The semiconductor ZnO has gained substantial interest in the research community in part because of its large exciton binding energy (60meV) which could lead to lasing action based on exciton recombination even above room temperature. Even though research focusing on ZnO goes back many decades, the renewed interest is fueled by availability of high-quality substrates and reports of p-type conduction and ferromagnetic behavior when doped with transitions metals, both of which remain controversial. It is this renewed interest in ZnO which forms the basis of this review. As mentioned already, ZnO is not new to the semiconductor field, with studies of its lattice parameter dating back to 1935 by Bunn [Proc. Phys. Soc. London47, 836 (1935)], studies of its vibrational properties with Raman scattering in 1966 by Damen et al [Phys. Rev.142, 570 (1966)], detailed optical studies in 1954 by Mollwo [Z. Angew. Phys.6, 257 (1954)], and its growth by chemical-vapor transport in 1970 by Galli and Coker [Appl. Phys. Lett.16, 439 (1970)]. In terms of devices, Au Schottky barriers in 1965 by Mead [Phys. Lett.18, 218 (1965)], demonstration of light-emitting diodes (1967) by Drapak [Semiconductors2, 624 (1968)], in which Cu2O was used as the p-type material, metal-insulator-semiconductor structures (1974) by Minami et al [Jpn. J. Appl. Phys.13, 1475 (1974)], ZnOZnSen-p junctions (1975) by Tsurkan et al [Semiconductors6, 1183 (1975)], and AlAu Ohmic contacts by Brillson [J. Vac. Sci. Technol.15, 1378 (1978)] were attained. The main obstacle to the development of ZnO has been the lack of reproducible and low-resistivity p-type ZnO, as recently discussed by Look and Claflin [Phys. Status Solidi B241, 624 (2004)]. While ZnO already has many industrial applications owing to its piezoelectric properties and band gap in the near ultraviolet, its applications to optoelectronic devices has not yet materialized due chiefly to the lack of p-type epitaxial layers. Very high quality what used to be called whiskers and platelets, the nomenclature for which gave way to nanostructures of late, have been prepared early on and used to deduce much of the principal properties of this material, particularly in terms of optical processes. The suggestion of attainment of p-type conductivity in the last few years has rekindled the long-time, albeit dormant, fervor of exploiting this material for optoelectronic applications. The attraction can simply be attributed to the large exciton binding energy of 60meV of ZnO potentially paving the way for efficient room-temperature exciton-based emitters, and sharp transitions facilitating very low threshold semiconductor lasers. The field is also fueled by theoretical predictions and perhaps experimental confirmation of ferromagnetism at room temperature for potential spintronics applications. This review gives an in-depth discussion of the mechanical, chemical, electrical, and optical properties of ZnO in addition to the technological issues such as growth, defects, p-type doping, band-gap engineering, devices, and nanostructures.

1.
C. W.
Bunn
,
Proc. Phys. Soc. London
47
,
835
(
1935
).
2.
H.
Braekken
and
C.
Jore
,
Det Norske Videnskabers Skrifter
(The Norwegian Science Scripts)
NR8
,
1
(
1935
) (in Norwegian)
3.
R. B.
Heller
,
J.
McGannon
, and
A. H.
Weber
,
J. Appl. Phys.
21
,
1283
(
1950
).
4.
T. B.
Rymer
and
G. D.
Archard
,
Research (London)
5
,
292
(
1952
).
5.
A.
Cimino
,
M.
Marezio
, and
A.
Santoro
,
Naturwiss.
12
,
348
(
1957
).
6.
T. J.
Gray
,
J. Am. Ceram. Soc.
37
,
534
(
1954
).
7.
G. P.
Mohatny
and
L. V.
Azaroff
,
J. Chem. Phys.
35
,
1268
(
1961
).
8.
A. A.
Khan
,
Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen. Crystallogr.
A24
,
403
(
1968
).
9.
R. R.
Reeber
,
J. Appl. Phys.
41
,
5063
(
1970
).
10.
D. C.
Reynolds
and
T. C.
Collins
,
Phys. Rev.
185
,
1099
(
1969
).
11.
D. G.
Thomas
,
J. Phys. Chem. Solids
15
,
86
(
1960
).
12.
Y. S.
Park
,
C. W.
Litton
,
T. C.
Collins
, and
D. C.
Reynolds
,
Phys. Rev.
143
,
512
(
1965
).
13.
R. J.
Collins
and
D. A.
Kleinman
,
J. Phys. Chem. Solids
11
,
190
(
1959
).
14.
R. L.
Weiher
,
Phys. Rev.
152
,
736
(
1966
).
15.
16.
E.
Mollwo
,
Z. Angew. Phys.
6
,
257
(
1954
).
17.
W. L.
Bond
,
J. Appl. Phys.
36
,
1674
(
1965
).
18.
W. Y.
Liang
and
A. D.
Yoffe
,
Phys. Rev. Lett.
20
,
59
(
1968
).
19.
A. R.
Hutson
,
J. Appl. Phys.
32
,
2287
(
1961
).
20.
J. L.
Freeouf
,
Phys. Rev. B
7
,
3810
(
1973
).
21.
O. F.
Schirmer
and
D.
Zwingel
,
Solid State Commun.
8
,
1559
(
1970
).
22.
J. J.
Hopfield
and
D. G.
Thomas
,
Phys. Rev. Lett.
15
,
22
(
1965
).
23.
R. E.
Stephens
and
I. H.
Malitson
,
J. Res. Natl. Bur. Stand.
49
,
249
(
1952
).
24.
Y. S.
Park
and
J. R.
Schneider
,
J. Appl. Phys.
39
,
3049
(
1968
).
25.
G.
Heiland
,
E.
Mollwo
, and
F.
Stöckmann
,
Solid State Phys.
8
,
191
(
1959
).
26.
T. C.
Damen
,
S. P. S.
Porto
, and
B.
Tell
,
Phys. Rev.
142
,
570
(
1966
).
27.
C. A.
Arguello
,
D. L.
Rousseau
, and
S. P. S.
Porto
,
Phys. Rev.
181
,
1351
(
1969
).
28.
R. H.
Callender
,
S. S.
Sussman
,
M.
Selders
, and
R. K.
Chang
,
Phys. Rev. B
7
,
3788
(
1973
).
29.
J. M.
Calleja
and
M.
Cardona
,
Phys. Rev. B
16
,
3753
(
1977
).
30.
M.
Tsuboi
and
A.
Wada
,
J. Chem. Phys.
48
,
2615
(
1968
).
31.
S. P. S.
Porto
and
R. S.
Krishnan
,
J. Chem. Phys.
47
,
1009
(
1967
).
32.
S. S.
Mitra
,
O.
Brafman
,
W. B.
Daniels
, and
R. K.
Crawford
,
Phys. Rev.
186
,
942
(
1969
).
33.
G.
Galli
and
J. E.
Coker
,
Appl. Phys. Lett.
16
,
439
(
1970
).
34.
M.
Shiloh
and
J.
Gutman
,
J. Cryst. Growth
11
,
105
(
1971
).
35.
D. F.
Croxall
,
R. C. C.
Ward
,
C. A.
Wallace
, and
R. C.
Kell
,
J. Cryst. Growth
22
,
117
(
1974
).
36.
D. C.
Reynolds
(private communication).
37.
W.
Kern
and
R. C.
Heim
,
J. Electrochem. Soc.
117
,
562
(
1970
).
38.
D. C.
Look
,
Mater. Sci. Eng., B
80
,
381
(
2001
).
39.
E.
Ohshima
,
H.
Ogino
,
I.
Niikura
,
K.
Maeda
,
M.
Sato
,
M.
Ito
, and
T.
Fukuda
,
J. Cryst. Growth
260
,
166
(
2004
).
40.
Please visit the web site http://www.cermetinc.com/products.htm
41.
J.-M.
Ntep
,
S. S.
Hassani
,
A.
Lusson
,
A.
Tromson-Carli
,
D.
Ballutaud
,
G.
Didier
, and
R.
Triboulet
,
J. Cryst. Growth
207
,
30
(
1999
).
42.
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
J. W.
Hemski
,
R. L.
Jones
, and
J. R.
Sizelove
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
811
(
1999
).
43.
A. Y.
Polyakov
 et al,
J. Appl. Phys.
94
,
2895
(
2003
).
44.
S. O.
Kucheyev
,
J. S.
Williams
,
C.
Jagadish
,
J.
Zou
,
C.
Evans
,
A. J.
Nelson
, and
A. V.
Hamza
,
Phys. Rev. B
67
,
094115
(
2003
).
45.
X.
Gu
,
M. A.
Reshchikov
,
A.
Teke
,
D.
Johnstone
,
H.
Morkoc
,
B.
Nemeth
, and
J.
Nause
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2268
(
2004
);
X.
Gu
,
M. A.
Reshchikov
,
A.
Teke
,
D.
Johnstone
,
H.
Morkoc
,
B.
Nemeth
, and
J.
Nause
,
J. Mater. Sci.
15
,
373
(
2004
).
46.
F.
Hamdani
 et al,
J. Appl. Phys.
83
,
983
(
1998
).
47.
T.
Dietl
,
H.
Ohno
,
F.
Matsukura
,
J.
Cibert
, and
D.
Ferrand
,
Science
287
,
1019
(
2000
).
48.
S. J.
Pearton
 et al,
J. Phys.: Condens. Matter
16
,
R209
(
2004
).
49.
S. J.
Pearton
,
W. H.
Heo
,
M.
Ivill
,
D. P.
Norton
, and
T.
Steiner
,
Semicond. Sci. Technol.
19
,
R59
(
2004
).
50.
D. C.
Look
and
B.
Claflin
,
Phys. Status Solidi B
241
,
624
(
2004
).
51.
D. C.
Look
,
B.
Claflin
,
Ya. I.
Alivov
, and
S. J.
Park
,
Phys. Status Solidi A
201
,
2203
(
2004
).
52.
S. J.
Pearton
,
D. P.
Norton
,
K.
Ip
,
Y. W.
Heo
, and
T.
Steiner
,
Superlattices Microstruct.
34
,
3
(
2004
).
53.
S. J.
Pearton
,
D. P.
Norton
,
K.
Ip
,
Y. W.
Heo
, and
T.
Steiner
,
Prog. Mater. Sci.
50
,
293
(
2005
).
54.
D. P.
Norton
,
Y. W.
Heo
,
M. P.
Ivill
,
K.
Ip
,
S. J.
Pearton
,
M. F.
Chisholm
, and
T.
Steiner
,
Mater. Today
7
,
34
(
2004
).
55.
V. A.
Nikitenko
,
J. Appl. Spectrosc.
52
,
367
(
1992
).
56.
J. E.
Jaffe
and
A. C.
Hess
,
Phys. Rev. B
48
,
7903
(
1993
).
57.
J. E.
Jaffe
,
J. A.
Snyder
,
Z.
Lin
, and
A. C.
Hess
,
Phys. Rev. B
62
,
1660
(
2000
).
58.
CRC Handbook of Chemistry and Physics
, 58th ed. (
CRC
, Boca Raton,
1977
).
59.
E.
Kisi
and
M. M.
Elcombe
,
Acta Crystallogr., Sect. C: Cryst. Struct. Commun.
C45
,
1867
(
1989
).
60.
C. H.
Bates
,
W. B.
White
, and
R.
Roy
,
Science
137
,
993
(
1962
).
61.
L.
Gerward
and
J. S.
Olsen
,
J. Synchrotron Radiat.
2
,
233
(
1995
).
62.
J. M.
Recio
,
M. A.
Blanco
,
V.
Luaña
,
R.
Pandey
,
L.
Gerward
, and
J.
Staun Olsen
,
Phys. Rev. B
58
,
8949
(
1998
).
63.
J. C.
Jamieson
,
Phys. Earth Planet. Inter.
3
,
201
(
1970
).
64.
S.
Desgreniers
,
Phys. Rev. B
58
,
14102
(
1998
).
65.
H.
Karzel
 et al,
Phys. Rev. B
53
,
11425
(
1996
).
66.
R.
Ahuja
,
L.
Fast
,
O.
Eriksson
,
J. M.
Wills
, and
B.
Johansson
,
J. Appl. Phys.
83
,
8065
(
1998
).
67.
J. M.
Recio
,
R.
Pandey
, and
V.
Luana
,
Phys. Rev. B
47
,
3401
(
1993
).
68.
M.
Wilson
and
P. A.
Madden
,
Mol. Phys.
90
,
75
(
1997
).
69.
L.-G.
Liu
and
W. A.
Bassett
,
Elements, Oxides, and Silicates: High-Pressure Phases with Implications for the Earth’s Interior
(
Oxford University
, New York,
1986
).
70.
A.
Zaoui
and
W.
Sekkal
,
Phys. Rev. B
66
,
174106
1
(
2002
).
71.
T.
Kogure
and
Y.
Bando
,
J. Electron Microsc.
47
,
7903
(
1993
).
72.
A. B. M. A.
Ashrafi
,
A.
Ueta
,
A.
Avramescu
,
H.
Kumano
,
I.
Suemune
,
Y.-W.
Ok
, and
T.-Y.
Seong
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
550
(
2000
).
73.
S.-K.
Kim
,
S.-Y.
Jeong
, and
C.-R.
Cho
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
562
(
2003
).
74.
W. L.
Bond
,
Acta Crystallogr.
13
,
814
(
1960
).
75.
F. J.
Himpsel
,
Adv. Phys.
32
,
1
(
1983
).
76.
77.
D. W.
Langer
and
C. J.
Vesely
,
Phys. Rev. B
2
,
4885
(
1970
).
78.
R. A.
Powell
,
W. E.
Spicer
, and
J. C.
McMenamin
,
Phys. Rev. Lett.
27
,
97
(
1971
).
79.
R. A.
Powell
,
W. E.
Spicer
, and
J. C.
McMenamin
,
Phys. Rev. B
6
,
3056
(
1972
).
80.
L.
Ley
,
R. A.
Pollak
,
F. R.
McFeely
,
S. P.
Kowalezyk
, and
D. A.
Shirley
,
Phys. Rev. B
9
,
600
(
1974
).
81.
C. J.
Vesely
,
R. L.
Hengehold
, and
D. W.
Langer
,
Phys. Rev. B
5
,
2296
(
1972
).
82.
S.
Bloom
and
I.
Ortenburger
,
Phys. Status Solidi B
58
,
561
(
1973
).
83.
J. R.
Chelikowsky
,
Solid State Commun.
22
,
351
(
1977
).
84.
I.
Ivanov
and
J.
Pollmann
,
Phys. Rev. B
24
,
7275
(
1981
).
85.
D. H.
Lee
and
J. D.
Joannopoulos
,
Phys. Rev. B
24
,
6899
(
1981
).
86.
P.
Schröer
,
P.
Krüger
, and
J.
Pollmann
,
Phys. Rev. B
47
,
6971
(
1993
).
87.
S.
Massidda
,
R.
Resta
,
M.
Posternak
, and
A.
Baldereschi
,
Phys. Rev. B
52
,
R16977
(
1995
).
88.
P.
Schröer
,
P.
Krüger
, and
J.
Pollmann
,
Phys. Rev. B
49
,
17092
(
1994
).
89.
D.
Vogel
,
P.
Krüger
, and
J.
Pollmann
,
Phys. Rev. B
52
,
R14316
(
1995
).
90.
R. T.
Girard
,
O.
Tjernberg
,
G.
Chiaia
,
S.
Söderholm
,
U. O.
Karlsson
,
C.
Wigren
,
H.
Nylèn
, and
I.
Lindau
,
Surf. Sci.
373
,
409
(
1997
).
91.
C. B.
Duke
,
A. R.
Lubinsky
,
S. C.
Chang
,
B. W.
Lee
, and
P.
Mark
,
Phys. Rev. B
15
,
4865
(
1977
).
92.
C. B.
Duke
,
R. J.
Meyer
,
A.
Paton
, and
P.
Mark
,
Phys. Rev. B
18
,
4225
(
1978
).
93.
Y. R.
Wang
and
C. B.
Duke
,
Surf. Sci.
192
,
309
(
1987
).
94.
W.
Göpel
,
J.
Pollmann
,
I.
Ivanov
, and
B.
Reihl
,
Phys. Rev. B
26
,
3144
(
1982
).
95.
G.
Zwicker
and
K.
Jacobi
,
Solid State Commun.
54
,
701
(
1985
).
96.
K.
Ozawa
,
K.
Sawada
,
Y.
Shirotori
,
K.
Edamoto
, and
M.
Nakatake
,
Phys. Rev. B
68
,
125417
(
2003
).
97.
S. H.
Wei
and
A.
Zounger
,
Phys. Rev. B
37
,
8958
(
1988
).
98.
J. L.
Martins
,
N.
Troullier
, and
S. H.
Wei
,
Phys. Rev. B
43
,
2213
(
1991
).
99.
Y.-N.
Xu
and
W. Y.
Ching
,
Phys. Rev. B
48
,
4335
(
1993
).
100.
O.
Zakharov
,
A.
Rubio
,
X.
Blasé
,
M. L.
Cohen
, and
S. G.
Louie
,
Phys. Rev. B
50
,
10780
(
1994
).
101.
N. A.
Hill
and
U.
Waghmare
,
Phys. Rev. B
62
,
8802
(
2000
).
102.
J. E.
Jaffe
,
R.
Pandey
, and
A. B.
Kunz
,
Phys. Rev. B
43
,
14030
(
1991
).
103.
E.
Hückel
,
Z. Phys.
70
,
204
(
1931
).
104.
A.
Polian
,
M.
Grimsditch
, and
I.
Grzegory
,
J. Appl. Phys.
79
,
3343
(
1996
).
105.
T. B.
Bateman
,
J. Appl. Phys.
35
,
3309
(
1962
).
106.
F. D.
Murnaghan
,
Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
30
,
244
(
1944
).
107.
A.
Dal Corso
,
M.
Posternak
,
R.
Resta
, and
A.
Baldereschi
,
Phys. Rev. B
50
,
10715
(
1994
).
108.
J. F.
Nye
,
Physical Properties of Crystals
(
Clarendon
, Oxford,
1975
).
109.
F.
Bernardini
,
V.
Fiorentini
, and
D.
Vanderbilt
,
Phys. Rev. B
56
,
R10024
(
1997
).
110.
H.
Morkoç
,
Nitride Semiconductors and Devices
(
Springer
, Berlin,
1999
).
111.
F.
Decremps
,
J.
Zhang
,
B.
Li
, and
R. C.
Liebermann
,
Phys. Rev. B
63
,
224105
(
2001
);
F.
Decremps
,
J.
Pellicer-Porres
,
A.
Marco Saitta
,
J.-C.
Chervin
, and
A.
Polian
,
Phys. Rev. B
65
,
092101
(
2002
).
112.
N.
Soga
and
O. L.
Anderson
,
J. Appl. Phys.
38
,
2985
(
1967
).
113.
S. O.
Kucheyev
,
J. E.
Bradby
,
J. S.
Williams
,
C.
Jagadish
, and
M. V.
Swain
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
956
(
2002
);
S. O.
Kucheyev
,
J. E.
Bradby
,
J. S.
Williams
,
C.
Jagadish
,
M.
Toth
,
M. R.
Phillips
, and
M. V.
Swain
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
3373
(
2000
).
114.
J. C.
Phillips
,
Bonds and Bands in Semiconductors
(
Academic
, New York,
1973
).
115.
M. A.
Stroscio
and
M.
Dutta
,
Phonons in Nanostructures
(
Cambridge University Press
, Cambridge,
2001
).
116.
B. H.
Bairamov
,
A.
Heinrich
,
G.
Irmer
,
V. V.
Toporov
, and
E.
Ziegler
,
Phys. Status Solidi B
119
,
227
(
1983
).
117.
Y. F.
Lu
,
H. Q.
Ni
, and
Z. M.
Ren
,
J. Appl. Phys.
88
,
498
(
2000
).
118.
N.
Ashkenov
 et al,
J. Appl. Phys.
93
,
126
(
2003
).
119.
M.
Rajalakshmi
,
A. K.
Arora
,
B. S.
Bendre
, and
S.
Mahamuni
,
J. Appl. Phys.
87
,
2445
(
2000
).
120.
S.
Minomura
,
High Pressure in Science and Technology
,
Proceedings of the Ninth AIRAPT International High Pressure Conference on High Pressure in Science and Technology
, edited by
C.
Homan
,
R. K.
MacCrane
, and
E.
Whalley
(
North-Holland
, New York,
1984
), p.
277
.
121.
S.
Limpijumnong
and
W. R. L.
Lambrecht
,
Phys. Rev. Lett.
86
,
91
(
2001
);
[PubMed]
J.
Serrano
,
A.
Rubio
,
E.
Hernández
,
A.
Muñoz
, and
A.
Mujica
,
Phys. Rev. B
62
,
16612
(
2000
).
122.
A.
Kaschner
 et al,
Appl. Phys. Lett.
80
,
1909
(
2002
).
123.
C.
Bundesmann
,
N.
Ashkenov
,
M.
Schubert
,
D.
Spemann
,
T.
Butz
,
E. M.
Kaidashev
,
M.
Lorenz
, and
M.
Grundmann
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
1974
(
2003
).
124.
C. G.
Van de Walle
,
Phys. Rev. Lett.
85
,
1012
(
2000
).
125.
M. D.
McCluskey
,
S. J.
Jokela
,
K. K.
Zhuravlev
,
P. J.
Simpson
, and
K. G.
Lynn
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
3807
(
2002
);
E. V.
Lavrov
,
J.
Weber
,
F.
Börrnert
,
C. G.
Van de Walle
, and
R.
Helbig
,
Phys. Rev. B
66
,
165205
(
2002
).
126.
E. V.
Lavrov
,
Physica B
340–342
,
195
(
2003
).
127.
E. V.
Lavrov
,
J.
Weber
,
F.
Börrnert
,
C. G.
Van de Walle
, and
R.
Helbig
,
Phys. Rev. B
66
,
165205
(
2002
).
128.
M. D.
McCluskey
,
S. J.
Jokela
,
K. K.
Zhuravlev
,
P. J.
Simpson
, and
K. G.
Lynn
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
3807
(
2002
).
129.
S. J.
Jokela
,
M. D.
McCluskey
, and
K. G.
Lynn
,
Physica B
340–342
,
221
(
2003
).
130.
N. H.
Nickel
and
K.
Fleischer
,
Phys. Rev. Lett.
90
,
197402
(
2003
).
131.
J. A.
Wolk
,
J. W.
Ager
 III
,
K. J.
Duxstad
,
E. E.
Haller
,
N. R.
Taskar
,
D. R.
Dorman
, and
D. J.
Olego
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
2756
(
1993
).
132.
H.
Ibach
,
Phys. Status Solidi
33
,
257
(
1969
).
133.
M.-Y.
Han
and
J.-H.
Jou
,
Thin Solid Films
260
,
58
(
1995
);
F. Z.
Aoumeur
,
Kh.
Benkabou
, and
B.
Belgoumène
,
Physica B
337
,
292
(
2003
).
134.
C. M.
Bhandari
and
D. M.
Rowe
,
Thermal Conduction in Semiconductors
(
Wiley
, New York,
1988
).
135.
C.
Kittel
,
Introduction to Solid State Physics
, 6th ed. (
Wiley
, New York,
1986
), p.
150
.
136.
D. I.
Florescu
,
V. M.
Asnin
,
F. H.
Pollak
,
R. J.
Molnar
, and
C. E. C.
Wood
,
J. Appl. Phys.
88
,
3295
(
2000
).
137.
D. I.
Florescu
,
L. G.
Mourokh
,
F. H.
Pollak
,
D. C.
Look
,
G.
Cantwell
, and
X.
Li
,
J. Appl. Phys.
91
,
890
(
2002
).
138.
F. H.
Pollak
,
Ü.
Özgür
,
S.
Doğan
,
X.
Gu
,
S.-J.
Cho
,
H.
Morkoç
, and
J.
Nause
(unpublished).
139.
T.
Olorunyolemi
,
A.
Birnboim
,
Y.
Carmel
,
O. C.
Wilson
, Jr.
, and
I. K.
Lloyd
,
J. Am. Ceram. Soc.
85
,
1249
(
2002
).
140.
T.
Tsubota
,
M.
Ohtaki
,
K.
Eguchi
, and
H.
Arai
,
J. Mater. Chem.
7
,
85
(
1997
).
141.
M.
Ohtaki
,
T.
Tsubota
,
K.
Eguchi
, and
H.
Arai
,
J. Appl. Phys.
79
,
1816
(
1996
).
142.
S.
Katsuyama
,
Y.
Takagi
,
M.
Ito
,
K.
Majima
,
H.
Nagai
,
H.
Sakai
,
K.
Yoshimura
, and
K.
Kosuge
,
J. Appl. Phys.
92
,
1391
(
2002
).
143.
T.
Tsubota
,
M.
Ohtaki
,
K.
Eguchi
, and
H.
Arai
,
J. Mater. Chem.
8
,
409
(
1998
).
144.
K. F.
Cai
,
E.
Müller
,
C.
Drašar
, and
A.
Mrotzek
,
Mater. Sci. Eng., B
104
,
45
(
2003
).
145.
W. N.
Lawless
and
T. K.
Gupta
,
J. Appl. Phys.
60
,
607
(
1986
).
146.
J. D.
Albrecht
,
P. P.
Ruden
,
S.
Limpijumnong
,
W. R. L.
Lambrecht
, and
K. F.
Brennan
,
J. Appl. Phys.
86
,
6864
(
1991
);
D. C.
Look
,
J. W.
Hemsky
, and
J. R.
Sizelove
,
Phys. Rev. Lett.
82
,
2552
(
1999
);
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
J. R.
Sizelove
,
R. L.
Jones
,
C. W.
Litton
,
G.
Cantwell
, and
W. C.
Harsch
,
Solid State Commun.
105
,
399
(
1998
).
147.
D. S.
Ginley
and
C.
Bright
,
Mater. Res. Bull.
25
,
15
(
2000
);
E. M.
Kaidashev
 et al,
Appl. Phys. Lett.
82
,
3901
(
2003
).
148.
H.
Kato
,
M.
Sano
,
K.
Miyamoto
, and
T.
Yao
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
2241
(
2003
);
K.
Iwata
,
P.
Fons
,
S.
Niki
,
A.
Yamada
,
K.
Matsubara
,
K.
Nakahara
, and
H.
Takasu
,
Phys. Status Solidi A
180
,
287
(
2000
);
K.
Miyamoto
,
M.
Sano
,
H.
Kato
, and
T.
Yao
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
41
,
L1203
(
2002
);
K.
Miyamoto
,
M.
Sano
,
H.
Kato
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
265
,
34
(
2004
);
T.
Edahiro
,
N.
Fujimura
, and
T.
Ito
,
J. Appl. Phys.
93
,
7673
(
2003
).
149.
T.
Yamamoto
,
T.
Shiosaki
, and
A.
Kawabata
,
J. Appl. Phys.
51
,
3113
(
1980
).
150.
T.
Mitsuyu
,
S.
Ono
, and
K.
Wasa
,
J. Appl. Phys.
51
,
2464
(
1980
).
151.
A.
Hachigo
,
H.
Nakahata
,
K.
Higaki
,
S.
Fujii
, and
S.
Shikata
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
2556
(
1994
).
152.
J. G. E.
Gardeniers
,
Z. M.
Rittersma
, and
G. J.
Burger
,
J. Appl. Phys.
83
,
7844
(
1998
).
153.
S. K.
Tiku
,
C. K.
Lau
, and
K. M.
Lakin
,
Appl. Phys. Lett.
36
,
318
(
1980
).
154.
M.
Kasuga
and
M.
Mochizuki
,
J. Cryst. Growth
54
,
185
(
1981
).
155.
V.
Srikant
,
V.
Sergo
, and
D. R.
Clarke
,
Appl. Phys. Lett.
16
,
439
(
1995
).
156.
K.-K.
Kim
,
J.-H.
Song
,
H.-J.
Jung
,
W.-K.
Choi
,
S.-J.
Park
, and
J.-H.
Song
,
J. Appl. Phys.
87
,
3573
(
2000
);
K.-K.
Kim
,
J.-H.
Song
,
H.-J.
Jung
,
W.-K.
Choi
,
S.-J.
Park
,
J.-H.
Song
, and
J.-Y.
Lee
,
J. Vac. Sci. Technol. A
18
,
2864
(
2000
).
157.
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
S.
Niki
,
A.
Yamada
, and
K.
Matsubara
,
J. Cryst. Growth
201–202
,
627
(
1999
).
158.
Y.
Chen
,
D. M.
Bagnall
,
H.-J.
Koh
,
K.-T.
Park
,
K.
Hiraga
,
Z.-Q.
Zhu
, and
T.
Yao
,
J. Appl. Phys.
84
,
3912
(
1998
).
159.
R. D.
Vispute
 et al,
Appl. Phys. Lett.
73
,
348
(
1998
).
160.
Y.
Liu
,
C. R.
Gorla
,
S.
Liang
,
N.
Emanetoglu
,
Y.
Lu
,
H.
Shen
, and
M.
Wraback
,
J. Electron. Mater.
29
,
69
(
2000
).
161.
M.
Kasuga
and
S.
Ogawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
22
,
794
(
1983
).
162.
N.
Takahashi
,
K.
Kaiya
,
T.
Nakamura
,
Y.
Momose
, and
H.
Yamamoto
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
38
,
L454
(
1999
).
163.
D. M.
Bagnall
,
Y. F.
Chen
,
Z.
Zhu
,
T.
Yao
,
S.
Koyama
,
M. Y.
Shen
, and
T.
Goto
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
2230
(
1997
).
164.
Z. K.
Tang
,
G. K. L.
Wong
,
P.
Yu
,
M.
Kawasaki
,
A.
Ohtomo
,
H.
Koinuma
, and
Y.
Segawa
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
3270
(
1998
).
165.
J.
Narayan
,
K.
Dovidenko
,
A. K.
Sharma
, and
S.
Oktyabrsky
,
J. Appl. Phys.
84
,
2597
(
1998
).
166.
H. J.
Ko
,
Y. F.
Chen
,
Z.
Zhu
,
T.
Hanada
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
208
,
389
(
2000
).
167.
R. J.
Lad
,
P. D.
Funkenbusch
, and
C. R.
Aita
,
J. Vac. Sci. Technol.
17
,
808
(
1980
).
168.
W.
Shih
and
M.
Wu
,
J. Cryst. Growth
137
,
319
(
1994
).
169.
D.
Hwang
,
K.
Bang
,
M.
Jeong
, and
J.
Myoung
,
J. Cryst. Growth
254
,
449
(
2003
).
170.
A.
Ohtomo
,
K.
Tamura
,
K.
Saikusa
,
K.
Takahashi
,
T.
Makino
,
Y.
Segawa
,
H.
Koinuma
, and
M.
Kawasaki
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
2635
(
1999
).
171.
T.
Sekiguchi
,
S.
Miyashita
,
K.
Obara
,
T.
Shishido
, and
N.
Sakagami
,
J. Cryst. Growth
214/215
,
72
(
2000
).
172.
T.
Sakagami
,
M.
Yamashita
,
T.
Sekiguchi
,
S.
Miyashita
,
K.
Obara
, and
T.
Shishido
,
J. Cryst. Growth
229
,
98
(
2001
).
173.
W.-J.
Li
,
E.-W.
Shi
,
W.-Z.
Zhong
, and
Z.-W.
Yin
,
J. Cryst. Growth
203
,
186
(
1999
).
174.
K.
Matsumoto
and
K.
Noda
,
J. Cryst. Growth
102
,
137
(
1990
).
175.
J.
Nause
,
III-Vs Review
12
,
28
(
1999
).
176.
M.
Suscavage
 et al,
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4S1
,
G3
40
(
1999
).
177.
M. A. L.
Johnson
,
S.
Fujita
,
W. H.
Rowland
, Jr.
,
W. C.
Hughes
,
J. W.
Cook
, Jr.
, and
J. F.
Schetzina
,
J. Electron. Mater.
21
,
157
(
1992
).
178.
K.
Kobayashi
,
T.
Matsubara
,
S.
Matsushima
,
S.
Shirakata
,
S.
Isomura
, and
G.
Okada
,
Thin Solid Films
266
,
106
(
1995
).
179.
M. A. L.
Johnson
,
S.
Fujita
,
W. H.
Rowland
, Jr.
,
W. C.
Hughes
,
J. W.
Cook
 Jr.
, and
J. F.
Schetzina
,
J. Electron. Mater.
25
,
855
(
1996
).
180.
Y.
Chen
 et al,
J. Cryst. Growth
181
,
165
(
1997
).
181.
Y.
Chen
,
H.-J.
Ko
,
S.-K.
Hong
, and
T.
Yao
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
559
(
2000
).
182.
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
S.
Niki
,
A.
Yamata
,
K.
Matsubara
, and
M.
Watanabe
,
J. Cryst. Growth
200
,
532
(
2000
).
183.
K.
Nakamura
,
T.
Shoji
, and
H.-B.
Kang
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
39
,
L534
(
2000
).
184.
H.-B.
Kang
,
K.
Yoshida
, and
K.
Nakamura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
37
,
5220
(
1998
).
185.
K.
Sakurai
,
M.
Kanehiro
,
K.
Nakahara
,
T.
Tanabe
,
S.
Fujita
, and
S.
Fujita
,
J. Cryst. Growth
209
,
522
(
2000
).
186.
H.
Kato
,
M.
Sano
,
K.
Miyamota
, and
T.
Yao
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L1002
(
2003
).
187.
D.
Kohl
,
M.
Henzler
, and
G.
Heiland
,
Surf. Sci.
41
,
403
(
1974
).
188.
J. L.
Vossen
,
Phys. Thin Films
9
,
1
(
1977
).
189.
Z. Y.
Xue
,
D. H.
Zhang
,
Q. P.
Wang
, and
J. H.
Wang
,
Appl. Surf. Sci.
195
,
126
(
2002
).
190.
Y. M.
Lu
,
W. S.
Hwang
,
W. Y.
Liu
, and
J. S.
Yang
,
Mater. Chem. Phys.
72
,
269
(
2001
).
191.
S.
Jeong
,
B.
Kim
, and
B.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2625
(
2003
).
192.
S. J.
Chen
,
Y. C.
Liu
,
J. G.
Ma
,
Y. M.
Lu
,
J. Y.
Zhang
,
D. Z.
Shen
, and
X. W.
Fan
,
J. Cryst. Growth
254
,
86
(
2003
).
193.
W.
Water
and
S.-Y.
Chu
,
Mater. Lett.
55
,
67
(
2002
).
194.
X. H.
Li
,
A. P.
Huang
,
M. K.
Zhu
,
Sh. L.
Xu
,
J.
Chen
,
H.
Wang
,
B.
Wang
, and
H.
Yan
,
Mater. Lett.
57
,
4655
(
2003
).
195.
S. K.
Park
and
J. H.
Je
,
Physica C
254
,
167
(
1995
).
196.
K.
Tominaga
,
S.
Iwamura
,
Y.
Shintani
, and
O.
Tada
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
21
,
519
(
1981
).
197.
S. J.
Doh
,
S. I.
Park
,
T. S.
Cho
, and
J. H.
Je
,
J. Vac. Sci. Technol. A
17
,
3003
(
1999
).
198.
S.
Maniv
,
W. D.
Westwood
, and
E.
Colombini
,
J. Vac. Sci. Technol.
20
,
162
(
1982
).
199.
J.-H.
Jou
,
M.-Y.
Han
, and
D.-J.
Cheng
,
J. Appl. Phys.
71
,
4333
(
1992
).
200.
J.
Hinze
and
K.
Ellmer
,
J. Appl. Phys.
88
,
2443
(
2000
).
201.
K.
Ozaki
and
M.
Gomi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
41
,
5614
(
2002
).
202.
M. K.
Ryu
,
S. H.
Lee
,
M. S.
Jang
,
G. N.
Panin
, and
T. W.
Kang
,
J. Appl. Phys.
92
,
154
(
2002
).
203.
C.
Liu
,
Ü.
Özgür
,
A.
Teke
, and
H.
Morkoç
(unpublished).
204.
Y.
Chen
,
D.
Bagnall
, and
T.
Yao
,
Mater. Sci. Eng., B
75
,
190
(
2000
).
205.
K.-K.
Kim
,
H.-S.
Kim
,
D.-K.
Hwang
,
J.-H.
Lim
, and
S.-J.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
63
(
2003
).
206.
S.
Tüzemen
,
G.
Xiong
,
J.
Wilkinson
,
B.
Mischuck
,
K. B.
Ucer
, and
R. T.
Williams
,
Physica B
308–310
,
1197
(
2001
).
207.
M.
Kadota
and
M.
Minakata
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
37
,
2923
(
1998
).
208.
M.
Kadota
,
T.
Miura
, and
M.
Minakata
,
J. Cryst. Growth
237–239
,
523
(
2002
).
209.
H.-B.
Kang
,
K.
Nakamura
,
S.-H.
Lim
, and
D.
Shindo
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
37
,
781
(
1998
);
H.-B.
Kang
,
K.
Nakamura
,
K.
Yoshida
, and
K.
Ishikawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
36
,
L933
(
1997
).
210.
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
S.
Niki
,
A.
Yamada
,
K.
Matsubara
, and
M.
Watanabe
,
J. Cryst. Growth
209
,
532
(
2000
).
211.
K.
Sakurai
,
D.
Iwata
,
S.
Fujita
, and
S.
Fujita
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
,
2606
(
1999
).
212.
N.
Izyumskaya
,
V.
Avrutin
,
W.
Schoch
,
W. A.
El-Shaer
,
F.
Reuss
,
T.
Gruber
, and
A.
Waag
,
J. Cryst. Growth
269
,
356
(
2004
).
213.
K.
Nakahara
 et al,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
,
250
(
2001
).
214.
T.
Ohgaki
,
N.
Ohashi
,
H.
Kakemoto
,
S.
Wada
,
Y.
Adachi
,
H.
Haneda
, and
T.
Tsurumi
,
J. Appl. Phys.
93
,
1961
(
2003
).
215.
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
A.
Yamada
,
K.
Matsubara
,
S.
Niki
,
K.
Nakahara
,
T.
Tanabe
, and
H.
Takasu
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
1801
(
2000
).
216.
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
A.
Yamada
,
K.
Matsubara
,
S.
Niki
,
K.
Nakahara
,
T.
Tanabe
, and
H.
Takasu
,
J. Cryst. Growth
227–228
,
911
(
2001
).
217.
K.
Sakurai
,
M.
Kanehiro
,
K.
Nakahara
,
T.
Tanabe
,
S.
Fujita
, and
S.
Fujita
,
J. Cryst. Growth
214/215
,
92
(
2000
).
218.
M.
Sano
,
K.
Miyamoto
,
H.
Kato
, and
T.
Yao
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L1050
(
2003
).
219.
X.
Du
,
M.
Murakami
,
H.
Iwaki
,
Y.
Ishitani
, and
A.
Yoshikawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
41
,
L1043
(
2002
).
220.
X.
Wang
,
H.
Iwaki
,
M.
Murakami
,
X.
Du
,
Y.
Ishitani
, and
A.
Yoshikawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L99
(
2003
).
221.
K.
Nakahara
,
H.
Takasu
,
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
A.
Yamada
,
K.
Matsubara
,
R.
Hunger
, and
S.
Niki
,
J. Cryst. Growth
227–228
,
923
(
2001
).
222.
K.
Ogata
,
K.
Koike
,
T.
Tanite
,
T.
Komuro
,
F.
Yan
,
S.
Sasa
,
M.
Inoue
, and
M.
Yano
,
J. Cryst. Growth
251
,
623
(
2003
).
223.
Y.
Chen
,
H. J.
Ko
,
S.
Hong
,
T.
Yao
, and
Y.
Segawa
,
J. Cryst. Growth
214/215
,
87
(
2000
);
Y. F.
Chen
,
H. J.
Ko
,
S. K.
Hong
,
K.
Inaba
,
Y.
Segawa
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
227–228
,
917
(
2001
).
224.
K.
Miyamoto
,
M.
Sano
,
H.
Kato
, and
T.
Yao
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
41
,
L1203
(
2002
).
225.
A.
Ohtomo
 et al,
Appl. Phys. Lett.
72
,
2466
(
1998
).
226.
H.
Kato
,
M.
Sano
,
K.
Miyamoto
, and
T.
Yao
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
2241
(
2003
).
227.
T.
Ohnishi
,
A.
Ohtomo
,
M.
Kawasaki
,
K.
Takahashi
,
M.
Yoshimoto
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
824
(
1998
).
228.
S.
Hong
,
T.
Hanada
,
Y.
Chen
,
H.
Ko
,
T.
Yao
,
D.
Imai
,
K.
Araki
, and
M.
Shinohara
,
Appl. Surf. Sci.
190
,
491
(
2002
).
229.
I.
Ohkubo
,
A.
Ohtomo
,
T.
Ohnishi
,
Y.
Mastumoto
,
H.
Koinuma
, and
M.
Kawasaki
,
Surf. Sci.
443
,
L1043
(
1999
).
230.
S. K.
Hong
 et al,
Phys. Rev. B
65
,
115331
(
2002
).
231.
H. J.
Ko
,
Y.
Chen
,
S.
Hong
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
209
,
816
(
2000
);
S.
Hong
,
H. J.
Ko
,
Y.
Chen
,
T.
Hanada
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
214/215
,
81
(
2000
).
232.
C.
Liu
,
S.-J.
Cho
, and
H.
Morkoç
(unpublished).
233.
H. J.
Ko
,
S.
Hong
,
Y.
Chen
, and
T.
Yao
,
Thin Solid Films
409
,
153
(
2002
);
S.
Hong
,
H. J.
Ko
,
Y.
Chen
,
T.
Hanada
, and
T.
Yao
,
Appl. Surf. Sci.
159–160
,
441
(
2000
).
234.
S.
Hong
,
H.
Ko
,
Y.
Chen
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
209
,
537
(
2000
).
235.
M.
Fujita
,
N.
Kawamota
,
T.
Tatsumi
,
K.
Yamagishi
, and
Y.
Horikoshi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
67
(
2003
).
236.
N.
Kawamoto
,
M.
Fujita
,
T.
Tatsumi
, and
Y.
Horikoshi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
7209
(
2003
).
237.
L. N.
Dinh
,
M. A.
Schildbach
,
M.
Balooch
, and
W.
McLean
 II
,
J. Appl. Phys.
86
,
1149
(
1999
).
238.
A.
Tsukazaki
 et al,
Nat. Mater.
4
,
42
(
2005
).
239.
A.
Fouchet
,
W.
Prellier
,
B.
Mercey
,
L.
Méchin
,
V. N.
Kulkarni
, and
T.
Venkatesan
,
J. Appl. Phys.
96
,
3228
(
2004
).
240.
W.
Prellier
,
A.
Fouchet
,
B.
Mercey
,
C.
Simon
, and
B.
Raveau
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
3490
(
2003
).
241.
H.
Sankur
and
J. T.
Cheung
,
J. Vac. Sci. Technol. A
1
,
1806
(
1983
).
243.
S.
Choopun
,
R. D.
Vispute
,
W.
Noch
,
A.
Balsamo
,
R. P.
Sharma
,
T.
Venkatesan
,
A.
Iliadis
, and
D. C.
Look
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
3947
(
1999
).
244.
A. V.
Singh
,
R. M.
Mehra
,
N.
Buthrath
,
A.
Wakahara
, and
A.
Yoshida
,
J. Appl. Phys.
90
,
5661
(
2001
).
245.
K.
Matsubara
,
P.
Fons
,
K.
Iwata
,
A.
Yamada
, and
S.
Niki
,
Thin Solid Films
422
,
176
(
2002
).
246.
V.
Craciun
,
J.
Elders
,
J. G. E.
Gardeniers
, and
I. W.
Boyd
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
2963
(
1994
).
247.
A. Kh.
Abduev
,
B. M.
Ataev
, and
A. M.
Bagamadova
,
Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater.
11
,
1928
(
1987
).
248.
R. A.
Rabadanov
,
S. A.
Semiletov
, and
Z. A.
Magomedov
,
Solid State Phys.
12
,
1431
(
1979
).
249.
B. M.
Ataev
,
A. M.
Bagamadova
,
V. V.
Mamedov
,
A. K.
Omaev
, and
R. A.
Rabadanov
,
J. Cryst. Growth
198–199
,
1222
(
1999
).
250.
M. V.
Chukichev
,
B. M.
Ataev
,
V. V.
Mamedov
,
Ya.
Alivov
, and
I. I.
Khodos
,
Semiconductors
36
,
1052
(
2002
).
251.
B. M.
Ataev
,
I. K.
Kamilov
,
A. M.
Bagamadova
,
V. V.
Mamedov
,
A. K.
Omaev
, and
M. Kh.
Rabadanov
,
J. Tech. Phys.
69
,
138
(
1999
).
252.
K.
Kaiya
,
K.
Omichi
,
N.
Takahashi
,
T.
Nakamura
,
S.
Okamoto
, and
H.
Yamamoto
,
Thin Solid Films
409
,
116
(
2002
).
253.
N.
Takashi
,
M.
Makino
,
T.
Nakamura
, and
H.
Yamamoto
,
Chem. Mater.
14
,
3622
(
2002
).
254.
C. K.
Lau
,
S. K.
Tiku
, and
K. M.
Lakin
,
J. Electrochem. Soc.
127
,
1843
(
1980
).
255.
F. T. J.
Smith
,
Appl. Phys. Lett.
43
,
1108
(
1983
).
256.
C. R.
Gorla
,
N. W.
Emanetoglu
,
S.
Liang
,
W. E.
Mayo
, and
Y. J.
Lu
,
J. Appl. Phys.
85
,
2595
(
1999
).
257.
Y.
Kashiwaba
,
K.
Haga
,
H.
Watanabe
,
B. P.
Zhang
,
Y.
Segawa
, and
K.
Wakatsuki
,
Phys. Status Solidi B
229
,
921
(
2002
).
258.
T.
Yasuda
and
Y.
Segawa
,
Phys. Status Solidi B
241
,
676
(
2004
).
259.
T.
Gruber
,
C.
Kirchner
, and
A.
Waag
,
Phys. Status Solidi B
229
,
841
(
2002
).
260.
T.
Gruber
,
C.
Kirchner
,
K.
Thonke
,
R.
Sauer
, and
A.
Waag
,
Phys. Status Solidi A
192
,
166
(
2002
).
262.
N.
Oleynik
 et al,
J. Cryst. Growth
248
,
14
(
2003
).
263.
T.
Kaufmann
,
G.
Fuchs
, and
W.
Webert
,
Cryst. Res. Technol.
23
,
635
(
1988
).
264.
B.
Hahn
,
G.
Heindel
,
E.
Pschorr-Schoberer
, and
W.
Gebhardt
,
Semicond. Sci. Technol.
13
,
788
(
1998
).
265.
V.
Sallet
,
J. F.
Rommeluere
,
A.
Lusson
,
A.
Riviere
,
S.
Fusil
,
O.
Gorochov
, and
R.
Triboulet
,
Phys. Status Solidi B
229
,
903
(
2002
).
266.
C.
Kirchner
,
T.
Gruber
,
F.
Reuss
,
K.
Thonke
,
A.
Waag
,
C.
Giessen
, and
M.
Heuken
,
J. Cryst. Growth
248
,
20
(
2003
).
267.
K.
Ogata
,
K.
Maejima
,
Sz.
Fujita
, and
Sg.
Fujita
,
J. Electron. Mater.
30
,
659
(
2001
).
268.
K.
Ogata
,
T.
Kawanishi
,
K.
Maejima
,
K.
Sakurai
,
Sz.
Fujita
, and
Sg.
Fujita
,
J. Cryst. Growth
237
,
553
(
2002
).
269.
K.
Ogata
,
K.
Maejima
,
Sz.
Fujita
, and
Sg.
Fujita
,
J. Cryst. Growth
248
,
25
(
2003
).
270.
A.
Dadgar
 et al,
J. Cryst. Growth
267
,
140
(
2004
).
271.
K.
Ogata
,
T.
Kawanishi
,
K.
Sakurai
,
S.-W.
Kim
,
K.
Maejima
,
Sz.
Fujita
, and
Sg.
Fujita
,
Phys. Status Solidi B
229
,
915
(
2002
).
272.
C. R.
Gorla
,
N. W.
Emanetoglu
,
S.
Liang
,
W. E.
Mayo
,
Y.
Lu
,
M.
Wraback
, and
H.
Shen
,
J. Appl. Phys.
85
,
2595
(
1999
).
273.
W. I.
Park
,
S.-J.
An
,
G.-C.
Yi
, and
H. M.
Jang
,
J. Mater. Res.
16
,
1358
(
2001
);
W. I.
Park
,
G.-C.
Yi
, and
H. M.
Jang
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
2022
(
2001
).
274.
B.
Zhang
,
L.
Manh
,
K.
Wakatsuki
,
T.
Ohnishi
,
M.
Lippmaa
,
N.
Usami
,
M.
Kawasaki
, and
Y.
Segawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
2291
(
2003
).
275.
B.
Zhang
 et al,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L264
(
2003
).
276.
Y.
Ma
 et al,
J. Cryst. Growth
255
,
303
(
2003
);
Y.
Ma
 et al,
J. Appl. Phys.
95
,
6268
(
2004
).
277.
T. P.
Smith
,
W. J.
Mecouch
,
P. Q.
Miraglia
,
A. M.
Roskowski
,
P. J.
Hartlieb
, and
R. F.
Davis
,
J. Cryst. Growth
257
,
255
(
2003
).
278.
T. P.
Smith
,
H. A.
McLean
,
D. J.
Smith
,
P. Q.
Miraglia
,
A. M.
Roskowski
, and
R. F.
Davis
,
J. Electron. Mater.
33
,
826
(
2004
).
279.
T. P.
Smith
,
H.
McLean
,
D. J.
Smith
, and
R. F.
Davis
,
J. Cryst. Growth
265
,
390
(
2004
).
280.
K.
Ogata
,
K.
Maejima
,
Sz.
Fujita
, and
Sg.
Fujita
,
J. Cryst. Growth
248
,
25
(
2003
).
281.
S.
Muthukumar
,
H. F.
Sheng
,
J.
Zhong
,
Z.
Zhang
,
N. W.
Emanetoglu
, and
Y. C.
Lu
,
IEEE Trans. Nanotechnol.
2
,
50
(
2003
).
282.
J.
Zhong
,
S.
Muthukumar
,
G.
Saraf
,
H.
Chen
,
Y.
Chen
, and
Y.
Lu
,
J. Electron. Mater.
33
,
654
(
2004
).
283.
W. I.
Park
,
D. H.
Kim
,
S.-W.
Jung
, and
G.-C.
Yi
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
4232
(
2002
).
284.
M.-C.
Jeong
,
B.-Y.
Oh
,
W.
Lee
, and
J.-M.
Myoung
,
J. Cryst. Growth
268
,
149
(
2004
).
285.
W.
Lee
,
M.-C.
Jeong
, and
J.-M.
Myoung
,
Acta Mater.
52
,
3949
(
2004
).
286.
H.
Yuan
and
Y.
Zhang
,
J. Cryst. Growth
263
,
119
(
2004
).
287.
R.
Kling
,
C.
Kirchner
,
T.
Gruber
,
F.
Reuss
, and
A.
Waag
,
Nanotechnology
15
,
1043
(
2004
).
288.
W. I.
Park
,
S. J.
An
,
J. L.
Yang
,
G. C.
Yi
,
S.
Hong
,
T.
Joo
, and
M.
Kim
,
J. Phys. Chem. B
108
,
15457
(
2004
).
289.
W. I.
Park
,
J. S.
Kim
,
G. C.
Yi
,
M. H.
Bae
, and
H. J.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
5052
(
2004
).
290.
A.
Mang
,
K.
Reimann
, and
St.
Rübenacke
,
Solid State Commun.
94
,
251
(
1995
).
291.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
C. W.
Litton
,
G.
Cantwell
, and
W. C.
Harsch
,
Phys. Rev. B
60
,
2340
(
1999
).
292.
W. R. L.
Lambrecht
,
A. V.
Rodina
,
S.
Limpijumnong
,
B.
Segall
, and
B. K.
Meyer
,
Phys. Rev. B
65
,
075207
(
2002
).
293.
K.
Thonke
,
T.
Gruber
,
N.
Teofilov
,
R.
Schönfelder
,
A.
Waag
, and
R.
Sauer
,
Physica B
308–310
,
945
(
2001
).
294.
C.
Boemare
,
T.
Monteiro
,
M. J.
Soares
,
J. G.
Guilherme
, and
E.
Alves
,
Physica B
308–310
,
985
(
2001
).
295.
W. R. L.
Lambrecht
,
A. V.
Rodina
,
S.
Limpijumnong
,
B.
Segall
, and
B. K.
Meyer
,
Phys. Rev. B
65
,
075207
(
2002
).
296.
J. L.
Birman
,
Phys. Rev. Lett.
2
,
157
(
1959
).
297.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
, and
T. C.
Collins
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
3794
(
2001
).
298.
J. F.
Muth
,
R. M.
Kolbas
,
A. K.
Sharma
,
S.
Oktyabrsky
, and
J.
Narayan
,
J. Appl. Phys.
85
,
1884
(
1999
).
299.
A.
Teke
,
Ü.
Özgür
,
S.
Doğan
,
X.
Gu
,
H.
Morkoç
,
B.
Nemeth
,
J.
Nause
, and
H. O.
Everitt
,
Phys. Rev. B
70
,
195207
(
2004
).
300.
S. F.
Chichibu
,
T.
Sota
,
G.
Cantwell
,
D. B.
Eason
, and
C. W.
Litton
,
J. Appl. Phys.
93
,
756
(
2003
).
301.
S. F.
Chichibu
,
A.
Tsukazaki
,
M.
Kawasaki
,
K.
Tamura
,
Y.
Segawa
,
T.
Sota
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
2860
(
2002
).
302.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
R. L.
Jones
,
C. W.
Litton
,
H.
Harsch
, and
G.
Cantwell
,
J. Lumin.
82
,
173
(
1999
).
303.
K.
Hümmer
and
P.
Gebhardt
,
Phys. Status Solidi B
85
,
271
(
1978
).
304.
J. F.
Muth
,
R. M.
Kolbas
,
A. K.
Sharma
,
S.
Oktyabrsky
, and
J.
Narayan
,
J. Appl. Phys.
85
,
7884
(
1999
).
305.
T.
Makino
 et al,
Appl. Phys. Lett.
77
,
975
(
2000
).
306.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
C. W.
Litton
,
T. C.
Collins
,
W.
Harsch
, and
G.
Cantwell
,
Phys. Rev. B
57
,
12151
(
1998
).
307.
X. T.
Zhang
 et al,
J. Lumin.
99
,
149
(
2002
).
308.
D. W.
Hamby
,
D. A.
Lucca
,
M. J.
Klopfstein
, and
G.
Cantwell
,
J. Appl. Phys.
93
,
3214
(
2003
).
309.
H.
Alves
,
D.
Pfisterer
,
A.
Zeuner
,
T.
Riemann
,
J.
Christen
,
D. M.
Hofmann
, and
B. K.
Meyer
,
Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.)
23
,
33
(
2003
).
310.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
C. W.
Litton
,
T. C.
Collins
,
H.
Harsch
, and
G.
Cantwell
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
3794
(
2001
).
311.
J. J.
Hopfield
and
D. G.
Thomas
,
J. Phys. Chem. Solids
12
,
276
(
1960
).
312.
S. K.
Suga
,
P.
Cho
,
P.
Heisinger
, and
T.
Koda
,
J. Lumin.
12
,
109
(
1967
).
313.
C.
Weisbuch
and
R.
Ulbrich
,
Phys. Rev. Lett.
39
,
654
(
1977
).
314.
Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology
,
Landolt/Bornstein New Series III Vol. 41B
, edited by
U.
Rosler
(
Springer
, Berlin,
1999
).
315.
J.
Rorison
,
D. C.
Herbert
,
D. J.
Dean
, and
M. S.
Skolnick
,
J. Phys. C
17
,
6435
(
1984
).
316.
A.
Kobayashi
,
O. F.
Sankey
, and
J. D.
Dow
,
Phys. Rev. B
28
,
946
(
1983
).
317.
J. R.
Haynes
,
Phys. Rev. Lett.
4
,
361
(
1960
).
318.
Y. P.
Varshni
,
Physica (Amsterdam)
34
,
149
(
1967
);
L.
Wang
and
N. C.
Giles
,
J. Appl. Phys.
94
,
973
(
2003
).
319.
A. K.
Viswanath
,
J. I.
Lee
,
S.
Yu
,
D.
Kim
,
Y.
Choi
, and
C. H.
Hong
,
J. Appl. Phys.
84
,
3848
(
1998
).
320.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
J. E.
Hoelscher
,
R. E.
Sherriff
,
M. T.
Harris
, and
M. J.
Callahan
,
J. Appl. Phys.
88
,
2152
(
2000
).
321.
A.
Kobayashi
,
O. F.
Sankey
, and
J. D.
Dow
,
Phys. Rev. B
28
,
946
(
1983
).
322.
T.
Koida
,
S. F.
Chichibu
,
A.
Uedono
,
A.
Tsukazaki
,
M.
Kawasaki
,
T.
Sota
,
Y.
Segawa
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
532
(
2003
).
323.
S. W.
Jung
,
W. I.
Park
,
H. D.
Cheong
,
G.-C.
Yi
,
H. M.
Jang
,
S.
Hong
, and
T.
Joo
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
1924
(
2002
).
324.
R.
Matz
and
H.
Lütz
,
Appl. Phys.
18
,
123
(
1979
).
325.
W. S.
Hu
,
Z. G.
Liu
,
J.
Sun
,
S. N.
Zhu
,
Q. Q.
Xu
,
D.
Feng
, and
Z. M.
Ji
,
J. Phys. Chem. Solids
58
,
853
(
1997
).
326.
H.
Yoshikawa
and
S.
Adachi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
36
,
6237
(
1997
).
327.
G. E.
Jellison
, Jr.
and
L. A.
Boatner
,
Phys. Rev. B
58
,
3586
(
1998
).
328.
C. W.
Teng
,
J. F.
Muth
,
Ü.
Özgür
,
M. J.
Bergmann
,
H. O.
Everitt
,
A. K.
Sharma
,
C.
Jin
, and
J.
Narayan
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
979
(
2000
).
329.
R.
Schmidt
 et al,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2260
(
2003
).
330.
K.-K.
Kim
,
H.-S.
Kim
,
D.-K.
Hwang
,
J.-H.
Lim
, and
S.-J.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
63
(
2003
).
331.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
C. W.
Litton
,
G.
Cantwell
, and
W. C.
Harsch
,
Phys. Rev. B
60
,
2340
(
1999
).
332.
C.
Klingshirn
,
Phys. Status Solidi B
71
,
547
(
1975
).
333.
Ü.
Özgür
,
A.
Teke
,
C.
Liu
,
S.-J.
Cho
,
H.
Morkoç
, and
H. O.
Everitt
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
3223
(
2004
).
334.
Y.
Chen
,
N. T.
Tuan
,
Y.
Segawa
,
H.-J.
Ko
,
S.-K.
Hong
, and
T.
Yao
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
1469
(
2001
).
335.
D. M.
Bagnall
,
Y. F.
Chen
,
Z.
Zhu
,
T.
Yao
,
M. Y.
Shen
, and
T.
Goto
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
1038
(
1998
).
336.
D. M.
Bagnall
,
Y. F.
Chen
,
M. Y.
Shen
,
Z.
Zhu
,
T.
Goto
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
184–185
,
605
(
1998
).
337.
A.
Yamamoto
,
T.
Kido
,
T.
Goto
,
Y.
Chen
,
T.
Yao
, and
A.
Kasuya
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
469
(
1999
).
338.
P.
Yu
,
Z. K.
Tang
,
G. K. L.
Wong
,
M.
Kawasaki
,
A.
Ohtomo
,
H.
Koinuma
, and
Y.
Segawa
,
J. Cryst. Growth
184–185
,
601
(
1998
).
339.
M.
Kawasaki
 et al,
Mater. Sci. Eng., B
56
,
239
(
1998
).
340.
P.
Zu
,
Z. K.
Tang
,
G. K. L.
Wong
,
M.
Kawasaki
,
A.
Ohtomo
,
H.
Koinuma
, and
Y.
Segawa
,
Solid State Commun.
103
,
459
(
1997
).
341.
A.
Ohtomo
 et al,
Mater. Sci. Eng., B
54
,
24
(
1998
).
342.
N. M.
Lawandy
,
R. M.
Balachandran
,
A. S. L.
Gomes
, and
E.
Sauvain
,
Nature (London)
368
,
436
(
1994
).
343.
D. S.
Wiersma
,
M. P.
van Albada
, and
A.
Lagendijk
,
Phys. Rev. Lett.
75
,
1739
(
1995
).
344.
H.
Cao
,
Y. G.
Zhao
,
H. C.
Ong
,
S. T.
Ho
,
J. Y.
Dai
,
J. Y.
Wu
, and
R. P. H.
Chang
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
3656
(
1998
).
345.
H.
Cao
,
Y. G.
Zhao
,
S. T.
Ho
,
E. W.
Seelig
,
Q. H.
Wang
, and
R. P. H.
Chang
,
Phys. Rev. Lett.
82
,
2278
(
1999
).
346.
A.
Mitra
and
R. K.
Thareja
,
J. Appl. Phys.
89
,
2025
(
2001
).
347.
D. S.
Wiersma
and
A.
Lagendijk
,
Phys. Rev. E
54
,
4256
(
1996
).
348.
P. W.
Anderson
,
Phys. Rev.
109
,
1492
(
1958
).
349.
I. P.
Kuz’mina
and
V. A.
Nikitenko
,
Zinc Oxides: Production and Optical Properties
(
Nauka
, Moscow,
1984
).
350.
D. I.
Dimova-Alyakova
,
M. M.
Malov
,
V. V.
Dmitriev
,
V. D.
Chernyi
, and
M. N.
Mendakov
,
Moscow Energetical Institute Transactions (Trudy MEI)
192
,
78
(
1974
) (in Russian).
351.
S.
Cho
,
J.
Ma
,
Y.
Kim
,
Y.
Sun
,
G. K. L.
Wong
, and
J. B.
Ketterson
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
2761
(
1999
).
352.
S. J.
Chen
 et al,
J. Cryst. Growth
240
,
467
(
2002
).
353.
Y. G.
Wang
,
S. P.
Lau
,
H. W.
Lee
,
S. F.
Yu
,
B. K.
Tay
,
X. H.
Zhang
, and
H. H.
Hng
,
J. Appl. Phys.
94
,
354
(
2003
).
354.
Ya. I.
Alivov
,
A. V.
Chernykh
,
M. V.
Chukichev
, and
R. Y.
Korotkov
,
Thin Solid Films
473
,
241
(
2005
).
355.
A.
Ohtomo
 et al,
Appl. Phys. Lett.
77
,
2204
(
2000
).
356.
H. D.
Sun
 et al,
Appl. Phys. Lett.
77
,
4250
(
2000
).
357.
B.
Guo
,
Z. R.
Qiu
, and
K. S.
Wong
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2290
(
2003
).
358.
T.
Koida
,
S. F.
Chichibu
,
A.
Uedono
,
A.
Tsukazaki
,
M.
Kawasaki
,
T.
Sota
,
Y.
Segawa
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
532
(
2003
).
359.
A. F.
Kohan
,
G.
Ceder
,
D.
Morgan
, and
C. G.
Van de Walle
,
Phys. Rev. B
61
,
15019
(
2000
).
360.
C. G.
Van de Walle
,
Physica B
308–310
,
899
(
2001
).
361.
J.
Neugebauer
and
C. G.
Van de Walle
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
503
(
1996
).
362.
A.
Kobayashi
,
O. F.
Sankey
, and
J. D.
Dow
,
Phys. Rev. B
28
,
946
(
1983
).
363.
Y.
Yan
,
S. B.
Zhang
, and
S. T.
Pantelides
,
Phys. Rev. Lett.
86
,
5723
(
2001
).
364.
K.
Thonke
,
T.
Gruber
,
N.
Trofilov
,
R.
Schönfelder
,
A.
Waag
, and
R.
Sauer
,
Physica B
308–310
,
945
(
2001
).
365.
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
C. W.
Litton
,
R. L.
Jones
,
D. B.
Eason
, and
G.
Cantwell
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
1830
(
2002
).
366.
J. F.
Rommeluère
,
L.
Svob
,
F.
Jomard
,
J.
Mimila-Arroyo
,
A.
Lusson
,
V.
Sallet
, and
Y.
Marfaing
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
287
(
2003
).
367.
H.
Matsui
,
H.
Saeki
,
H.
Tabata
, and
T.
Kawai
,
J. Electrochem. Soc.
150
,
G508
(
2003
).
368.
A.
Zeuner
,
H.
Alves
,
D. M.
Hofmann
,
B. K.
Meyer
,
A.
Hoffmann
,
U.
Haboeck
,
M.
Strassburg
, and
M.
Dworzak
,
Phys. Status Solidi B
234
,
R7
(
2002
).
370.
Y. R.
Ryu
,
T. S.
Lee
, and
H. W.
White
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
87
(
2003
).
371.
R.
Dingle
,
Phys. Rev. Lett.
23
,
579
(
1969
).
372.
R. E.
Dietz
,
H.
Kamimura
,
M. D.
Sturge
, and
A.
Yariv
,
Phys. Rev.
132
,
1559
(
1963
).
373.
E.
Mollwo
,
G.
Müller
, and
P.
Wagner
,
Solid State Commun.
13
,
1283
(
1973
).
374.
B. M.
Kimpel
and
H. J.
Schulz
,
Phys. Rev. B
43
,
9938
(
1991
).
375.
I. J.
Broser
,
R. K. F.
Germer
,
H.-J. E.
Schulz
, and
K. P.
Wisznewski
,
Solid-State Electron.
21
,
1597
(
1978
).
376.
P.
Dahan
,
V.
Fleurov
,
P.
Thurian
,
R.
Heitz
,
A.
Hoffmann
, and
I.
Broser
,
J. Phys.: Condens. Matter
10
,
2007
(
1998
).
377.
P.
Dahan
,
V.
Fleurov
,
P.
Thurian
,
R.
Heitz
,
A.
Hoffmann
, and
I.
Broser
,
Phys. Rev. B
57
,
9690
(
1998
).
378.
P. J.
Dean
,
D. J.
Robbins
,
S. G.
Bishop
,
J. A.
Savage
, and
P.
Porteous
,
J. Phys. C
14
,
2847
(
1981
).
379.
P.
Dahan
,
V.
Fleurov
, and
K.
Kikoin
,
J. Phys.: Condens. Matter
9
,
5355
(
1997
).
380.
R.
Kuhnert
and
R.
Helbig
,
J. Lumin.
26
,
203
(
1981
).
381.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
,
J. E.
Van Nostrand
,
R.
Jones
, and
J.
Jenny
,
Solid State Commun.
106
,
701
(
1998
).
382.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
, and
B.
Jogai
,
J. Appl. Phys.
89
,
6189
(
2001
).
383.
N. Y.
Garces
,
L.
Wang
,
L.
Bai
,
N. C.
Giles
,
L. E.
Halliburton
, and
G.
Cantwell
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
622
(
2002
).
384.
Ya. I.
Alivov
,
M. V.
Chukichev
, and
V. A.
Nikitenko
,
Semiconductors
38
,
34
(
2004
).
385.
F. H.
Leiter
,
H. R.
Alves
,
N. G.
Romanov
,
D. M.
Hoffmann
, and
B. K.
Meyer
,
Physica B
308–310
,
908
(
2001
).
386.
X.
Yang
 et al,
J. Cryst. Growth
252
,
275
(
2003
).
387.
B.
Guo
,
Z. R.
Qiu
, and
K. S.
Wong
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2290
(
2003
).
388.
H.-J.
Egelhaaf
and
D.
Oelkrug
,
J. Cryst. Growth
161
,
190
(
1996
).
389.
N. O.
Korsunska
,
L. V.
Borkovska
,
B. M.
Bulakh
,
L. Yu.
Khomenkova
,
V. I.
Kushnirenko
, and
I. V.
Markevich
,
J. Lumin.
102–103
,
733
(
2003
).
390.
B.
Lin
,
Z.
Fu
, and
Y.
Jia
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
943
(
2001
).
391.
K.
Vanheusden
,
C. H.
Seager
,
W. L.
Warren
,
D. R.
Tallant
, and
J. A.
Voigt
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
403
(
1996
);
K.
Vanheusden
,
W. L.
Warren
,
C. H.
Seager
,
D. R.
Tallant
,
J. A.
Voigt
, and
B. E.
Gnade
,
J. Appl. Phys.
79
,
7983
(
1996
);
K.
Vanheusden
,
C. H.
Seager
,
W. L.
Warren
,
D. R.
Tallant
,
J.
Caruso
,
M. J.
Hampden-Smith
, and
T. T.
Kodas
,
J. Lumin.
75
,
11
(
1997
).
392.
S. A.
Studenikin
,
N.
Golego
, and
M.
Cocivera
,
J. Appl. Phys.
84
,
2287
(
1998
).
393.
F. H.
Leiter
,
H. R.
Alves
,
A.
Hofstaetter
,
D. M.
Hoffmann
, and
B. K.
Meyer
,
Phys. Status Solidi B
226
,
R4
(
2001
).
394.
F. H.
Leiter
,
H. R.
Alves
,
N. G.
Romanov
,
D. M.
Hoffmann
, and
B. K.
Meyer
,
Physica B
340–342
,
201
(
2003
).
395.
M. A.
Reshchikov
and
R. Y.
Korotkov
,
Phys. Rev. B
64
,
115205
(
2001
).
396.
R. T.
Cox
,
D.
Block
,
A.
Hervé
,
R.
Picard
,
C.
Santier
, and
R.
Helbig
,
Solid State Commun.
25
,
77
(
1978
).
397.
G. F.
Neumark
,
Phys. Rev. Lett.
62
,
1800
(
1989
).
398.
399.
S. B.
Zhang
,
S.-H.
Wei
, and
A.
Zunger
,
Phys. Rev. Lett.
84
,
1232
(
2000
).
400.
T.
Minami
,
H.
Sato
,
H.
Nanto
, and
S.
Takata
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
24
,
L781
(
1985
).
401.
S. B.
Zhang
,
S.-H.
Wei
, and
A.
Zunger
,
J. Appl. Phys.
83
,
3192
(
1998
).
402.
D. B.
Laks
,
C. G.
Van de Walle
,
G. F.
Neumark
, and
S. T.
Pantelides
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
1375
(
1993
).
403.
S. F. J.
Cox
 et al,
Phys. Rev. Lett.
86
,
2601
(
2001
).
404.
Y. M.
Strzhemechny
 et al,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2545
(
2004
).
405.
H.
Kato
,
M.
Sano
,
K.
Miyamoto
, and
T.
Yao
,
J. Cryst. Growth
237–239
,
538
(
2002
).
406.
S. Y.
Myong
,
S. J.
Baik
,
C. H.
Lee
,
W. Y.
Cho
, and
K. S.
Lim
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
36
,
L1078
(
1997
).
407.
B. M.
Ataev
,
A. M.
Bagamadova
,
A. M.
Djabrailov
,
V. V.
Mamedo
, and
R. A.
Rabadanov
,
Thin Solid Films
260
,
19
(
1995
).
408.
V.
Assuncao
,
E.
Fortunato
,
A.
Marques
,
H.
Aguas
,
I.
Ferreira
,
M. E. V.
Costa
, and
R.
Martins
,
Thin Solid Films
427
,
401
(
2003
).
409.
Z. F.
Liu
,
F. K.
Shan
,
Y. X.
Li
,
B. C.
Shin
, and
Y. S.
Yu
,
J. Cryst. Growth
259
,
130
(
2003
).
410.
M.
Chen
,
Z.
Pei
,
W.
Xi
,
C.
Sun
, and
L.
Wen
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
666
,
F
1
(
2001
).
411.
H. J.
Ko
,
Y. F.
Chen
,
S. K.
Hong
,
H.
Wenisch
,
T.
Yao
, and
D. C.
Look
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
3761
(
2000
).
412.
T.
Minami
,
H.
Nanto
, and
S.
Takata
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
23
,
L280
(
1984
).
413.
W.
Walukiewicz
,
Phys. Rev. B
50
,
5221
(
1994
).
414.
C. G.
Van de Walle
,
D. B.
Laks
,
G. F.
Neumark
, and
S. T.
Pantelides
,
Phys. Rev. B
47
,
9425
(
1993
).
415.
O. F.
Schirmer
,
J. Phys. Chem. Solids
29
,
1407
(
1968
).
416.
A.
Valentini
,
F.
Quaranta
,
M.
Rossi
, and
G.
Battaglin
,
J. Vac. Sci. Technol. A
9
,
286
(
1991
).
417.
Y.
Kanai
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
30
,
703
(
1991
).
418.
Y.
Kanai
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
30
,
2021
(
1991
).
419.
C. H.
Park
,
S. B.
Zhang
, and
S.-H.
Wei
,
Phys. Rev. B
66
,
073202
(
2002
).
420.
C. G.
Van de Walle
,
D. B.
Laks
,
G. F.
Neumark
, and
S. T.
Pantelides
,
Phys. Rev. B
47
,
9425
(
1993
).
421.
D. B.
Laks
,
C. G.
Van de Walle
,
G. F.
Neumark
, and
S. T.
Pantelides
,
Phys. Rev. Lett.
66
,
648
(
1991
).
422.
A.
Garcia
and
J. E.
Northrup
,
Phys. Rev. Lett.
74
,
1131
(
1995
).
423.
M. L.
Cohen
,
Phys. Scr., T
T1
,
5
(
1982
).
424.
J.
Ihm
,
A.
Zunger
, and
M. L.
Cohen
,
J. Phys. C
12
,
4409
(
1979
).
425.
D. C.
Look
,
R. L.
Jones
,
J. R.
Sizelove
,
N. Y.
Garces
,
N. C.
Giles
, and
L. E.
Halliburton
,
Phys. Status Solidi A
195
,
171
(
2004
).
426.
A.
Kobayashi
,
O. F.
Sankey
, and
J. D.
Dow
,
Phys. Rev. B
28
,
946
(
1983
).
427.
Z. L.
Wu
,
J. L.
Merz
,
C. J.
Werkhoven
,
B. J.
Fitzpatrick
, and
R. N.
Bhargava
,
Appl. Phys. Lett.
40
,
345
(
1982
).
428.
H.
Morkoç
,
S.
Strite
,
G. B.
Gao
,
M. E.
Lin
,
B.
Sverdlov
, and
M.
Burns
,
J. Appl. Phys.
76
,
1363
(
1994
).
429.
E.-C.
Lee
,
Y.-S.
Kim
,
Y.-G.
Jin
, and
K. J.
Chang
,
Phys. Rev. B
64
,
85120
(
2001
).
430.
R. M.
Park
,
M. B.
Troffer
,
C. M.
Rouleau
,
J. M.
DePuydt
, and
M. A.
Hasse
,
Appl. Phys. Lett.
57
,
2127
(
1990
).
431.
L.
Svob
,
C.
Thiandoume
,
A.
Lusson
,
M.
Bouanani
,
Y.
Marfaing
, and
O.
Gorochov
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1695
(
2000
).
432.
H. D.
Jung
,
C. D.
Song
,
S. Q.
Wang
,
K.
Arai
,
Y. H.
Wu
,
Z.
Zhu
,
T.
Yao
, and
H.
Katayama-Yoshida
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
1143
(
1997
).
433.
K.
Iwata
,
P.
Fons
,
A.
Yamada
,
K.
Matsubara
, and
S.
Niki
,
J. Cryst. Growth
209
,
526
(
2000
).
434.
A. B. M. A.
Ashrafi
,
I.
Suemune
,
H.
Kumano
, and
S.
Tanaka
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
41
,
L1281
(
2002
).
435.
K.
Minegishi
,
Y.
Koiwai
,
Y.
Kikuchi
,