The ultimate goal of future information processing might be the realization of a circuit in which one bit is represented by a single electron. Such a challenging circuit would comprise elemental devices whose tasks are to drag, transfer, and detect single electrons. In achieving these tasks, the Coulomb blockade, which occurs in tiny conducting materials, plays an important role. This paper describes the current status of research on such single-charge-control devices from the viewpoints of circuit applications.
REFERENCES
1.
D. V.
Averin
and K. K.
Likharev
, in Mesoscopic Phenomena in Solids
, edited by B. L.
Altshuler
, P. A.
Lee
, and R. A.
Webb
(Elsevier Science
, New York, 1991
), p. 173
.2.
Single Charge Tunneling
, edited by H.
Grabert
and M. H.
Devoret
(Plenum
, New York, 1992
).3.
4.
K. K.
Likharev
, Proc. IEEE
87
, 606
(1999
).5.
Y.
Takahashi
, Y.
Ono
, A.
Fujiwara
, and H.
Inokawa
, J. Phys.: Condens. Matter
14
, R995
(2002
).6.
M. W.
Keller
, in Recent Advances in Metrology and Fundamental Constants
, edited by T. J.
Quinn
, S.
Leschiutta
, and P.
Tavella
(IOS
, Amsterdam, 2001
), p. 291
.7.
N. M.
Zimmerman
and M. W.
Keller
, Meas. Sci. Technol.
14
, 1237
(2003
).8.
M. H.
Devoret
and R. J.
Schoelkopf
, Nature (London)
406
, 1039
(2000
).9.
D. V.
Averin
and K. K.
Likharev
, J. Low Temp. Phys.
62
, 345
(1986
).10.
M. A.
Kastner
, Rev. Mod. Phys.
64
, 849
(1992
).11.
P.
Lafarge
, H.
Pothier
, E. R.
Williams
, D.
Esteve
, C.
Urbina
, and M. H.
Devoret
, Z. Phys. B: Condens. Matter
85
, 327
(1991
).12.
13.
K. K.
Likharev
, IEEE Trans. Magn.
23
, 1142
(1987
).14.
T. A.
Fulton
and G. J.
Dolan
, Phys. Rev. Lett.
59
, 109
(1987
).15.
J. H. F.
Scott-Thomas
, S. B.
Field
, M. A.
Kastner
, H. I.
Smith
, and D. A.
Antoniadis
, Phys. Rev. Lett.
62
, 583
(1989
).16.
S. B.
Field
, M. A.
Kastner
, U.
Meirav
, J. H. F.
Scott-Thomas
, D. A.
Antoniadis
, H. I.
Smith
, and S. J.
Wind
, Phys. Rev. B
42
, 3523
(1990
).17.
U.
Meirav
, M. A.
Kastner
, and S. J.
Wind
, Phys. Rev. Lett.
65
, 771
(1990
).18.
C.
de Graaf
, J.
Caro
, S.
Radelaar
, V.
Lauer
, and K.
Heyers
, Phys. Rev. B
44
, 9072
(1991
).19.
H.
Matsuoka
, T.
Ichiguchi
, T.
Yoshimura
, and E.
Takeda
, Appl. Phys. Lett.
64
, 586
(1994
).20.
D.
Ali
and H.
Ahmed
, Appl. Phys. Lett.
64
, 2119
(1994
).21.
M.
Bockrath
, D. H.
Cobden
, P. L.
McEuen
, N. G.
Chopra
, A.
Zettl
, A.
Thess
, and R. E.
Smalley
, Science
275
, 1922
(1997
).22.
S. J.
Tans
, M. H.
Devoret
, H.
Dai
, A.
Thess
, R. E.
Smalley
, L. J.
Geerlings
, and C.
Dekker
, Nature (London)
386
, 474
(1997
).23.
K.
Ishibashi
, D.
Tsuya
, M.
Suzuki
, and Y.
Aoyagi
, Appl. Phys. Lett.
82
, 3307
(2003
).24.
25.
H.
Nejoh
, Nature (London)
353
, 640
(1991
).26.
V.
Mujica
, M.
Kemp
, A.
Roitberg
, and M.
Ratner
, J. Chem. Phys.
104
, 7296
(1996
).27.
N. B.
Zhitenev
, H.
Meng
, and Z.
Bao
, Phys. Rev. Lett.
88
, 226801
(2002
).28.
J.
Park
et al, Nature (London)
417
, 722
(2002
).29.
W.
Liang
, M. P.
Shores
, M.
Bockrath
, J. R.
Long
, and H.
Park
, Nature (London)
417
, 725
(2002
).30.
S.
Kubatkin
, A.
Danilov
, M.
Hjort
, J.
Cornil
, J.-L.
Brédas
, N.
Stuhr-Hansen
, P.
Hedegård
, and T.
Bjørnholm
, Nature (London)
425
, 698
(2003
).31.
G. J.
Doran
, Appl. Phys. Lett.
31
, 337
(1977
).32.
Yu. A.
Pashkin
, Y.
Nakamura
, and J. S.
Tsai
, Appl. Phys. Lett.
76
, 2256
(2000
).33.
J.-P.
Colinge
, Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI
, 2nd ed., (Kluwer
, Dordrecht, 1997
).34.
Y.
Takahashi
et al, International Electron Devices Meeting, Technical Digest
(IEEE
, Piscataway, NJ, 1994
), p. 938
.35.
36.
Y.
Takahashi
, H.
Namatsu
, K.
Kurihara
, K.
Iwadate
, M.
Nagase
, and K.
Murase
, IEEE Trans. Electron Devices
43
, 1213
(1996
).37.
E.
Leobandung
, L.
Guo
, Y.
Wang
, and S. Y.
Chou
, Appl. Phys. Lett.
67
, 938
(1995
).38.
E.
Leobandung
, L.
Guo
, and S. Y.
Chou
, Appl. Phys. Lett.
67
, 2338
(1995
).39.
H.
Ishikuro
, T.
Fujii
, T.
Saraya
, G.
Hashiguchi
, T.
Hiramoto
, and T.
Ikoma
, Appl. Phys. Lett.
68
, 3585
(1996
).40.
H.
Ishikuro
and T.
Hiramoto
, Appl. Phys. Lett.
71
, 3691
(1997
).41.
H.
Ishikuro
and T.
Hiramoto
, Appl. Phys. Lett.
74
, 1126
(1999
).42.
M.
Saitoh
, N.
Takahashi
, H.
Ishikuro
, and T.
Hiramoto
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
, 2010
(2001
).43.
D. H.
Kim
, J. D.
Lee
, and B. G.
Park
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
39
, 2329
(2000
).44.
Y.
Ono
, Y.
Takahashi
, K.
Yamazaki
, M.
Nagase
, H.
Namatsu
, K.
Kurihara
, and K.
Murase
, IEEE Trans. Electron Devices
47
, 147
(2000
).45.
K.
Shiraishi
, M.
Nagase
, S.
Horiguchi
, H.
Kageshima
, M.
Uematsu
, Y.
Takahashi
, and K.
Murase
, Physica E (Amsterdam)
7
, 337
(2000
).46.
S.
Horiguchi
, M.
Nagase
, K.
Shiraishi
, H.
Kageshima
, Y.
Takahashi
, and K.
Murase
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
40
, L29
(2001
).47.
48.
C.
Single
, R.
Augke
, F. E.
Prins
, D. A.
Wharam
, and D. P.
Kern
, Semicond. Sci. Technol.
14
, 1165
(1999
).49.
C.
Single
, F. E.
Prins
, and D. P.
Kern
, Appl. Phys. Lett.
78
, 1421
(2001
).50.
R.
Saito
, M.
Fujita
, G.
Dresselhaus
, and M. S.
Dresselhaus
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2204
(1992
).51.
A. B.
Zorin
, F.-J.
Ahlers
, J.
Niemeyer
, T.
Weimann
, H.
Wolf
, V. A.
Krupenin
, and S. V.
Lotkhov
, Phys. Rev. B
53
, 13682
(1996
).52.
W. H.
Huber
, S. B.
Martin
, and N. M.
Zimmerman
, Proceedings of the 1st International Conference on Experimental Implementation of Quantum Computation
(Rinton
, Princeton, 2001
), p. 176
.53.
N. M.
Zimmerman
, W. H.
Huber
, A.
Fujiwara
, and Y.
Takahashi
, Appl. Phys. Lett.
79
, 3188
(2001
).54.
Y.
Takahashi
, Y.
Ono
, A.
Fujiwara
, K.
Shiraishi
, M.
Nagase
, S.
Horiguchi
, and K.
Murase
, Proceedings of the 1st International Conference on Experimental Implementation of Quantum Computation (Rinton, Princeton, 2001
) p. 183
.55.
A.
Fujiwara
, M.
Nagase
, S.
Horiguchi
, and Y.
Takahashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
, 2429
(2003
).56.
D. J.
Thouless
, Phys. Rev. B
27
, 6083
(1983
).57.
Q.
Niu
, Phys. Rev. Lett.
64
, 1812
(1990
).58.
P.
Delsing
, K. K.
Likharev
, L. S.
Kuzmin
, and T.
Claeson
, Phys. Rev. Lett.
63
, 1861
(1989
).59.
L. J.
Geerligs
, V. F.
Anderegg
, P. A. M.
Holweg
, and J. E.
Mooij
, Phys. Rev. Lett.
64
, 2691
(1990
).60.
H.
Pothier
, P.
Lafarge
, P. F.
Orfila
, C.
Urbina
, D.
Esteve
, and M. H.
Devoret
, Physica B
169
, 573
(1991
).61.
H.
Pothier
, P.
Lafarge
, C.
Urbina
, D.
Esteve
, and M. H.
Devoret
, Europhys. Lett.
17
, 249
(1992
).62.
C.
Urbina
et al, IEEE Trans. Magn.
27
, 2578
(1991
).63.
J. M.
Martinis
, M.
Nahum
, and H. D.
Jensen
, Phys. Rev. Lett.
72
, 904
(1994
).64.
M. W.
Keller
, J. M.
Martinis
, N. M.
Zimmerman
, and A. H.
Steinbach
, Appl. Phys. Lett.
69
, 1804
(1996
).65.
M. W.
Keller
, J. M.
Martinis
, A. H.
Steinbach
, and N. M.
Zimmerman
, IEEE Trans. Instrum. Meas.
46
, 307
(1997
).66.
M. W.
Keller
, J. M.
Martinis
, and R. L.
Kautz
, Phys. Rev. Lett.
80
, 4530
(1998
).67.
R. L.
Kautz
, M. W.
Keller
, and J. M.
Martinis
, Phys. Rev. B
60
, 8199
(1999
).68.
R. L.
Kautz
, M. W.
Keller
, and J. M.
Martinis
, Phys. Rev. B
62
, 15888
(2000
).69.
M.
Covington
, M. W.
Keller
, R. L.
Kautz
, and J. M.
Martinis
, Phys. Rev. Lett.
84
, 5192
(2000
).70.
A. B.
Zorin
, S. V.
Lotkhov
, H.
Zangerle
, and J.
Niemeyer
, Appl. Phys. Lett.
88
, 2665
(2000
).71.
S. V.
Lotkhov
, S. A.
Bogoslovsky
, A. B.
Zorin
, and J.
Niemeyer
, Appl. Phys. Lett.
78
, 946
(2001
).72.
X.
Jehl
, M. W.
Keller
, R. L.
Kautz
, J.
Aumentado
, and J. M.
Martinis
, Phys. Rev. B
67
, 165331
(2003
).73.
H. D.
Jensen
and J. M.
Martinis
, Phys. Rev. B
46
, 13407
(1992
).74.
H.
Pothier
, P.
Lafarge
, D.
Esteve
, C.
Urbina
, and M.
Devoret
, IEEE Trans. Magn.
42
, 324
(1993
).75.
D. V.
Averin
, A. A.
Odintsov
, and S. V.
Vyshenskii
, J. Appl. Phys.
73
, 1297
(1993
).76.
J. M.
Martinis
and M.
Nahum
, Phys. Rev. B
48
, 18316
(1993
).77.
Q.
Niu
, C.
Liu
, H. L.
Edwards
, A. L.
de Lozanne
, and W. P.
Kirk
, IEEE Trans. Instrum. Meas.
44
, 564
(1995
).78.
R. W.
Rendell
, Phys. Rev. B
52
, 4684
(1995
).79.
C.
Liu
and Q.
Niu
, Phys. Rep.
286
, 349
(1997
).80.
L. R. C.
Fonseca
, A. N.
Korotkov
, and K. K.
Likharev
, J. Appl. Phys.
79
, 9155
(1996
).81.
L. R. C.
Fonseca
, A. N.
Korotkov
, and K. K.
Likharev
, Appl. Phys. Lett.
69
, 1858
(1996
).82.
A. B.
Zorin
, S. V.
Lotkhov
, H.
Zangerle
, and J.
Niemeyer
, J. Appl. Phys.
88
, 2665
(2000
).83.
A.
Iwasa
, A.
Fukushima
, and A.
Sato
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
, 6645
(2001
).84.
V.
Bubanja
, J. Phys. Soc. Jpn.
71
, 1501
(2002
).85.
D. V.
Averin
and A. A.
Odintsov
, Phys. Lett. A
140
, 251
(1989
).86.
D. V.
Averin
and Yu. V.
Nazarov
, Phys. Rev. Lett.
65
, 2446
(1990
).87.
M. W.
Keller
, A. L.
Eichenberger
, J. M.
Martinis
, and N. M.
Zimmerman
, Science
285
, 1706
(1999
).88.
D.
Esteve
, in Single Charge Tunneling
, edited by H.
Grabert
and M. H.
Devoret
(Plenum
, New York, 1992
), Chap. 3.89.
L. P.
Kouwenhoven
, A. T.
Johnson
, N. C.
van der Vaart
, C. J. P. M.
Harmans
, and C. T.
Foxon
, Phys. Rev. Lett.
67
, 1626
(1991
).90.
A. A.
Odintsov
, Appl. Phys. Lett.
58
, 2695
(1991
).91.
Y.
Nagamune
, H.
Sakaki
, L. P.
Kouwenhoven
, L. C.
Mur
, C. J. P. M.
Harmans
, J.
Motohisa
, and H.
Noge
, Appl. Phys. Lett.
64
, 2379
(1994
).92.
Y.
Ono
and Y.
Takahashi
, Appl. Phys. Lett.
82
, 1221
(2003
).93.
Y.
Ono
, N. M.
Zimmerman
, K.
Yamazaki
, and Y.
Takahashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
, L1109
(2003
).94.
Y.
Takahashi
, A.
Fujiwara
, K.
Yamazaki
, H.
Namatsu
, K.
Kurihara
, and K.
Murase
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 2457
(1999
).95.
A.
Fujiwara
, N. M.
Zimmerman
, Y.
Ono
, and Y.
Takahashi
, Appl. Phys. Lett.
84
, 1323
(2004
).96.
N. M.
Zimmerman
, E.
Hourdakis
, Y.
Ono
, A.
Fujiwara
, and Y.
Takahashi
, J. Appl. Phys.
96
, 5254
(2004
).97.
J. M.
Shilton
, V. I.
Talyanskii
, M.
Pepper
, D. A.
Ritchie
, J. E. F.
Frost
, C. J. B.
Foad
, C. G.
Smith
, and G. A. C.
Jones
, J. Phys.: Condens. Matter
8
, L531
(1996
).98.
V. I.
Talyanskii
, J. M.
Shilton
, M.
Pepper
, C. G.
Smith
, C. J. B.
Ford
, E. H.
Linfield
, D. A.
Ritchie
, and G. A. C.
Jones
, Phys. Rev. B
56
, 15180
(1997
).99.
V. I.
Talyanskii
et al, Physica B
251
, 140
(1998
).100.
J.
Cunningham
, V. I.
Talyanskii
, J. M.
Shilton
, M.
Pepper
, M. Y.
Simmons
, and D. A.
Ritchie
, Phys. Rev. B
60
, 4850
(1999
).101.
J.
Cunningham
, V. I.
Talyanski
, J. M.
Shilton
, M.
Pepper
, A.
Kristensen
, and P. E.
Lindelof
, Physica B
280
, 493
(2000
).102.
J.
Cunningham
, V. I.
Talyanskii
, J. M.
Shilton
, M.
Pepper
, A.
Kristensen
, and P. E.
Lindelof
, J. Low Temp. Phys.
118
, 555
(2000
).103.
J.
Cunningham
, V. I.
Talyanskii
, J. M.
Shilton
, M.
Pepper
, A.
Kristensen
, and P. E.
Lindelof
, Phys. Rev. B
62
, 1564
(2000
).104.
105.
J.
Ebbecke
, G.
Bastian
, M.
Blöcker
, K.
Pierz
, and F. J.
Ahlers
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2601
(2000
).106.
A. M.
Robinson
, V. I.
Talyanskii
, M.
Pepper
, J. E.
Cunningham
, E. H.
Linfield
, and D. A.
Ritchie
, Phys. Rev. B
65
, 045313
(2002
).107.
A.
Fujiwara
and Y.
Takahashi
, Nature (London)
410
, 560
(2001
).108.
A.
Fujiwara
, Y.
Takahashi
, K.
Murase
, and M.
Tabe
, Appl. Phys. Lett.
67
, 2957
(1995
).109.
K.
Nishiguchi
, H.
Inokawa
, Y.
Ono
, A.
Fujiwara
, and Y.
Takahashi
, Electron. Lett.
40
, 229
(2004
).110.
K.
Nishiguchi
, H.
Inokawa
, Y.
Ono
, A.
Fujiwara
, and Y.
Takahashi
, Appl. Phys. Lett.
85
, 1277
(2004
).111.
K.
Yano
, T.
Ishii
, T.
Hashimoto
, T.
Kobayashi
, F.
Murai
, and K.
Seki
, International Electron Devices Meeting, Technical Digest
(IEEE
, Piscataway, NJ, 1993
), p. 541
.112.
K.
Yano
, T.
Ishii
, T.
Hashimoto
, T.
Kobayashi
, F.
Murai
, and K.
Seki
, IEEE Trans. Electron Devices
41
, 1628
(1994
).113.
L.
Guo
, E.
Leobandung
, and S. Y.
Chou
, Science
275
, 649
(1997
).114.
A.
Fujiwara
, Y.
Takahashi
, and K.
Murase
, Phys. Rev. Lett.
78
, 1532
(1997
).115.
A.
Fujiwara
and Y.
Takahashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
41
, 1209
(2002
).116.
A.
Fujiwara
, K.
Yamazaki
, and Y.
Takahashi
, Appl. Phys. Lett.
80
, 4567
(2002
).117.
L. S.
Kuzmin
, P.
Delsing
, T.
Claeson
, andK. K.
Likharev
, Phys. Rev. Lett.
62
, 2539
(1989
).118.
L. J.
Geerligs
, V. F.
Anderegg
, and J. E.
Mooij
, Physica B
165/166
, 973
(1990
).119.
G.
Zimmerli
, T. M.
Elies
, R. L.
Kautz
, and J. M.
Martinis
, Appl. Phys. Lett.
61
, 237
(1992
).120.
E. H.
Visscher
, S. M.
Verbrugh
, J.
Lindeman
, P.
Hadley
, and J. E.
Mooij
, Appl. Phys. Lett.
66
, 305
(1995
).121.
R. J.
Schoelkopf
, P.
Wahlgren
, A. A.
Kozhevnikov
, P.
Delsing
, and D. E.
Prober
, Science
280
, 1238
(1998
).122.
A.
Aassime
, D.
Gunnarsson
, K.
Bladh
, P.
Delsing
, and R.
Schoelkopf
, Appl. Phys. Lett.
79
, 4031
(2001
).123.
L.
Roschier
, P.
Hakonen
, K.
Bladh
, P.
Delsing
, K. W.
Lehnert
, L.
Spietz
, and R. J.
Schoelkopf
, J. Appl. Phys.
95
, 1274
(2004
).124.
A. N.
Korotkov
, Phys. Rev. B
49
, 10381
(1994
).125.
D. J.
Mar
, R. M.
Westervelt
, and P. F.
Hopkins
, Appl. Phys. Lett.
64
, 631
(1994
).126.
J. R.
Tucker
, J. Appl. Phys.
72
, 4399
(1992
).127.
M. I.
Lutwyche
and Y.
Wada
, J. Appl. Phys.
75
, 3654
(1994
).128.
H.
Fukui
, M.
Fujishima
, and K.
Hoh
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
34
, 1345
(1995
).129.
A. N.
Korotkov
, R. H.
Chen
, and K. K.
Likharev
, J. Appl. Phys.
78
, 2520
(1995
).130.
R. H.
Chen
, A. N.
Korotkov
, and K. K.
Likharev
, Appl. Phys. Lett.
68
, 1954
(1996
).131.
S.
Amakawa
, H.
Fukui
, M.
Fujishima
, and K.
Hoh
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
, 1146
(1996
).132.
M.
Fujishima
, H.
Fukui
, S.
Amakawa
, and K.
Hoh
, IEICE Trans. Electron.
E80-C
, 881
(1997
).133.
M. Y.
Jeong
, Y. H.
Jeong
, S. W.
Hwang
, and D. M.
Kim
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
36
, 6706
(1997
).134.
135.
S.
Amakawa
, H.
Majima
, H.
Fukui
, M.
Fujishima
, and K.
Hoh
, IEICE Trans. Electron.
E8-C
, 21
(1998
).136.
M.
Kirihara
, K.
Nakazato
, and M.
Wagner
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 2028
(1999
).137.
M.
Akazawa
, K.
Kanaami
, T.
Yamada
, and Y.
Amemiya
, IEICE Trans. Electron.
E82-C
, 1607
(1999
).138.
K.
Uchida
, K.
Matsuzawa
, and A.
Toriumi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 4027
(1999
).139.
S.
Shimano
, K.
Masu
, and K.
Tsubouchi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 403
(1999
).140.
K.
Uchida
, K.
Matsuzawa
, J.
Koga
, R.
Ohba
, S.
Takagi
, and A.
Toriumi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
39
, 2321
(2000
).141.
K.
Uchida
, J.
Koga
, R.
Ohba
, and A.
Toriumi
, IEICE Trans. Electron.
E84-C
, 1066
(2001
).142.
M. Y.
Jeong
, B. H.
Lee
, and Y. H.
Jeong
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
, 2054
(2001
).143.
K. T.
Liu
, A.
Fujiwara
, Y.
Takahashi
, K.
Murase
, and Y.
Horikoshi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
41
, 458
(2002
).144.
Y.
Ono
, H.
Inokawa
, and Y.
Takahashi
, IEEE Trans. Nanotechnol.
1
, 93
(2002
).145.
H.
Inokawa
and Y.
Takahashi
, IEEE Trans. Electron Devices
50
, 455
(2003
).146.
H.
Inokawa
, A.
Fujiwara
, and Y.
Takahashi
, IEEE Trans. Electron Devices
50
, 462
(2003
).147.
N. J.
Stone
and H.
Ahmed
, Electron. Lett.
35
, 1883
(1999
).148.
A.
Fujiwara
, Y.
Takahashi
, K.
Yamazaki
, H.
Namatsu
, M.
Nagase
, K.
Kurihara
, and K.
Murase
, IEEE Trans. Electron Devices
46
, 954
(1999
).149.
N.
Takahashi
, H.
Ishikuro
, and T.
Hiramoto
, International Electron Devices Meeting, Technical Digest
(IEEE
, Piscataway, NJ, 1999
), p. 371
.150.
Y.
Takahashi
, A.
Fujiwara
, K.
Yamazaki
, H.
Namatsu
, K.
Kurihara
, and K.
Murase
, Appl. Phys. Lett.
76
, 637
(2000
).151.
Y.
Ono
, Y.
Takahashi
, K.
Yamazaki
, M.
Nagase
, H.
Namatsu
, K.
Kurihara
, and K.
Murase
, Appl. Phys. Lett.
76
, 3121
(2000
).152.
Y.
Ono
and Y.
Takahashi
, International Electron Devices Meeting, Technical Digest
(IEEE
, Piscataway, NJ, 2000
), p. 297
.153.
K.
Uchida
, J.
Koga
, R.
Ohba
, and A.
Toriumi
, International Electron Devices Meeting, Technical Digest
(IEEE
, Piscataway, NJ, 2000
), p. 863
.154.
K.
Nishiguchi
and S.
Oda
, Appl. Phys. Lett.
78
, 2070
(2001
).155.
Y.
Ono
and Y.
Takahashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
41
, 2569
(2002
).156.
D. H.
Kim
, S. K.
Sung
, K. R.
Kim
, J. D.
Lee
, B. G.
Park
, B. H.
Choi
, S. W.
Hwang
, and D.
Ahn
, IEEE Trans. Electron Devices
49
, 627
(2002
).157.
H.
Inokawa
, A.
Fujiwara
, and Y.
Takahashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
41
, 2566
(2002
).158.
H.
Inokawa
and Y.
Takahashi
, Proceedings of the 33rd International Symposium on Multiple-Valued Logic
(IEEE
, Los Alamitos, CA, 2003
), p. 259
.159.
K. K.
Likharev
and V. K.
Semenov
, Extended Abstracts of International Superconductivity Electronic Conference
, Tokyo, Japan, 1987
(unpublished), p. 128
.160.
P.
Bakshi
, D. A.
Broido
, and K.
Kempa
, J. Appl. Phys.
70
, 5150
(1991
).161.
K.
Nakazato
and J. D.
White
, International Electron Devices Meeting, Technical Digest
(IEEE
, Piscataway, NJ, 1992
), p. 487
.162.
A. N.
Korotkov
, Appl. Phys. Lett.
67
, 2412
(1995
).163.
R. C.
Merkle
and K. E.
Drexler
, Nanotechnology
7
, 325
(1996
).164.
A. N.
Korotkov
and K. K.
Likharev
, J. Appl. Phys.
84
, 6114
(1998
).165.
N.
Asahi
, M.
Akazawa
, and Y.
Amemiya
, IEEE Trans. Electron Devices
44
, 1109
(1997
).166.
167.
M. G.
Ancona
, J. Appl. Phys.
79
, 526
(1996
).168.
M. G.
Ancona
, J. Appl. Phys.
81
, 3311
(1997
).169.
K.
Yamamura
and Y.
Suda
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 2462
(1999
).170.
N.
Yoshikawa
, C.
Fukuzato
, and M.
Sugahara
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 433
(1999
).171.
M.
Akazawa
and Y.
Amemiya
, Appl. Phys. Lett.
70
, 670
(1997
).172.
C. S.
Lent
, P. D.
Tougaw
, and W.
Porod
, Appl. Phys. Lett.
62
, 714
(1993
).173.
C. S.
Lent
, P. D.
Tougaw
, W.
Porod
, and G. H.
Bernstein
, Nanotechnology
4
, 49
(1993
).174.
P. D.
Tougaw
and C. S.
Lent
, J. Appl. Phys.
75
, 1818
(1994
).175.
C. S.
Lent
and P. D.
Tougaw
, J. Appl. Phys.
75
, 4077
(1994
).176.
C. S.
Lent
and P. D.
Tougaw
, Proc. IEEE
85
, 541
(1997
).177.
G.
Tóth
and C. S.
Lent
, J. Appl. Phys.
85
, 2977
(1999
).178.
R.
Kummamuru
, J.
Timler
, G.
Tóth
, C. S.
Lent
, R.
Ramasubramaniam
, A. O.
Orlov
, G. H.
Bernstein
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1332
(2002
).179.
J.
Timler
and C. S.
Lent
, J. Appl. Phys.
91
, 823
(2002
).180.
J.
Timler
and C. S.
Lent
, J. Appl. Phys.
94
, 1050
(2003
).181.
K. K.
Likharev
, Nano and Giga Challenges in Microelectronics
(Elsevier Science
, New York, 2003
).182.
S. B.
Akers
, IEEE Trans. Comput.
C-27
, 509
(1978
).183.
I.
Amlani
, A. O.
Orlov
, G. L.
Snider
, C. S.
Lent
, and G. H.
Bernstein
, Appl. Phys. Lett.
71
, 1730
(1997
).184.
I.
Amlani
, A. O.
Orlov
, G. L.
Snider
, C. S.
Lent
, and G. H.
Bernstein
, Appl. Phys. Lett.
72
, 2179
(1998
).185.
I.
Amlani
, A. O.
Orlov
, G.
Tóth
, G. H.
Bernstein
, C. S.
Lent
, and G. L.
Snider
, Science
284
, 289
(1999
).186.
I.
Amlani
, A. O.
Orlov
, R. K.
Kummamuru
, G. H.
Bernstein
, C. S.
Lent
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
77
, 738
(2000
).187.
A. O.
Orlov
, I.
Amlani
, G. H.
Bernstein
, C. S.
Lent
, and G. L.
Snider
, Science
277
, 928
(1997
).188.
A. O.
Orlov
, I.
Amlani
, G.
Tóth
, C. S.
Lent
, G. H.
Bernstein
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
73
, 2787
(1998
).189.
A. O.
Orlov
, I.
Amlani
, G.
Tóth
, C. S.
Lent
, G. H.
Bernstein
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
74
, 2875
(1999
).190.
A. O.
Orlov
, I.
Amlani
, R.
Kummamuru
, R.
Ramasubramaniam
, G.
Tóth
, C. S.
Lent
, G. H.
Bernstein
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
77
, 295
(2000
).191.
A. O.
Orlov
, R.
Kummamuru
, R.
Ramasubramaniam
, G.
Tóth
, C. S.
Lent
, G. H.
Bernstein
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
78
, 1625
(2001
).192.
C. S.
Lent
, Science
288
, 1597
(2000
).193.
F.
Jülicher
, A.
Ajdari
, and J.
Prost
, Rev. Mod. Phys.
69
, 1269
(1997
).© 2005 American Institute of Physics.
2005
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
