Plasma-assisted atomic layer deposition (ALD) is an energy-enhanced method for the synthesis of ultra-thin films with Å-level resolution in which a plasma is employed during one step of the cyclic deposition process. The use of plasma species as reactants allows for more freedom in processing conditions and for a wider range of material properties compared with the conventional thermally-driven ALD method. Due to the continuous miniaturization in the microelectronics industry and the increasing relevance of ultra-thin films in many other applications, the deposition method has rapidly gained popularity in recent years, as is apparent from the increased number of articles published on the topic and plasma-assisted ALD reactors installed. To address the main differences between plasma-assisted ALD and thermal ALD, some basic aspects related to processing plasmas are presented in this review article. The plasma species and their role in the surface chemistry are addressed and different equipment configurations, including radical-enhanced ALD, direct plasma ALD, and remote plasma ALD, are described. The benefits and challenges provided by the use of a plasma step are presented and it is shown that the use of a plasma leads to a wider choice in material properties, substrate temperature, choice of precursors, and processing conditions, but that the processing can also be compromised by reduced film conformality and plasma damage. Finally, several reported emerging applications of plasma-assisted ALD are reviewed. It is expected that the merits offered by plasma-assisted ALD will further increase the interest of equipment manufacturers for developing industrial-scale deposition configurations such that the method will find its use in several manufacturing applications.

1.
S. M.
George
,
A. W.
Ott
, and
J. W.
Klaus
,
J. Phys. Chem.
100
,
13121
(
1996
).
2.
S. M.
George
,
Chem. Rev.
110
,
111
(
2010
).
3.
C. H. L.
Goodman
and
M. V.
Pessa
,
J. Appl. Phys.
60
,
R65
(
1986
).
4.
M.
Leskela
and
M.
Ritala
,
J. Phys. IV
9
,
Pr8
837
(
1999
).
5.
M.
Leskela
and
M.
Ritala
,
Thin Solid Films
409
,
138
(
2002
).
6.
L.
Niinisto
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
Mater. Sci. Eng. B
41
,
23
(
1996
).
7.
R. L.
Puurunen
,
J. Appl. Phys.
97
,
121301
(
2005
).
8.
M.
Ritala
and
M.
Leskela
,
Nanotechnology
10
,
19
(
1999
).
9.
T.
Suntola
,
Mater. Sci. Rep.
4
,
261
(
1989
).
10.
S.
Haukka
,
E. L.
Lakooma
, and
T.
Suntola
,
Stud. Surf. Sci. Catal.
120A
,
715
(
1999
).
11.
T.
Suntola
and
J.
Antson
, U.S. patent 4,058,430 (15 November
1977
).
12.
International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net, (May 31,
2011
).
13.
M.
Verghese
,
J. W.
Maes
, and
N.
Kobayashi
, Atomic layer deposition goes mainstream in 22nm logic technologies, http://www.solid-state.com (November, 2010).
14.
Intel website, http://www.intel.com (May 31,
2011
).
15.
W. M. M.
Kessels
,
S. E.
Potts
,
H. B.
Profijt
, and
M. C. M.
van de Sanden
,
in Atomic Layer Deposition of Nanostructures Materials
, edited by
M.
Knez
and
N.
Pinna
(
Wiley VCH
,
New York
,
2011
)
16.
ASM International website, http://www.asm.com (May 31,
2011
).
17.
Oxford Instruments website, http://www.oxford-instruments.com (May 31,
2011
).
18.
Beneq website, http://www.beneq.com (May 31,
2011
).
19.
Cambridge NanoTech website, http://www.cambridgenanotech.com (May 31,
2011
).
20.
Applied Materials website, http://www.appliedmaterials.com (May 31,
2011
).
21.
Tokyo Electron Limited website, http://www.tel.com/ (May 31,
2011
).
22.
Picosun website, http://www.picosun.com (May 31,
2011
).
23.
Web of Knowledge, http://apps.isiknowlegde.com (May 31,
2011
).
24.
A.
Niskanen
,
T.
Hatanpaa
,
K.
Arstila
,
M.
Leskela
, and
M.
Ritala
,
Chem. Vap. Deposition
13
,
408
(
2007
).
25.
C. W.
Jeong
,
B. I.
Lee
, and
S. K.
Joo
,
Mater. Sci. Eng. C
16
,
59
(
2001
).
26.
C. W.
Jeong
,
J. S.
Lee
, and
S. K.
Joo
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
,
285
(
2001
).
27.
B. H.
Kim
,
W. S.
Jeon
,
S. H.
Jung
, and
B. T.
Ahn
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
G294
(
2005
).
28.
J.
Koo
,
S.
Kim
,
S.
Jeon
,
H.
Jeon
,
Y.
Kim
, and
Y.
Won
,
J. Korean Phys. Soc.
48
,
131
(
2006
).
29.
M. T.
Seman
,
D. N.
Richards
,
P.
Rowlette
, and
C. A.
Wolden
,
Chem. Vap. Deposition
14
,
296
(
2008
).
30.
J. W.
Lim
and
S. J.
Yun
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L663
(
2003
).
31.
S. W.
Choi
,
C. M.
Jang
,
D. Y.
Kim
,
J. S.
Ha
,
H. S.
Park
,
W.
Koh
, and
C. S.
Lee
,
J. Korean Phys. Soc.
42
,
S975
(
2003
).
32.
J. W.
Lim
and
S. J.
Yun
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
F45
(
2004
).
33.
P. K.
Park
and
S. W.
Kang
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
192905
(
2006
).
34.
P. K.
Park
,
E. S.
Cha
, and
S. W.
Kang
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
232906
(
2007
).
35.
J. W.
Lim
,
J. B.
Koo
,
S. J.
Yun
, and
H. T.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
10
,
J136
(
2007
).
36.
K. Y.
Park
,
H. I.
Cho
,
H. C.
Choi
,
Y. H.
Bae
,
C. S.
Lee
,
J. L.
Lee
, and
J. H.
Lee
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
43
,
L1433
(
2004
).
37.
S. M.
Yoon
,
S. H. K.
Park
,
C. W.
Byun
,
S. H.
Yang
, and
C. S.
Hwang
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
H727
(
2010
).
38.
S. J.
Yun
,
Y. W.
Ko
, and
J. W.
Lim
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
4896
(
2004
).
39.
W. S.
Kim
,
D. Y.
Moon
,
B. W.
Kang
,
J. W.
Park
, and
J. G.
Park
,
J. Korean Phys. Soc.
55
,
55
(
2009
).
40.
A.
Niskanen
,
K.
Arstila
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
F90
(
2005
).
41.
M.
Caymax
,
G.
Brammertz
,
A.
Delabie
,
S.
Sioncke
,
D.
Lin
,
M.
Scarrozza
,
G.
Pourtois
,
W. E.
Wang
,
M.
Meuris
, and
M.
Heyns
,
Microelectron. Eng.
86
,
1529
(
2009
).
42.
J.
Dendooven
,
D.
Deduytsche
,
J.
Musschoot
,
R. L.
Vanmeirhaeghe
, and
C.
Detavernier
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
G111
(
2010
).
43.
G.
Dingemans
,
N. M.
Terlinden
,
D.
Pierreux
,
H. B.
Profijt
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Electrochem. Solid-State Lett.
14
,
H1
(
2010
).
44.
G.
Dingemans
,
R.
Seguin
,
P.
Engelhart
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Phys. Status Solidi (RRL)
4
,
10
(
2010
).
45.
J. J. H.
Gielis
,
P. M.
Gevers
,
I. M. P.
Aarts
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
26
,
1519
(
2008
).
46.
S. B. S.
Heil
,
P.
Kudlacek
,
E.
Langereis
,
R.
Engeln
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
131505
(
2006
).
47.
S. B. S.
Heil
,
J. L.
van Hemmen
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Appl. Phys.
103
,
103302
(
2008
).
48.
B.
Hoex
,
S. B. S.
Heil
,
E.
Langereis
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
042112
(
2006
).
49.
B.
Hoex
,
J.
Schmidt
,
R.
Bock
,
P. P.
Altermatt
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
112107
(
2007
).
50.
B.
Hoex
,
J.
Schmidt
,
P.
Pohl
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Appl. Phys.
104
,
044903
(
2008
).
51.
D.
Hoogeland
,
K. B.
Jinesh
,
F.
Roozeboom
,
W. F. A.
Besling
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Appl. Phys.
106
,
114107
(
2009
).
52.
H.
Kim
,
S.
Woo
,
J.
Lee
,
H.
Lee
, and
H.
Jeon
,
J. Phys. D
43
,
505301
(
2010
).
53.
Y.
Kim
,
S.
Woo
,
H.
Kim
,
J.
Lee
,
H.
Kim
,
H.
Lee
, and
H.
Jeona
,
J. Mater. Res.
25
,
1898
(
2010
).
54.
E.
Langereis
,
M.
Creatore
,
S. B. S.
Heil
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
081915
(
2006
).
55.
E.
Langereis
,
J.
Keijmel
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
231904
(
2008
).
56.
S. E.
Potts
,
W.
Keuning
,
E.
Langereis
,
G.
Dingemans
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
P66
(
2010
).
57.
V. R.
Rai
,
V.
Vandalon
, and
S.
Agarwal
,
Langmuir
26
,
13732
(
2010
).
58.
S.
Sioncke
,
A.
Delabie
,
G.
Brammertz
,
T.
Conard
,
A.
Franquet
,
M.
Caymax
,
A.
Urbanzcyk
,
M.
Heyns
,
M.
Meuris
,
J. L.
van Hemmen
,
W.
Keuning
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
H255
(
2009
).
59.
N. M.
Terlinden
,
G.
Dingemans
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
112101
(
2010
).
60.
J. L.
Van Hemmen
,
S. B. S.
Heil
,
J. H.
Klootwijk
,
F.
Roozeboom
,
C. J.
Hodson
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
G165
(
2007
).
61.
H. S.
Yun
and
K. H.
Kim
,
J. Korean Phys. Soc.
54
,
707
(
2009
).
62.
T. O.
Kaariainen
and
D. C.
Cameron
,
Plasma Processes Polym.
6
,
S237
(
2009
).
63.
K.
Lambert
,
J.
Dendooven
,
C.
Detavernier
, and
Z.
Hens
,
Chem. Mater.
23
,
126
(
2011
).
64.
K. B.
Jinesh
,
J. L.
van Hemmen
,
M. C. M. van de
Sanden
,
F.
Roozeboom
,
J. H.
Klootwijk
,
W. F. A.
Besling
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
G21
(
2011
).
65.
S. E.
Potts
,
L.
Schmalz
,
M.
Fenker
,
B.
Diaz
,
J.
Swiatowska
,
V.
Maurice
,
A.
Seyeux
,
P.
Marcus
,
G.
Radnoczi
,
L.
Toth
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
C132
(
2011
).
66.
P.
Poodt
,
B.
Kniknie
,
A.
Branca
,
H.
Winands
, and
F.
Roozeboom
,
Phys. Status Solidi (RRL)
5
,
165
(
2011
).
67.
O. M.
Nayfeh
,
T.
Marr
, and
M.
Dubey
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
32
,
473
(
2011
).
68.
A.
Ali
,
H. S.
Madan
,
A. P.
Kirk
,
D. A.
Zhao
,
D. A.
Mourey
,
M. K.
Hudait
,
R. M.
Wallace
,
T. N.
Jackson
,
B. R.
Bennett
,
J. B.
Boos
, and
S.
Datta
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
143502
(
2010
).
69.
Y. H.
Kim
,
J.
Moon
,
C. H.
Chung
,
S. J.
Yun
,
D. J.
Park
,
J. W.
Lim
,
Y. H.
Song
, and
J. H.
Lee
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
27
,
896
(
2006
).
70.
D. J.
Park
,
J. W.
Lim
, and
B. O.
Park
,
Solid-State Electron.
54
,
323
(
2010
).
71.
Y. H.
Kim
,
C. Y.
Sohn
,
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
,
C. S.
Hwang
,
C. H.
Chung
,
Y. W.
Ko
, and
J. H.
Lee
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
25
,
550
(
2004
).
72.
J.
Moon
,
Y. H.
Kim
,
D. J.
Park
,
C. H.
Chung
,
S. Y.
Kang
, and
J. H.
Lee
,
Solid-State Electron.
54
,
1326
(
2010
).
73.
S.
Lee
and
H.
Jeon
,
Electron. Mater. Lett.
3
,
17
(
2007
).
74.
Y. J.
Lee
and
S. W.
Kang
,
Thin Solid Films
446
,
227
(
2004
).
75.
Y. J.
Lee
,
J. Cryst. Growth
266
,
568
(
2004
).
76.
M.
Bosund
,
P.
Mattila
,
A.
Aierken
,
T.
Hakkarainen
,
H.
Koskenvaara
,
M.
Sopanen
,
V. M.
Airaksinen
, and
H.
Lipsanen
,
Appl. Surf. Sci.
256
,
7434
(
2010
).
77.
M.
Bosund
,
T.
Sajavaara
,
M.
Laitinen
,
T.
Huhtio
,
M.
Putkonen
,
V. M.
Airaksinen
, and
H.
Lipsanen
,
Appl. Surf. Sci.
257
,
7827
(
2011
).
78.
K. H.
Kim
,
N. W.
Kwak
, and
S. H.
Lee
,
Electron. Mater. Lett.
5
,
83
(
2009
).
79.
J. W.
Lim
and
S. J.
Yun
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
H33
(
2004
).
80.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
J. H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
F25
(
2005
).
81.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
J. H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
F8
(
2006
).
82.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
H. T.
Kim
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
G239
(
2007
).
83.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
H. T.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys.
47
,
6934
(
2008
).
84.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
S. H.
Lee
,
J. Korean Phys. Soc.
56
,
96
(
2010
).
85.
G. J.
Choi
,
S. K.
Kim
,
S. J.
Won
,
H. J.
Kim
, and
C. S.
Hwang
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
G138
(
2009
).
86.
H. B. R.
Lee
,
J.
Kim
,
H.
Kim
,
W. H.
Kim
,
J. W.
Lee
, and
I.
Hwang
,
J. Korean Phys. Soc.
56
,
104
(
2010
).
87.
J. M.
Kim
,
H. B. R.
Lee
,
C.
Lansalot
,
C.
Dussarrat
,
J.
Gatineau
, and
H.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys.
49
,
05FA10
(
2010
).
88.
K.
Kim
,
K.
Lee
,
S.
Han
,
W.
Jeong
, and
H.
Jeon
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
H177
(
2007
).
89.
K.
Kim
,
K.
Lee
,
S.
Han
,
T.
Park
,
Y.
Lee
,
J.
Kim
,
S.
Yeom
, and
H.
Jeon
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
46
,
L173
(
2007
).
90.
H. B. R.
Lee
and
H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G323
(
2006
).
91.
H. B. R.
Lee
,
J. Y.
Son
, and
H.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
213509
(
2007
).
92.
K.
Lee
,
K.
Kim
,
T.
Park
,
H.
Jeon
,
Y.
Lee
,
J.
Kim
, and
S.
Yeom
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
H899
(
2007
).
93.
K.
Lee
,
K.
Kim
,
H.
Jeon
,
Y.
Lee
,
J.
Kim
, and
S.
Yeom
,
J. Korean Phys. Soc.
50
,
1141
(
2007
).
94.
M. E.
Donders
,
H. C. M.
Knoops
,
M. C. M.
van de Sanden
,
W. M. M.
Kessels
, and
P. H. L.
Notten
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
G92
(
2011
).
95.
H. B. R.
Lee
,
G. H.
Gu
,
J. Y.
Son
,
C. G.
Park
, and
H.
Kim
,
Small
4
,
2247
(
2008
).
96.
H. B. R.
Lee
and
H.
Kim
,
J. Cryst. Growth
312
,
2215
(
2010
).
97.
L.
Wu
and
E.
Eisenbraun
,
J. Vac. Sci. Technol. B
25
,
2581
(
2007
).
98.
L.
Wu
and
E.
Eisenbraun
,
Electrochem. Solid-State Lett.
11
,
H107
(
2008
).
99.
L.
Wu
and
E.
Eisenbraun
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
H734
(
2009
).
100.
A.
Niskanen
,
A.
Rahtu
,
T.
Sajavaara
,
K.
Arstila
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
G25
(
2005
).
101.
D. Y.
Moon
,
W. S.
Kim
,
T. S.
Kim
,
B. W.
Kang
,
J. W.
Park
,
S. J.
Yeom
, and
J. H.
Kim
,
J. Korean Phys. Soc.
54
,
1330
(
2009
).
102.
C.
Jezewski
,
W. A.
Lanford
,
C. J.
Wiegand
,
J. P.
Singh
,
P. I.
Wang
,
J. J.
Senkevich
, and
T. M.
Lu
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
C60
(
2005
).
103.
D. Y.
Moon
,
D. S.
Han
,
S. Y.
Shin
,
J. W.
Park
,
B. M.
Kim
, and
J. H.
Kim
,
Thin Solid Films
519
,
3636
(
2011
).
104.
T. T.
Van
and
J. P.
Chang
,
Appl. Surf. Sci.
246
,
250
(
2005
).
105.
G. X.
Liu
,
F. K.
Shan
,
W. J.
Lee
,
G. H.
Lee
,
I. S.
Kim
, and
B. C.
Shin
,
Integr. Ferroelectr.
85
,
155
(
2006
).
106.
G. X.
Liu
,
F. K.
Shan
,
W. J.
Lee
,
B. C.
Shin
,
S. C.
Kim
,
H. S.
Kim
, and
C. R.
Cho
,
Integr. Ferroelectr.
94
,
11
(
2007
).
107.
N. J.
Seong
,
S. G.
Yoon
, and
W. J.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
082909
(
2005
).
108.
N. J.
Seong
,
E. T.
Kim
, and
S. G.
Yoon
,
Integr. Ferroelectr.
74
,
181
(
2005
).
109.
F. K.
Shan
,
G. X.
Liu
,
W. J.
Lee
,
G. H.
Lee
,
I. S.
Kim
, and
B. C.
Shin
,
J. Appl. Phys.
98
,
023504
(
2005
).
110.
F. K.
Shan
,
G. X.
Liu
,
W. J.
Lee
,
G. H.
Lee
,
I. S.
Kim
, and
B. C.
Shin
,
Integr. Ferroelectr.
80
,
197
(
2006
).
111.
M.
De Keijser
and
C.
Van Opdorp
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
1187
(
1991
).
112.
G. X.
Liu
,
F. K.
Shan
,
J. J.
Park
,
W. J.
Lee
,
G. H.
Lee
,
I. S.
Kim
,
B. C.
Shin
, and
S. G.
Yoon
,
J. Electroceram.
17
,
145
(
2006
).
113.
J.
Lee
,
S.
Choi
,
C.
Lee
,
Y.
Kang
, and
D.
Kim
,
Appl. Surf. Sci.
253
,
3969
(
2007
).
114.
B. J.
Choi
,
S.
Choi
,
T.
Eom
,
S. W.
Ryu
,
D. Y.
Cho
,
J.
Heo
,
H. J.
Kim
,
C. S.
Hwang
,
Y. J.
Kim
, and
S. K.
Hong
,
Chem. Mater.
21
,
2386
(
2009
).
115.
S.
Consiglio
,
W. X.
Zeng
,
N.
Berliner
, and
E. T.
Eisenbraun
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H196
(
2008
).
116.
W. J.
Maeng
,
G. H.
Gu
,
C. G.
Park
,
K.
Lee
,
T.
Lee
, and
H.
Kim
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
G109
(
2009
).
117.
E. J.
Kim
and
D. H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
C123
(
2006
).
118.
W.
Jeong
,
Y.
Ko
,
S.
Bang
,
S.
Lee
, and
H.
Jeon
,
J. Korean Phys. Soc.
56
,
905
(
2010
).
119.
J.
Choi
,
S.
Kim
,
J.
Kim
,
H.
Kang
,
H.
Jeon
, and
C.
Bae
,
J. Vac. Sci. Technol. A
24
,
900
(
2006
).
120.
S.
Choi
,
J.
Koo
,
H.
Jeon
, and
Y.
Kim
,
J. Korean. Phys. Soc.
44
,
35
(
2004
).
121.
H.
Hong
,
S.
Kim
,
S.
Woo
,
H.
Kim
,
H.
Kim
,
W.
Jeong
,
S.
Jeon
,
S.
Bang
,
S.
Lfe
, and
H.
Jeon
,
J. Korean Phys. Soc.
52
,
1114
(
2008
).
122.
H.
Kang
,
S.
Kim
,
J.
Choi
,
J.
Kim
,
H.
Jeon
, and
C.
Bae
,
Electrochem. Solid-State Lett
.
9
,
G211
(
2006
).
123.
I.
Kim
,
S.
Kuk
,
S.
Kim
,
J.
Kim
,
H.
Jeon
,
M. H.
Cho
, and
K. B.
Chung
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
222101
(
2007
).
124.
J.
Kim
,
S.
Kim
,
H.
Kang
,
J.
Choi
,
H.
Jeon
,
M.
Cho
,
K.
Chung
,
S.
Back
,
K.
Yoo
, and
C.
Bae
,
J. Appl. Phys.
98
,
094509
(
2005
).
125.
J.
Kim
,
S.
Kim
,
H.
Jeon
,
M. H.
Cho
,
K. B.
Chung
, and
C.
Bae
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
053108
(
2005
).
126.
S.
Kim
,
J.
Kim
,
J.
Choi
,
H. S.
Kang
,
H.
Jeon
, and
C.
Bae
,
J. Vac. Sci. Technol. B
24
,
1088
(
2006
).
127.
S.
Kim
,
J.
Kim
,
J.
Choi
,
H.
Kang
,
H.
Jeon
,
W.
Cho
,
K. S.
An
,
T. M.
Chung
,
Y.
Kim
, and
C.
Bae
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G200
(
2006
).
128.
S.
Kim
,
S.
Woo
,
H.
Kim
,
W.
Jeong
,
T.
Park
,
H.
Kim
,
S. B.
Kim
, and
H.
Jeon
,
J. Vac. Sci. Technol. B
25
,
1922
(
2007
).
129.
S.
Kim
,
S.
Woo
,
H.
Hong
,
H.
Kim
,
H.
Jeon
, and
C.
Bae
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
H97
(
2007
).
130.
S.
Kim
,
S.
Woo
,
H.
Kim
,
I.
Kim
,
K.
Lee
,
W.
Jeong
,
T.
Park
, and
H.
Jeon
,
J. Korean Phys. Soc.
52
,
1103
(
2008
).
131.
Y.
Won
,
S.
Park
,
J.
Koo
,
S.
Kim
,
J.
Kim
, and
H.
Jeon
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
262901
(
2005
).
132.
S.
Woo
,
H.
Hong
,
S.
Kim
,
H.
Kim
,
J.
Kim
,
H.
Jeon
,
C.
Bae
,
T.
Okada
,
K.
Sawada
, and
M.
Ishida
,
Jpn. J. Appl. Phys.
47
,
6196
(
2008
).
133.
Y. C.
Byun
,
C. H.
An
,
J. Y.
Choi
,
C. Y.
Kim
,
M. H.
Cho
, and
H.
Kim
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
G141
(
2011
).
134.
Y.
Lee
,
S.
Kim
,
J.
Koo
,
I.
Kim
,
J.
Choi
,
H.
Jeon
, and
Y.
Won
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
G353
(
2006
).
135.
P. K.
Park
,
J. S.
Roh
,
B. H.
Choi
, and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
F34
(
2006
).
136.
S. B. S.
Heil
,
J. L.
van Hemmen
,
C. J.
Hodson
,
N.
Singh
,
J. H.
Klootwijk
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
25
,
1357
(
2007
).
137.
J.
Joo
and
S. M.
Rossnagel
,
J. Korean Phys. Soc.
54
,
1048
(
2009
).
138.
H.
Kim
,
S.
Woo
,
J.
Lee
,
Y.
Kim
,
H.
Lee
,
I. J.
Choi
,
Y. D.
Kim
,
C. W.
Chung
, and
H.
Jeon
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
H21
(
2011
).
139.
W. S.
Kim
,
S. K.
Park
,
D. Y.
Moon
,
T. S.
Kim
,
B. W.
Kang
,
J. K.
Seo
,
H. D.
Kim
, and
J. W.
Park
,
J. Korean. Phys. Soc.
53
,
3334
(
2008
).
140.
W. J.
Maeng
and
H.
Kim
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H267
(
2008
).
141.
W. J.
Maeng
,
J. Y.
Son
, and
H.
Kim
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
G33
(
2009
).
142.
W. J.
Maeng
,
W. H.
Kim
,
J. H.
Koo
,
S. J.
Lim
,
C. S.
Lee
,
T.
Lee
, and
H.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
96
(
2010
).
143.
W. J.
Maeng
and
H.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
092901
(
2007
).
144.
H.
Jeon
and
Y.
Won
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
124104
(
2008
).
145.
S. X.
Lao
,
R. M.
Martin
, and
J. P.
Chang
,
J. Vac. Sci. Technol. A
23
,
488
(
2005
).
146.
W. J.
Maeng
and
H.
Kim
,
J. Appl. Phys.
104
,
064111
(
2008
).
147.
H.
Kim
,
S.
Kim
,
S.
Woo
,
H. Y.
Chung
,
H.
Kim
,
J.
Park
, and
H.
Jeon
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
G299
(
2008
).
148.
J. R.
Liu
,
R. M.
Martin
, and
J. P.
Chang
,
J. Vac. Sci. Technol. A
26
,
1251
(
2008
).
149.
D. K.
Joo
,
J. S.
Park
, and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
12
,
H77
(
2009
).
150.
S. W.
Kim
,
S. H.
Kwon
,
S. J.
Jeong
,
J. S.
Park
, and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
11
,
H303
(
2008
).
151.
B. Y.
Kim
,
M. G.
Ko
,
E. J.
Lee
,
M. S.
Hong
,
Y. J.
Jeon
, and
J. W.
Park
,
J. Korean Phys. Soc.
49
,
1303
(
2006
).
152.
E. J.
Lee
,
M. G.
Ko
,
B. Y.
Kim
,
S. K.
Park
,
H. D.
Kim
, and
J. W.
Park
,
J. Korean Phys. Soc.
49
,
1243
(
2006
).
153.
H.
Kim
,
S.
Woo
,
J.
Lee
,
H.
Kim
,
Y.
Kim
,
H.
Lee
, and
H.
Jeon
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
H479
(
2010
).
154.
W. H.
Kim
,
W. J.
Maeng
,
K. J.
Moon
,
J. M.
Myoung
, and
H.
Kim
,
Thin Solid Films
519
,
362
(
2010
).
155.
W. S.
Kim
,
S. K.
Park
,
D. Y.
Moon
,
B. W.
Kang
,
H. D.
Kim
, and
J. W.
Park
,
Thin Solid Films
517
,
3900
(
2009
).
156.
J.
Hinz
,
A. J.
Bauer
, and
L.
Frey
,
Semicond. Sci. Technol.
25
,
045009
(
2010
).
157.
J.
Hinz
,
A. J.
Bauer
,
T.
Thiede
,
R. A.
Fischer
, and
L.
Frey
,
Semicond. Sci. Technol.
25
,
075009
(
2010
).
158.
H. B. R.
Lee
,
S. H.
Bang
,
W. H.
Kim
,
G. H.
Gu
,
Y. K.
Lee
,
T. M.
Chung
,
C. G.
Kim
,
C. G.
Park
, and
H.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys.
49
,
05FA11
(
2010
).
159.
K. M.
Lee
,
C. Y.
Kim
,
C. K.
Choi
,
S. W.
Yun
,
J. B.
Ha
,
J. H.
Lee
, and
J. Y.
Lee
,
J. Korean Phys. Soc.
55
,
1153
(
2009
).
160.
J. H.
Lee
,
I. N.
Lund
,
E. T.
Eisenbraun
, and
R. E.
Geer
,
Nanotechnology
22
,
085603
(
2011
).
161.
N. E.
Lay
,
G. A. T.
Eyck
,
D. J.
Duquette
, and
T. M.
Lu
,
Electrochem. Solid-State Lett.
10
,
D13
(
2007
).
162.
G. A.
Ten Eyck
,
J. J.
Senkevich
,
F.
Tang
,
D. L.
Liu
,
S.
Pimanpang
,
T.
Karaback
,
G. C.
Wang
,
T. M.
Lu
,
C.
Jezewski
, and
W. A.
Lanford
,
Chem. Vap. Deposition
11
,
60
(
2005
).
163.
G. A.
Ten Eyck
,
S.
Pimanpang
,
J. S.
Juneja
,
H.
Bakhru
,
T. M.
Lu
, and
G. C.
Wang
,
Chem. Vap. Deposition
13
,
307
(
2007
).
164.
H. C. M.
Knoops
,
A. J. M.
Mackus
,
M. E.
Donders
,
M. C. M.
van de Sanden
,
P. H. L.
Notten
, and
W. M. M.
Kessels
,
Electrochem. Solid-State Lett.
12
,
G34
(
2009
).
165.
M. G.
Ko
,
W. S.
Kim
,
S. K.
Park
,
H. D.
Kim
, and
J. W.
Park
,
J. Korean Phys. Soc.
53
,
2123
(
2008
).
166.
O. K.
Kwon
,
S. H.
Kwon
,
H. S.
Park
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
151
,
C753
(
2004
).
167.
O. K.
Kwon
,
S. H.
Kwon
,
H. S.
Park
, and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
C46
(
2004
).
168.
S. H.
Kwon
,
O. K.
Kwon
,
J. H.
Kim
,
H. R.
Oh
,
K. H.
Kim
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H296
(
2008
).
169.
S. S.
Yim
,
M. S.
Lee
,
K. S.
Kim
, and
K. B.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
89
(
2006
).
170.
S. S.
Yim
,
D. J.
Lee
,
K. S.
Kim
,
M. S.
Lee
,
S. H.
Kim
, and
K. B.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
11
,
K89
(
2008
).
171.
J.
Musschoot
,
Q.
Xie
,
D.
Deduytsche
,
K.
De Keyser
,
D.
Longrie
,
J.
Haemers
,
S.
Van den Berghe
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
J.
D’Haen
, and
C.
Detavernier
,
Microelectron. Eng.
87
,
1879
(
2010
).
172.
B. H.
Choi
,
Y. H.
Lim
,
J. H.
Lee
,
Y. B.
Kim
,
H. N.
Lee
, and
H. K.
Lee
,
Microelectron. Eng.
87
,
1391
(
2010
).
173.
S. J.
Park
,
W. H.
Kim
,
H. B. R.
Lee
,
W. J.
Maeng
, and
H.
Kim
,
Microelectron. Eng.
85
,
39
(
2008
).
174.
Q.
Xie
,
Y. L.
Jiang
,
J.
Musschoot
,
D.
Deduytsche
,
C.
Detavernier
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
S.
Van den Berghe
,
G. P.
Ru
,
B. Z.
Li
, and
X. P.
Qu
,
Thin Solid Films
517
,
4689
(
2009
).
175.
S. W.
Kim
,
S. H.
Kwon
,
S. J.
Jeong
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H885
(
2008
).
176.
S. H.
Kwon
,
O. K.
Kwon
,
J. S.
Min
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
G578
(
2006
).
177.
S. J.
Jeong
,
D. I.
Kim
,
S. O.
Kim
,
T. H.
Han
,
J. D.
Kwon
,
J. S.
Park
, and
S. H.
Kwon
,
J. Nanosci. Nanotechnol.
11
,
671
(
2011
).
178.
C. C.
Chang
and
F. M.
Pan
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
G97
(
2011
).
179.
N.
Leick
,
R. O. F.
Verkuijlen
,
E.
Langereis
,
S.
Rushworth
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
29
,
021016
(
2011
).
180.
D.
Greenslit
,
T.
Chakraborty
, and
E.
Eisenbraun
,
J. Vac. Sci. Technol. B
27
,
631
(
2009
).
181.
S.
Kumar
,
D.
Greenslit
,
T.
Chakraborty
, and
E. T.
Eisenbraun
,
J. Vac. Sci. Technol. A
27
,
572
(
2009
).
182.
T. K.
Eom
,
S. H.
Kim
,
K. S.
Park
,
S.
Kim
, and
H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
14
,
D10
(
2011
).
183.
W.
Sari
,
T. K.
Eom
,
S. H.
Kim
, and
H.
Kim
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
D42
(
2011
).
184.
T.
Murata
,
Y.
Miyagawa
,
Y.
Nishida
,
Y.
Yamamoto
,
T.
Yamashita
,
M.
Matsuura
,
K.
Asai
, and
H.
Miyatake
,
Jpn. J. Appl. Phys.
49
,
04DB11
(
2010
).
185.
S. J.
Won
,
S.
Suh
,
M. S.
Huh
, and
H. J.
Kim
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
31
,
857
(
2010
).
186.
A.
Kobayashi
,
N.
Tsuji
,
A.
Fukazawa
, and
N.
Kobayashi
, “
Temperature dependence of GPC with PE-ALD SiO
,” in
Book of Abstracts, 10th International Conference on Atomic Layer Deposition, Seoul, Korea
, 20 June
2010
.
187.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
J. H.
Lee
,
ETRI J.
27
,
118
(
2005
).
188.
Y. B.
Jiang
,
N. G.
Liu
,
H.
Gerung
,
J. L.
Cecchi
, and
C. J.
Brinker
,
J. Am. Chem. Soc.
128
,
11018
(
2006
).
189.
A.
Cacciato
,
L.
Breuil
,
H.
Dekker
,
M.
Zahid
,
G. S.
Kar
,
J. L.
Everaert
,
G.
Schoofs
,
X.
Shi
,
G.
Van den Bosch
,
M.
Jurczak
,
I.
Debusschere
,
J.
Van Houdt
,
A.
Cockburn
,
L.
Date
,
L. Q.
Xa
,
M.
Le
, and
W.
Lee
,
Electrochem. Solid State Lett
.
14
,
H271
(
2011
).
190.
G.
Choi
,
L.
Satyanarayana
, and
J.
Park
,
Appl. Surf. Sci.
252
,
7878
(
2006
).
191.
D. H.
Kim
,
W. S.
Kim
,
S. B.
Lee
, and
S. H.
Hong
,
Sens. Actuators B
147
,
653
(
2010
).
192.
W.
Lee
,
K.
Hong
,
Y.
Park
,
N. H.
Kim
,
Y.
Choi
, and
J.
Park
,
Electron. Lett.
41
,
475
(
2005
).
193.
W.
Lee
,
Y.
Choi
,
K.
Hong
,
N. H.
Kim
,
Y.
Park
, and
J.
Park
,
J. Korean Phys. Soc.
46
,
L756
(
2005
).
194.
D. H.
Kim
,
J. H.
Kwon
,
M.
Kim
, and
S. H.
Hong
,
J. Cryst. Growth
322
,
33
(
2011
).
195.
E.
Langereis
,
R.
Roijmans
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
G34
(
2011
).
196.
J. H.
Ahn
,
J. Y.
Kim
, and
S. W.
Kang
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
062910
(
2007
).
197.
J. H.
Ahn
,
S. W.
Kang
,
J. Y.
Kim
,
J. H.
Kim
, and
J. S.
Roh
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
G185
(
2008
).
198.
J. H.
Ahn
,
J. Y.
Kim
,
J. H.
Kim
,
J. S.
Roh
, and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
12
,
G5
(
2009
).
199.
J. H.
Lee
,
Y. J.
Cho
,
Y. S.
Min
,
D.
Kim
, and
S. W.
Rhee
,
J. Vac. Sci. Technol. A
20
,
1828
(
2002
).
200.
W. J.
Lee
,
I. K.
You
,
S. O.
Ryu
,
B. G.
Yu
,
K. I.
Cho
,
S. G.
Yoon
, and
C. S.
Lee
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
,
6941
(
2001
).
201.
W. C.
Shin
,
S. O.
Ryu
,
I. K.
You
,
B. G.
Yu
,
W. J.
Lee
,
K. J.
Choi
, and
S. G.
Yoon
,
J. Electrochem. Soc.
151
,
C292
(
2004
).
202.
W. J.
Lee
,
W. C.
Shin
,
B. G.
Chae
,
S. O.
Ryu
,
I. K.
You
,
S. M.
Cho
,
B. G.
Yu
, and
B. C.
Shin
,
Integr. Ferroelectr.
46
,
275
(
2002
).
203.
W. C.
Shin
,
S. O.
Ryu
,
I. K.
You
,
S. M.
Yoon
,
S. M.
Cho
,
N. Y.
Lee
,
K. D.
Kim
,
B. G.
Yu
,
W. J.
Lee
,
K. J.
Choi
, and
S. G.
Yoon
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
F31
(
2004
).
204.
H.
Kim
,
C.
Cabral
,
C.
Lavoie
, and
S. M.
Rossnagel
,
J. Vac. Sci. Technol. B
20
,
1321
(
2002
).
205.
H.
Kim
and
S. M.
Rossnagel
,
Thin Solid Films
441
,
311
(
2003
).
206.
S. M.
Rossnagel
,
A.
Sherman
, and
F.
Turner
,
J. Vac. Sci. Technol. B
18
,
2016
(
2000
).
207.
W. J.
Maeng
,
S. J.
Park
, and
H.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. B
24
,
2276
(
2006
).
208.
W. J.
Maeng
and
H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G191
(
2006
).
209.
W. J.
Maeng
,
J. W.
Lee
,
J. M.
Myoung
, and
H.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
46
,
3224
(
2007
).
210.
A.
Niskanen
,
U.
Kreissig
,
M.
Leskela
, and
M.
Ritala
,
Chem. Mater.
19
,
2316
(
2007
).
211.
D. F.
Gu
,
J.
Li
,
S. K.
Dey
,
H.
De Waard
, and
S.
Marcus
,
J. Vac. Sci. Technol. B
24
,
2230
(
2006
).
212.
C.
Hossbach
,
S.
Teichert
,
J.
Thomas
,
L.
Wilde
,
H.
Wojcik
,
D.
Schmidt
,
B.
Adolphi
,
M.
Bertram
,
U.
Muhle
,
M.
Albert
,
S.
Menzel
,
B.
Hintze
, and
J. W.
Bartha
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
H852
(
2009
).
213.
M. K.
Song
and
S. W.
Rhee
,
Chem. Vap. Deposition
14
,
334
(
2008
).
214.
M. K.
Song
and
S. W.
Rhee
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H823
(
2008
).
215.
G. H.
Cho
and
S. W.
Rhee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
13
,
H426
(
2010
).
216.
T. J.
Park
,
J. H.
Kim
,
J. H.
Jang
,
K. D.
Na
,
C. S.
Hwang
,
J. H.
Kim
,
G. M.
Kim
,
J. H.
Choi
,
K. J.
Choi
, and
J. H.
Jeong
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
252106
(
2007
).
217.
Q.
Xie
,
D.
Deduytsche
,
J.
Musschoot
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
C.
Detavernier
,
S. F.
Ding
, and
X. P.
Qu
,
Microelectron. Eng.
88
,
646
(
2011
).
218.
H.
Kim
,
A. J.
Kellock
, and
S. M.
Rossnagel
,
J. Appl. Phys.
92
,
7080
(
2002
).
219.
H.
Kim
,
C.
Lavoie
,
M.
Copel
,
V.
Narayanan
,
D. G.
Park
, and
S. M.
Rossnagel
,
J. Appl. Phys.
95
,
5848
(
2004
).
220.
C. C.
Chang
,
F. M.
Pan
, and
C. W.
Chen
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
G62
(
2010
).
221.
H. S.
Chung
,
J. D.
Kwon
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
C751
(
2006
).
222.
H. C. M.
Knoops
,
L.
Baggetto
,
E.
Langereis
,
M. C. M.
van de Sanden
,
J. H.
Klootwijk
,
F.
Roozeboom
,
R. A. H.
Niessen
,
P. H. L.
Notten
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
G287
(
2008
).
223.
E.
Langereis
,
H. C. M.
Knoops
,
A. J. M.
Mackus
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Appl. Phys.
102
,
083517
(
2007
).
224.
A.
Furuya
,
H.
Tsuda
, and
S.
Ogawa
,
J. Vac. Sci. Technol. B
23
,
979
(
2005
).
225.
Q.
Xie
,
J.
Musschoot
,
C.
Detavernier
,
D.
Deduytsche
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
S.
Van den Berghe
,
Y. L.
Jiang
,
G. P.
Ru
,
B. Z.
Li
, and
X. P.
Qu
,
Microelectron. Eng.
85
,
2059
(
2008
).
226.
H.
Kim
,
C.
Detavernier
,
O.
Van der Straten
,
S. M.
Rossnagel
,
A. J.
Kellock
, and
D. G.
Park
,
J. Appl. Phys.
98
,
014308
(
2005
).
227.
J. S.
Park
,
M. J.
Lee
,
C. S.
Lee
, and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
4
,
C17
(
2001
).
228.
J. S.
Park
,
H. S.
Park
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
149
,
C28
(
2002
).
229.
J. Y.
Kim
,
K. W.
Lee
,
H. O.
Park
,
Y. D.
Kim
,
H.
Jeon
, and
Y.
Kim
,
J. Korean Phys. Soc.
45
,
1069
(
2004
).
230.
D. K.
Kim
,
B. H.
Kim
,
H. G.
Woo
,
D. H.
Kim
, and
H. K.
Shin
,
J. Nanosci. Nanotechnol.
6
,
3392
(
2006
).
231.
R.
Sreenivasan
,
T.
Sugawara
,
K. C.
Saraswat
, and
P. C.
McIntyre
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
102101
(
2007
).
232.
H.
Kim
and
S. M.
Rossnagel
,
J. Vac. Sci. Technol. A
20
,
802
(
2002
).
233.
K. E.
Elers
,
J.
Winkler
,
K.
Weeks
, and
S.
Marcus
,
J. Electrochem. Soc
.
152
,
G589
(
2005
).
234.
J. D.
Kwon
and
J. S.
Park
,
J. Korean. Phys. Soc.
57
,
806
(
2010
).
235.
J. S.
Park
,
S. W.
Kang
, and
H.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. B
24
,
1327
(
2006
).
236.
S. B. S.
Heil
,
E.
Langereis
,
A.
Kemmeren
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
23
,
L5
(
2005
).
237.
S. B. S.
Heil
,
E.
Langereis
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
G956
(
2006
).
238.
E.
Langereis
,
S. B. S.
Heil
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Appl. Phys.
100
,
023534
(
2006
).
239.
F.
Greer
,
D.
Fraser
,
J. W.
Coburn
, and
D. B.
Graves
,
J. Vac. Sci. Technol. A
21
,
96
(
2003
).
240.
P.
Caubet
,
T.
Blomberg
,
R.
Benaboud
,
C.
Wyon
,
E.
Blanquet
,
J. P.
Gonchond
,
M.
Juhel
,
P.
Bouvet
,
M.
Gros-Jean
,
J.
Michailos
,
C.
Richard
, and
B.
Iteprat
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H625
(
2008
).
241.
J. Y.
Kim
,
Y.
Kim
, and
H.
Jeon
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L414
(
2003
).
242.
D. H.
Kim
,
Y. J.
Kima
,
J. H.
Park
, and
J. H.
Kim
,
Mater. Sci. Eng. C
24
,
289
(
2004
).
243.
J. Y.
Kim
,
S.
Seo
,
D. Y.
Kim
,
H.
Jeon
, and
Y.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. A
22
,
8
(
2004
).
244.
J. Y.
Kim
,
D. Y.
Kim
,
H. O.
Park
, and
H. T.
Jeon
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
G29
(
2005
).
245.
J. Y.
Kim
,
D. Y.
Kim
,
H. O.
Park
, and
H.
Jeon
,
J. Korean. Phys. Soc.
45
,
1639
(
2004
).
246.
N. G.
Kubala
,
P. C.
Rowlette
, and
C. A.
Wolden
,
J. Phys. Chem. C
113
,
16307
(
2009
).
247.
N. G.
Kubala
and
C. A.
Wolden
,
Thin Solid Films
518
,
6733
(
2010
).
248.
A.
Sarkar
,
S. E.
Potts
,
S. A.
Rushworth
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
ECS Trans.
33
,
385
(
2010
).
249.
G. X.
Liu
,
F. K.
Shan
,
W. J.
Lee
, and
B. C.
Shin
,
J. Korean. Phys. Soc.
50
,
1827
(
2007
).
250.
J. J.
Park
,
W. J.
Lee
,
G. H.
Lee
,
I. S.
Kim
,
B. C.
Shin
, and
S. G.
Yoon
,
Integr. Ferroelectr.
68
,
129
(
2004
).
251.
B. W.
Kang
,
W. S.
Kim
,
C. M.
Hwang
,
D. Y.
Moon
,
J. J.
Kim
,
J. G.
Park
, and
J. W.
Park
,
Jpn. J. Appl. Phys.
49
,
08JG05
(
2010
).
252.
C. S.
Lee
,
J.
Kim
,
J. Y.
Son
,
W.
Choi
, and
H.
Kim
,
Appl. Catal. B
91
,
628
(
2009
).
253.
C. S.
Lee
,
J.
Kim
,
G. H.
Gu
,
D. H.
Jo
,
C. G.
Park
,
W.
Choi
, and
H.
Kim
,
Thin Solid Films
518
,
4757
(
2010
).
254.
Q.
Xie
,
J.
Musschoot
,
D.
Deduytsche
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
C.
Detavernier
,
S.
Van den Berghe
,
Y. L.
Jiang
,
G. P.
Ru
,
B. Z.
Li
, and
X. P.
Qu
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
H688
(
2008
).
255.
J. H.
Kim
,
W. J.
Lee
, and
S. G.
Yoon
,
Integr. Ferroelectr.
68
,
63
(
2004
).
256.
W. S.
Kim
,
M. G.
Ko
,
T. S.
Kim
,
S. K.
Park
,
Y. K.
Moon
,
S. H.
Lee
,
J. G.
Park
, and
J. W.
Park
,
J. Nanosci. Nanotechnol.
8
,
4726
(
2008
).
257.
Y. K.
Moon
,
S. H.
Kim
,
D. Y.
Moon
,
W. S.
Kim
, and
J. W.
Park
,
J. Korean Phys. Soc.
51
,
1732
(
2007
).
258.
H. Y.
Jeong
,
Y. I.
Kim
,
J. Y.
Lee
, and
S. Y.
Choi
,
Nanotechnology
21
,
115203
(
2010
).
259.
S. J.
Won
,
S.
Suh
,
S. W.
Lee
,
G. J.
Choi
,
C. S.
Hwang
, and
H. J.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
13
,
G13
(
2010
).
260.
V. R.
Rai
and
S.
Agarwal
,
J. Phys. Chem. C
113
,
12962
(
2009
).
261.
A.
Niskanen
,
K.
Arstila
,
M.
Leskela
, and
M.
Ritala
,
Chem. Vap. Deposition
13
,
152
(
2007
).
262.
H. Y.
Jeong
,
J. Y.
Lee
,
M. K.
Ryu
, and
S. Y.
Choi
,
Phys. Status Solidi (RRL)
4
,
28
(
2010
).
263.
S.
Kim
,
S. L.
Brown
,
S. M.
Rossnagel
,
J.
Bruley
,
M.
Copel
,
M. J. P.
Hopstaken
,
V.
Narayanan
, and
M. M.
Frank
,
J. Appl. Phys.
107
,
054102
(
2010
).
264.
J. W.
Park
,
D.
Lee
,
H.
Kwon
,
S.
Yoo
, and
J.
Huh
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
30
,
739
(
2009
).
265.
J. W.
Park
,
D. Y.
Lee
,
H.
Kwon
, and
S.
Yoo
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
30
,
362
(
2009
).
266.
W. S.
Yang
and
S. W.
Kang
,
Thin Solid Films
500
,
231
(
2006
).
267.
Y. J.
Lee
and
S. W.
Kang
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
071919
(
2005
).
268.
Y. J.
Lee
and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
6
,
C70
(
2003
).
269.
J. S.
Park
and
S. W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
C87
(
2004
).
270.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
J. H.
Kim
,
ETRI J.
31
,
675
(
2009
).
271.
J.
Musschoot
,
D.
Deduytsche
,
H.
Poelman
,
J.
Haemers
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
S.
Van den Berghe
, and
C.
Detavernier
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
122
(
2009
).
272.
D. H.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
Y. S.
Song
,
B. T.
Lee
,
J. H.
Kim
,
S.
Suh
, and
R.
Gordon
,
J. Electrochem. Soc.
150
,
C740
(
2003
).
273.
Y. T.
Kim
and
J. H.
Park
,
Phys. Status Solidi A
202
,
R164
(
2005
).
274.
H. S.
Sim
,
S. I.
Kim
,
H.
Jeon
, and
Y. T.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
6359
(
2003
).
275.
T. T.
Van
and
J. P.
Chang
,
Surf. Sci.
596
,
1
(
2005
).
276.
J.
Hoang
,
T. T.
Van
,
M.
Sawkar-Mathur
,
B.
Hoex
,
M. C. M.
van de Sanden
,
W. M. M.
Kessels
,
R.
Ostroumov
,
K. L.
Wang
,
J. R.
Bargar
, and
J. P.
Chang
,
J. Appl. Phys.
101
,
123116
(
2007
).
277.
T. T.
Van
and
J. P.
Chang
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
011907
(
2005
).
278.
T. T.
Van
,
J. R.
Bargar
, and
J. P.
Chang
,
J. Appl. Phys.
100
,
023115
(
2006
).
279.
T. T.
Van
,
J.
Hoang
,
R.
Ostroumov
,
K. L.
Wang
,
J. R.
Bargar
,
J.
Lu
,
H. O.
Blom
, and
J. P.
Chang
,
J. Appl. Phys.
100
,
073512
(
2006
).
280.
S. H. K.
Park
,
C. S.
Hwang
,
H. S.
Kwack
,
J. H.
Lee
, and
H. Y.
Chu
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G299
(
2006
).
281.
C. R.
Kim
,
C. M.
Shin
,
J. Y.
Lee
,
J. H.
Heo
,
T. M.
Lee
,
J. H.
Park
,
H.
Ryu
,
C. S.
Son
, and
J. H.
Chang
,
Current Appl. Phys.
10
,
S294
(
2010
).
282.
S. J.
Lim
,
J. M.
Kim
,
D.
Kim
,
C.
Lee
,
J. S.
Park
, and
H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
13
,
H151
(
2010
).
283.
D.
Kim
,
H.
Kang
,
J. M.
Kim
, and
H.
Kim
,
Appl. Surf. Sci.
257
,
3776
(
2011
).
284.
D. A.
Mourey
,
D. L. A.
Zhao
, and
T. N.
Jackson
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
31
,
326
(
2010
).
285.
D. A.
Mourey
,
D. A. L.
Zhao
,
J.
Sun
, and
T. N.
Jackson
,
IEEE Trans. Electron Devices
57
,
530
(
2010
).
286.
D. L.
Zhao
,
D. A.
Mourey
, and
T. N.
Jackson
,
IEEE Electron. Dev. Lett.
31
,
323
(
2010
).
287.
P. C.
Rowlette
,
C. G.
Allen
,
O. B.
Bromley
, and
C. A.
Wolden
,
J. Vac. Sci. Technol. A
27
,
761
(
2009
).
288.
P. C.
Rowlette
,
C. G.
Allen
,
O. B.
Bromley
,
A. E.
Dubetz
, and
C. A.
Wolden
,
Chem. Vap. Deposition
15
,
15
(
2009
).
289.
J. Y.
Kim
,
S. H.
Kim
,
H.
Seo
,
J. H.
Kim
, and
H.
Jeon
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
G82
(
2005
).
290.
Y.
Kim
,
J.
Koo
,
J. W.
Han
,
S.
Choi
,
H.
Jeon
, and
C. G.
Park
,
J. Appl. Phys.
92
,
5443
(
2002
).
291.
S. J.
Yun
,
J. W.
Lim
, and
J. H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
F81
(
2004
).
292.
S. J.
Yun
,
J. B.
Koo
,
J. W.
Lim
, and
S. H.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
10
,
H90
(
2007
).
293.
S. J.
Yun
,
J. W.
Lim
, and
J. H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
F47
(
2005
).
294.
J.
Koo
,
Y.
Kim
, and
H.
Jeon
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
41
,
3043
(
2002
).
295.
Y.
Tak
and
K.
Yong
,
Surf. Rev. Lett.
12
,
215
(
2005
).
296.
S.
Cho
,
K.
Lee
,
P.
Song
,
H.
Jeon
, and
Y.
Kim
,
Jpn. J. Appl. Phys
., Part 1
46
,
4085
(
2007
).
297.
S. E.
Potts
,
C. J.
Carmalt
,
C. S.
Blackman
,
F.
Abou-Chahine
,
N.
Leick
,
W. M. M.
Kessels
,
H. O.
Davies
, and
P. N.
Heys
,
Inorg. Chim. Acta
363
,
1077
(
2010
).
298.
A.
Sherman
, Patent No. US 5916365 (
1996
).
299.
M. A.
Lieberman
and
A. J.
Lichtenberg
,
Principles of Plasma Discharges and Materials Processing
, 2nd ed. (
John Wiley & Sons
,
New York
,
2005
).
300.
A.
Grill
,
Cold Plasmas in Materials Fabrication: From Fundamentals to Applications
(
Wiley-IEEE Press
,
New York
,
1994
).
301.
S. B. S.
Heil
,
F.
Roozeboom
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
26
,
472
(
2008
).
302.
A. J. M.
Mackus
,
S. B. S.
Heil
,
E.
Langereis
,
H. C. M.
Knoops
,
M. C. M. Van de
Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
28
,
77
(
2010
).
303.
H. B.
Profijt
,
P.
Kudlacek
,
M. C. M.
Van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
G88
(
2011
).
304.
H. C. M.
Knoops
,
E.
Langereis
,
M. C. M. van de
Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
G241
(
2010
).
305.
J. C.
Greaves
and
J. W.
Linnett
,
Trans. Faraday Soc.
55
,
1346
(
1959
).
306.
B. J.
Wood
and
H.
Wise
,
J. Appl. Chem.
65
,
1976
(
1961
).
307.
Y. C.
Kim
and
M.
Boudart
,
Langmuir
7
,
2999
(
1991
).
308.
A. D.
Tserepi
and
T. A.
Miller
,
J. Appl. Phys.
75
,
7231
(
1994
).
309.
J.
Abrefah
and
D. R.
Olander
,
Surf. Sci.
209
,
291
(
1989
).
310.
A.
Bouchoule
and
P.
Ranson
,
J. Vac. Sci. Technol. A
9
,
317
(
1991
).
311.
S. F.
Adams
and
T. A.
Miller
,
Plasma Sources Sci. Technol.
9
,
248
(
2000
).
312.
M.
Mozetic
and
A.
Zalar
,
Appl. Surf. Sci.
158
,
263
(
2000
).
313.
H. C. M.
Knoops
,
E.
Langereis
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A.
(to be published).
314.
J. T.
Gudmundsson
,
I. G.
Kouznetsov
,
K. K.
Patel
, and
M. A.
Lieberman
,
J. Phys. D
34
,
1100
(
2001
).
315.
MKS website, http://www.mksinst.com (May 31,
2011
).
316.
Advanced Energy website, http://www.advanced-energy.com/ (May 31,
2011
).
317.
E.
Kawamura
,
V.
Vahedi
,
M. A.
Lieberman
, and
C. K.
Birdsall
,
Plasma Sources Sci. Technol.
8
,
R45
(
1999
).
318.
H. B.
Profijt
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
(to be published).
319.
J. W.
Lim
,
S. J.
Yun
, and
J. H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
F73
(
2004
).
320.
S. J.
Yun
,
J. W.
Lim
, and
J. H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
C13
(
2004
).
321.
J.
Beynet
,
P.
Wong
,
A.
Miller
,
S.
Locorotondo
,
D.
Vangoidsenhoven
,
T. H.
Yoon
,
M.
Demand
,
H. S.
Park
,
T.
Vandeweyer
,
H.
Sprey
,
Y. M.
Yoo
, and
M.
Maenhoudt
,
Proc. SPIE
7520
,
75201J
(
2009
).
322.
M. D.
Groner
,
F. H.
Fabreguette
,
J. W.
Elam
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
16
,
639
(
2004
).
323.
G.
Dingemans
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
Electrochem. Solid-State Lett.
13
,
H76
(
2010
).
324.
P.
Williams
,
A.
Kingsley
,
T.
Leese
,
Y.
Otsuka
, and
K.
Uotani
, in
Book of Abstracts, 8th International Conference on Atomic Layer Deposition
, Bruges, Belgium, 7 February
2008
.
325.
Q.
Xie
,
Y. L.
Jiang
,
C.
Detavernier
,
D.
Deduytsche
,
R. L.
Van Meirhaeghe
,
G. P.
Ru
,
B. Z.
Li
, and
X. P.
Qu
,
J. Appl. Phys.
102
,
083521
(
2007
).
326.
R.
Katamreddy
,
Z.
Wang
,
V.
Omarjee
,
P.
Venkateswara Raoa
,
C.
Dussarrat
, and
C.
Blasco
,
ECS Trans.
25
,
217
(
2009
).
327.
J. A.
Kittl
,
K.
Opsomer
,
M.
Popovici
,
N.
Menou
,
B.
Kaczer
,
X. P.
Wang
,
C.
Adelmann
,
M. A.
Pawlak
,
K.
Tomida
,
A.
Rothschild
,
B.
Govoreanu
,
R.
Degraeve
,
M.
Schaekers
,
M.
Zahid
,
A.
Delabie
,
J.
Meersschaut
,
W.
Polspoel
,
S.
Clima
,
G.
Pourtois
,
W.
Knaepen
,
C.
Detavernier
,
V. V.
Afanas’ev
,
T.
Blomberg
,
D.
Pierreux
,
J.
Swerts
,
P.
Fischer
,
J. W.
Maes
,
D.
Manger
,
W.
Vandervorst
,
T.
Conard
,
A.
Franquet
,
P.
Favia
,
H.
Bender
,
B.
Brijs
,
S.
van Elshocht
,
M.
Jurczak
,
J.
Van Houdt
, and
D. J.
Wouters
,
Microelectron. Eng.
86
,
1789
(
2009
).
328.
H.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. B
21
,
2231
(
2003
).
329.
M.
Ritala
,
P.
Kalsi
,
D.
Riihela
,
K.
Kukli
,
M.
Leskela
, and
J.
Jokinen
,
Chem. Mater.
11
,
1712
(
1999
).
330.
B. B.
Burton
,
A. R.
Lavoie
, and
S. M.
George
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
D508
(
2008
).
331.
P.
Alen
,
M.
Juppo
,
M.
Ritaka
,
T.
Sajavaara
,
J.
Keinonen
, and
M.
Leskela
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
G566
(
2001
).
332.
T.
Aaltonen
, “
Atomic Layer Deposition of Noble Metal Thin Films
,” Ph.D. thesis,
University of Helsinki
, Finland,
2005
.
333.
T.
Aaltonen
,
M.
Ritala
,
T.
Sajavaara
,
J.
Keinonen
, and
M.
Leskela
,
Chem. Mater.
15
,
1924
(
2003
).
334.
W. M. M.
Kessels
,
H. C. M.
Knoops
,
S. A. F.
Dielissen
,
A. J. M.
Mackus
, and
M. C. M.
van de Sanden
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
013114
(
2009
).
335.
J.
Hämäläinen
,
F.
Munnik
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
Chem. Mater.
20
,
6840
(
2008
).
336.
J.
Dendooven
,
D.
Deduytsche
,
J.
Musschoot
,
R. L.
Vanmeirhaeghe
, and
C.
Detavernier
,
J. Electrochem. Soc.
156
,
63
(
2009
).
337.
W. M. M.
Kessels
, in Book of Abstracts, Baltic Conference on Atomic Layer Deposition 2006, Oslo, Norway, 19 June
2006
.
338.
J. W.
Elam
,
D.
Routkevitch
,
P. P.
Mardilovich
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
15
,
3507
(
2003
).
339.
J. Y.
Kim
,
J. H.
Kim
,
J. H.
Ahn
,
P. K.
Park
, and
S. W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
154
,
H1008
(
2007
).
340.
O. S.
Kwon
,
S. K.
Kim
,
M.
Cho
,
C. S.
Hwang
, and
J.
Jeong
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
C229
(
2005
).
341.
H. C. M.
Knoops
,
J. W.
Elam
,
J. A.
Libera
, and
W. M. M.
Kessels
,
Chem. Mater.
23
,
2381
(
2011
).
342.
S. T.
Oyama
,
Cat. Rev. Sci. Eng.
42
,
279
(
2000
).
343.
S. C.
Ha
,
E.
Choi
,
S. H.
Kim
, and
J. S.
Roh
,
Thin Solid Films
476
,
252
(
2005
).
344.
H.
Ren
,
Y.
Nishi
, and
J. L.
Shohet
,
Electrochem. Solid-State Lett.
14
,
H107
(
2011
).
345.
T.
Takagi
,
J. Vac. Sci. Technol. A
2
,
382
(
1984
).
346.
C.
Cismaru
and
J. L.
Shohet
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
2599
(
1999
).
347.
K. G.
Druijf
,
J. M. M.
Denijs
,
E.
Vanderdrift
,
E. H. A.
Granneman
, and
P.
Balk
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
347
(
1994
).
348.
H. L.
Hughes
and
J. M.
Benedetto
,
IEEE Trans. Nucl. Sci.
50
,
500
(
2003
).
349.
S.
Samukawa
,
Y.
Ishikawa
,
S.
Kumagai
, and
N.
Okigawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
40
,
L1346
(
2001
).
350.
J. L.
Lauer
,
J. L.
Shohet
, and
Y.
Nishi
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
162907
(
2009
).
351.
H.
Ren
,
S. L.
Cheng
,
Y.
Nishi
, and
J. L.
Shohet
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
192904
(
2010
).
352.
G. S.
Upadhyaya
and
J. L.
Shohet
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
072904
(
2007
).
353.
Levitech website, http://www.levitech.nl (May 31,
2011
).
354.
TNO website, http://www.tno.nl (May 31,
2011
).
355.
SolayTec website, http://www.solaytec.com (May 31,
2011
).
356.
G.
Dingemans
and
W. M. M.
Kessels
,
Proceedings of the 25th EU PVSEC
,
Valencia, Spain
, 6–10 September,
2010
, p.
1083
.
357.
H.
Kim
,
Surf. Coat. Technol.
200
,
3104
(
2006
).
358.
J.
Robertson
,
Rep. Prog. Phys.
69
,
327
(
2005
).
359.
J. H.
Choi
,
Y.
Mao
, and
J. P.
Chang
,
Mater. Sci. Eng. R
72
,
97
(
2011
).
360.
M.
Vehkamaki
,
T.
Hatanpaa
,
T.
Hanninen
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskela
,
Electrochem. Solid-State Lett.
2
,
504
(
1999
).
361.
S.
Owa
,
H.
Nagasaka
,
K.
Nakano
, and
Y.
Ohmura
,
Proc. SPIE
6154
,
615408
(
2006
).
362.
Y.
Borodovky
,
Proc. SPIE
6153
,
615301
(
2006
).
363.
“Below 22 nm, Spacers Get Unconventional: Interview with ASM,” http://www.solid-state.com (January 13,
2011
).
364.
P. F.
Carcia
,
R. S.
Mclean
,
M. H.
Reilly
,
M. D.
Groner
, and
S. M.
George
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
031915
(
2006
).
365.
S. H. K.
Park
,
J.
Oh
,
C. S.
Hwang
,
J. I.
Lee
,
Y. S.
Yang
, and
H. Y.
Chu
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
H21
(
2005
).
366.
X.
Du
,
K.
Zhang
,
K.
Holland
,
T.
Tombler
, and
M.
Moskovits
,
Appl. Opt.
48
,
6470
(
2009
).
367.
R.
Matero
,
M.
Ritala
,
M.
Leskela
,
T.
Salo
,
J.
Aromaa
, and
O.
Forsen
,
J. Phys. IV
9
,
493
(
1999
).
368.
C. X.
Shan
,
X.
Hou
, and
K. L.
Choy
,
Surf. Coat. Technol.
202
,
2399
(
2007
).
369.
K.
Sugioka
,
J. F.
Fan
,
K.
Toyoda
,
H.
Waki
, and
H.
Takai
,
J. Mater. Res.
7
,
185
(
1992
).
370.
W.
Lehnert
,
G.
Ruhl
, and
A.
Gschwandtner
, “
Plasma enhanced ALD of high k dielectrics in a batch system
”, in
Book of Abstracts, Baltic ALD 2010 & GerALD2
,
Hamburg
,
Germany
, 16 September
2010
.
371.
H. W.
de Vries
, WO patent 2007145513,
2007
.
372.
FujiFilm Manufacturing Europe website, http://www.fujitilburg.nl (May 31,
2011
).
373.
J. M.
Ajello
,
S. K.
Srivastava
, and
Y. L.
Yung
,
Phys. Rev. A
25
,
2485
(
1982
).
374.
A. C.
Fozza
,
A.
Kruse
,
A.
Hollander
,
A.
Ricard
, and
M. R.
Wertheimer
,
J. Vac. Sci. Technol. A
16
,
72
(
1998
).
375.
R.
Henck
,
C.
Fuchs
, and
E.
Fogarassy
,
J. Appl. Phys.
79
,
2259
(
1996
).
376.
J. A.
Young
,
C. P.
Malone
,
P. V.
Johnson
,
J. M.
Ajello
,
X.
Liu
, and
I.
Kanik
,
J. Phys. B
43
,
135201
(
2010
).
377.
Z.
Lianzhu
,
Z.
Shuxia
, and
M.
Xiulan
,
Plasma Sci. Technol.
10
,
455
(
2008
).
378.
P. C. P.
Bouten
,
G.
Nisato
,
P. J.
Slikkerveer
,
H. F.
van Tongeren
,
H. E.
Itzhak
, and
P.
van der Sluis
, U.S. patent 6,993,956,
2006
.
You do not currently have access to this content.