Although 10 years have passed since the initial report of ferroelectricity in hafnia (HfO2), researchers are still intensely fascinated by this material system and the promise it holds for future applications. A wide variety of deposition methods have been deployed to create ferroelectric HfO2 thin films such as atomic layer deposition, chemical solution deposition, and physical vapor deposition methods such as sputtering and pulsed laser deposition. Process and design parameters such as deposition temperature, precursor choice, target source, vacuum level, reactive gases, substrate strain, and many others are often integral in stabilizing the polar orthorhombic phase and ferroelectricity. We examine processing parameters across four main different deposition methods and their effect on film microstructure, phase evolution, defect concentration, and resultant electrical properties. The goal of this review is to integrate the process knowledge collected over the past 10 years in the field of ferroelectric HfO2 into a single comprehensive guide for the design of future HfO2-based ferroelectric materials and devices.

1.
S.
Natarajan
 et al.,
International Electron Devices Meeting, 2008, San Francisco, CA
, (
IEEE International
,
New York
,
2009
), p.
3
.
2.
T. S.
Böscke
,
J.
Müller
,
D.
Bräuhaus
,
U.
Schröder
, and
U.
Böttger
,
Appl. Phys. Lett.
99
,
102903
(
2011
).
3.
C. H.
Yu
,
2006 International Microsystems, Package, Assembly Conference Taiwan
,
Taipei
, 18–20 October 2006 (
IEEE
,
New York
,
2006
), pp.
1
6
.
4.
J. F.
Ihlefeld
,
D. T.
Harris
,
R.
Keech
,
J. L.
Jones
,
J.-P.
Maria
, and
S.
Trolier-McKinstry
,
J. Am. Ceram. Soc.
99
,
2537
(
2016
).
5.
S. J.
Kim
 et al.,
Appl. Phys. Lett.
112
,
172902
(
2018
).
6.
S.
Mueller
,
S. R.
Summerfelt
,
J.
Muller
,
U.
Schroeder
, and
T.
Mikolajick
,
IEEE Electron Device Lett.
33
,
1300
(
2012
).
7.
J.
Okuno
 et al.,
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
,
Honolulu, HI, USA
, 16–19 June 2020 (
IEEE
,
New York
,
2020
), pp.
1
2
.
8.
H.
Mulaosmanovic
,
E. T.
Breyer
,
S.
Dünkel
,
S.
Beyer
,
T.
Mikolajick
, and
S.
Slesazeck
,
Nanotechnology
32
,
502002
(
2021
).
9.
J.
Muller
 et al.,
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
,
Washington, DC, USA
, 9–11 December 2013 (
IEEE
,
New York
,
2013
), pp.
10.8.1
-
10.8.4
.
10.
M. H.
Park
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
T.
Moon
,
K. D.
Kim
, and
C. S.
Hwang
,
Nano Energy
12
,
131
(
2015
).
11.
M. H.
Park
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
T.
Moon
,
K. D.
Kim
,
Y. H.
Lee
,
S. D.
Hyun
, and
C. S.
Hwang
,
Adv. Mater.
28
,
7956
(
2016
).
12.
M. H.
Park
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
T.
Moon
,
K. D.
Kim
, and
C. S.
Hwang
,
Adv. Energy Mater.
4
,
1400610
(
2014
).
13.
H.
Ryu
,
H.
Wu
,
F.
Rao
, and
W.
Zhu
,
Sci. Rep.
9
,
020383
(
2019
).
14.
J.
Müller
,
T. S.
Böscke
,
U.
Schröder
,
S.
Mueller
,
D.
Bräuhaus
,
U.
Böttger
,
L.
Frey
, and
T.
Mikolajick
,
Nano Lett.
12
,
4318
(
2012
).
15.
J. F.
Ihlefeld
 et al.,
J. Appl. Phys.
128
,
034101
(
2020
).
16.
A.
Chernikova
 et al.,
ACS Appl. Mater. Interfaces
8
,
7232
(
2016
).
17.
M. C.
Cheynet
,
S.
Pokrant
,
F. D.
Tichelaar
, and
J.-L.
Rouvière
,
J. Appl. Phys.
101
,
054101
(
2007
).
18.
C.
Gaumer
 et al.,
Microelectron. Eng.
88
,
72
(
2011
).
19.
M. H.
Park
,
Y. H.
Lee
,
T.
Mikolajick
,
U.
Schroeder
, and
C. S.
Hwang
,
MRS Commun.
8
,
795
(
2018
).
20.
S. J.
Kim
,
J.
Mohan
,
S. R.
Summerfelt
, and
J.
Kim
,
JOM
71
,
246
(
2019
).
21.
M. H.
Park
 et al.,
J. Mater. Chem. C
8
,
010526
(
2020
).
22.
M.
Materano
,
P. D.
Lomenzo
,
A.
Kersch
,
M. H.
Park
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
Inorg. Chem. Front.
8
,
2650
(
2021
).
23.
A.
Chouprik
,
D.
Negrov
,
E. Y.
Tsymbal
, and
A.
Zenkevich
,
Nanoscale
13
,
011635
(
2021
).
24.
T. D.
Huan
,
V.
Sharma
,
G. A.
Rossetti
, and
R.
Ramprasad
,
Phys. Rev. B
90
,
064111
(
2014
).
25.
R.
Batra
,
H. D.
Tran
, and
R.
Ramprasad
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
172902
(
2016
).
26.
X.
Sang
,
E. D.
Grimley
,
T.
Schenk
,
U.
Schroeder
, and
J. M.
LeBeau
,
Appl. Phys. Lett.
106
,
162905
(
2015
).
27.
28.
M. H.
Park
 et al.,
Adv. Mater.
27
,
1811
(
2015
).
29.
R.
Materlik
,
C.
Künneth
, and
A.
Kersch
,
J. Appl. Phys.
117
,
134109
(
2015
).
30.
M.
Hoffmann
 et al.,
J. Appl. Phys.
118
,
072006
(
2015
).
31.
S.
Starschich
,
T.
Schenk
,
U.
Schroeder
, and
U.
Boettger
,
Appl. Phys. Lett.
110
,
182905
(
2017
).
32.
P. D.
Lomenzo
,
Q.
Takmeel
,
S.
Moghaddam
, and
T.
Nishida
,
Thin Solid Films
615
,
139
(
2016
).
33.
J.
Müller
 et al.,
J. Appl. Phys.
110
,
114113
(
2011
).
34.
T.
Schenk
,
S.
Mueller
,
U.
Schroeder
,
R.
Materlik
,
A.
Kersch
,
M.
Popovici
,
C.
Adelmann
,
S.
Van Elshocht
, and
T.
Mikolajick
,
2013 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
,
Bucharest
, 16–20 September 2013 (
IEEE
,
New York
,
2013
), pp.
260
263
.
35.
U.
Schroeder
 et al.,
Inorg. Chem.
57
,
2752
(
2018
).
36.
S.
Mueller
,
C.
Adelmann
,
A.
Singh
,
S.
Van Elshocht
,
U.
Schroeder
, and
T.
Mikolajick
,
ECS J. Solid State Sci. Technol.
1
,
N123
(
2012
).
37.
S.
Mueller
,
J.
Mueller
,
A.
Singh
,
S.
Riedel
,
J.
Sundqvist
,
U.
Schroeder
, and
T.
Mikolajick
,
Adv. Funct. Mater.
22
,
2412
(
2012
).
38.
L.
Xu
,
T.
Nishimura
,
S.
Shibayama
,
T.
Yajima
,
S.
Migita
, and
A.
Toriumi
,
Appl. Phys. Express
9
,
091501
(
2016
).
39.
J. E.
Lowther
,
J. K.
Dewhurst
,
J. M.
Leger
, and
J.
Haines
,
Phys. Rev. B
60
,
014485
(
1999
).
40.
E. H.
Kisi
and
C. J.
Howard
,
Zirconia Engineering Ceramics
(
Trans Tech Publications Ltd
, Kapellweg 8, 8806 Bäch SZ, Switzerland,
1998
), pp.
1
36
.
41.
R.
Batra
,
T. D.
Huan
,
G. A.
Rossetti
, and
R.
Ramprasad
,
Chem. Mater.
29
,
9102
(
2017
).
42.
L.
Xu
,
T.
Nishimura
,
S.
Shibayama
,
T.
Yajima
,
S.
Migita
, and
A.
Toriumi
,
J. Appl. Phys.
122
,
124104
(
2017
).
43.
M. G.
Kim
and
S.
Ohmi
,
Jpn. J. Appl. Phys.
57
,
11UF09
(
2018
).
44.
K. D.
Kim
,
M. H.
Park
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
T.
Moon
,
Y. H.
Lee
,
S. D.
Hyun
,
T.
Gwon
, and
C. S.
Hwang
,
J. Mater. Chem. C
4
,
6864
(
2016
).
45.
M.
Hyuk Park
,
H.
Joon Kim
,
Y.
Jin Kim
,
W.
Lee
,
T.
Moon
, and
C.
Seong Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
242905
(
2013
).
46.
M. H.
Park
 et al.,
Nanoscale
9
,
9973
(
2017
).
47.
M.
Pešić
 et al.,
Adv. Funct. Mater.
26
,
4601
(
2016
).
48.
M. H.
Park
,
Y. H.
Lee
, and
C. S.
Hwang
,
Nanoscale
11
,
019477
(
2019
).
49.
M. H.
Park
 et al.,
Nanoscale
10
,
716
(
2018
).
50.
M. H.
Park
 et al.,
Adv. Electron. Mater.
4
,
1800091
(
2018
).
51.
T.
Shiraishi
 et al.,
Appl. Phys. Lett.
108
,
262904
(
2016
).
52.
Y.
Tashiro
,
T.
Shimizu
,
T.
Mimura
, and
H.
Funakubo
,
ACS Appl. Electron. Mater.
3
,
3123
(
2021
).
53.
H. A.
Hsain
,
Y.
Lee
,
G.
Parsons
, and
J. L.
Jones
,
Appl. Phys. Lett.
116
,
192901
(
2020
).
54.
A.
Toriumi
,
L.
Xu
,
Y.
Mori
,
X.
Tian
,
P. D.
Lomenzo
,
H.
Mulaosmanovic
,
M.
Materano
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
,
San Francisco, CA, USA
, 7–11 December 2019 (
IEEE
,
New York
,
2019
), pp.
15.1.1
-
15.1.4
.
55.
S. M.
George
,
Chem. Rev.
110
,
111
(
2010
).
56.
G. N.
Parsons
,
S. M.
George
, and
M.
Knez
,
MRS Bull.
36
,
865
(
2011
).
57.
R. W.
Johnson
,
A.
Hultqvist
, and
S. F.
Bent
,
Mater. Today
17
,
236
(
2014
).
58.
K.
Kukli
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
T.
Sajavaara
,
J.
Keinonen
,
A. C.
Jones
, and
J. L.
Roberts
,
Chem. Mater.
15
,
1722
(
2003
).
59.
K.
Kukli
,
T.
Pilvi
,
M.
Ritala
,
T.
Sajavaara
,
J.
Lu
, and
M.
Leskelä
,
Thin Solid Films
491
,
328
(
2005
).
60.
M.
Materano
,
C.
Richter
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
J. Vac. Sci. Technol. A
38
,
022402
(
2020
).
61.
C. S.
Hwang
,
Atomic Layer Deposition for Semiconductors
, 1st ed. (
Springer
,
New York
,
2014
).
62.
J.
Aarik
,
A.
Aidla
,
A.
Kikas
,
T.
Käämbre
,
R.
Rammula
,
P.
Ritslaid
,
T.
Uustare
, and
V.
Sammelselg
,
Appl. Surf. Sci.
230
,
292
(
2004
).
63.
H.
Machida
,
T.
Kada
,
M.
Ishikawa
,
A.
Ogura
, and
Y.
Ohshita
,
Jpn. J. Appl. Phys.
43
,
966
(
2004
).
64.
S. W.
Smith
,
A. R.
Kitahara
,
M. A.
Rodriguez
,
M. D.
Henry
,
M. T.
Brumbach
, and
J. F.
Ihlefeld
,
Appl. Phys. Lett.
110
,
072901
(
2017
).
65.
S. J.
Kim
 et al.,
Appl. Phys. Lett.
115
,
182901
(
2019
).
66.
T.
Suntola
,
Appl. Surf. Sci.
100–101
,
391
(
1996
).
67.
B. S.
Kim
 et al.,
Nanoscale Res. Lett.
15
,
72
(
2020
).
68.
J.
Niinistö
,
M.
Putkonen
,
L.
Niinistö
,
F.
Song
,
P.
Williams
,
P. N.
Heys
, and
R.
Odedra
,
Chem. Mater.
19
,
3319
(
2007
).
69.
J.
Swerts
,
N.
Peys
,
L.
Nyns
,
A.
Delabie
,
A.
Franquet
,
J. W.
Maes
,
S. V.
Elshocht
, and
S. D.
Gendt
,
J. Electrochem. Soc.
6
, G26 (2010).
70.
R. S.
Pessoa
,
M. A.
Fraga
,
W.
Chiappim
, and
H. S.
Maciel
,
Emerging Materials for Energy Conversion and Storage
(
Elsevier
,
New York
,
2018
), pp.
83
114
.
71.
H. B.
Park
 et al.,
J. Appl. Phys.
94
,
3641
(
2003
).
72.
X.
Liu
,
S.
Ramanathan
,
A.
Longdergan
,
A.
Srivastava
,
E.
Lee
,
T. E.
Seidel
,
J. T.
Barton
,
D.
Pang
, and
R. G.
Gordon
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
G213
(
2005
).
73.
R.
Alcala
,
C.
Richter
,
M.
Materano
,
P. D.
Lomenzo
,
C.
Zhou
,
J. L.
Jones
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
54
,
035102
(
2021
).
74.
S. Y.
Lee
,
H. K.
Kim
,
J. H.
Lee
,
I.-H.
Yu
,
J.-H.
Lee
, and
C. S.
Hwang
,
J. Mater. Chem. C
2
,
2558
(
2014
).
75.
M.-J.
Choi
,
H.-H.
Park
,
D. S.
Jeong
,
J. H.
Kim
,
J.-S.
Kim
, and
S. K.
Kim
,
Appl. Surf. Sci.
301
,
451
(
2014
).
76.
J.
Park
,
M.
Cho
,
S. K.
Kim
,
T. J.
Park
,
S. W.
Lee
,
S. H.
Hong
, and
C. S.
Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
112907
(
2005
).
77.
S.-J.
Yoon
,
S.-Y.
Na
,
S.-E.
Moon
, and
S.-M.
Yoon
,
J. Vac. Sci. Technol. B
37
,
050601
(
2019
).
78.
A.
Pal
,
V. K.
Narasimhan
,
S.
Weeks
,
K.
Littau
,
D.
Pramanik
, and
T.
Chiang
,
Appl. Phys. Lett.
110
,
022903
(
2017
).
79.
U.
Schroeder
,
M.
Materano
,
T.
Mittmann
,
P. D.
Lomenzo
,
T.
Mikolajick
, and
A.
Toriumi
,
Jpn. J. Appl. Phys.
58
,
SL0801
(
2019
).
80.
M.
Materano
,
T.
Mittmann
,
P. D.
Lomenzo
,
C.
Zhou
,
J. L.
Jones
,
M.
Falkowski
,
A.
Kersch
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
ACS Appl. Electron. Mater.
2
,
3618
(
2020
).
81.
T.
Mittmann
,
M.
Materano
,
S.-C.
Chang
,
I.
Karpov
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
,
San Francisco, CA, USA
, 12–18 December 2020 (
IEEE
,
New York
,
2020
), pp.
18.4.1
18.4.4
.
82.
T.
Mittmann
 et al.,
Phys. Status Solidi RRL
15
,
2100012
(
2021
).
83.
S. S.
Fields
 et al.,
Adv. Mater. Interfaces
8
,
2100018
(
2021
).
84.
D.
Cao
,
X.
Cheng
,
L.
Zheng
,
D.
Xu
,
Z.
Wang
,
C.
Xia
,
L.
Shen
,
Y.
Yu
, and
D.
Shen
,
J. Vac. Sci. Technol. B
33
,
01A101
(
2015
).
85.
H.
Hernández-Arriaga
,
E.
López-Luna
,
E.
Martínez-Guerra
,
M. M.
Turrubiartes
,
A. G.
Rodríguez
, and
M. A.
Vidal
,
J. Appl. Phys.
121
,
064302
(
2017
).
86.
M. H.
Park
 et al.,
Appl. Phys. Rev.
6
,
041403
(
2019
).
87.
S. L.
Weeks
,
A.
Pal
,
V. K.
Narasimhan
,
K. A.
Littau
, and
T.
Chiang
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
9
,
013440
(
2017
).
88.
M. E.
McBriarty
 et al.,
Phys. Status Solidi B
257
,
1900285
(
2020
).
89.
Y. W.
Lu
,
J.
Shieh
, and
F. Y.
Tsai
,
Acta Mater.
115
,
68
(
2016
).
90.
V.
Gaddam
,
D.
Das
, and
S.
Jeon
,
IEEE Trans. Electron Devices
67
,
745
(
2020
).
91.
T.
Onaya
,
T.
Nabatame
,
N.
Sawamoto
,
A.
Ohi
,
N.
Ikeda
,
T.
Nagata
, and
A.
Ogura
,
APL Mater.
7
,
061107
(
2019
).
92.
H. J.
Kim
,
M. H.
Park
,
Y. J.
Kim
,
Y. H.
Lee
,
W.
Jeon
,
T.
Gwon
,
T.
Moon
,
K. D.
Kim
, and
C. S.
Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
192903
(
2014
).
93.
J.
Wang
 et al.,
IEEE Electron Device Lett.
40
,
1937
(
2019
).
94.
P. D.
Lomenzo
,
Q.
Takmeel
,
C.
Zhou
,
Y.
Liu
,
C. M.
Fancher
,
J. L.
Jones
,
S.
Moghaddam
, and
T.
Nishida
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
072906
(
2014
).
95.
C.
Mart
,
K.
Kühnel
,
T.
Kämpfe
,
M.
Czernohorsky
,
M.
Wiatr
,
S.
Kolodinski
, and
W.
Weinreich
,
ACS Appl. Electron. Mater.
1
,
2612
(
2019
).
96.
M.
Hyuk Park
,
H.
Joon Kim
,
Y.
Jin Kim
,
T.
Moon
, and
C.
Seong Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
104
,
072901
(
2014
).
97.
T. M.
Correia
and
Q.
Zhang
,
Ferroelectrics
405
,
275
(
2010
).
98.
L.
Liu
,
R.
Zuo
, and
Q.
Liang
,
Ceram. Int.
39
,
3865
(
2013
).
99.
R.
Laishram
,
J. Phys. Chem. Solids
104
,
8
(
2017
).
100.
S.
Bonomi
and
L.
Malavasi
,
J. Vac. Sci. Technol. A
38
,
060803
(
2020
).
101.
Z.
Fan
,
J.
Xiao
,
J.
Wang
,
L.
Zhang
,
J.
Deng
,
Z.
Liu
,
Z.
Dong
,
J.
Wang
, and
J.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
232905
(
2016
).
102.
Q.
Luo
 et al.,
IEEE Electron Device Lett.
40
,
570
(
2019
).
103.
J.
Bouaziz
,
P.
Rojo Romeo
,
N.
Baboux
, and
B.
Vilquin
,
J. Vac. Sci. Technol. B
37
,
021203
(
2019
).
104.
K. C.
Das
,
N.
Tripathy
,
S. P.
Ghosh
,
P.
Sharma
,
R.
Singhal
, and
J. P.
Kar
,
Vacuum
143
,
288
(
2017
).
105.
Y. H.
Lee
,
H. J.
Kim
,
T.
Moon
,
K. D.
Kim
,
S. D.
Hyun
,
H. W.
Park
,
Y. B.
Lee
,
M. H.
Park
, and
C. S.
Hwang
,
Nanotechnology
28
,
305703
(
2017
).
106.
T.
Olsen
,
U.
Schröder
,
S.
Müller
,
A.
Krause
,
D.
Martin
,
A.
Singh
,
J.
Müller
,
M.
Geidel
, and
T.
Mikolajick
,
Appl. Phys. Lett.
101
,
082905
(
2012
).
107.
P.
Zhao
,
D.
Zhou
,
F.
Liu
,
N.
Sun
, and
S.
Li
,
Mater. Res. Express
6
,
086325
(
2019
).
108.
Y.
Zhang
,
J.
Xu
,
D.-Y.
Zhou
,
H.-H.
Wang
,
W.-Q.
Lu
, and
C.-K.
Choi
,
Ceram. Int.
44
,
012841
(
2018
).
109.
T.
Suzuki
,
T.
Shimizu
,
T.
Mimura
,
H.
Uchida
, and
H.
Funakubo
,
Jpn. J. Appl. Phys.
57
,
11UF15
(
2018
).
110.
T.
Shiraishi
,
S.
Choi
,
T.
Kiguchi
,
T.
Shimizu
,
H.
Uchida
,
H.
Funakubo
, and
T. J.
Konno
,
Jpn. J. Appl. Phys.
57
,
11UF02
(
2018
).
111.
T.
Mittmann
 et al.,
Adv. Mater. Interfaces
6
,
1900042
(
2019
).
112.
F.
Huang
 et al.,
Phys. Chem. Chem. Phys.
19
,
3486
(
2017
).
113.
H.
Yamada
,
Y.
Toyosaki
, and
A.
Sawa
,
J. Appl. Phys.
124
,
105305
(
2018
).
114.
T.
Murakami
,
K. I.
Haga
, and
E.
Tokumitsu
,
Jpn. J. Appl. Phys.
59
,
SPPB03
(
2020
).
115.
S.
Kim
and
J.
Hong
,
Ceram. Int.
43
,
S158
(
2017
).
116.
L.
Baumgarten
,
T.
Szyjka
,
T.
Mittmann
,
M.
Materano
,
Y.
Matveyev
,
C.
Schlueter
,
T.
Mikolajick
,
U.
Schroeder
, and
M.
Müller
,
Appl. Phys. Lett.
118
,
032903
(
2021
).
117.
H.
Liang
,
B.
Zhang
,
Y.
Guo
,
X.
Guo
,
S.
Ren
,
Y.
Li
,
Y.
Lu
, and
R.
Lang
,
Ceram. Int.
47
, 27843 (
2021
).
118.
L.
Xu
,
S.
Shibayama
,
K.
Izukashi
,
T.
Nishimura
,
T.
Yajima
,
S.
Migita
, and
A.
Toriumi
,
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
,
San Francisco, CA, USA
, 3–7 December 2016 (
IEEE
,
New York
,
2016
), pp.
25.2.1
-
25.2.4
.
119.
D.
Severin
,
O.
Kappertz
,
T.
Nyberg
,
S.
Berg
,
A.
Pflug
, and
M.
Wuttig
,
J. Appl. Phys.
105
,
093302
(
2009
).
120.
T.
Mittmann
,
M.
Michailow
,
P. D.
Lomenzo
,
J.
Gärtner
,
M.
Falkowski
,
A.
Kersch
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
Nanoscale
13
,
912
(
2021
).
121.
T.
Szyjka
,
L.
Baumgarten
,
T.
Mittmann
,
Y.
Matveyev
,
C.
Schlueter
,
T.
Mikolajick
,
U.
Schroeder
, and
M.
Müller
,
ACS Appl. Electron. Mater.
2
,
3152
(
2020
).
122.
C. C.
Chin
,
R. J.
Lin
,
Y. C.
Yu
,
C. W.
Wang
,
E. K.
Lin
,
W. C.
Tsai
, and
T. Y.
Tseng
,
Physica C
260
,
86
(
1996
).
123.
J.
Hinze
and
K.
Ellmer
,
J. Appl. Phys.
88
,
2443
(
2000
).
124.
V. G.
Koukhar
,
N. A.
Pertsev
, and
R.
Waser
,
Phys. Rev. B
64
,
214103
(
2001
).
125.
Y.
Lin
and
C. L.
Chen
,
J. Mater. Sci.
44
,
5274
(
2009
).
126.
C. H.
Ahn
,
K. M.
Rabe
, and
J. M.
Triscone
,
Science
303
,
488
(
2004
).
127.
P. R.
Willmott
and
J. R.
Huber
,
Rev. Mod. Phys.
72
,
315
(
2000
).
128.
T.
Shimizu
,
K.
Katayama
,
T.
Kiguchi
,
A.
Akama
,
T. J.
Konno
, and
H.
Funakubo
,
Appl. Phys. Lett.
107
,
032910
(
2015
).
129.
K.
Katayama
,
Appl. Phys. Lett.
6
, 112901 (
2016
).
130.
J.
Lyu
,
I.
Fina
,
R.
Bachelet
,
G.
Saint-Girons
,
S.
Estandía
,
J.
Gázquez
,
J.
Fontcuberta
, and
F.
Sánchez
,
Appl. Phys. Lett.
114
,
222901
(
2019
).
131.
Y.
Zhang
,
Q.
Yang
,
L.
Tao
,
E.
Tsymbal
, and
V.
Alexandrov
,
Phys. Rev. Appl.
14
,
014068
(
2020
).
132.
S.
Estandía
,
N.
Dix
,
J.
Gazquez
,
I.
Fina
,
J.
Lyu
,
M. F.
Chisholm
,
J.
Fontcuberta
, and
F.
Sánchez
,
ACS Appl. Electron. Mater.
1
,
1449
(
2019
).
133.
T.
Li
 et al.,
J. Mater. Chem. C
6
,
9224
(
2018
).
134.
T.
Mimura
,
T.
Shimizu
, and
H.
Funakubo
,
Appl. Phys. Lett.
115
,
032901
(
2019
).
135.
J.
Lyu
,
I.
Fina
,
R.
Solanas
,
J.
Fontcuberta
, and
F.
Sánchez
,
CS Appl. Electron. Mater.
1
,
27
(2019).
136.
Z.
Fan
,
J.
Chen
, and
J.
Wang
,
J. Adv. Dielect.
06
,
1630003
(
2016
).
137.
T.
Mimura
,
T.
Shimizu
,
T.
Kiguchi
,
A.
Akama
,
T. J.
Konno
,
Y.
Katsuya
,
O.
Sakata
, and
H.
Funakubo
,
Jpn. J. Appl. Phys.
58
,
SBBB09
(
2019
).
138.
S.
Starschich
,
D.
Griesche
,
T.
Schneller
,
R.
Waser
, and
U.
Böttger
,
Appl. Phys. Lett.
104
,
202903
(
2014
).
139.
S.
Starschich
,
D.
Griesche
,
T.
Schneller
, and
U.
Böttger
,
ECS J. Solid State Sci. Technol.
4
,
P419
(
2015
).
140.
T.
Schenk
,
N.
Godard
,
A.
Mahjoub
,
S.
Girod
,
A.
Matavz
,
V.
Bobnar
,
E.
Defay
, and
S.
Glinsek
,
Phys. Status Solidi RRL
14
,
1900626
(
2020
).
141.
S.
Samanta
 et al.,
Adv. Mater. Interfaces
8
,
2100907
(
2021
).
142.
S.
Zheng
,
Z.
Zhao
,
Z.
Liu
,
B.
Zeng
,
L.
Yin
,
Q.
Peng
,
M.
Liao
, and
Y.
Zhou
,
Appl. Phys. Lett.
117
,
212904
(
2020
).
143.
J.
Wang
,
D.
Zhou
,
W.
Dong
,
X.
Hou
,
F.
Liu
,
N.
Sun
,
F.
Ali
, and
Z.
Li
,
Ceram. Int.
47
,
016845
(
2021
).
144.
R. M.
Pasquarelli
,
D. S.
Ginley
, and
R.
O’Hayre
,
ChemInform
43
, 5406 (
2012
).
145.
H.
Chen
,
Y.
Chen
,
L.
Tang
,
H.
Luo
,
K.
Zhou
,
X.
Yuan
, and
D.
Zhang
,
J. Mater. Chem. C
8
,
2820
(
2020
).
146.
S.
Nakayama
,
H.
Funakubo
, and
H.
Uchida
,
Jpn. J. Appl. Phys.
57
,
11UF06
(
2018
).
147.
D.
Banerjee
,
R.
Sewak
,
C. C.
Dey
,
D.
Toprek
, and
P. K.
Pujari
,
Mater. Today Commun.
26
,
101827
(
2021
).
148.
X.
Xu
,
F.-T.
Huang
,
Y.
Qi
,
S.
Singh
,
K. M.
Rabe
,
D.
Obeysekera
,
J.
Yang
,
M.-W.
Chu
, and
S.-W.
Cheong
,
Nat. Mater.
20
,
826
(
2021
).
149.
J.
Bouaziz
,
P.
Rojo Romeo
,
N.
Baboux
,
R.
Negrea
,
L.
Pintilie
, and
B.
Vilquin
,
APL Mater.
7
,
081109
(
2019
).
You do not currently have access to this content.