Surface-mediated reactions of metalorganic compounds on solid substrates are key processes in film deposition technology, especially in atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition. Since most applications of thin films require high purity, understanding and controlling the mechanisms of desired and undesired surface reactions are of the utmost importance. This work outlines a general approach to understand potential surface reactions during deposition through density functional theory calculations, considering precursors containing the most commonly used types of ligands, namely alkyl (Al(CH3)3), alkoxide (Ti[OC3H7]4), alkylamide (Hf[N(CH3)2]4), diketonate (Cu(acac)2), amidinate (Ni[Pr-amd]2), and cyclopentadienyl (Hf(Cp)2(CH3)2). In all cases, the “desired” ligand-exchange reaction (the basis of most ALD processes) is compared to “undesired” surface reactions, where the ligands of the precursor interact with reactive surface sites and can undergo uncontrolled decomposition pathways, incorporating undesired elements into the growing film. To be able to make an effective comparison across precursor types, all calculations were made considering the same surface model, that of a Si(100) surface, and the same level of theory. Our results show that the undesired ligand-mediated adsorption on reactive sites can often compete (both thermodynamically and kinetically) with the desired ligand-exchange reaction, particularly in the case of alkoxides, alkylamides, and diketonates. The intrinsic reactivity of each precursor (based on their frontier molecular orbitals) is found to determine the manner in which it will react with the surface. This article emphasizes that undesired reactions can often be predicted and evaluated based on the chemical reactivity of each precursor. This approach, applied to specific cases, will be important for probing the chemical performance of a deposition precursor.

1.
F.
Zaera
,
J. Mater. Chem.
18
,
3521
(
2008
).
2.
H.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. B
21
,
2231
(
2003
).
3.
R. L.
Puurunen
,
J. Appl. Phys.
97
,
121301
(
2005
).
4.
J. E.
Crowell
,
J. Vac. Sci. Technol. A
21
,
S88
(
2003
).
5.
W. L.
Gladfelter
,
Chem. Mater.
5
,
1372
(
1993
).
6.
J.
Irven
,
J. Mater. Chem.
14
,
3071
(
2004
).
7.
A. C.
Jones
,
H. C.
Aspinall
, and
P. R.
Chalker
,
Surf. Coat. Technol.
201
,
9046
(
2007
).
8.
M.
Putkonen
,
L.
Niinistö
, and
R.
Fischer
,
Top. Organomet. Chem.
9
,
125
(
2005
).
9.
L.
McElwee-White
,
Dalton Trans.
45
,
5327
(
2006
).
10.
M.
Leskela
and
M.
Ritala
,
Thin Solid Films
409
,
138
(
2002
).
11.
M.
Leskela
and
M.
Ritala
,
Angew. Chem., Int. Ed.
42
,
5548
(
2003
).
12.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
Chem. Eur. J.
13
,
9164
(
2007
).
13.
W.
Arden
,
P.
Cogez
, and
M.
Graref
, International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net/reports.html,
2009
.
14.
P.
Doppelt
,
Coord. Chem. Rev.
178–180
,
1785
(
1998
).
15.
A. E.
Kaloyeros
and
E.
Eisenbraun
,
Annu. Rev. Mater. Sci.
30
,
363
(
2000
).
16.
17.
18.
L.
Niinisto
,
J.
Paivasaari
,
J.
Niinisto
,
M.
Putkonen
, and
M.
Nieminen
,
Phys. Status Solidi A
201
,
1443
(
2004
).
19.
G.
Malandrino
and
I. L.
Fragala
,
Coord. Chem. Rev.
250
,
1605
(
2006
).
20.
S. M.
George
,
Chem. Rev.
110
,
111
(
2010
).
21.
A. C.
Jones
,
J. Mater. Chem.
12
,
2576
(
2002
).
22.
Y.
Orimoto
,
A.
Toyota
,
T.
Furuya
,
H.
Nakamura
,
M.
Uehara
,
K.
Yamashita
, and
H.
Maeda
,
Ind. Eng. Chem. Res.
48
,
3389
(
2009
).
23.
A. Y.
Timoshkin
,
H. F.
Bettinger
, and
H. F.
Schaefer
,
J. Cryst. Growth
222
,
170
(
2001
).
24.
A.
Zydor
and
S. D.
Elliott
,
J. Phys. Chem. A
114
,
1879
(
2010
).
25.
J. G.
Ekerdt
,
Y. M.
Sun
,
A.
Szabo
,
G. J.
Szulczewski
, and
J. M.
White
,
Chem. Rev.
96
,
1499
(
1996
).
26.
A. C.
Jones
,
H. C.
Aspinall
,
P. R.
Chalker
,
R. J.
Potter
,
K.
Kukli
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
Mater. Sci. Eng., B
118
,
97
(
2005
).
27.
J. W.
Elam
,
M.
Schuisky
,
J. D.
Ferguson
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
436
,
145
(
2003
).
28.
S. M.
George
,
A. W.
Ott
, and
J. W.
Klaus
,
J. Phys. Chem.
100
,
13121
(
1996
).
29.
O.
Seitz
,
M.
Dai
,
F. S.
Aguirre-Tostado
,
R. M.
Wallace
, and
Y. J.
Chabal
,
J. Am. Chem. Soc.
131
,
18159
(
2009
).
30.
A. A.
Dameron
,
D.
Seghete
,
B. B.
Burton
,
S. D.
Davidson
,
A. S.
Cavanagh
,
J. A.
Bertrand
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
20
,
3315
(
2008
).
31.
S. M.
George
,
B.
Yoon
, and
A. A.
Dameron
,
Acc. Chem. Res.
42
,
498
(
2009
).
32.
B.
Yoon
,
D.
Seghete
,
A. S.
Cavanagh
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
21
,
5365
(
2009
).
33.
A.
Deshpande
,
R.
Inman
,
G.
Jursich
, and
C.
Takoudis
,
J. Vac. Sci. Technol. A
22
,
2035
(
2004
).
34.
M. T.
Ho
,
Y.
Wang
,
R. T.
Brewer
,
L. S.
Wielunski
,
Y. J.
Chabal
,
N.
Moumen
, and
M.
Boleslawski
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
133103
(
2005
).
35.
J. H.
Kim
,
J. Y.
Kim
, and
S. W.
Kang
,
J. Appl. Phys.
97
,
093505
(
2005
).
36.
J. W.
Lim
,
H. S.
Park
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
C403
(
2001
).
37.
Y.
Xu
and
C. B.
Musgrave
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
192110
(
2005
).
38.
S. D.
Elliott
,
Surf. Coat. Technol.
201
,
9076
(
2007
).
39.
T. P.
Holme
and
F. B.
Prinz
,
J. Phys. Chem. A
111
,
8147
(
2007
).
40.
Y.
Xu
and
C. B.
Musgrave
,
Chem. Phys. Lett.
407
,
272
(
2005
).
41.
Y.
Xu
and
C. B.
Musgrave
,
Surf. Sci.
591
,
L280
(
2005
).
42.
Y.
Widjaja
and
C. B.
Musgrave
,
J. Chem. Phys.
117
,
1931
(
2002
).
43.
Y.
Widjaja
and
C. B.
Musgrave
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
304
(
2002
).
44.
Y.
Widjaja
and
C. B.
Musgrave
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
3304
(
2002
).
45.
C.
Mui
and
C. B.
Musgrave
,
J. Phys. Chem. B
108
,
15150
(
2004
).
46.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
,
A. V.
Teplyakov
, and
S. D.
Brown
,
Surf. Sci.
604
,
2043
(
2010
).
47.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
J. Appl. Phys.
104
,
084907
(
2008
).
48.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
J. Phys. Chem. C
112
,
9695
(
2008
).
49.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
J. Phys. Chem. C
111
,
16498
(
2007
).
50.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
J. Phys. Chem. C
111
,
4800
(
2007
).
51.
L.
Pirolli
and
A. V.
Teplyakov
,
Surf. Sci.
600
,
3313
(
2006
).
52.
A. B.
Mukhopadhyay
and
C. B.
Musgrave
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
173120
(
2007
).
53.
M. J.
Kelly
,
J. H.
Han
,
C. B.
Musgrave
, and
G. N.
Parsons
,
Chem. Mater.
17
,
5305
(
2005
).
54.
Z.
Hu
and
C. H.
Turner
,
J. Phys. Chem. C
111
,
5756
(
2007
).
55.
M. K.
Ghosh
and
C. H.
Choi
,
Chem. Phys. Lett.
426
,
365
(
2006
).
56.
M. D.
Halls
and
K.
Raghavachari
,
J. Phys. Chem. B
108
,
4058
(
2004
).
57.
Z.
Hu
and
C. H.
Turner
,
J. Am. Chem. Soc.
129
,
3863
(
2007
).
58.
T. R.
Leftwich
and
A. V.
Teplyakov
,
Surf. Sci. Rep.
63
,
1
(
2008
).
59.
K. A.
Perrine
and
A. V.
Teplyakov
,
Chem. Soc. Rev.
39
,
3256
(
2010
).
60.
See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1116/1.4774031 for more detailed information on the nature of the Si(100) surface, the appropriateness of the silicon surface model, the validity of the level of theory employed, and alternative reaction pathways for selected cases.
61.
P. G.
Karlsson
,
J. H.
Richter
,
J.
Blomquist
,
P.
Uvdal
,
T. M.
Grehk
, and
A.
Sandell
,
Surf. Sci.
601
,
1008
(
2007
).
62.
J. R.
Creighton
,
G. T.
Wang
,
W. G.
Breiland
, and
M. E.
Coltrin
,
J. Cryst. Growth
261
,
204
(
2004
).
63.
T. R.
Gow
,
R.
Lin
,
L. A.
Cadwell
,
F.
Lee
,
A. L.
Backman
, and
R. I.
Masel
,
Chem. Mater.
1
,
406
(
1989
).
64.
D. R.
Strongin
and
P. B.
Comita
,
J. Phys. Chem.
95
,
1329
(
1991
).
65.
K. M.
Bulanin
,
M. J.
Kong
,
L.
Pirolli
,
A. T.
Mathauser
, and
A. V.
Teplyakov
,
Surf. Sci.
542
,
167
(
2003
).
66.
G. S.
Girolami
,
P. M.
Jeffries
, and
L. H.
Dubois
,
J. Am. Chem. Soc.
115
,
1015
(
1993
).
67.
A.
Jain
,
K. M.
Chi
,
M. J.
Hampden-Smith
,
T. T.
Kodas
,
J. D.
Farr
, and
M. F.
Paffett
,
J. Mater. Res.
7
,
261
(
1992
).
68.
B. E.
Bent
,
R. G.
Nuzzo
, and
L. H.
Dubois
,
J. Vac. Sci. Technol. A
6
,
1920
(
1988
).
69.
B. E.
Bent
,
R. G.
Nuzzo
, and
L. H.
Dubois
,
J. Am. Chem. Soc.
111
,
1634
(
1989
).
70.
J. G.
Forbes
and
A. J.
Gellman
,
J. Am. Chem. Soc.
115
,
6277
(
1993
).
71.
K. A.
Perrine
and
A. V.
Teplyakov
,
Langmuir
26
,
12648
(
2010
).
72.
J.
Kwon
,
M.
Dai
,
M. D.
Halls
,
E.
Langereis
,
Y. J.
Chabal
, and
R. G.
Gordon
,
J. Phys. Chem. C
113
,
654
(
2009
).
73.
K.
Raghavachari
and
M. D.
Halls
,
Mol. Phys.
102
,
381
(
2004
).
74.
K. T.
Queeney
,
Y. J.
Chabal
, and
K.
Raghavachari
,
Phys. Rev. Lett.
86
,
1046
(
2001
).
75.
J. C. F.
Rodriguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
Phys. Rev. B
78
,
165314
(
2008
).
76.
J. C. F.
Rodríguez-Reyes
and
A. V.
Teplyakov
,
Phys. Rev. B.
76
,
075348
(
2007
).
77.
A. B.
Gurevich
,
B. B.
Stefanov
,
M. K.
Weldon
,
Y. J.
Chabal
, and
K.
Raghavachari
,
Phys. Rev. B
58
,
R13434
(
1998
).
78.
M. D.
Halls
and
K.
Raghavachari
,
J. Phys. Chem. A
108
,
2982
(
2004
).
79.
B. B.
Stefanov
and
K.
Raghavachari
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
824
(
1998
).
80.
M. K.
Weldon
,
B. B.
Stefanov
,
K.
Raghavachari
, and
Y. J.
Chabal
,
Phys. Rev. Lett.
79
,
2851
(
1997
).
81.
J. P.
Blitz
,
R. E.
Diebel
,
C. A.
Deakyne
,
J. M.
Christensen
, and
V. M.
Gun'ko
,
J. Phys. Chem. B
109
,
5667
(
2005
).
82.
M. J.
Frisch
 et al, gaussian 09,
Gaussian, Inc.
,
Wallingford CT
,
2009
.
83.
P. J.
Hay
and
W. R.
Wadt
,
J. Chem. Phys.
82
,
270
(
1985
).
84.
W. R.
Wadt
and
P. J.
Hay
,
J. Chem. Phys.
82
,
284
(
1985
).
85.
P. J.
Hay
and
W. R.
Wadt
,
J. Chem. Phys.
82
,
299
(
1985
).
86.
L. P. M.
Méndez De Leo
,
L.
Pirolli
, and
A. V.
Teplyakov
,
J. Phys. Chem. B
110
,
14337
(
2006
).
87.
L.
Pirolli
and
A. V.
Teplyakov
,
Surf. Sci.
601
,
155
(
2007
).
88.
B.
Liu
 et al,
J. Cryst. Growth
310
,
4499
(
2008
).
89.
A. C.
Dillon
,
A. W.
Ott
,
J. D.
Way
, and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
322
,
230
(
1995
).
90.
S. D.
Elliott
,
G.
Scarel
,
C.
Wiemer
,
M.
Fanciulli
, and
G.
Pavia
,
Chem. Mater.
18
,
3764
(
2006
).
91.
A. W.
Ott
,
J. W.
Klaus
,
J. M.
Johnson
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
292
,
135
(
1997
).
92.
M. M.
Frank
,
Y. J.
Chabal
, and
G. D.
Wilk
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
4758
(
2003
).
93.
M. M.
Frank
,
Y.
Wang
,
M. T.
Ho
,
R. T.
Brewer
,
N.
Moumen
, and
Y. J.
Chabal
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
G44
(
2007
).
94.
P.
Lu
,
K.
Demirkan
,
R. L.
Opila
, and
A. V.
Walker
,
J. Phys. Chem. C
112
,
2091
(
2008
).
95.
A.
Rahtu
,
T.
Alaranta
, and
M.
Ritala
,
Langmuir
17
,
6506
(
2001
).
96.
R. A.
Wind
and
S. M.
George
,
J. Phys. Chem. A
114
,
1281
(
2010
).
97.
W. V.
Lundin
,
A. V.
Sakharov
,
A. F.
Tsatsul'nikov
,
E. E.
Zavarin
,
A. I.
Besyul'kin
,
A. V.
Fomin
, and
D. S.
Sizov
,
Semiconductors
38
,
678
(
2004
).
98.
J. L.
van Hemmen
,
S. B. S.
Heil
,
J. H.
Klootwijk
,
F.
Roozeboom
,
C. J.
Hodson
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
G165
(
2007
).
99.
H. L.
Lu
,
W.
Chen
,
S. J.
Ding
,
M.
Xu
,
D. W.
Zhang
, and
L. K.
Wang
,
J. Phys. Condens. Matter
17
,
7517
(
2005
).
100.
Y.
Widjaja
,
J. H.
Han
, and
C. B.
Musgrave
,
J. Phys. Chem. B
107
,
9319
(
2003
).
101.
H.
Kuramochi
,
J.
Cui
,
H.
Iwai
, and
M.
Ozeki
,
J. Vac. Sci. Technol. B
18
,
2072
(
2000
).
102.
H. T.
Lam
and
J. M.
Vohs
,
Surf. Sci.
426
,
199
(
1999
).
103.
X. P.
Cao
and
R. J.
Hamers
,
J. Am. Chem. Soc.
123
,
10988
(
2001
).
104.
A. J.
Carman
,
L. H.
Zhang
,
J. L.
Liswood
, and
S. M.
Casey
,
J. Phys. Chem. B
107
,
5491
(
2003
).
105.
C.
Mui
,
G. T.
Wang
,
S. F.
Bent
, and
C. B.
Musgrave
,
J. Chem. Phys.
114
,
10170
(
2001
).
106.
C.
Mui
,
J. H.
Han
,
G. T.
Wang
,
C. B.
Musgrave
, and
S. F.
Bent
,
J. Am. Chem. Soc.
124
,
4027
(
2002
).
107.
X. P.
Cao
and
R. J.
Hamers
,
J. Vac. Sci. Technol. B
20
,
1614
(
2002
).
108.
J. J.
Hill
,
A. A.
Aquino
,
C. P. A.
Mulcahy
,
N.
Harwood
,
A. C.
Jones
, and
T. S.
Jones
,
Surf. Sci.
340
,
49
(
1995
).
109.
X. Y.
Zhu
,
J. M.
White
, and
J. R.
Creighton
,
J. Vac. Sci. Technol. A
10
,
316
(
1992
).
110.
J. R.
Creighton
,
B. A.
Bansenauer
,
T.
Huett
, and
J. M.
White
,
J. Vac. Sci. Technol. A
11
,
876
(
1993
).
111.
J. S.
Becker
,
S.
Suh
,
S. L.
Wang
, and
R. G.
Gordon
,
Chem. Mater.
15
,
2969
(
2003
).
112.
J. S.
Becker
and
R. G.
Gordon
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2239
(
2003
).
113.
W. J.
Maeng
and
H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G191
(
2006
).
114.
J.
Musschoot
,
Q.
Xie
,
D.
Deduytsche
,
S.
Van den Berghe
,
R. L.
Van Meirhaeghe
, and
C.
Detavernier
,
Microelectron. Eng.
86
,
72
(
2009
).
115.
D. M.
Hausmann
,
E.
Kim
,
J.
Becker
, and
M. S.
Gordon
,
Chem. Mater.
14
,
4350
(
2002
).
116.
J. C. F.
Rodriguez-Reyes
,
C.
Ni
,
H. P.
Bui
,
T. P.
Beebe
, Jr.
, and
A. V.
Teplyakov
,
Chem. Mater.
21
,
5163
(
2009
).
117.
J. Y.
Kim
,
S.
Seo
,
D. Y.
Kim
,
H.
Jeon
, and
Y.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. A
22
,
8
(
2004
).
118.
A. E.
Kaloyeros
,
X.
Chen
,
S.
Lane
,
H. L.
Frisch
, and
B.
Arkles
,
J. Mater. Res.
15
,
2800
(
2000
).
119.
B. K.
Lim
,
H.-S.
Park
,
A. K. H.
See
,
E. Z.
Liu
, and
S. H.
Wu
,
J. Vac. Sci. Technol. B
20
,
2219
(
2002
).
120.
S.-G.
Park
and
D.-H.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
43
,
303
(
2004
).
121.
R. M.
Fix
,
M. S.
Gordon
, and
D. M.
Hoffman
,
J. Am. Chem. Soc.
112
,
7833
(
1990
).
122.
R. M.
Fix
,
M. S.
Gordon
, and
D. M.
Hoffman
,
Chem. Mater.
3
,
1138
(
1991
).
123.
R. M.
Fix
,
R. G.
Gordon
, and
D. M.
Hoffman
,
Chem. Mater.
2
,
235
(
1990
).
124.
J.
Becker
,
E.
Kim
, and
R. G.
Gordon
,
Chem. Mater.
16
,
3497
(
2004
).
125.
S.
Horii
,
K.
Yamamoto
,
M.
Asai
,
H.
Miya
,
I.
Kaneko
,
T.
Ishihara
,
S.
Hayashi
, and
M.
Niwa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
43
,
6963
(
2004
).
126.
K.
Kukli
,
T.
Pilvi
,
M.
Ritala
,
T.
Sajavaara
,
J.
Lu
, and
M.
Leskela
,
Thin Solid Films
491
,
328
(
2005
).
127.
X.
Liu
,
S.
Ramanathan
,
A.
Longdergan
,
A.
Srivastava
,
E.
Lee
,
T. E.
Seidel
,
J. T.
Barton
,
D.
Pang
, and
R. G.
Gordon
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
G213
(
2005
).
128.
H.
Wong
and
H.
Iwai
,
Microelectron. Eng.
83
,
1867
(
2006
).
129.
L. A.
Okada
and
S. M.
George
,
Appl. Surf. Sci.
137
,
113
(
1999
).
130.
J.
Cui
,
M.
Ozeki
, and
M.
Ohashi
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
2659
(
1997
).
131.
C. L.
Dezelah
,
O. M.
El-Kadri
,
K.
Kukli
,
K.
Arstila
,
R. J.
Baird
,
J.
Lu
,
L.
Niinisto
, and
C. H.
Winter
,
J. Mater. Chem.
17
,
1109
(
2007
).
132.
D. C.
Bradley
,
Chem. Rev.
89
,
1317
(
1989
).
133.
P.
Alen
,
M.
Vehkamaki
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
G304
(
2006
).
134.
Y.
Yokoyama
,
S. Y.
Zhu
, and
A.
Nakajima
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
45
,
7091
(
2006
).
135.
J.
Aarik
,
A.
Aidla
,
T.
Uustare
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
Appl. Surf. Sci.
161
,
385
(
2000
).
136.
K. H.
Ahn
,
Y. B.
Park
, and
D. W.
Park
,
Surf. Coat. Technol.
171
,
198
(
2003
).
137.
E.
Farm
,
M.
Kemell
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
J. Phys. Chem. C
112
,
15791
(
2008
).
138.
A.
Weber
,
R.
Poeckelmann
, and
C. P.
Klages
,
Microelectron. Eng.
33
,
277
(
1997
).
139.
M.
Ritala
,
M.
Leskela
,
L.
Niinisto
, and
P.
Haussalo
,
Chem. Mater.
5
,
1174
(
1993
).
140.
R.
Matero
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
,
M.
Leskela
, and
T.
Sajavaara
,
Thin Solid Films
368
,
1
(
2000
).
141.
C. P.
Fictorie
,
J. F.
Evans
, and
W. L.
Gladfelter
,
J. Vac. Sci. Technol. A
12
,
1108
(
1994
).
142.
K.
Black
 et al,
J. Mater. Chem.
18
,
4561
(
2008
).
143.
S.
Codato
,
G.
Carta
,
G.
Rossetto
,
G. A.
Rizzi
,
P.
Zanella
,
P.
Scardi
, and
M.
Leoni
,
Chem. Vap. Deposition
5
,
159
(
1999
).
144.
J.
Niinisto
,
M.
Putkonen
, and
L.
Niinisto
,
Chem. Mater.
16
,
2953
(
2004
).
145.
J.
Niinisto
,
M.
Putkonen
,
L.
Niinisto
,
F. Q.
Song
,
P.
Williams
,
P. N.
Heys
, and
R.
Odedra
,
Chem. Mater.
19
,
3319
(
2007
).
146.
M.
Losurdo
,
M. M.
Giangregorio
,
P.
Capezzuto
,
G.
Bruno
,
G.
Malandrino
,
I. L.
Fragala
,
L.
Armelao
,
D.
Barreca
and
E.
Tondello
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
G44
(
2008
).
147.
S. Y.
No
,
D.
Eom
,
C. S.
Hwang
, and
H. J.
Kim
,
J. Appl. Phys.
100
,
024111
(
2006
).
148.
J. W.
Elam
,
M. J.
Pellin
,
S. D.
Elliott
,
A.
Zydor
,
M. C.
Faia
, and
J. T.
Hupp
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
253123
(
2007
).
149.
J.
Niinisto
,
A.
Rahtu
,
M.
Putkonen
,
M.
Ritala
,
M.
Leskela
, and
L.
Niinisto
,
Langmuir
21
,
7321
(
2005
).
150.
H. K.
Shin
,
K. M.
Chi
,
J.
Farkas
,
M. J.
Hampdensmith
,
T. T.
Kodas
, and
E. N.
Duesler
,
Inorg. Chem.
31
,
424
(
1992
).
151.
M.
Becht
,
T.
Gerfin
, and
K.-H.
Dahmen
,
Chem. Mater.
5
,
137
(
1993
).
152.
D.
Barreca
,
A.
Gasparotto
,
C.
Maragno
,
E.
Tondello
,
E.
Bontempi
,
L. E.
Depero
, and
C.
Sada
,
Chem. Vap. Deposition
11
,
426
(
2005
).
153.
S. B.
Turnipseed
,
R. M.
Barkley
, and
R. E.
Sievers
,
Inorg. Chem.
30
,
1164
(
1991
).
154.
Z. W.
Li
,
A.
Rahtu
, and
R. G.
Gordon
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
C787
(
2006
).
155.
A. L.
Brazeau
and
S. T.
Barry
,
Chem. Mater.
20
,
7287
(
2008
).
156.
B.
Lee
 et al,
Microelectron. Eng.
86
,
272
(
2009
).
157.
H.
Li
,
D. B.
Farmer
,
R. G.
Gordon
,
Y.
Lin
, and
J.
Vlassak
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
D642
(
2007
).
158.
Z. W.
Li
,
S. T.
Barry
, and
R. G.
Gordon
,
Inorg. Chem.
44
,
1728
(
2005
).
159.
Q.
Ma
,
H. S.
Guo
,
R. G.
Gordon
, and
F.
Zaera
,
Chem. Mater.
22
,
352
(
2010
).
160.
J.
Paivasaari
,
C. L.
Dezelah
,
D.
Back
,
H. M.
El-Kaderi
,
M.
Heeg
,
M.
Putkonen
,
L.
Niinisto
, and
C. H.
Winter
,
J. Mater. Chem.
15
,
4224
(
2005
).
161.
B. S.
Lim
,
A.
Rahtu
,
P.
de Rouffignac
, and
R. G.
Gordon
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
3957
(
2004
).
162.
J. Y.
Li
,
J. P.
Wu
,
C. G.
Zhou
,
B.
Han
,
X. J.
Lei
,
R.
Gordon
, and
H. S.
Cheng
,
Int. J. Quantum Chem.
109
,
756
(
2009
).
163.
J. P.
Wu
,
J. Y.
Li
,
C. G.
Zhou
,
X. J.
Lei
,
T.
Gaffney
,
J. A. T.
Norman
,
Z. W.
Li
,
R.
Gordon
, and
H. S.
Cheng
,
Organometallics
26
,
2803
(
2007
).

Supplementary Material

You do not currently have access to this content.