Gallium oxide, and in particular its thermodynamically stable β-Ga2O3 phase, is within the most exciting materials in research and technology nowadays due to its unique properties. The very high breakdown electric field and the figure of merit rivaled only by diamond have tremendous potential for the next generation “green” electronics enabling efficient distribution, use, and conversion of electrical energy. Ion implantation is a traditional technological method used in these fields, and its well-known advantages can contribute greatly to the rapid development of physics and technology of Ga2O3-based materials and devices. Here, the status of ion implantation in β-Ga2O3 nowadays is reviewed. Attention is mainly paid to the results of experimental study of damage under ion irradiation and the properties of Ga2O3 layers doped by ion implantation. The results of ab initio theoretical calculations of the impurities and defect parameters are briefly presented, and the physical principles of a number of analytical methods used to study implanted gallium oxide layers are highlighted. The use of ion implantation in the development of Ga2O3-based devices, such as metal oxide field-effect transistors, Schottky barrier diodes, and solar-blind UV detectors, is described together with systematical analysis of the achieved values of their characteristics. Finally, the most important challenges to be overcome in this field of science and technology are discussed.
REFERENCES
1.
A. K.
Saikumar
, S. D.
Nehate
, and K. B.
Sundaram
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
8
, Q3064
(2019
). 2.
J.
Kim
, S. J.
Pearton
, C.
Fares
, J.
Yang
, F.
Ren
, S.
Kim
, and A. Y.
Polyakov
, J. Mater. Chem. C
7
, 10
(2019
). 3.
S. J.
Pearton
, J.
Yang
, P. H.
Cary
, F.
Ren
, J.
Kim
, M. J.
Tadjer
, and M. A.
Mastro
, Appl. Phys. Rev.
5
, 011301
(2018
). 4.
S. J.
Pearton
, F.
Ren
, M.
Tadjer
, and J.
Kim
, J. Appl. Phys.
124
, 220901
(2018
). 5.
M.
Razeghi
et al, Proc. SPIE
10533
, 105330R
(2018
). 6.
M. A.
Mastro
, A.
Kuramata
, J.
Calkins
, J.
Kim
, F.
Ren
, and S. J.
Pearton
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
6
, P356
(2017
). 7.
S. I.
Stepanov
, V. I.
Nikolaev
, V. E.
Bougrov
, and A. E.
Romanov
, Rev. Adv. Mater. Sci.
44
, 63
(2016
).8.
W.
Hohenberg
and P.
Kohn
, Phys. Rev.
136
, B864
(1964
). 9.
W.
Kohn
and L. J.
Sham
, Phys. Rev.
140
, A1133
(1965
). 10.
P.
Deák
, Q.
Duy Ho
, F.
Seemann
, B.
Aradi
, M.
Lorke
, and T.
Frauenheim
, Phys. Rev. B
95
, 075208
(2017
). 11.
S. J.
Clark
and J.
Robertson
, Phys. Rev. B
82
, 085208
(2010
). 12.
X.
Zheng
, A. J.
Cohen
, P.
Mori-Sánchez
, X.
Hu
, and W.
Yang
, Phys. Rev. Lett.
107
, 026403
(2011
). 13.
J.
Heyd
, G. E.
Scuseria
, and M.
Ernzerhof
, J. Chem. Phys.
118
, 8207
(2003
). 14.
A. V.
Krukau
, O. A.
Vydrov
, A. F.
Izmaylov
, and G. E.
Scuseria
, J. Chem. Phys.
125
, 224106
(2006
). 15.
J. B.
Varley
, H.
Peelaers
, A.
Janotti
, and C. G.
Van De Walle
, J. Phys.: Condens. Matter
23
, 334212
(2011
). 16.
J. B.
Varley
, A.
Janotti
, C.
Franchini
, and C. G.
Van De Walle
, Phys. Rev. B
85
, 081109(R)
(2012
). 17.
J. B.
Varley
, J. R.
Weber
, A.
Janotti
, and C. G.
Van De Walle
, Appl. Phys. Lett.
97
, 142106
(2010
). 18.
J. P.
Perdew
, K.
Burke
, and M.
Ernzerhof
, Phys. Rev. Lett.
77
, 3865
(1996
). 19.
K.
Irmscher
, Z.
Galazka
, M.
Pietsch
, R.
Uecker
, and R.
Fornari
, J. Appl. Phys.
110
, 063720
(2011
). 20.
Z.
Zhang
, E.
Farzana
, A. R.
Arehart
, and S. A.
Ringel
, Appl. Phys. Lett.
108
, 052105
(2016
). 21.
M. E.
Ingebrigtsen
, A. Y.
Kuznetsov
, B. G.
Svensson
, G.
Alfieri
, A.
Mihaila
, U.
Badstübner
, A.
Perron
, L.
Vines
, and J. B.
Varley
, APL Mater.
7
, 022510
(2019
). 22.
T.
Zacherle
, P. C.
Schmidt
, and M.
Martin
, Phys. Rev. B
87
, 235206
(2013
). 23.
L.
Dong
, R.
Jia
, B.
Xin
, B.
Peng
, and Y.
Zhang
, Sci. Rep.
7
, 40160
(2017
). 24.
A.
Kyrtsos
, M.
Matsubara
, and E.
Bellotti
, Appl. Phys. Lett.
112
, 032108
(2018
). 25.
J. R.
Ritter
, J.
Huso
, P. T.
Dickens
, J. B.
Varley
, K. G.
Lynn
, and M. D.
McCluskey
, Appl. Phys. Lett.
113
, 052101
(2018
). 26.
Q. D.
Ho
, T.
Frauenheim
, and P.
Deák
, J. Appl. Phys.
124
, 145702
(2018
). 27.
T.
Gake
, Y.
Kumagai
, and F.
Oba
, Phys. Rev. Mater.
3
, 44603
(2019
). 28.
A. T.
Neal
et al, Appl. Phys. Lett.
113
, 062101
(2018
). 29.
J. L.
Lyons
, Semicond. Sci. Technol.
33
, 05LT02
(2018
). 30.
H.
Peelaers
, J. L.
Lyons
, J. B.
Varley
, and C. G.
Van De Walle
, APL Mater.
7
, 022519
(2019
). 31.
Y.
Wei
, X.
Li
, J.
Yang
, C.
Liu
, J.
Zhao
, Y.
Liu
, and S.
Dong
, Sci. Rep.
8
, 10142
(2018
). 32.
Y.
Wang
et al, Sci. Rep.
8
, 18075
(2018
). 33.
A. M.
Stoneham
, J.
Gavartin
, A. L.
Shluger
, A. V.
Kimmel
, D.
Mũoz Ramo
, H. M.
Rønnow
, G.
Aeppli
, and C.
Renner
, J. Phys.: Condens. Matter
19
, 255208
(2007
). 34.
H. J.
Von Bardeleben
, S.
Zhou
, U.
Gerstmann
, D.
Skachkov
, W. R. L.
Lambrecht
, Q. D.
Ho
, and P.
Deák
, APL Mater.
7
, 022521
(2019
). 35.
A.
Kyrtsos
, M.
Matsubara
, and E.
Bellotti
, Phys. Rev. B
95
, 245202
(2017
). 36.
D. B.
Williams
and C. B.
Carter
, Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science
(Springer
, New York
, 2009
).37.
J. E.
Castle
, in Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy
, edited by D.
Briggs
and M. P.
Seah
(Wiley
, Chichester
, 1983
).38.
P.
Van Der Heide
, Secondary Ion Mass Spectrometry: An Introduction to Principles and Practices
(Wiley
, New York
, 2014
).39.
40.
L.
Meyer
, Phys. Status Solidi B
44
, 253
(1971
). 41.
H. J.
Whitlow
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
47
, 477
(1990
). 42.
E. B.
Yakimov
, A. Y.
Polyakov
, N. B.
Smirnov
, I. V.
Shchemerov
, J.
Yang
, F.
Ren
, G.
Yang
, J.
Kim
, and S. J.
Pearton
, J. Appl. Phys.
123
, 185704
(2018
). 43.
44.
X.
Zhang
, J.
Hu
, Y.
Wu
, and F.
Lu
, J. Phys. D: Appl. Phys.
42
, 145401
(2009
). 45.
A.
Blondeel
and P.
Clauws
, Mater. Sci. Eng. B
71
, 233
(2000
). 46.
K.
Sasaki
, M.
Higashiwaki
, A.
Kuramata
, T.
Masui
, and S.
Yamakoshi
, Appl. Phys. Express
6
, 086502
(2013
). 47.
R.
Sharma
, M. E.
Law
, C.
Fares
, M.
Tadjer
, F.
Ren
, A.
Kuramata
, and S. J.
Pearton
, AIP Adv.
9
, 085111
(2019
). 48.
M. J.
Tadjer
et al, ECS J. Solid State Sci. Technol.
8
, Q3133
(2019
). 49.
R.
Sharma
et al, J. Vac. Sci. Technol. B
37
, 051204
(2019
). 50.
M. H.
Wong
, C. H.
Lin
, A.
Kuramata
, S.
Yamakoshi
, H.
Murakami
, Y.
Kumagai
, and M.
Higashiwaki
, Appl. Phys. Lett.
113
, 102103
(2018
). 51.
J. P.
John
and M. E.
Law
, Appl. Phys. Lett.
62
, 1388
(1993
). 52.
S.
Solmi
, A.
Armigliato
, and F.
Baruffaldi
, J. Mater. Res.
6
, 2353
(1991
). 53.
F.
Wittel
and S.
Dunham
, Appl. Phys. Lett.
66
, 1415
(1995
). 54.
S.
Solmi
, S.
Valmorri
, and R.
Canteri
, J. Appl. Phys.
77
, 2400
(1995
). 55.
T.
Onuma
, S.
Fujioka
, T.
Yamaguchi
, M.
Higashiwaki
, K.
Sasaki
, T.
Masui
, and T.
Honda
, Appl. Phys. Lett.
103
, 041910
(2013
). 56.
Y.
Tomm
, J. M.
Ko
, A.
Yoshikawa
, and T.
Fukuda
, Solar Energy Mater Solar Cells
66
, 369
(2001
). 57.
K.
Tetzner
, A.
Thies
, B. T.
Eldad
, F.
Brunner
, G.
Wagner
, and J.
Würfl
, Appl. Phys. Lett.
113
, 172104
(2018
). 58.
S.
Luan
, L.
Dong
, X.
Ma
, and R.
Jia
, J. Alloys Compd.
812
, 152026
(2020
). 59.
K.
Lorenz
et al, Proc. SPIE
8987
, 89870M
(2014
). 60.
M.
Peres
, K.
Lorenz
, E.
Alves
, E.
Nogales
, B.
Méndez
, X.
Biquard
, B.
Daudin
, E. G.
Víllora
, and K.
Shimamura
, J. Phys. D: Appl. Phys.
50
, 325101
(2017
). 61.
M.
Peres
, E.
Nogales
, B.
Mendez
, K.
Lorenz
, M. R.
Correia
, T.
Monteiro
, and N.
Ben Sedrine
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
8
, Q3097
(2019
). 62.
E.
Nogales
, J. A.
García
, B.
Méndez
, J.
Piqueras
, K.
Lorenz
, and E.
Alves
, J. Phys. D: Appl. Phys.
41
, 065406
(2008
). 63.
E.
Nogales
, P.
Hidalgo
, K.
Lorenz
, B.
Méndez
, J.
Piqueras
, and E.
Alves
, Nanotechnology
22
, 285706
(2011
). 64.
A.
Gonzalo
, E.
Nogales
, K.
Lorenz
, E. G.
Víllora
, K.
Shimamura
, J.
Piqueras
, and B.
Méndez
, J. Lumin.
191
, 56
(2017
). 65.
M. M.
Islam
, M. O.
Liedke
, D.
Winarski
, M.
Butterling
, A.
Wagner
, P.
Hosemann
, Y.
Wang
, B.
Uberuaga
, and F. A.
Selim
, Sci. Rep.
10
, 6134
(2020
). 66.
R. J.
Borg
and G. J.
Dienes
, An Introduction to Solid State Diffusion
(Academic
, New York
, 1988
).67.
S.
Ahn
, F.
Ren
, E.
Patrick
, M. E.
Law
, and S. J.
Pearton
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
6
, Q3026
(2017
). 68.
R.
Sharma
, E.
Patrick
, M. E.
Law
, S.
Ahn
, F.
Ren
, S. J.
Pearton
, and A.
Kuramata
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
6
, P794
(2017
). 69.
P.
Weiser
, M.
Stavola
, W. B.
Fowler
, Y.
Qin
, and S.
Pearton
, Appl. Phys. Lett.
112
, 232104
(2018
). 70.
S.
Hayashi
, M.
Goorsky
, A.
Noori
, and D.
Bruno
, J. Electrochem. Soc.
153
, G1011
(2006
). 71.
M. E.
Liao
, Y.
Wang
, T.
Bai
, and M. S.
Goorsky
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
8
, P673
(2019
). 72.
J. F.
Ziegler
, M. D.
Ziegler
, and J. P.
Biersack
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
268
, 1818
(2010
). 73.
E.
Wendler
, E.
Treiber
, J.
Baldauf
, S.
Wolf
, and C.
Ronning
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
379
, 85
(2016
). 74.
K.
Lorenz
, E.
Alves
, E.
Wendler
, O.
Bilani
, W.
Wesch
, and M.
Hayes
, Appl. Phys. Lett.
87
, 89870M
(2005
). 75.
E.
Wendler
, A.
Kamarou
, E.
Alves
, K.
Gärtner
, and W.
Wesch
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
206
, 1028
(2003
). 76.
N.
Hecking
, K. F.
Heidemann
, and E.
Te Kaat
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
15
, 760
(1986
). 77.
S. O.
Kucheyev
, J. S.
Williams
, and S. J.
Pearton
, Mater. Sci. Eng. R Rep.
33
, 51
(2001
). 78.
S. O.
Kucheyev
, J. S.
Williams
, C.
Jagadish
, J.
Zou
, and G.
Li
, Phys. Rev. B
62
, 7510
(2000
). 79.
P. A.
Karaseov
, A. Y.
Azarov
, A. I.
Titov
, and S. O.
Kucheyev
, Semiconductors
43
, 691
(2009
). 80.
S. O.
Kucheyev
, A. Y.
Azarov
, A. I.
Titov
, P. A.
Karaseov
, and T. M.
Kuchumova
, J. Phys. D: Appl. Phys.
42
, 085309
(2009
). 81.
A. I.
Titov
, P. A.
Karaseov
, A. Y.
Kataev
, A. Y.
Azarov
, and S. O.
Kucheyev
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
277
, 80
(2012
). 82.
I.
López
, K.
Lorenz
, E.
Nogales
, B.
Méndez
, J.
Piqueras
, E.
Alves
, and J. A.
García
, J. Mater. Sci.
49
, 1279
(2014
). 83.
E.
Nogales
, I.
López
, B.
Méndez
, J.
Piqueras
, K.
Lorenz
, E.
Alves
, and J. A.
García
, Proc. SPIE
8263
, 82630B
(2012
). 84.
E. A.
Anber
, D.
Foley
, A. C.
Lang
, J.
Nathaniel
, J. L.
Hart
, M. J.
Tadjer
, K. D.
Hobart
, S.
Pearton
, and M. L.
Taheri
, Appl. Phys. Lett.
117
, 152101
(2020
). 85.
C.
Liu
et al, Semicond. Sci. Technol.
33
, 095022
(2018
). 86.
Q. D.
Ho
, T.
Frauenheim
, and P.
Deák
, Phys. Rev. B
97
, 115163
(2018
). 87.
L.
Vines
, C.
Bhoodoo
, H.
Von Wenckstern
, and M.
Grundmann
, J. Phys.: Condens. Matter
30
, 025502
(2018
). 88.
P. D. C.
King
, T. D.
Veal
, P. H.
Jefferson
, J.
Zúñiga-Pérez
, V.
Muñoz-Sanjosé
, and C. F.
McConville
, Phys. Rev. B
79
, 035203
(2009
). 89.
V. N.
Brudnyĭ
, N. G.
Kolin
, and L. S.
Smirnov
, Semiconductors
41
, 1011
(2007
). 90.
V. N.
Brudnyi
, S. N.
Grinyaev
, and N. G.
Kolin
, Physica B
348
, 213
(2004
). 91.
V. N.
Brudnyi
, S. N.
Grinyaev
, and V. E.
Stepanov
, Physica B
212
, 429
(1995
). 92.
A. Y.
Polyakov
et al, Appl. Phys. Lett.
112
, 032107
(2018
). 93.
A. Y.
Polyakov
, N. B.
Smirnov
, I. V.
Shchemerov
, S. J.
Pearton
, F.
Ren
, A. V.
Chernykh
, P. B.
Lagov
, and T. V.
Kulevoy
, APL Mater.
6
, 096102
(2018
). 94.
E.
Chikoidze
et al, Mater. Today Phys.
3
, 118
(2017
). 95.
A. Y.
Polyakov
, N. B.
Smirnov
, I. V.
Shchemerov
, D.
Gogova
, S. A.
Tarelkin
, and S. J.
Pearton
, J. Appl. Phys.
123
, 115702
(2018
). 96.
M.
Toulemonde
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
156
, 1
(1999
). 97.
G.
Szenes
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
116
, 141
(1996
). 98.
M.
Toulemonde
, S.
Bouffard
, and F.
Studer
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
91
, 108
(1994
). 99.
A.
Meftah
, J. M.
Costantini
, N.
Khalfaoui
, S.
Boudjadar
, J. P.
Stoquert
, F.
Studer
, and M.
Toulemonde
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
237
, 563
(2005
). 100.
R.
Giulian
, J. B.
Salazar
, W.
Just
, D. J.
Manzo
, A. M. H.
De Andrade
, J. R.
Schoffen
, F.
Bernardi
, D. L.
Baptista
, and P. F. P.
Fichtner
, J. Phys. D: Appl. Phys.
50
, 485104
(2017
). 101.
C. L.
Tracy
, M.
Lang
, D.
Severin
, M.
Bender
, C.
Trautmann
, and R. C.
Ewing
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
374
, 40
(2016
). 102.
W.
Ai
et al, Jpn. J. Appl. Phys.
58
, 120914
(2019
). 103.
M.
Toulemonde
, W.
Assmann
, C.
Dufour
, A.
Meftah
, and C.
Trautmann
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
277
, 28
(2012
). 104.
C.
Borschel
and C.
Ronning
, in Ion Beam Modification of Solids
, edited by W.
Wesch
and E.
Wendler
(Springer
, New York
, 2016
).105.
M.
Toulemonde
, C.
Dufour
, A.
Meftah
, and E.
Paumier
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
166
, 903
(2000
). 106.
B. J.
Baliga
, IEEE Electron Device Lett.
10
, 455
(1989
). 107.
C.-H.
Lin
et al, IEEE Electron Device Lett.
40
, 1487
(2019
). 108.
M.
Higashiwaki
, K.
Sasaki
, T.
Kamimura
, M.
Hoi Wong
, D.
Krishnamurthy
, A.
Kuramata
, T.
Masui
, and S.
Yamakoshi
, Appl. Phys. Lett.
103
, 123511
(2013
). 109.
M.
Higashiwaki
, K.
Sasaki
, M. H.
Wong
, T.
Kamimura
, D.
Krishnamurthy
, A.
Kuramata
, T.
Masui
, and S.
Yamakoshi
, Technical Digest—International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington, DC, USA, December 2013 (IEEE, New York, 2013), Vol. 13, p. 707.110.
M. H.
Wong
, K.
Sasaki
, A.
Kuramata
, S.
Yamakoshi
, and M.
Higashiwaki
, Appl. Phys. Lett.
106
, 032105
(2015
). 111.
M. H.
Wong
, K.
Sasaki
, A.
Kuramata
, S.
Yamakoshi
, and M.
Higashiwaki
, IEEE Electron Device Lett.
37
, 212
(2016
). 112.
M. H.
Wong
, K.
Sasaki
, A.
Kuramata
, S.
Yamakoshi
, and M.
Higashiwaki
, Jpn. J. Appl. Phys.
55
, 1202B9
(2016
). 113.
M. H.
Wong
, H.
Murakami
, Y.
Kumagai
, and M.
Higashiwaki
, IEEE Electron Device Lett.
41
, 296
(2020
). 114.
M. H.
Wong
, K.
Goto
, Y.
Morikawa
, A.
Kuramata
, S.
Yamakoshi
, H.
Murakami
, Y.
Kumagai
, and M.
Higashiwaki
, Appl. Phys. Express
11
, 064102
(2018
). 115.
M. H.
Wong
, K.
Goto
, H.
Murakami
, Y.
Kumagai
, and M.
Higashiwaki
, IEEE Electron Device Lett.
40
, 431
(2019
). 116.
Y.
Lv
et al, Semicond. Sci. Technol.
34
, 11LT02
(2019
). 117.
Y.
Lv
et al, IEEE Electron Device Lett.
40
, 83
(2019
). 118.
H.
Zhou
et al, IEEE Electron Device Lett.
40
, 1788
(2019
). 119.
Y.
Gao
et al, Nanoscale Res. Lett.
14
, 1
(2019
). 120.
W.
Xu
et al, Technical Digest—International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, December 2019 (IEEE, New York, 2019), p. 274.121.
Y. B.
Wang
et al, Sci. China: Phys., Mech. Astron.
63
, 277311
(2020
). 122.
K.
Zeng
, J. S.
Wallace
, C.
Heimburger
, K.
Sasaki
, A.
Kuramata
, T.
Masui
, J. A.
Gardella
, and U.
Singisetti
, IEEE Electron Device Lett.
38
, 513
(2017
). 123.
P. H.
Carey
IV, J.
Yang
, F.
Ren
, D. C.
Hays
, S. J.
Pearton
, A.
Kuramata
, and I. I.
Kravchenko
, J. Vac. Sci. Technol. B
35
, 061201
(2017
). 124.
P. H.
Carey
, J.
Yang
, F.
Ren
, D. C.
Hays
, S. J.
Pearton
, S.
Jang
, A.
Kuramata
, and I. I.
Kravchenko
, AIP Adv.
7
, 095313
(2017
). 125.
M. H.
Wong
, Y.
Nakata
, A.
Kuramata
, S.
Yamakoshi
, and M.
Higashiwaki
, Appl. Phys. Express
10
, 041101
(2017
). 126.
Y.
Lv
et al, IEEE Electron Device Lett.
41
, 537
(2020
). 127.
Y.
Lv
et al, Phys. Status Solidi RRL
14
, 1900586
(2020
). 128.
K. J.
Liddy
et al, Appl. Phys. Express
12
, 126501
(2019
). 129.
W.
Li
, K.
Nomoto
, Z.
Hu
, T.
Nakamura
, D.
Jena
, and H. G.
Xing
, Technical Digest—International Electron Devices Meeting IEDM19, Ann Arbor, MI, June 2019 (IEEE
, New York
, 2019
), p. 270.130.
R.
Sharma
, E. E.
Patrick
, M. E.
Law
, F.
Ren
, and S. J.
Pearton
, ECS J. Solid State Sci. Technol.
8
, Q234
(2019
). 131.
X.
Chen
, F.
Ren
, S.
Gu
, and J.
Ye
, Photonics Res.
7
, 381
(2019
). 132.
Y.
Qin
et al, Chin. Phys. B
28
, 018501
(2019
). 133.
S.
Oh
, Y.
Jung
, M. A.
Mastro
, J. K.
Hite
, C. R.
Eddy
, and J.
Kim
, Opt. Express
23
, 28300
(2015
). 134.
S.
Ahn
, F.
Ren
, S.
Oh
, Y.
Jung
, J.
Kim
, M. A.
Mastro
, J. K.
Hite
, C. R.
Eddy
, Jr., and S. J.
Pearton
, J. Vac. Sci. Technol. B
34
, 041207
(2016
). 135.
K. C.
Lo
, H.
Wang
, H. P.
Ho
, and P. K.
Chu
, IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits 2007 EDSSC, Tainan, Taiwan, December 2007 (IEEE, New York, 2007), p. 1171.© 2021 Author(s).
2021
Author(s)
You do not currently have access to this content.