We have fabricated and characterized an n-doped InSb Faraday isolator in the mid-IR range (9.2 μm). A high isolation ratio (31(2) dB) and low insertion loss (1.9(3) dB) are obtained. Temperature dependance is analyzed. Further possible improvements are discussed, including the realization of a two-stage isolator. A similar design can be used to cover a wide wavelength range (λ ∼ 7.5 − 30 μm).

1.
J.
Faist
,
F.
Capasso
,
D. L.
Sivco
,
C.
Sirtori
,
A. L.
Hutchinson
, and
A. Y.
Cho
,
Science
264
,
553
(
1994
).
2.
M. S.
Taubman
,
T. L.
Myers
,
B. D.
Cannon
, and
R. M.
Williams
,
Spectrochim. Acta Part A
60
,
3457
(
2004
).
3.
F.
Capasso
,
Opt. Eng.
49
,
111102
(
2010
).
4.
M. S.
Taubman
,
T. L.
Myers
,
B. D.
Cannon
,
R. M.
Williams
,
F.
Capasso
,
C.
Gmachl
,
D. L.
Sivco
, and
A. Y.
Cho
,
Opt. Lett.
27
,
2164
(
2002
).
5.
A.
Hugi
,
R.
Maulini
, and
J.
Faist
,
Semicond. Sci. Technol.
25
,
083001
(
2010
).
6.
R. M.
Williams
,
J. F.
Kelly
,
J. S.
Hartman
,
S. W.
Sharpe
,
M. S.
Taubman
,
J. L.
Hall
,
F.
Capasso
,
C.
Gmachl
,
D. L.
Sivco
,
J. N.
Baillargeon
, and
A. Y.
Cho
,
Opt. Lett.
24
,
1844
(
1999
).
7.
F.
Bielsa
,
A.
Douillet
,
T.
Valenzuela
,
J.-Ph.
Karr
, and
L.
Hilico
,
Opt. Lett.
32
,
1641
(
2007
).
8.
F.
Bielsa
,
K.
Djerroud
,
A.
Goncharov
,
A.
Douillet
,
T.
Valenzuela
,
C.
Daussy
,
L.
Hilico
, and
A.
Amy-Klein
,
J. Mol. Spectrosc.
247
,
41
(
2008
).
9.
J.-Ph.
Karr
,
F.
Bielsa
,
A.
Douillet
,
J. P.
Gutierrez
,
V. I.
Korobov
, and
L.
Hilico
,
Phys. Rev. A
77
,
063410
(
2008
).
10.
D. K.
Mansfield
,
A.
Semet
, and
L. C.
Johnson
,
Appl. Phys. Lett.
37
,
688
(
1980
).
11.
J. H.
Dennis
,
IEEE J. Quantum Electron.
3
,
416
(
1967
).
12.
W. T.
Boord
,
Y.-H.
Pao
,
F. W.
Phelps
, and
P. C.
Claspy
,
IEEE J. Quantum Electron.
10
,
273
(
1974
).
13.
S. D.
Jacobs
,
K. J.
Teegarden
, and
R. K.
Ahrenkiel
,
Appl. Opt.
13
,
2313
(
1974
).
14.
L. R.
Tomasetta
,
W. E.
Bicknell
, and
D. H.
Bates
,
IEEE J. Quantum Electron.
15
,
266
(
1979
).
15.
R. L.
Aggarwal
,
R. F.
Lucey
, and
D. P.
Ryan-Howard
,
Appl. Phys. Lett.
53
,
2656
(
1988
).
16.
C. B.
Carlisle
and
D. E.
Cooper
,
Opt. Commun.
74
,
207
(
1989
).
17.
C. A.
Klein
and
T. A.
Dorschner
,
Appl. Opt.
28
,
904
(
1989
).
18.
K. W.
Böer
,
A Survey of Semiconductor Physics
, 2nd ed. (
Wiley
,
New York
,
2002
).
20.
W.
Zawadski
,
Adv. Phys.
23
,
435
(
1974
).
21.
J.
Vigué
,
G.
Trénec
,
O.
Cugat
, and
W.
Volondat
, Patent No. WO 2008/031935 A1 (
30 March 2008
).
22.
G.
Trénec
,
W.
Volondat
,
J.
Vigué
, and
O.
Cugnat
,
Appl. Opt.
50
,
4788
(
2011
).
23.
I.
Mukhin
,
A.
Voitovich
,
O.
Palashov
, and
A.
Khazanov
,
Opt. Commun.
282
,
1969
(
2009
).
24.
J.-Ph.
Karr
,
V. I.
Korobov
, and
L.
Hilico
,
Phys. Rev. A
77
,
062507
(
2008
).
You do not currently have access to this content.