeniers
,
M.
Elwenspoek
, and
A.
van den Berg
,
J. Microelectromech. Syst.
9
,
94
(
2000
).
36.
R.
Dussart
 et al,
J. Micromech. Microeng.
14
,
190
(
2004
).
37.
M.
Boufnichel
,
S.
Aachboun
,
F.
Grangeon
,
P.
Lefaucheux
, and
P.
Ranson
,
J. Vac. Sci. Technol. B
20
,
1508
(
2002
).
38.
M.
Boufnichel
,
S.
Aachboun
,
P.
Lefaucheux
, and
P.
Ranson
,
J. Vac. Sci. Technol. B
21
,
267
(
2003
).
39.
M.
Boufnichel
,
P.
Lefaucheux
,
S.
Aachboun
,
R.
Dussart
, and
P.
Ranson
,
Microelectron. Eng.
77
,
327
(
2005
).
40.
I. W.
Rangelow
,
J. Vac. Sci. Technol. A
21
,
1550
(
2003
).
41.
H.
Jansen
,
M.
de Boer
,
S.
Unnikrishnan
,
M.
Louwerse
, and
M.
Elwenspoek
,
J. Micromech. Microeng.
19
,
033001
(
2009
).
42.
M. D.
Henry
,
C.
Welch
, and
A.
Scherer
,
J. Vac. Sci. Technol. A
27
,
1211
(
2009
).
43.
T.
Tillocher
,
R.
Dussart
,
X.
Mellhaoui
,
P.
Lefaucheux
,
N.
Mekkakia Maaza
,
P.
Ranson
,
M.
Boufnichel
, and
L. J.
Overzet
,
J. Vac. Sci. Technol. A
24
,
1073
(
2006
).
44.
R.
Dussart
,
X.
Mellhaoui
,
T.
Tillocher
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Boufnichel
, and
P.
Ranson
,
Microelectron. Eng.
84
,
1128
(
2007
).
45.
G.
Marcos
,
A.
Rhallabi
, and
P.
Ranson
,
J. Vac. Sci. Technol. B
22
,
1912
(
2004
).
46.
G.
Marcos
,
A.
Rhallabi
, and
P.
Ranson
,
Appl. Surf. Sci.
254
,
3576
(
2008
).
47.
L.
Sainiemia
and
S.
Franssila
,
J. Vac. Sci. Technol. B
25
,
801
(
2007
).
48.
C. Y.
Duluard
,
R.
Dussart
,
T.
Tillocher
,
L. E.
Pichon
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Puech
, and
P.
Ranson
,
Plasma Sources Sci. Technol.
17
,
045008
(
2008
).
49.
A. F.
Isakovic
,
K.
Evans-Lutterodt
,
D.
Elliott
,
A.
Stein
, and
J. B.
Warren
,
J. Vac. Sci. Technol. A
26
,
1182
(
2008
).
50.
T.
Tillocher
,
W.
Kafrouni
,
J.
Ladroue
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Boufnichel
,
P.
Ranson
, and
R.
Dussart
,
J. Micromech. Microeng.
21
,
085005
(
2011
).
51.
A.
Kamto
,
R.
Divan
,
A. V.
Sumant
, and
S. L.
Burkett
,
J. Vac. Sci. Technol. A
28
,
719
(
2010
).
52.
F.
Jiang
,
A.
Keating
,
M.
Martyniuk
,
K.
Prasad
,
L.
Faraone
, and
J. M.
Dell
,
J. Micromech. Microeng.
22
,
095005
(
2012
).
53.
H. V.
Jansen
,
M. J.
de Boer
,
K.
Ma
,
M.
Girones
,
S.
Unnikrishnan
,
M. C.
Louwerse
, and
M. C.
Elwenspoek
,
J. Micromech. Microeng.
20
,
075027
(
2010
).
54.
C. Y.
Duluard
,
P.
Ranson
,
L. E.
Pichon
,
J.
Pereira
,
E. H.
Oubensaid
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Puech
, and
R.
Dussart
,
J. Micromech. Microeng.
21
,
065015
(
2011
).
55.
L.
Zhang
,
R.
Ljazouli
,
P.
Lefaucheux
,
T.
Tillocher
,
R.
Dussart
,
Y. A.
Mankelevich
,
J.-F.
de Marneffe
,
S.
de Gendt
, and
M. R.
Baklanov
,
ECS Solid State Lett.
2
,
N5
(
2013
).
56.
L.
Zhang
 et al,
J. Phys. D: Appl. Phys.
49
,
175203
(
2016
).
57.
Q. L.
Zhang
,
S.
Tinck
,
J.-F.
de Marneffe
,
L.
Zhang
, and
A.
Bogaerts
,
Appl. Phys. Lett.
111
,
173104
(
2017
).
58.
F.
Iacopi
,
J. H.
Choi
,
K.
Terashima
,
P. M.
Rice
, and
G.
Dubois
,
Phys. Chem. Chem. Phys.
13
,
3634
(
2011
).
59.
F.
Leroy
 et al,
J. Phys. D: Appl. Phys.
48
,
435202
(
2015
).
60.
R.
Chanson
,
L.
Zhang
,
S.
Naumov
,
Y. A.
Mankelevich
,
T.
Tillocher
,
P.
Lefaucheux
,
R.
Dussart
,
S.
De Gendt
, and
J.-F.
de Marnefe
,
Sci. Rep.
8
,
1886
(
2018
).
61.
K.
Shinoda
,
N.
Miyoshi
,
H.
Kobayashi
,
Y.
Hanaoka
,
K.
Kawamura
,
M.
Izawa
,
K.
Ishikawa
, and
M.
Hori
,
Proc. SPIE
10589
,
105890I
(
2018
).
62.
K.
Shinoda
,
N.
Miyoshi
,
H.
Kobayashi
,
M.
Izawa
,
T.
Saeki
,
K.
Ishikawa
, and
M.
Hori
,
J. Vac. Sci. Technol. A
37
,
051002
(
2019
).
63.
G.
Antoun
,
P.
Lefaucheux
,
T.
Tillocher
,
R.
Dussart
,
K.
Yamazaki
,
K.
Yatsuda
,
J.
Faguet
, and
K.
Maekawa
,
Appl. Phys. Lett.
115
,
153109
(
2019
).
64.
S.
Dallorto
,
A.
Goodyear
,
M.
Cooke
,
J. E.
Szornel
,
C.
Ward
,
C.
Kastl
,
A.
Schwartzberg
,
I. W.
Rangelow
, and
S.
Cabrini
,
Plasma Processes Polym.
16
,
1900051
(
2019
).
65.
S.
Dallorto
,
M.
Lorenzon
,
J.
Szornel
,
A.
Schwartzberg
,
A.
Goodyear
,
M.
Cooke
,
M.
Hofmann
,
I. W.
Rangelow
, and
S.
Cabrini
,
J. Vac. Sci. Technol. B
37
,
051805
(
2019
).
66.
S.
Sridhar
,
P. L. G.
Ventzek
, and
A.
Ranjan
,
J. Vac. Sci. Technol. A
38
,
043007
(
2020
).
67.
G.
Antoun
,
T.
Tillocher
,
P.
Lefaucheux
,
J.
Faguet
,
K.
Maekawa
, and
R.
Dussart
,
Sci. Rep.
11
,
357
(
2021
).
68.
G.
Antoun
 et al,
J. Vac. Sci. Technol. A
40
,
052601
(
2022
).
69.
D. L.
Olynick
,
E. H.
Anderson
,
B.
Harteneck
, and
E.
Veklerov
,
J. Vac. Sci. Technol. B
19
,
2896
(
2001
).
70.
Z.
Liu
,
Y.
Wu
,
B.
Harteneck
, and
D.
Olynick
,
Nanotechnology
24
,
015305
(
2013
).
71.
C.
Peroz
,
S.
Dhuey
,
M.
Volger
,
Y.
Wu
,
D.
Olynick
, and
S.
Cabrini
,
Nanotechnology
21
,
445301
(
2010
).
72.
Y.
Wu
,
D. L.
Olynick
,
A.
Goodyear
,
C.
Peroz
,
S.
Dhuey
,
X.
Liang
, and
S.
Cabrini
,
Microelectron. Eng.
88
,
2785
(
2011
).
73.
C. C.
Welch
 et al,
Proc. SPIE
8700
,
870002
(
2013
).
74.
Z.
Li
,
Y.
Chen
,
X.
Zhu
,
M.
Zheng
,
F.
Dong
,
P.
Chen
,
L.
Xu
,
W.
Chu
, and
H.
Duan
,
Nanotechnology
27
,
365302
(
2016
).
75.
A.
Smyrnakis
,
E.
Almpanis
,
V.
Constantoudis
,
N.
Papanikolaou
, and
E.
Gogolides
,
Nanotechnology
26
,
085301
(
2015
).
76.
A.
Smyrnakis
,
A.
Zeniou
,
K.
Awsiuk
,
V.
Constantoudis
, and
E.
Gogolides
,
Front. Chem. Sci. Eng.
13
,
475
(
2019
).
77.
I. W.
Rangelow
 et al,
J. Vac. Sci. Technol. B
34
,
06K202
(
2016
).
78.
R. K.
Dey
,
H.
Ekinci
, and
B.
Cui
,
J. Vac. Sci. Technol. B
38
,
012207
(
2020
).
79.
S. N.
Hsiao
,
K.
Nakane
,
T.
Tsutsumi
,
K.
Ishikawa
,
M.
Sekine
, and
M.
Hori
,
Appl. Surf. Sci.
542
,
148550
(
2021
).
80.
S. N.
Hsiao
,
T. T. N.
Nguyen
,
T.
Tsutsumi
,
K.
Ishikawa
,
M.
Sekine
, and
M.
Hori
,
Coatings
11
,
1535
(
2021
).
81.
Semiconductor Engineering 2018: Cryogenic Etch Re-Emerges (semiengineering.com).
82.
E.
Hudson
and
F.
Roberts
, U.S. patent 0286707 A1 (
4 October 2018
).
83.
R.
Takeda
,
R.
Takashima
, and
Y.
Ooya
, U.S. patent 9659789 B2 (
23 May 2027
).
84.
R. A.
Gottscho
,
C. W.
Jurgensen
, and
D. J.
Vitkavage
,
J. Vac. Sci. Technol. B
10
,
2133
(
1992
).
85.
F.
London
,
Z. Phys.
63
,
245
(
1930
) [Trans. Faraday Soc. 33, 8b (1937)].
86.
D.
Beaglehole
and
H. K.
Christenson
,
J. Phys. Chem.
96
,
3395
(
1992
).
87.
I.
Toyoshima
and
G. A.
Somorjai
,
Catal. Rev.
19
,
105
(
1979
).
88.
A. A.
Martin
and
M.
Toth
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
6
,
18457
(
2014
).
89.
T.
Chowdhury
,
R.
Hidayat
,
T. R.
Mayangsari
,
J.
Gu
,
H.-L.
Kim
,
J.
Jung
, and
W.-J.
Lee
,
J. Vac. Sci. Technol. A
37
,
021001
(
2019
).
90.
T.
Chowdhury
,
R.
Hidayat
,
H.-L.
Kim
,
T. R.
Mayangsari
,
S.
Cho
,
S.
Park
,
J.
Jung
, and
W.-J.
Lee
,
Appl. Surf. Sci.
554
,
149481
(
2021
).
91.
E.
Cheng
and
G. S.
Hwang
,
Appl. Surf. Sci.
543
,
148557
(
2021
).
92.
D. B.
Graves
and
D.
Humbird
,
Appl. Surf. Sci.
192
,
72
(
2002
).
93.
D. B.
Graves
and
P.
Brault
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
42
,
194011
(
2009
).
94.
G. S.
Oehrlein
and
S.
Hamaguchi
,
Plasma Sources Sci. Technol.
27
,
023001
(
2018
).
95.
G.
Davis
and
R. A.
Gottscho
,
J. Appl. Phys.
54
,
3080
(
1983
).
96.
G.
Cunge
,
R.
Ramos
,
D.
Vempaire
,
M.
Touzeau
,
M.
Neijbauer
, and
N.
Sadeghi
,
J. Vac. Sci. Technol. A
27
,
471
(
2009
).
97.
H. F.
Winters
and
J. W.
Coburn
,
Appl. Phys. Lett.
34
,
70
(
1979
).
98.
J. W.
Coburn
and
H. F.
Winters
,
J. Appl. Phys.
50
,
3189
(
1979
).
99.
S.
Tinck
,
E. C.
Neyts
, and
A.
Bogaerts
,
J. Phys. Chem. C
118
,
30315
(
2014
).
100.
101.
T.
Ohiwa
,
K.
Horioka
,
T.
Arikado
,
I.
Hasegawa
, and
H.
Okano
,
Jpn. J. Appl. Phys.
31
,
405
(
1992
).
102.
W.-H.
Kim
,
D.
Sung
,
S.
Oh
,
J.
Woo
,
S.
Lim
,
H.
Lee
, and
S. F.
Bent
,
J. Vac. Sci. Technol. A
36
,
01B104
(
2018
).
103.
G. S.
Oehrlein
and
Y.
Kurogi
,
Mater. Sci. Eng. R
24
,
153
(
1998
).
104.
J. D.
Beckerle
,
Q. Y.
Yang
,
A. D.
Johnson
, and
S. T.
Ceyers
,
J. Chem. Phys.
86
,
7236
(
1987
).
105.
J. D.
Beckerle
,
A. D.
Johnson
, and
S. T.
Ceyer
,
Phys. Rev. Lett.
62
,
685
(
1989
).
106.
J. D.
Beckerle
,
A. D.
Johnson
,
Q. Y.
Yang
, and
S. T.
Ceyer
,
J. Chem. Phys.
91
,
5756
(
1989
).
107.
J.
Royer
,
P. Y.
Tessier
,
B.
Grolleau
, and
G.
Turban
,
J. Vac. Sci. Technol. A
14
,
234
(
1996
).
108.
D. J.
Oostra
,
A.
Haring
, and
A. E.
De Vries
,
Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
16
,
364
(
1986
).
109.
P. G. M.
Sebel
,
L. J. F.
Hermans
, and
H. C. W.
Beijerinck
,
J. Vac. Sci. Technol. A
18
,
2090
(
2000
).
110.
H. F.
Winters
,
J. Vac. Sci. Technol. A
3
,
700
(
1985
).
111.
J.
Pelletier
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
20
,
858
(
1987
).
112.
A.
Bensaoula
,
E.
Grossman
, and
A.
Ignatiev
,
J. Appl. Phys.
62
,
4587
(
1987
).
113.
P. G. M.
Sebel
,
L. J. F.
Hermans
, and
H. C. W.
Beijerinck
,
J. Vac. Sci. Technol. A
17
,
3368
(
1999
).
114.
Z.
Paszti
,
O.
Hakkel
,
T.
Keszthelyi
,
A.
Berko
,
N.
Balazs
,
I.
Bako
, and
L.
Guczi
,
Langmuir
26
,
16312
(
2010
).
115.
T.
Meguro
,
M.
Hamagaki
,
S.
Modaressi
,
T.
Hara
,
Y.
Aoyagi
,
M.
Ishii
, and
Y.
Yamamoto
,
Appl. Phys. Lett.
56
,
1552
(
1990
).
116.
S.
Veprek
and
F. A.
Sarott
,
Plasma Chem. Plasma Process.
2
,
233
(
1982
).
117.
R. O.
Martinez
,
T. R.
Verhey
,
P. K.
Boyer
, and
J. J.
Rocca
,
J. Vac. Sci. Technol. B
6
,
1581
(
1988
).
118.
H. P.
Gillis
,
J. L.
Clemons
, and
J. P.
Chamberlain
,
J. Vac. Sci. Technol. B
10
,
2729
(
1992
).
119.
F. A.
Houle
,
Phys. Rev. B
39
,
10120
(
1989
).
120.
M. C.
Shih
,
M. B.
Freiler
,
G.
Haase
,
R.
Scarmozzino
, and
R. M.
Osgood
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
828
(
1992
).
121.
B.
Li
,
U.
Streller
,
H-P
Krause
,
I.
Twesten
, and
N.
Schwentner
,
J. Appl. Phys.
77
,
350
(
1995
).
122.
R. G.
Livesay
, “
Flow of gases through tubes and orifices
,” in
Foundations of Vacuum Science and Technology
, edited by
J. M.
Lafferty
(
Wiley
,
New York
,
1998
), Chap. 2.
123.
124.
L.
Wu
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
253103
(
2008
).
125.
J. C.
Maxwell
,
The Scientific Papers of James Clerk Maxwell
(
C. J. Clay & Sons
,
1890
), Vol. 2.
126.
L. B.
Loeb
,
The Kinetic Theory of Gases
, 2nd ed. (
McGraw-Hill Book Company
,
1934
).
127.
J. W.
Coburn
and
H. F.
Winters
,
Appl. Phys. Lett.
55
,
2730
(
1989
).
128.
H. A.
Lorentz
,
Lectures on Theoretical Physics
(
Macmillan
,
London
,
1927
), Vol. 1, Chap. 3.
129.
P. C.
Carman
and
F. A.
Raal
,
Proc. R. Soc. London A
209
,
38
(
1951
).
130.
J. F.
O’Hanlon
,
A User’s Guide to Vacuum Technology
, 3rd ed. (
John Wiley & Sons
,
2003
).
131.
P.
Clausing
,
J. Vac. Sci. Technol.
8
,
636
(
1971
).
132.
K.
Miyabe
and
G.
Guiochon
,
J. Chromatogr. A
1217
,
1713
(
2010
).
133.
I.
Medved
and
R.
Cerny
,
Microporous Mesoporous Mater.
142
,
405
(
2011
).
134.
X.
Li
,
S.
Liu
,
J.
Li
,
X.
Tan
,
Y.
Li
, and
F.
Wu
,
Energies
13
,
6323
(
2020
).
135.
W.
Li
,
D.
Wang
, and
J. G.
Wang
,
J. Nat. Gas Sci. Eng.
101
,
104508
(
2022
).
136.
E. R.
Gilliland
,
R. F.
Baddour
,
G. P.
Perkinson
, and
K. J.
Sladek
,
Ind. Eng. Chem. Fundam.
13
,
95
(
1974
).
137.
J. L.
Brand
,
M. V.
Arena
,
A. A.
Deckert
, and
S. M.
George
,
J. Chem. Phys.
92
,
5136
(
1990
).
138.
M. V.
Arena
,
A. A.
Deckert
,
J. L.
Brand
, and
S. M.
George
,
J. Phys. Chem.
94
,
6792
(
1990
).
139.
C. H.
Mak
,
B. G.
Koehler
, and
S. M.
George
,
J. Vac. Sci. Technol. A
6
,
856
(
1988
).
140.
E. D.
Westre
,
M. V.
Arena
,
A. A.
Deckert
,
J. L.
Brand
, and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
233
,
293
(
1990
).
141.
M. V.
Arena
,
E. D.
Westre
, and
S. M.
George
,
J. Chem. Phys.
94
,
4001
(
1991
).
142.
D. A.
King
,
J. Vac. Sci. Technol.
17
,
241
(
1980
).
143.
A. A.
Deckert
,
J. L.
Brand
,
M. V.
Arena
, and
S. M.
George
,
J. Vac. Sci. Technol. A
6
,
794
(
1988
).
144.
S.
Brunauer
,
P. H.
Emmett
, and
E.
Teller
,
J. Am. Chem. Soc.
60
,
309
(
1938
).
145.
I.
Langmuir
,
J. Am. Chem. Soc.
40
,
1361
(
1918
).
146.
Handbook of Chemistry and Physics Online: Vapor pressure of compounds and elements, Vapor Pressure of Compounds and Elements (chemnetbase.com).
147.
C. B.
Mullins
and
J. W.
Coburn
,
J. Appl. Phys.
76
,
7562
(
1994
).
148.
P. C.
Carman
and
P. Le R.
Malherbe
,
Proc. Math. Phys. Eng. Sci.
203
,
165
(
1950
).
149.
Y.
Horiguchi
,
R. R.
Hudgins
, and
P. L.
Silveston
,
Can. J. Chem. Eng.
49
,
76
(
1971
).
150.
K. S. W.
Sing; D
,
H.
Everett
,
R. A. W.
Haul
,
L.
Moscou
,
R. A.
Pierotti
,
J.
Rouquerol
, and
T.
Siemieniewska
,
Pure Appl. Chem.
57
,
603
(
1985
).
151.
L. R.
Fisher
and
J. N.
Israelachvili
,
Nature
277
,
548
(
1979
).
152.
L. R.
Fisher
,
R. A.
Gamble
, and
J.
Middlehurst
,
Nature
290
,
575
(
1981
).
153.
J. H.
Simons
and
J. W.
Bouknight
,
J. Am. Chem. Soc.
54
,
129
(
1932
).
154.
N. B.
Hannay
and
C. P.
Smyth
,
J. Am. Chem. Soc.
68
,
171
(
1946
).
155.
S. A.
Clough
,
Y.
Beers
,
G. P.
Klein
, and
L. S.
Rothman
,
J. Chem. Phys.
59
,
2254
(
1973
).
156.
X.
Mellhaoui
,
R.
Dussart
,
T.
Tillocher
,
P.
Lefaucheux
,
P.
Ranson
,
M.
Boufnichel
, and
L. J.
Overzet
,
J. Appl. Phys.
98
,
104901
(
2005
).
157.
T.
Tillocher
,
J.
Nos
,
G.
Antoun
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Boufnichel
, and
R.
Dussart
,
Micromachines
12
,
1143
(
2021
).
158.
H. S.
Booth
and
R. A.
Osten
,
J. Am. Chem. Soc.
67
,
1092
(
1945
).
159.
B.
Wu
,
A.
Kumar
, and
S.
Pamarthy
,
J. Appl. Phys.
108
,
051101
(
2010
).
160.
M. J.
Walker
,
Proc. SPIE
4407
,
89
(
2001
).
161.
S.-B.
Jo
,
M.-W.
Lee
,
S.-G.
Lee
,
E.-H.
Lee
,
S.-G.
Park
, and
B.-H.
Oh
,
J. Vac. Sci. Technol. A
23
,
905
(
2005
).
162.
T.
Tillocher
,
R.
Dussart
,
L. J.
Overzet
,
X.
Mellhaoui
,
P.
Lefaucheux
,
M.
Boufnichel
, and
P.
Ranson
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
D187
(
2008
).
163.
R.
Dussart
,
P.
Lefaucheux
,
X.
Mellhaoui
,
L. J.
Overzet
,
P.
Ranson
,
T.
Tillocher
, and
M.
Boufnichel
, U.S. patent 8,012,365 B2 (
6 December 2011
).
164.
D.
Kim
,
E. A.
Hudson
,
D.
Cooperberg
,
E.
Edelberg
, and
M.
Srinivasan
,
Thin Solid Films
515
,
4874
(
2007
).
165.
T.
Iwase
,
K.
Yokogawa
, and
M.
Mori
,
Jpn. J. Appl. Phys.
57
,
06JC03
(
2018
).
166.
T.
Iwase
,
N.
Kofuji
,
K.
Yokogawa
, and
M.
Mori
,
Jpn. J. Appl. Phys.
58
,
SEEB04
(
2019
).
167.
T.
Iwase
,
K.
Yokogawa
, and
M.
Mori
,
Jpn. J. Appl. Phys.
56
,
06HB04
(
2017
).
168.
T.
Iwase
,
M.
Matsui
,
K.
Yokogawa
,
T.
Arase
, and
M.
Mori
,
Jpn. J. Appl. Phys.
55
,
06HB02
(
2016
).
169.
H.
Nishino
,
N.
Hayasaka
, and
H.
Okano
,
J. Appl. Phys.
74
,
1345
(
1993
).
170.
T.
Hayashi
,
K.
Ishikawa
,
M.
Sekine
,
M.
Hori
,
A.
Kono
, and
K.
Suu
,
Jpn. J. Appl. Phys.
51
,
016201
(
2012
).
171.
Y. J.
Gill
,
D. S.
Kim
,
H. S.
Gil
,
K. H.
Kim
,
Y. J.
Jang
,
Y. E.
Kim
, and
G. Y.
Yeom
,
Plasma Process. Polym.
18
,
2100063
(
2021
).
172.
H.
Ogawa
,
T.
Arai
,
M.
Yanagisawa
,
T.
Ichiki
, and
Y.
Horiike
,
Jpn. J. Appl. Phys.
41
,
5349
(
2002
).
173.
174.
S.
Huang
,
C.
Huard
,
S.
Shim
,
S. K.
Nam
,
I. C.
Song
,
S.
Li
, and
M. J.
Kushner
,
J. Vac. Sci. Technol. A
37
,
031304
(
2019
).
175.
K. J.
Kanarik
,
T.
Lill
,
E. A.
Hudson
,
S.
Sriraman
,
S.
Tan
,
J.
Marks
,
V.
Vahedi
, and
R. A.
Gottscho
,
J. Vac. Sci. Technol. A
33
,
020802
(
2015
).
176.
Y.
Horiike
,
T.
Tanaka
,
M.
Nakano
,
S.
Iseda
,
H.
Sakaue
,
A.
Nagata
,
H.
Shindo
,
S.
Miyazaki
, and
M.
Hirose
,
J. Vac. Sci. Technol. A
8
,
1844
(
1990
).
177.
H.
Sakaue
,
S.
Iseda
,
K.
Asami
,
J.
Yamamoto
,
M.
Hirose
, and
Y.
Horiike
,
Jpn. J. Appl. Phys.
29
,
2648
(
1990
).
178.
S. M.
George
,
Chem. Rev.
110
,
111
(
2010
).
179.
G. S.
Oehrlein
,
D.
Metzler
, and
C.
Li
,
ECS J. Solid State Sci. Technol.
4
,
N5041
(
2015
).
180.
R. L.
Puurunen
,
J. Appl. Phys.
97
,
121301
(
2005
).
181.
S. M.
Rossnagel
,
A.
Sherman
, and
F.
Turner
,
J. Vac. Sci. Technol. B
18
,
2016
(
2000
).
182.
W. J.
Maeng
,
S.-J.
Park
, and
H.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. B
24
,
2276
(
2006
).
183.
W. J.
Maeng
and
H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G191
(
2006
).
184.
J. L.
van Hemmen
,
S. B. S.
Heil
,
J. H.
Klootwijk
,
F.
Roozeboom
,
C. J.
Hodson
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
G165
(
2007
).
185.
S. B. S.
Heil
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
26
,
472
(
2008
).
186.
E.
Langereis
,
J.
Keijmel
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
231904
(
2008
).
187.
H. C. M.
Knoops
,
A. J. M.
Mackus
,
M. E.
Donders
,
M. C. M.
van de Sanden
,
P. H. L.
Notten
, and
W. M. M.
Kessels
,
Electrochem. Solid-State Lett.
12
,
G34
(
2009
).
188.
S. E.
Potts
,
W.
Keuning
,
E.
Langereis
,
G.
Dingemans
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
P66
(
2010
).
189.
V.
Vandalon
and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
011607
(
2016
).
190.
B.
Ge
,
D.
Ohori
,
Y. H.
Chen
,
T.
Ozaki
,
K.
Endo
,
Yiming
Li
,
J.-H.
Tarng
, and
S.
Samukawa
,
J. Vac. Sci. Technol. A
40
,
022405
(
2022
).
You do not currently have access to this content.