Atomic layer deposition (ALD), a chemical vapor deposition technique based on sequential self-terminating gas–solid reactions, has for about four decades been applied for manufacturing conformal inorganic material layers with thickness down to the nanometer range. Despite the numerous successful applications of material growth by ALD, many physicochemical processes that control ALD growth are not yet sufficiently understood. To increase understanding of ALD processes, overviews are needed not only of the existing ALD processes and their applications, but also of the knowledge of the surface chemistry of specific ALD processes. This work aims to start the overviews on specific ALD processes by reviewing the experimental information available on the surface chemistry of the trimethylaluminum/water process. This process is generally known as a rather ideal ALD process, and plenty of information is available on its surface chemistry. This in-depth summary of the surface chemistry of one representative ALD process aims also to provide a view on the current status of understanding the surface chemistry of ALD, in general. The review starts by describing the basic characteristics of ALD, discussing the history of ALD—including the question who made the first ALD experiments—and giving an overview of the two-reactant ALD processes investigated to date. Second, the basic concepts related to the surface chemistry of ALD are described from a generic viewpoint applicable to all ALD processes based on compound reactants. This description includes physicochemical requirements for self-terminating reactions, reaction kinetics, typical chemisorption mechanisms, factors causing saturation, reasons for growth of less than a monolayer per cycle, effect of the temperature and number of cycles on the growth per cycle (GPC), and the growth mode. A comparison is made of three models available for estimating the sterically allowed value of GPC in ALD. Third, the experimental information on the surface chemistry in the trimethylaluminum/water ALD process are reviewed using the concepts developed in the second part of this review. The results are reviewed critically, with an aim to combine the information obtained in different types of investigations, such as growth experiments on flat substrates and reaction chemistry investigation on high-surface-area materials. Although the surface chemistry of the trimethylaluminum/water ALD process is rather well understood, systematic investigations of the reaction kinetics and the growth mode on different substrates are still missing. The last part of the review is devoted to discussing issues which may hamper surface chemistry investigations of ALD, such as problematic historical assumptions, nonstandard terminology, and the effect of experimental conditions on the surface chemistry of ALD. I hope that this review can help the newcomer get acquainted with the exciting and challenging field of surface chemistry of ALD and can serve as a useful guide for the specialist towards the fifth decade of ALD research.

1.
A. M.
Shevjakov
,
G. N.
Kuznetsova
, and
V. B.
Aleskovskii
, in
Chemistry of High-Temperature Materials
,
Proceedings of the Second USSR Conference on High-Temperature Chemistry of Oxides
,
Leningrad
, USSR, 26–29 November 1965 (
Nauka
, Leningrad, USSR,
1967
), pp.
149
155
, in Russian.
2.
T.
Suntola
and
J.
Antson
, U.S. Patent No. 4,058,430 (15 November
1977
).
3.
M.
Ritala
and
M.
Leskelä
, in
Handbook of Thin Film Materials
, edited by
H. S.
Nalwa
(
Academic
, San Diego,
2002
), Vol.
1
, pp.
103
159
.
4.

Key words used: atomic layer chemical vapor deposition, atomic layer deposition, atomic layer epitaxy, molecular lamination, molecular layer epitaxy, molecular layering, molecular stratification.

5.
International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs.net/
6.
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
47
,
2145
(
1974
);
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
47
,
2207
(
1974
)].
7.
T.
Suntola
and
J.
Hyvärinen
,
Annu. Rev. Mater. Sci.
15
,
177
(
1985
).
8.
C. H. L.
Goodman
and
M. V.
Pessa
,
J. Appl. Phys.
60
,
R65
(
1986
).
9.
S. M.
Bedair
 et al,
J. Cryst. Growth
93
,
182
(
1988
).
10.
S. P.
DenBaars
and
P. D.
Dapkus
,
J. Cryst. Growth
98
,
195
(
1989
).
11.
T.
Suntola
,
Mater. Sci. Rep.
4
,
261
(
1989
).
12.
T.
Suntola
, Acta Polytech. Scand., Electr. Eng. Ser.
64
,
242
(
1989
).
13.
H.
Sitter
and
W.
Faschinger
, Advances in Solid State Physics (Festkörper probleme)
30
,
219
(
1990
).
14.
T.
Pakkanen
, in
Atomic Layer Epitaxy
, edited by
T.
Suntola
and
M.
Simpson
(
Blackie and Son
, London,
1990
), pp.
40
62
.
15.
M.
Leskelä
and
L.
Niinistö
, in
Atomic Layer Epitaxy
, edited by
T.
Suntola
and
M.
Simpson
(
Blackie and Son
, London,
1990
), pp.
1
39
.
16.
N. J.
Mason
, in
Atomic Layer Epitaxy
, edited by
T.
Suntola
and
M.
Simpson
(
Blackie and Son
, London,
1990
), pp.
63
109
.
17.
M. A.
Tischler
and
S. M.
Bedair
, in
Atomic Layer Epitaxy
, edited by
T.
Suntola
and
M.
Simpson
(
Blackie and Son
, London,
1990
), pp.
110
154
.
18.
T.
Yao
, in
Atomic Layer Epitaxy
, edited by
T.
Suntola
and
M.
Simpson
(
Blackie and Son
, London,
1990
), pp.
155
180
.
19.
M.
Leskelä
, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser.
195
,
67
(
1990
).
20.
V. B.
Aleskovskii
and
V. E.
Drozd
, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser.
195
,
155
(
1990
).
21.
H.
Watanabe
,
T.
Mizutani
, and
A.
Usui
,
Very High Speed Integrated Circuits: Heterostructure
,
Semiconductors and Semimetals
, Vol.
30
, edited by
T.
Ikoma
(
Academic
, San Diego,
1990
), pp.
1
52
.
22.
S. M.
Bedair
, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser.
195
,
17
(
1990
).
23.
M. A.
Herman
,
Vacuum
42
,
61
(
1991
).
24.
B. W.
Gregory
and
J. L.
Stickney
,
J. Electroanal. Chem. Interfacial Electrochem.
300
,
543
(
1991
).
25.
A.
Usui
and
H.
Watanabe
,
Annu. Rev. Mater. Sci.
21
,
185
(
1991
).
26.
M.
Ozeki
,
Mater. Sci. Rep.
8
,
97
(
1992
).
27.
A.
Usui
,
Proc. IEEE
80
,
1641
(
1992
).
28.
T.
Suntola
,
Thin Solid Films
216
,
84
(
1992
).
29.
T.
Suntola
,
Thin Solid Films
225
,
96
(
1993
).
30.
L.
Niinistö
and
M.
Leskelä
,
Thin Solid Films
225
,
130
(
1993
).
31.
T.
Suntola
, in
Handbook of Crystal Growth
, edited by
D. T. J.
Hurle
(
Elsevier
, Amsterdam,
1994
), Vol.
3
, pp.
601
663
.
32.
S. M.
Bedair
,
J. Vac. Sci. Technol. B
12
,
179
(
1994
).
33.
S. M.
Bedair
and
N. A.
El-Masry
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
7
(
1994
).
34.
J. M.
Heitzinger
,
J. M.
White
, and
J. G.
Ekerdt
,
Surf. Sci.
299
,
892
(
1994
).
35.
E.-L.
Lakomaa
,
Appl. Surf. Sci.
75
,
185
(
1994
).
36.
T.
Suntola
, in
Handbook of Thin Film Process Technology
, edited by
D. A.
Glocker
and
S. I.
Shah
(
IOP
, Bristol, United Kingdom,
1995
), Vol.
1
, pp.
B1
5
1
B1
5
17
.
37.
M. A.
Herman
,
Thin Solid Films
267
,
1
(
1995
).
38.
M.
Leskelä
and
M.
Ritala
,
J. Phys. IV
5
,
C5
937
(
1995
).
39.
L.
Niinistö
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Mater. Sci. Eng., B
41
,
23
(
1996
).
40.
S. M.
George
,
A. W.
Ott
, and
J. W.
Klaus
,
J. Phys. Chem.
100
,
13121
(
1996
).
41.
T.
Suntola
,
Appl. Surf. Sci.
100/101
,
391
(
1996
).
42.
A. A.
Malygin
,
A. A.
Malkov
, and
S. D.
Dubrovenskii
,
Stud. Surf. Sci. Catal.
99
,
213
(
1996
).
43.
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
69
,
1585
(
1996
)
A. A.
Malygin
,[
Russ. J. Appl. Chem.
69
,
1419
(
1996
)].
44.
M. A.
Herman
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
1
(
1997
).
45.
M.
Ritala
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
223
(
1997
).
46.
S.
Haukka
and
T.
Suntola
,
Interface Sci.
75
,
119
(
1997
).
47.
L.
Niinistö
,
Curr. Opin. Solid State Mater. Sci.
3
,
147
(
1998
).
48.
A. A.
Malygin
,
Compos. Interfaces
5
,
561
(
1998
).
49.
L.
Niinistö
,
J. Therm Anal. Calorim.
56
,
7
(
1999
).
50.
S.
Haukka
,
E.-L.
Lakomaa
, and
T.
Suntola
,
Stud. Surf. Sci. Catal.
120A
,
715
(
1999
).
51.
M.
Leskelä
and
M.
Ritala
,
J. Phys. IV
9
,
Pr8
837
(
1999
).
52.
M.
Ritala
and
M.
Leskelä
,
Nanotechnology
10
,
19
(
1999
).
53.
J. L.
Stickney
,
Electroanal. Chem.
21
,
75
(
1999
).
54.
K.
Ikeda
,
J.
Yanase
,
S.
Sugahara
, and
M.
Matsumura
,
J. Korean Phys. Soc.
39
,
S447
(
2001
).
55.
M.
Leskelä
and
M.
Ritala
,
Thin Solid Films
409
,
138
(
2002
).
56.
A. A.
Malygin
,
Zh. Obshch. Khim.
72
,
617
(
2002
)
A. A.
Malygin
,[Russ. J. Gen. Chem.
72
,
575
(
2002
)].
57.
A. C.
Jones
and
P. R.
Chalker
,
J. Phys. D
36
,
R80
(
2003
).
58.
M.
Leskelä
and
M.
Ritala
,
J. Solid State Chem.
171
,
170
(
2003
).
59.
M.
Leskelä
and
M.
Ritala
,
Angew. Chem., Int. Ed.
42
,
5548
(
2003
).
60.
T.
Seidel
,
A.
Londergan
,
J.
Winkler
,
X.
Liu
, and
S.
Ramanathan
,
Solid State Technol.
46
,
67
(
2003
).
61.
A.
Hand
,
Semicond. Int.
26
,
46
(
2003
).
62.
R. M. C.
de Almeida
and
I. J. R.
Baumvol
,
Surf. Sci. Rep.
49
,
1
(
2003
).
63.
H.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. B
21
,
2231
(
2003
).
64.
M.
Ritala
, in High-κ Gate Dielectrics, edited by
M.
Houssa
(
IOP
, London,
2004
), pp.
17
64
.
65.
L.
Niinistö
,
J.
Päiväsaari
,
J.
Niinistö
,
M.
Putkonen
, and
M.
Nieminen
,
Phys. Status Solidi A
201
,
1443
(
2004
).
66.
A. C.
Jones
,
H. C.
Aspinall
,
P. R.
Chalker
,
R. J.
Potter
,
K.
Kukli
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Mater. Chem.
14
,
3101
(
2004
).
67.

Different experimental conditons have been hypothesized to lead to different reactions in ALD processes based on the same reactants (see, e.g., Refs. 3, 211, and 217).

68.

No universally accepted definition of ALD is currently available. The definition used in this work is built on the recognized practice of ALD and covers most of ALD processes with compounds as well as elements as reactants. Also other distinctively different definitions have been suggested, for example, that the GPC should be a monolayer or the GPC should be constant over the cycles. Most ALD processes do not fulfill these criteria, however.

69.

In addition to “self-terminating” used to refer to ALD reactions in this work, ALD reactions have been referred to being saturating, self-limiting, self-extinguishing, etc.

70.
In this review, ALD is defined to be based on gas–solid reactions. Analogous experiments have been made from liquid phase [e.g.,
S.
Lindroos
,
T.
Kanniainen
, and
M.
Leskelä
,
Appl. Surf. Sci.
75
,
70
(
1994
)]
and electrochemically [e.g.,
J. L.
Stickney
, Electroanal. Chem.
21
,
75
(
1999
)] as well. Although in some publications such experiments may be classified as ALD, in this work they are excluded from the definition.
71.

Instead of the reactant of Reactant B, Step 3 may be, for example, a thermal treatment (see Table III).

72.

The term “half reaction” in ALD should not be confused with the conceptual half reactions in electrochemistry. In ALD, the half reactions are real reactions.

73.
Some ALD processes consist of repeating the self-terminating reactions of more than two reactants, for example, the WF6BEt3NH3(Et=ethyl) process to grow WCxNy [e.g.,
A.
Martin Hoyas
,
J.
Schuhmacher
,
D.
Shamiryan
,
J.
Waeterloos
,
W.
Besling
,
J. P.
Celis
, and
K.
Maex
,
J. Appl. Phys.
95
,
381
(
2004
)]. Each new reactant adds a reaction step and a purge/evacuation step to the reaction cycle.
74.
T.
Suntola
,
AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition ALD 2004
, Helsinki, Finland, 16–18 August
2004
(presentations published on CD, AVS, 2004).
75.
T.
Suntola
and
J.
Antson
, Finland Patent No. 52,359 (10 September
1977
).
76.
T. S.
Suntola
,
A. J.
Pakkala
, and
S. G.
Lindfors
, U.S. Patent No. 4,389,973 (28 June
1983
).
77.
T. S.
Suntola
,
A. J.
Pakkala
, and
S. G.
Lindfors
, U.S. Patent No. 4,413,022 (1 November
1983
).
78.
G. V.
Sveshnikova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
43
,
1150
(
1970
)
G. V.
Sveshnikova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
43
,
1155
(
1970
)].
79.
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
42
,
1023
(
1969
)
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
42
,
975
(
1969
)].
80.
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
43
,
1956
(
1970
)
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
43
,
1976
(
1970
)].
81.
G. V.
Sveshnikova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
43
,
430
(
1970
)
G. V.
Sveshnikova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
43
,
432
(
1970
)].
82.
S. I.
Kol’tsov
,
V. B.
Aleskovskii
,
A. N.
Volkova
, and
V. M.
Smirnov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
47
,
1254
(
1974
)
S. I.
Kol’tsov
,
V. B.
Aleskovskii
,
A. N.
Volkova
, and
V. M.
Smirnov
,[
J. Appl. Chem. USSR
47
,
1292
(
1974
)].
83.
S. I.
Kol’tsov
,
V. B.
Kopylov
,
V. M.
Smirnov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
49
,
516
(
1976
)
S. I.
Kol’tsov
,
V. B.
Kopylov
,
V. M.
Smirnov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
49
,
525
(
1976
)].
84.
A. P.
Nechiporenko
,
T. M.
Sukhareva
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
51
,
2447
(
1978
)
A. P.
Nechiporenko
,
T. M.
Sukhareva
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
51
,
2333
(
1978
)].
85.
S. I.
Kol’tsov
,
T. V.
Tuz
, and
A. N.
Volkova
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
52
,
2196
(
1979
)
S. I.
Kol’tsov
,
T. V.
Tuz
, and
A. N.
Volkova
,[
J. Appl. Chem. USSR
52
,
2074
(
1979
)].
86.
N. A.
Stepanova
,
V. D.
Kupriyanov
, and
A. A.
Malygin
,
Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater.
23
,
377
(
1987
)
N. A.
Stepanova
,
V. D.
Kupriyanov
, and
A. A.
Malygin
,[
Inorg. Mater.
23
,
331
(
1987
)].
87.
Even the American Vacuum Society topical conference on atomic layer deposition, ALD 2004 (Helsinki, Finland, 16–18 August
2004
), was organized “celebrating 30years of ALD.” ALD was then defined to have started from filing the first Finnish ALE patent (Ref. 75) in 1974, disregarding the work made in the Soviet Union already in the 1960s.
88.
V. V.
Brei
,
V. A.
Kasperskii
, and
N. E.
Gulyanitskaya
,
React. Kinet. Catal. Lett.
50
,
415
(
1993
).
89.
V. M.
Gun’ko
,
Kinet. Katal.
34
,
463
(
1993
)
V. M.
Gun’ko
,[Kinet. Catal.
34
,
406
(
1993
)].
90.
S. I.
Kol’tsov
,
V. M.
Smirnov
,
R. R.
Rachkovskii
,
T. V.
Malalaeva
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
51
,
2596
(
1978
)
S. I.
Kol’tsov
,
V. M.
Smirnov
,
R. R.
Rachkovskii
,
T. V.
Malalaeva
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
51
,
2475
(
1978
)].
91.
Yu. K.
Ezhovskii
and
A. I.
Klusevich
,
Neorg. Mater.
39
,
1230
(
2003
)
Yu. K.
Ezhovskii
and
A. I.
Klusevich
,[
Inorg. Mater.
39
,
1062
(
2003
)].
92.
G. V.
Anikeev
,
Yu. K.
Ezhovskii
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater.
24
,
619
(
1988
)
G. V.
Anikeev
,
Yu. K.
Ezhovskii
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
Inorg. Mater.
24
,
514
(
1988
)].
93.
V. E.
Drozd
,
A. A.
Tulub
,
V. B.
Aleskovskii
, and
D. V.
Korol’kov
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
587
(
1994
).
94.
V. V.
Brei
,
V. A.
Kasperskii
, and
A. A.
Chuiko
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
69
,
378
(
1996
)
V. V.
Brei
,
V. A.
Kasperskii
, and
A. A.
Chuiko
,[
Russ. J. Appl. Chem.
69
,
335
(
1996
)].
95.
M. A.
Eremeeva
,
A. P.
Nechiporenko
,
G. N.
Kuznetsova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
47
,
2332
(
1974
)
M. A.
Eremeeva
,
A. P.
Nechiporenko
,
G. N.
Kuznetsova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
47
,
2390
(
1974
)].
96.
L. V.
Miroshnichenko
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
, Ogneupory
26
,
22
(
1985
)
L. V.
Miroshnichenko
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,[Refractories
26
,
82
(
1985
)].
97.
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
38
,
1384
(
1965
)
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
38
,
1352
(
1965
)].
98.
S. I.
Kol’tsov
,
G. N.
Kuznetsova
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
40
,
2774
(
1967
)
S. I.
Kol’tsov
,
G. N.
Kuznetsova
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
40
,
2644
(
1967
)].
99.
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Obshch. Khim.
71
,
1616
(
2001
)
S. I.
Kol’tsov
,[Russ. J. Gen. Chem.
71
,
1531
(
2001
)].
100.
S. I.
Kol’tsov
,
A. N.
Volkova
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
42
,
1028
(
1969
)
S. I.
Kol’tsov
,
A. N.
Volkova
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
42
,
980
(
1969
)].
101.
S. I.
Kol’tsov
,
A. N.
Volkova
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Fiz. Khim.
46
,
1292
(
1972
)
S. I.
Kol’tsov
,
A. N.
Volkova
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
Russ. J. Phys. Chem.
46
,
742
(
1972
)].
102.
A. N.
Volkova
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Obshch. Khim.
45
,
3
(
1975
)
A. N.
Volkova
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[J. Gen. Chem. USSR
45
,
1
(
1975
)].
103.
S. A.
Trifonov
,
V. A.
Lapikov
, and
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
75
,
986
(
2002
)
S. A.
Trifonov
,
V. A.
Lapikov
, and
A. A.
Malygin
,[
Russ. J. Appl. Chem.
75
,
969
(
2002
)].
104.
A. N.
Volkova
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Obshch. Khim.
43
,
724
(
1973
)
A. N.
Volkova
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[J. Gen. Chem. USSR
43
,
723
(
1973
)].
105.
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Obshch. Khim.
50
,
2633
(
1980
)
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[J. Gen. Chem. USSR
50
,
2121
(
1980
)].
106.
S. I.
Kol’tsov
and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
40
,
907
(
1967
)
S. I.
Kol’tsov
and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
40
,
872
(
1967
)].
107.
S. I.
Kol’tsov
and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
42
,
1210
(
1968
)
S. I.
Kol’tsov
and
V. B.
Aleskovskii
,[
Russ. J. Phys. Chem.
42
,
630
(
1968
)].
108.
V. N.
Pak
,
Yu. P.
Kostikov
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Kinet. Katal.
15
,
1358
(
1974
)
V. N.
Pak
,
Yu. P.
Kostikov
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[Kinet. Catal.
15
,
1205
(
1974
)].
109.
V. N.
Pak
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
50
,
1266
(
1976
)
V. N.
Pak
,[
Russ. J. Phys. Chem.
50
,
758
(
1976
)].
110.
V. A.
Tolmachev
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
55
,
1410
(
1982
)
V. A.
Tolmachev
,[
J. Appl. Chem. USSR
55
,
1298
(
1982
)].
111.
V. M.
Smirnov
,
A. A.
Malkov
, and
R. R.
Rachovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
65
,
2666
(
1992
)
V. M.
Smirnov
,
A. A.
Malkov
, and
R. R.
Rachovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
65
,
2213
(
1992
)].
112.
V. N.
Pak
,
I. Yu.
Tikhomirova
,
T. M.
Burkat
, and
B. I.
Lobov
,
Zh. Fiz. Khim.
73
,
2024
(
1999
)
V. N.
Pak
,
I. Yu.
Tikhomirova
,
T. M.
Burkat
, and
B. I.
Lobov
,[
Russ. J. Phys. Chem.
73
,
1824
(
1999
)].
113.
S. I.
Kol’tsov
and
G. N.
Kuznetsova
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
72
,
900
(
1999
)
S. I.
Kol’tsov
and
G. N.
Kuznetsova
,[
Russ. J. Appl. Chem.
72
,
942
(
1999
)].
114.
S. I.
Kol’tsov
,
V. E.
Drozd
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Dokl. Akad. Nauk SSSR
229
,
1145
(
1976
)
S. I.
Kol’tsov
,
V. E.
Drozd
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
Dokl. Phys. Chem.
229
,
718
(
1976
)].
115.
V. P.
Dorofeev
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
77
,
1077
(
2004
)
V. P.
Dorofeev
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
77
,
1061
(
2004
)].
116.
S. I.
Kol’tsov
,
V. E.
Drozd
,
T. A.
Redova
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Dokl. Akad. Nauk SSSR
235
,
1090
(
1977
)
S. I.
Kol’tsov
,
V. E.
Drozd
,
T. A.
Redova
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
Dokl. Phys. Chem.
235
,
794
(
1977
)].
117.
V. B.
Aleskovskii
,
V. E.
Drozd
,
V. F.
Kiselev
,
S. N.
Kozlov
,
S. I.
Kol’tsov
,
A. S.
Petrov
, and
G. S.
Plotnikov
,
Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg)
13
,
1397
(
1979
)
V. B.
Aleskovskii
,
V. E.
Drozd
,
V. F.
Kiselev
,
S. N.
Kozlov
,
S. I.
Kol’tsov
,
A. S.
Petrov
, and
G. S.
Plotnikov
,[
Sov. Phys. Semicond.
13
,
817
(
1979
)].
118.
M. N.
Tsvetkova
,
I. M.
Yur’evskaya
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
Yu. I.
Skorik
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
55
,
256
(
1982
)
M. N.
Tsvetkova
,
I. M.
Yur’evskaya
,
A. A.
Malygin
,
S. I.
Kol’tsov
, and
Yu. I.
Skorik
,[
J. Appl. Chem. USSR
55
,
229
(
1982
)].
119.
V. A.
Tolmachev
and
M. A.
Okatov
, Opt. Mekh. Promst.
50
,
38
(
1983
)
V. A.
Tolmachev
and
M. A.
Okatov
,[
Sov. J. Opt. Technol.
50
,
706
(
1983
)].
120.
V. A.
Tolmachev
,
M. A.
Okatov
, and
V. V.
Pal’chevskii
, Opt. Mekh. Promst.
51
,
57
(
1984
)
V. A.
Tolmachev
,
M. A.
Okatov
, and
V. V.
Pal’chevskii
,[
Sov. J. Opt. Technol.
51
,
368
(
1984
)].
121.
M. N.
Tsvetkova
,
V. N.
Pak
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater.
20
,
144
(
1984
)
M. N.
Tsvetkova
,
V. N.
Pak
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
Inorg. Mater.
20
,
121
(
1984
)].
122.
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
59
,
1224
(
1986
)
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,[
J. Appl. Chem. USSR
59
,
1131
(
1986
)].
123.
S. K.
Gordeev
,
E. P.
Smirnov
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Obshch. Khim.
52
,
1468
(
1982
)
S. K.
Gordeev
,
E. P.
Smirnov
, and
S. I.
Kol’tsov
,[J. Gen. Chem. USSR
52
,
1298
(
1982
)].
124.
S. K.
Gordeev
and
E. P.
Smirnov
,
Zh. Obshch. Khim.
52
,
1464
(
1982
)
S. K.
Gordeev
and
E. P.
Smirnov
,[J. Gen. Chem. USSR
52
,
1294
(
1982
)].
125.
A. B.
Zhidkov
and
E. P.
Smirnov
,
Kinet. Katal.
29
,
946
(
1988
)
A. B.
Zhidkov
and
E. P.
Smirnov
,[Kinet. Catal.
29
,
813
(
1988
)].
126.
A. L.
Egorov
,
Yu. K.
Ezhovskii
,
S. I.
Kol’tsov
, and
G. V.
Anikeev
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
57
,
2593
(
1984
)
A. L.
Egorov
,
Yu. K.
Ezhovskii
,
S. I.
Kol’tsov
, and
G. V.
Anikeev
[
J. Appl. Chem. USSR
57
,
2395
(
1984
)].
127.
A. A.
Seitmagzimov
,
V. N.
Pak
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
58
,
92
(
1985
)
A. A.
Seitmagzimov
,
V. N.
Pak
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
58
,
85
(
1985
)].
128.
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
59
,
2277
(
1986
)
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,[
J. Appl. Chem. USSR
59
,
2093
(
1986
)].
129.
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
64
,
763
(
1991
)
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,[
J. Appl. Chem. USSR
64
,
679
(
1991
)].
130.
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
64
,
1435
(
1991
)
L. I.
Petrova
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,[
J. Appl. Chem. USSR
64
,
1290
(
1991
)].
131.
N. V.
Dolgushev
,
A. A.
Malkov
,
A. A.
Malkov
,
A. A.
Malygin
,
S. A.
Suvorov
,
A. V.
Shchukarev
,
A. V.
Beljaev
, and
V. A.
Bykov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
65
,
1117
(
1992
)
N. V.
Dolgushev
,
A. A.
Malkov
,
A. A.
Malygin
,
S. A.
Suvorov
,
A. V.
Shchukarev
,
A. V.
Beljaev
, and
V. A.
Bykov
,[
J. Appl. Chem. USSR
65
,
921
(
1992
)].
132.
N. V.
Dolgushev
,
A. A.
Malkov
,
A. A.
Malygin
,
S. A.
Suvorov
,
A. V.
Shchukarev
,
A. V.
Beljaev
, and
V. A.
Bykov
,
Thin Solid Films
293
,
91
(
1997
).
133.
S. A.
Morozov
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
76
,
9
(
2003
)
S. A.
Morozov
,
A. A.
Malkov
, and
A. A.
Malygin
,[
Russ. J. Appl. Chem.
76
,
7
(
2003
)].
134.
L. I.
Chernaya
,
P. E.
Matkovskii
,
V. M.
Rudakov
,
Yu. M.
Shul’ga
,
I. V.
Markov
,
V. I.
Tomilo
, and
Z. G.
Busheva
,
Zh. Obshch. Khim.
62
,
28
(
1992
)
L. I.
Chernaya
,
P. E.
Matkovskii
,
V. M.
Rudakov
,
Yu. M.
Shul’ga
,
I. V.
Markov
,
V. I.
Tomilo
, and
Z. G.
Busheva
,[J. Gen. Chem. USSR
62
,
21
(
1992
)].
135.
A. A.
Malygin
,
A. N.
Volkova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
A. A.
Aleskovskii
,
Zh. Obshch. Khim.
43
,
1436
(
1972
)
A. A.
Malygin
,
A. N.
Volkova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
A. A.
Aleskovskii
,[J. Gen. Chem. USSR
43
,
1426
(
1973
)].
136.
W.
Hanke
,
R.
Bienert
, and
H.-G.
Jerschkewitz
,
Z. Anorg. Allg. Chem.
414
,
109
(
1975
).
137.
W.
Hanke
,
K.
Heise
,
H.-G.
Jerschkewitz
,
G.
Lischke
,
G.
Öhlmann
, and
B.
Parlitz
,
Z. Anorg. Allg. Chem.
438
,
176
(
1978
).
138.
A. N.
Volkova
,
A. A.
Malygin
,
V. M.
Smirnov
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Obshch. Khim.
42
,
1431
(
1972
)
A. N.
Volkova
,
A. A.
Malygin
,
V. M.
Smirnov
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[J. Gen. Chem. USSR
42
,
1422
(
1972
)].
139.
A. A.
Malygin
,
A. N.
Volkova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Obshch. Khim.
42
,
2373
(
1972
)
A. A.
Malygin
,
A. N.
Volkova
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[J. Gen. Chem. USSR
42
,
2368
(
1972
)].
140.
G. N.
Kuznetsova
,
T. V.
Shakina
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Kolloidn. Zh.
45
,
574
(
1983
)
G. N.
Kuznetsova
,
T. V.
Shakina
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
Colloid J. USSR
45
,
503
(
1983
)].
141.
A. P.
Nechiporenko
,
G. K.
Shevchenko
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
55
,
1239
(
1982
)
A. P.
Nechiporenko
,
G. K.
Shevchenko
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
55
,
1133
(
1982
)].
142.
S. I.
Kol’tsov
,
A. A.
Malygin
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Fiz. Khim.
54
,
2331
(
1980
)
S. I.
Kol’tsov
,
A. A.
Malygin
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
Russ. J. Phys. Chem.
54
,
2331
(
1980
)].
143.
V. B.
Aleskovskii
,
Yu. M.
Artem’ev
, and
S. F.
Gerasimov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
67
,
212
(
1994
)
V. B.
Aleskovskii
,
Yu. M.
Artem’ev
, and
S. F.
Gerasimov
,[
Russ. J. Appl. Chem.
67
,
192
(
1994
)].
144.
N. A.
Stepanova
,
V. M.
Smirnov
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
50
,
465
(
1977
)
N. A.
Stepanova
,
V. M.
Smirnov
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
J. Appl. Chem. USSR
50
,
450
(
1977
)].
145.
R. A.
Bisengaliev
,
B. V.
Novikov
,
V. B.
Aleskovskii
,
V. E.
Drozd
,
D. A.
Ageev
,
V. I.
Gubaidullin
, and
A. P.
Savchenko
,
Fiz. Tverd. Tela (S.-Peterburg)
40
,
820
(
1998
)
R. A.
Bisengaliev
,
B. V.
Novikov
,
V. B.
Aleskovskii
,
V. E.
Drozd
,
D. A.
Ageev
,
V. I.
Gubaidullin
, and
A. P.
Savchenko
,[
Phys. Solid State
40
,
754
(
1998
)].
146.
S. I.
Kol’tsov
,
V. B.
Aleskovskii
,
G. N.
Kuznetsova
, and
N. G.
Roslyakova
,
Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater.
3
,
1509
(
1967
)
S. I.
Kol’tsov
,
V. B.
Aleskovskii
,
G. N.
Kuznetsova
, and
N. G.
Roslyakova
,[
Inorg. Mater.
3
,
1318
(
1967
)].
147.
Yu. K.
Ezhovskii
and
A. I.
Klyuikov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
73
,
881
(
2000
)
Yu. K.
Ezhovskii
and
A. I.
Klyuikov
,[
Russ. J. Appl. Chem.
73
,
933
(
2000
)].
148.
Yu. K.
Ezhovskii
and
D. P.
Mikhaevich
,
Neorg. Mater.
40
,
1043
(
2004
)
Yu. K.
Ezhovskii
and
D. P.
Mikhaevich
,[
Inorg. Mater.
40
,
909
(
2004
)].
149.
D. P.
Mikhaevich
and
Yu. K.
Ezhovskii
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
76
,
1238
(
2003
)
D. P.
Mikhaevich
and
Yu. K.
Ezhovskii
,[
Russ. J. Appl. Chem.
76
,
1197
(
2003
)].
150.
R. R.
Rachkovskii
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Neorg. Khim.
15
,
3158
(
1970
)
R. R.
Rachkovskii
,
S. I.
Kol’tsov
, and
V. B.
Aleskovskii
,[
Russ. J. Inorg. Chem.
15
,
1646
(
1970
)].
151.
V. E.
Drozd
and
V. B.
Aleskovskii
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
591
(
1994
).
152.

Transliterated “molekulyarnoe naslaivanie.”

153.
J.
Nishizawa
,
H.
Abe
, and
T.
Kurabayashi
,
J. Electrochem. Soc.
132
,
1197
(
1985
).
154.
M.
Ahonen
,
M.
Pessa
, and
T.
Suntola
,
Thin Solid Films
65
,
301
(
1980
).
155.
Y.
Aoyagi
,
A.
Doi
,
S.
Iwai
, and
S.
Namba
,
J. Vac. Sci. Technol. B
5
,
1460
(
1987
).
156.
V. B.
Kopylov
,
M. N.
Tsvetkova
,
V. N.
Pak
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Zh. Prikl. Khim. (S.-Peterburg)
54
,
293
(
1981
)
V. B.
Kopylov
,
M. N.
Tsvetkova
,
V. N.
Pak
,
A. A.
Malygin
, and
S. I.
Kol’tsov
,[
J. Appl. Chem. USSR
54
,
186
(
1981
)].
157.
D.
Hausmann
,
J.
Becker
,
S. L.
Wang
, and
R. G.
Gordon
,
Science
298
,
402
(
2002
).
158.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
413
,
16
(
2002
).
159.
B.
Mårlid
,
M.
Ottosson
,
U.
Pettersson
,
K.
Larsson
, and
J.-O.
Carlsson
,
Thin Solid Films
402
,
167
(
2002
).
160.
S. F.
Komarov
,
J. J.
Lee
,
J. B.
Hudson
, and
M. P.
D’Evelyn
,
Diamond Relat. Mater.
7
,
1087
(
1998
).
161.
T. I.
Hukka
,
R. E.
Rawles
, and
M. P.
D’Evelyn
,
Thin Solid Films
225
,
212
(
1993
).
162.
R.
Huang
and
A. H.
Kitai
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
1450
(
1992
).
163.
R.
Huang
and
A. H.
Kitai
,
J. Electron. Mater.
22
,
215
(
1993
).
164.
R.
Huang
and
A. H.
Kitai
,
J. Mater. Sci. Lett.
12
,
1444
(
1993
).
165.
M.
Putkonen
,
T.
Sajavaara
, and
L.
Niinistö
,
J. Mater. Chem.
10
,
1857
(
2000
).
166.
M.
Putkonen
,
M.
Nieminen
, and
L.
Niinistö
,
Thin Solid Films
466
,
103
(
2004
).
167.
T.
Hatanpää
,
J.
Ihanus
,
J.
Kansikas
,
I.
Mutikainen
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Chem. Mater.
11
,
1846
(
1999
).
168.
M.
Putkonen
,
L.-S.
Johansson
,
E.
Rauhala
, and
L.
Niinistö
,
J. Mater. Chem.
9
,
2449
(
1999
).
169.
J. M.
Hartmann
,
J.
Cibert
,
F.
Kany
,
H.
Mariette
,
M.
Charleux
,
P.
Alleysson
,
R.
Langer
, and
G.
Feuillet
,
J. Appl. Phys.
80
,
6257
(
1996
).
170.
J. M.
Hartmann
,
M.
Charleux
,
H.
Mariette
, and
J. L.
Rouvière
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
142
(
1997
).
171.
T.
Suntola
,
J.
Antson
,
A.
Pakkala
, and
S.
Lindfors
, in
SID International Symposium Digest of Technical Papers
,
San Diego
, California, 29 April–1 May
1980
(
SID
, Los Angeles, California,
1980
), pp.
108
109
.
172.
J.
Aarik
,
A.
Aidla
,
A.
Jaek
,
A.-A.
Kiisler
, and
A.-A.
Tammik
, Acta Polytech. Scand., Ser. Chem. Technol. Metall.
195
,
201
(
1990
).
173.
L.
Hiltunen
,
H.
Kattelus
,
M.
Leskelä
,
M.
Mäkelä
,
L.
Niinistö
,
E.
Nykänen
,
P.
Soininen
, and
M.
Tiitta
,
Mater. Chem. Phys.
28
,
379
(
1991
).
174.
H.
Kattelus
,
M.
Ylilammi
,
J.
Saarilahti
,
J.
Antson
, and
S.
Lindfors
,
Thin Solid Films
225
,
296
(
1993
).
175.
M.
Nieminen
,
L.
Niinistö
, and
R.
Lappalainen
, Microchim. Acta
119
,
13
(
1995
).
176.
M.
Ritala
,
H.
Saloniemi
,
M.
Leskelä
,
T.
Prohaska
,
G.
Friedbacher
, and
M.
Grassenbauer
,
Thin Solid Films
286
,
54
(
1996
).
177.
D.
Riihelä
,
M.
Ritala
,
R.
Matero
, and
M.
Leskelä
,
Thin Solid Films
289
,
250
(
1996
).
178.
K.
Kukli
,
J.
Ihanus
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Electrochem. Soc.
144
,
300
(
1997
).
179.
S. J.
Yun
,
K. H.
Lee
,
J.
Skarp
,
H. R.
Kim
, and
K. S.
Nam
,
J. Vac. Sci. Technol. A
15
,
2993
(
1997
).
180.
S. J.
Yun
,
J. S.
Kang
,
M. C.
Paek
, and
K. S.
Nam
,
J. Korean Phys. Soc.
33
,
S170
(
1998
).
181.
M.
Tiitta
,
E.
Nykänen
,
P.
Soininen
,
L.
Niinistö
,
M.
Leskelä
, and
R.
Lappalainen
,
Mater. Res. Bull.
33
,
1315
(
1998
).
182.
M.
Nieminen
and
L.
Niinistö
,
Fresenius' J. Anal. Chem.
364
,
224
(
1999
).
183.
Y. S.
Kim
,
J. S.
Kang
,
S. J.
Yun
, and
K. I.
Cho
,
J. Korean Phys. Soc.
35
,
S216
(
1999
).
184.
K.
Kukli
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
F35
(
2001
).
185.
G.
Oya
,
M.
Yoshida
, and
Y.
Sawada
,
Appl. Phys. Lett.
51
,
1143
(
1987
).
186.
G.
Oya
and
Y.
Sawada
,
J. Cryst. Growth
99
,
572
(
1990
).
187.
M.
Leskelä
,
L.
Niinistö
,
E.
Nykänen
,
P.
Soininen
, and
M.
Tiitta
, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser.
195
,
193
(
1990
).
188.
M.
Ritala
,
K.
Kukli
,
A.
Rahtu
,
P. I.
Räisänen
,
M.
Leskelä
,
T.
Sajavaara
, and
J.
Keinonen
,
Science
288
,
319
(
2000
).
189.
P. I.
Räisänen
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Mater. Chem.
12
,
1415
(
2002
).
190.
G. S.
Higashi
and
L. J.
Rothberg
,
J. Vac. Sci. Technol. B
3
,
1460
(
1985
).
191.
G. S.
Higashi
and
C. G.
Fleming
,
Appl. Phys. Lett.
55
,
1963
(
1989
).
192.
C.
Soto
and
W. T.
Tysoe
,
J. Vac. Sci. Technol. A
9
,
2686
(
1991
).
193.
C.
Soto
,
R.
Wu
,
D. W.
Bennett
, and
W. T.
Tysoe
,
Chem. Mater.
6
,
1705
(
1994
).
194.
V. E.
Drozd
,
A. P.
Baraban
, and
I. O.
Nikiforova
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
583
(
1994
).
195.
S. M.
George
,
O.
Sneh
,
A. C.
Dillon
,
M. L.
Wise
,
A. W.
Ott
,
L. A.
Okada
, and
J. D.
Way
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
460
(
1994
).
196.
A. C.
Dillon
,
A. W.
Ott
,
J. D.
Way
, and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
322
,
230
(
1995
).
197.
E.-L.
Lakomaa
,
A.
Root
, and
T.
Suntola
,
Appl. Surf. Sci.
107
,
107
(
1996
).
198.
A. W.
Ott
,
K. C.
McCarley
,
J. W.
Klaus
,
J. D.
Way
, and
S. M.
George
,
Appl. Surf. Sci.
107
,
128
(
1996
).
199.
A. W.
Ott
,
J. W.
Klaus
,
J. M.
Johnson
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
292
,
135
(
1997
).
200.
A. W.
Ott
,
J. W.
Klaus
,
J. M.
Johnson
,
S. M.
George
,
K. C.
McCarley
, and
J. D.
Way
,
Chem. Mater.
9
,
707
(
1997
).
201.
J. I.
Skarp
,
P. J.
Soininen
, and
P. T.
Soininen
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
251
(
1997
).
202.
P.
Ericsson
,
S.
Bengtsson
, and
J.
Skarp
,
Microelectron. Eng.
36
,
91
(
1997
).
203.
Y.
Kim
,
S. M.
Lee
,
C. S.
Park
,
S. I.
Lee
, and
M. Y.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
3604
(
1997
).
204.
B. S.
Berland
,
I. P.
Gartland
,
A. W.
Ott
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
10
,
3941
(
1998
).
205.
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
J.-P.
Dekker
,
C.
Mutsaers
,
P. J.
Soininen
, and
J.
Skarp
,
Chem. Vap. Deposition
5
,
7
(
1999
).
206.
M.
Ritala
,
M.
Juppo
,
K.
Kukli
,
A.
Rahtu
, and
M.
Leskelä
,
J. Phys. IV
9
,
Pr8
1021
(
1999
).
207.
R.
Matero
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
T.
Salo
,
J.
Aromaa
, and
O.
Forsén
,
J. Phys. IV
9
,
Pr8
493
(
1999
).
208.
E. P.
Gusev
,
M.
Copel
,
E.
Cartier
,
I. J. R.
Baumvol
,
C.
Krug
, and
M. A.
Gribelyuk
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
176
(
2000
).
209.
R. L.
Puurunen
,
A.
Root
,
S.
Haukka
,
E. I.
Iiskola
,
M.
Lindblad
, and
A. O. I.
Krause
,
J. Phys. Chem. B
104
,
6599
(
2000
).
210.
A. M.
Uusitalo
,
T. T.
Pakkanen
,
M.
Kröger-Laukkanen
,
L.
Niinistö
,
K.
Hakala
,
S.
Paavola
, and
B.
Löfgren
,
J. Mol. Catal. A: Chem.
160
,
343
(
2000
).
211.
M.
Juppo
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Langmuir
16
,
4034
(
2000
).
212.
R.
Matero
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
, and
T.
Sajavaara
,
Thin Solid Films
368
,
1
(
2000
).
213.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
371
,
95
(
2000
).
214.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Appl. Surf. Sci.
162/163
,
280
(
2000
).
215.
M.
Juppo
, Ph.D. thesis,
University of Helsinki
, Finland,
2001
.
216.
R. L.
Puurunen
,
M.
Lindblad
,
A.
Root
, and
A. O. I.
Krause
,
Phys. Chem. Chem. Phys.
3
,
1093
(
2001
).
217.
A.
Rahtu
,
T.
Alaranta
, and
M.
Ritala
,
Langmuir
17
,
6506
(
2001
).
218.
A.
Paranjpe
,
S.
Gopinath
,
T.
Omstead
, and
R.
Bubber
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
G465
(
2001
).
219.
E. P.
Gusev
,
E.
Cartier
,
D. A.
Buchanan
,
M.
Gribelyuk
,
M.
Copel
,
H.
Okorn-Schmidt
, and
C.
D’Emic
,
Microelectron. Eng.
59
,
341
(
2001
).
220.
A.
Rahtu
, Ph.D. thesis,
University of Helsinki
, Finland,
2002
.
221.
R.
Puurunen
, Ph.D. thesis,
Helsinki University of Technology
, Espoo, Finland,
2002
;
222.
O.
Sneh
,
R. B.
Clark-Phelps
,
A. R.
Londergan
,
J.
Winkler
, and
T. E.
Seidel
,
Thin Solid Films
402
,
248
(
2002
).
223.
H.
Nohira
 et al,
J. Non-Cryst. Solids
303
,
83
(
2002
).
224.
W. F. A.
Besling
 et al,
J. Non-Cryst. Solids
303
,
123
(
2002
).
225.
L. G.
Gosset
 et al,
J. Non-Cryst. Solids
303
,
17
(
2002
).
226.
J. W.
Elam
,
Z. A.
Zechrist
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
414
,
43
(
2002
).
227.
J. W.
Elam
,
M. D.
Groner
, and
S. M.
George
,
Rev. Sci. Instrum.
73
,
2981
(
2002
).
228.
M. D.
Groner
,
J. W.
Elam
,
F. H.
Fabreguette
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
413
,
186
(
2002
).
229.
J. M.
Jensen
,
A. B.
Oelkers
,
R.
Toivola
,
D. C.
Johnson
,
J. W.
Elam
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
14
,
2276
(
2002
).
230.
B.
Brijs
 et al,
Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
190
,
505
(
2002
).
231.
J. W.
Elam
and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
15
,
1020
(
2003
).
232.
T. M.
Mayer
,
J. W.
Elam
,
S. M.
George
,
P. G.
Kotula
, and
R. S.
Goeke
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2883
(
2003
).
233.
N. D.
Hoivik
,
J. W.
Elam
,
R. J.
Linderman
,
V. M.
Bright
,
S. M.
George
, and
Y. C.
Lee
,
Sens. Actuators, A
103
,
100
(
2003
).
234.
R.
Kuse
,
M.
Kundu
,
T.
Yasuda
,
N.
Miyata
, and
A.
Toriumi
,
J. Appl. Phys.
94
,
6411
(
2003
).
235.
S.
Jakschik
,
U.
Schroeder
,
T.
Hecht
,
M.
Gutsche
,
H.
Seidl
, and
J. W.
Bartha
,
Thin Solid Films
425
,
216
(
2003
).
236.
S.
Jakschik
,
U.
Schroeder
,
T.
Hecht
,
D.
Krueger
,
G.
Dollinger
,
A.
Bergmaier
,
C.
Luhmann
, and
J. W.
Bartha
,
Appl. Surf. Sci.
211
,
352
(
2003
).
237.
R. L.
Puurunen
,
Chem. Vap. Deposition
9
,
327
(
2003
).
238.
J.-F.
Damlencourt
,
O.
Renault
,
A.
Chabli
,
F.
Martin
, and
M.-N.
Séméria
,
J. Mater. Sci.: Mater. Electron.
14
,
379
(
2003
).
239.
M. M.
Frank
,
Y. J.
Chabal
, and
G. D.
Wilk
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
4758
(
2003
).
240.
M. M.
Frank
 et al,
Appl. Phys. Lett.
83
,
740
(
2003
).
241.
P. D.
Ye
 et al,
Appl. Phys. Lett.
83
,
180
(
2003
).
242.
J. S.
Lee
 et al,
J. Cryst. Growth
254
,
443
(
2003
).
243.
M. D.
Groner
,
F. H.
Fabreguette
,
J. W.
Elam
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
16
,
639
(
2004
).
244.
T.
Kawahara
,
K.
Torii
,
R.
Mitsuhashi
,
A.
Muto
,
A.
Horiuchi
,
H.
Ito
, and
H.
Kitajima
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
43
,
4129
(
2004
).
245.
S.
Jakschik
,
U.
Schroeder
,
T.
Hecht
,
D.
Krueger
,
G.
Dollinger
,
A.
Bergmaier
,
C.
Luhmann
, and
J. W.
Bartha
,
Mater. Sci. Eng., B
107
,
251
(
2004
).
246.
R. L.
Puurunen
 et al,
J. Appl. Phys.
96
,
4878
(
2004
).
247.
R. L.
Puurunen
and
W.
Vandervorst
,
J. Appl. Phys.
96
,
7686
(
2004
).
248.
R. T.
Brewer
,
M.-T.
Ho
,
K. Z.
Zhang
,
L. V.
Goncharova
,
D. G.
Starodub
,
T.
Gustafsson
,
Y. J.
Chabal
, and
N.
Moumen
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
3830
(
2004
).
249.
R. K.
Grubbs
,
C. E.
Nelson
,
N. J.
Steinmetz
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
467
,
16
(
2004
).
250.
S. S.
Lee
,
J. Y.
Baik
,
K.-S.
An
,
Y. D.
Suh
,
J.-H.
Oh
, and
Y.
Kim
,
J. Phys. Chem. B
108
,
15128
(
2004
).
251.
M.
Kang
 et al,
Thin Solid Films
466
,
265
(
2004
).
252.
C.
Lee
,
J.
Choi
,
M.
Cho
,
J.
Park
,
C. S.
Hwang
,
H. J.
Kim
, and
J.
Jeong
,
J. Vac. Sci. Technol. B
22
,
1838
(
2004
).
253.
R. G.
Vitchev
,
J. J.
Pireaux
,
T.
Conard
,
H.
Bender
,
J.
Wolstenholme
, and
C.
Defranoux
,
Appl. Surf. Sci.
235
,
21
(
2004
).
254.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
16
,
5602
(
2004
).
255.
H.
Bender
 et al,
Mater. Sci. Eng., B
109
,
60
(
2004
).
256.
P.
Boher
,
C.
Defranoux
,
P.
Heinrich
,
J.
Wolstenholme
, and
H.
Bender
,
Mater. Sci. Eng., B
109
,
64
(
2004
).
257.
C.
Lee
,
C. S.
Hwang
, and
H. J.
Kim
,
Integr. Ferroelectr.
67
,
49
(
2004
).
258.
R.
Matero
, Ph.D. thesis,
University of Helsinki
, Finland,
2004
.
259.
D.
Wu
,
J.
Lu
,
E.
Vainonen-Ahlgren
,
E.
Tois
,
M.
Tuominen
,
M.
Östling
, and
S.-L.
Zhang
,
Solid-State Electron.
49
,
193
(
2005
).
260.
D. R. G.
Mitchell
,
D. J.
Attard
,
K. S.
Finnie
,
G.
Triani
,
C. J.
Barbé
,
C.
Depagne
, and
J. R.
Bartlett
,
Appl. Surf. Sci.
243
,
265
(
2005
).
261.
S.-H. K.
Park
,
J.
Oh
,
C.-S.
Hwang
,
J.-I.
Lee
,
Y. S.
Yang
, and
H. Y.
Chu
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
H21
(
2005
).
262.
R. L.
Puurunen
,
Appl. Surf. Sci.
245
,
6
(
2005
).
263.
J.-F.
Fan
,
J.
Sugioka
, and
K.
Toyoda
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
30
,
L1139
(
1991
).
264.
J.-F.
Fan
and
K.
Toyoda
,
Appl. Surf. Sci.
60/61
,
765
(
1992
).
265.
J.-F.
Fan
and
K.
Toyoda
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
32
,
L1349
(
1993
).
266.
H.
Kumagai
,
K.
Toyoda
,
M.
Matsumoto
, and
M.
Obara
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
32
,
6137
(
1993
).
267.
H.
Kumagai
,
M.
Matsumoto
, and
Y.
Kawamura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
33
,
7086
(
1994
).
268.
H.
Kumagai
and
K.
Toyoda
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
481
(
1994
).
269.
H.
Kumagai
,
K.
Toyoda
,
K.
Kobayashi
,
M.
Obara
, and
Y.
Iimura
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
2338
(
1997
).
270.
J. B.
Kim
,
D. R.
Kwon
,
K.
Chakrabarti
,
C.
Lee
,
K. Y.
Oh
, and
J. H.
Lee
,
J. Appl. Phys.
92
,
6739
(
2002
).
271.
J.
Kim
,
K.
Chakrabarti
,
J.
Lee
,
K.-Y.
Oh
, and
C.
Lee
,
Chem. Phys.
78
,
733
(
2003
).
272.
S. K.
Kim
and
C. S.
Hwang
,
J. Appl. Phys.
96
,
2323
(
2004
).
273.
T.-P.
Lee
,
C.
Jang
,
B.
Haselden
,
M.
Dong
,
S.
Park
,
L.
Bartholomew
,
H.
Chatham
, and
Y.
Senzaki
,
J. Vac. Sci. Technol. B
22
,
2295
(
2004
).
274.
S. W.
Choi
,
C. M.
Jang
,
D. Y.
Kim
,
J. S.
Ha
,
H. S.
Park
,
W.
Koh
, and
C. S.
Lee
,
J. Korean Phys. Soc.
42
,
S975
(
2003
).
275.
S. J.
Yun
,
J. W.
Lim
, and
J.-H.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
C13
(
2004
).
276.
J. W.
Lim
and
S. J.
Yun
,
Electrochem. Solid-State Lett.
7
,
F45
(
2004
).
277.
W.-S.
Jeon
,
S.
Yang
,
C.-S.
Lee
, and
S.-W.
Kang
,
J. Electrochem. Soc.
149
,
C306
(
2002
).
278.
K.
Kukli
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
, and
J.
Jokinen
,
J. Vac. Sci. Technol. A
15
,
2214
(
1997
).
279.
K. S.
An
,
W. T.
Cho
,
K. H.
Sung
,
S. S.
Lee
, and
Y.
Kim
,
Bull. Korean Chem. Soc.
24
,
1659
(
2003
).
280.
W.
Cho
,
K.
Sung
,
K. S.
An
,
S. S.
Lee
,
T. M.
Chung
, and
Y.
Kim
,
J. Vac. Sci. Technol. A
21
,
1366
(
2003
).
281.
Y.-S.
Min
,
Y. J.
Cho
, and
C. S.
Hwang
,
Chem. Mater.
17
,
626
(
2005
).
282.
K.-E.
Elers
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
, and
L.-S.
Johansson
,
J. Phys. IV
5
,
C5
1021
(
1995
).
283.
J.
Jokinen
,
P.
Haussalo
,
J.
Keinonen
,
M.
Ritala
,
D.
Riihelä
, and
M.
Leskelä
,
Thin Solid Films
289
,
159
(
1996
).
284.
Y. J.
Lee
and
S.-W.
Kang
,
Thin Solid Films
446
,
227
(
2004
).
285.
Y. J.
Lee
,
J. Cryst. Growth
266
,
568
(
2004
).
286.
T. M.
Mayer
,
J. W.
Rogers
, Jr.
, and
T. A.
Michalske
,
Chem. Mater.
3
,
641
(
1991
).
287.
M. E.
Bartram
,
T. A.
Michalske
,
J. W.
Rogers
, Jr.
, and
R. T.
Paine
,
Chem. Mater.
5
,
1424
(
1993
).
288.
H.
Liu
,
D. C.
Bertolet
, and
J. W.
Rogers
, Jr.
,
Surf. Sci.
340
,
88
(
1995
).
289.
D.
Riihelä
,
M.
Ritala
,
R.
Matero
,
M.
Leskelä
,
J.
Jokinen
, and
P.
Haussalo
,
Chem. Vap. Deposition
2
,
277
(
1996
).
290.
F. G.
McIntosh
,
E. L.
Piner
,
J. C.
Roberts
,
M. K.
Behbehani
,
M. E.
Aumer
,
N. A.
El-Masry
, and
S. M.
Bedair
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
98
(
1997
).
291.
R. L.
Puurunen
,
A.
Root
,
P.
Sarv
,
S.
Haukka
,
E. I.
Iiskola
,
M.
Lindblad
, and
A. O. I.
Krause
,
Appl. Surf. Sci.
165
,
193
(
2000
).
292.
R. L.
Puurunen
,
A.
Root
,
P.
Sarv
,
M. M.
Viitanen
,
H. H.
Brongersma
,
M.
Lindblad
, and
A. O. I.
Krause
,
Chem. Mater.
14
,
720
(
2002
).
293.
M.
Asif Khan
,
J. N.
Kuznia
,
R. A.
Skogman
, and
D. T.
Olson
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
2539
(
1992
).
294.
M.
Asif Khan
,
J. N.
Kuznia
, and
D. T.
Olson
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
3470
(
1993
).
295.
H.
Liu
and
J. W.
Rogers
, Jr.
,
J. Vac. Sci. Technol. A
17
,
325
(
1999
).
296.
J. N.
Kidder
, Jr.
,
J. S.
Kuo
,
A.
Ludviksson
,
T. P.
Pearsall
,
J. W.
Rogers
, Jr.
,
J. M.
Grant
,
L. R.
Allen
, and
S. T.
Hsu
,
J. Vac. Sci. Technol. A
13
,
711
(
1995
).
297.
A.
Ludviksson
,
D. W.
Robinson
, and
J. W.
Rogers
, Jr.
,
Thin Solid Films
289
,
6
(
1996
).
298.
J. N.
Kidder
, Jr.
,
H. K.
Yun
,
J. W.
Rogers
, Jr.
, and
T. P.
Pearsall
,
Chem. Mater.
10
,
777
(
1998
).
299.
M.
Ishii
,
S.
Iwai
,
H.
Kawata
,
T.
Ueki
, and
Y.
Aoyagi
,
J. Cryst. Growth
180
,
15
(
1997
).
300.
M.
Ishii
,
S.
Iwai
,
T.
Ueki
, and
Y.
Aoyagi
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
1044
(
1997
).
301.
M.
Ishii
,
S.
Iwai
,
T.
Ueki
, and
Y.
Aoyagi
,
Thin Solid Films
318
,
6
(
1998
).
302.
S.
Hirose
,
M.
Yamaura
, and
H.
Munekata
,
Appl. Surf. Sci.
150
,
89
(
1999
).
303.
R.
Kobayashi
,
J. Cryst. Growth
113
,
491
(
1991
).
304.
M.
Akamatsu
,
S.
Narahara
,
T.
Kobayashi
, and
F.
Hasegawa
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
228
(
1994
).
305.
S. M.
Bedair
,
M. A.
Tischler
,
T.
Katsuyama
, and
N. A.
El-Masry
,
Appl. Phys. Lett.
47
,
51
(
1985
).
306.
M.
Ozeki
,
K.
Mochizuki
,
N.
Ohtsuka
, and
K.
Kodama
,
J. Vac. Sci. Technol. B
5
,
1184
(
1987
).
307.
S. P.
DenBaars
,
P. D.
Dapkus
,
C. A.
Beyler
,
A.
Hariz
, and
K. M.
Dzurko
,
J. Cryst. Growth
93
,
195
(
1988
).
308.
M.
Ozeki
,
K.
Mochizuki
,
N.
Ohtsuka
, and
K.
Kodama
,
Thin Solid Films
174
,
63
(
1989
).
309.
T.
Meguro
,
S.
Iwai
,
Y.
Aoyagi
,
K.
Ozaki
,
Y.
Yamamoto
,
T.
Suzuki
,
Y.
Okano
, and
A.
Hirata
,
J. Cryst. Growth
99
,
540
(
1990
).
310.
N.
Ohtsuka
,
K.
Kitahara
,
M.
Ozeki
, and
K.
Kodama
,
J. Cryst. Growth
99
,
346
(
1990
).
311.
Y.
Aoyagi
,
T.
Meguro
,
S.
Iwai
, and
A.
Doi
,
Mater. Sci. Eng., B
10
,
121
(
1991
).
312.
S.
Yokoyama
,
M.
Shinohara
, and
N.
Inoue
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
377
(
1992
).
313.
K.
Kitahara
,
M.
Ozeki
, and
K.
Nakajima
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
32
,
1051
(
1993
).
314.
M.
Ozeki
and
N.
Ohtsuka
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
233
(
1994
).
315.
N.
Hayafuji
,
G. M.
Eldallal
,
A.
Dip
,
P. C.
Colter
,
N. A.
El-Masry
, and
S. M.
Bedair
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
18
(
1994
).
316.
M.
Ishizaki
,
N.
Kano
,
J.
Yoshino
, and
H.
Kukimoto
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
30
,
L435
(
1991
).
317.
M.
Ishizaki
,
N.
Kano
,
J.
Yoshino
, and
H.
Kukimoto
,
Thin Solid Films
225
,
74
(
1993
).
318.
H.
Isshiki
,
Y.
Aoyagi
,
T.
Sugano
,
S.
Iwai
, and
T.
Meguro
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
57
(
1994
).
319.
S.
Hirose
,
N.
Kano
,
M.
Deura
,
K.
Hara
,
H.
Munekata
, and
H.
Kukimoto
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
34
,
L1436
(
1995
).
320.
S.
Hirose
,
H.
Ibuka
,
A.
Yoshida
,
N.
Kano
,
K.
Hara
,
H.
Munekata
, and
H.
Kukimoto
,
J. Cryst. Growth
208
,
49
(
2000
).
321.
D. E.
Aspnes
 et al,
Thin Solid Films
225
,
26
(
1993
).
322.
K.
Kitahara
,
N.
Ohtsuka
,
T.
Ashino
,
M.
Ozeki
, and
K.
Nakajima
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
32
,
L236
(
1993
).
323.
K.
Fujii
,
I.
Suemune
, and
M.
Yamanishi
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
1420
(
1993
).
324.
I.
Suemune
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
149
(
1994
).
325.
M.
Nagano
,
S.
Iwai
,
K.
Nemoto
, and
Y.
Aoyagi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
33
,
L1289
(
1994
).
326.
N.
Kano
,
S.
Hirose
,
K.
Hara
,
J.
Yoshino
,
H.
Munekata
, and
H.
Kukimoto
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
1115
(
1994
).
327.
N.
Kano
,
S.
Hirose
,
K.
Hara
,
J.
Yoshino
,
H.
Munekata
, and
H.
Kukimoto
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
132
(
1994
).
328.
S.
Hirose
,
N.
Kano
,
K.
Hara
,
H.
Munekata
, and
H.
Kukimoto
,
J. Cryst. Growth
172
,
13
(
1997
).
329.
S.
Hirose
,
M.
Yamaura
,
A.
Yoshida
,
H.
Ibuka
,
K.
Hara
, and
H.
Munekata
,
J. Cryst. Growth
194
,
16
(
1998
).
330.
S.
Hirose
,
A.
Yoshida
,
M.
Yamaura
,
N.
Kano
, and
H.
Munekata
,
J. Mater. Sci.: Mater. Electron.
11
,
7
(
2000
).
331.
Y. J.
Lee
and
S.-W.
Kang
,
J. Vac. Sci. Technol. A
20
,
1983
(
2002
).
332.
Y. J.
Lee
and
S.-W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
5
,
C91
(
2002
).
333.
O.
Sneh
,
M. L.
Wise
,
A. W.
Ott
,
L. A.
Okada
, and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
334
,
135
(
1995
).
334.
J. W.
Klaus
,
A. W.
Ott
,
J. M.
Johnson
, and
S. M.
George
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
1092
(
1997
).
335.
J. W.
Klaus
,
A. W.
Ott
, and
S. M.
George
,
Surf. Rev. Lett.
6
,
435
(
1999
).
336.
M. A.
Cameron
,
I. P.
Gartland
,
J. A.
Smith
,
S. F.
Diaz
, and
S. M.
George
,
Langmuir
16
,
7435
(
2000
).
337.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
12
,
3472
(
2000
).
338.
J. W.
Klaus
,
O.
Sneh
, and
S. M.
George
,
Science
278
,
1934
(
1997
).
339.
J. W.
Klaus
and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
447
,
81
(
2000
).
340.
B. A.
McCool
and
W. J.
DeSisto
,
Ind. Eng. Chem. Res.
43
,
2478
(
2004
).
341.
B. A.
McCool
and
W. J.
DeSisto
,
Chem. Vap. Deposition
10
,
190
(
2004
).
342.
J.-H.
Lee
,
U.-J.
Kim
,
C.-H.
Han
,
S.-K.
Rha
,
W.-J.
Lee
, and
C.-O.
Park
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
43
,
L328
(
2004
).
343.
J. D.
Ferguson
,
E. R.
Smith
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
J. Electrochem. Soc.
151
,
G528
(
2004
).
344.
M.
Lindblad
and
A.
Root
, in
Proceedings of the Seventh International Symposium Scientific Bases for the Preparation of Heterogeneous Catalysts, Louvain-la-Neuve, Belgium, 1–4 September 1998
, edited by
B.
Delmon
,
P. A.
Jacobs
,
R.
Maggi
,
J. A.
Martens
,
P.
Grange
, and
G.
Poncelet
[
Stud. Surf. Sci. Catal.
118
,
817
(
1998
)].
345.
W.
Gasser
,
Y.
Uchida
, and
M.
Matsumura
,
Thin Solid Films
250
,
213
(
1994
).
346.
K.
Yamaguchi
,
S.
Imai
,
N.
Ishitobi
,
M.
Takemoto
,
H.
Miki
, and
M.
Matsumura
,
Appl. Surf. Sci.
130–132
,
202
(
1998
).
347.
S.
Morishita
,
Y.
Uchida
, and
M.
Matsumura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
34
,
5738
(
1995
).
348.
S.
Morishita
,
W.
Gasser
,
K.
Usami
, and
M.
Matsumura
,
J. Non-Cryst. Solids
187
,
66
(
1995
).
349.
J. W.
Klaus
,
A. W.
Ott
,
A. C.
Dillon
, and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
418
,
L14
(
1998
).
350.
M.
Yokoyama
,
J. Korean Phys. Soc.
35
,
S71
(
1999
).
351.
A.
Nakajima
,
T.
Yoshimoto
,
T.
Kidera
, and
S.
Yokoyama
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
665
(
2001
).
352.
W. J.
Lee
,
J. H.
Lee
,
C. O.
Park
,
Y. S.
Lee
,
S. J.
Shin
, and
S. K.
Rha
,
J. Korean Phys. Soc.
45
,
1352
(
2004
).
353.
H.
Goto
,
K.
Shibahara
, and
S.
Yokoyama
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
3257
(
1996
).
354.
S.
Yokoyama
,
H.
Goto
,
T.
Miyamoto
,
N.
Ikeda
, and
J.
Shibahara
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
75
(
1997
).
355.
S.
Yokoyama
,
N.
Ikeda
,
K.
Kajikawa
, and
Y.
Nakashima
,
Appl. Surf. Sci.
130–132
,
352
(
1998
).
356.
S.
Morishita
,
S.
Sugahara
, and
M.
Matsumura
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
198
(
1997
).
357.
H.
Nagasawa
and
Y.
Yamaguchi
,
Thin Solid Films
225
,
230
(
1993
).
358.
H.
Nagasawa
and
Y.
Yamaguchi
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
405
(
1994
).
359.
E.
Sadayuki
,
S.
Imai
, and
M.
Matsumura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
34
,
6166
(
1996
).
360.
J.
Sumakeris
,
L. B.
Rowland
,
R. S.
Kern
,
S.
Tanaka
, and
R. F.
Davis
,
Thin Solid Films
225
,
219
(
1993
).
361.
T.
Fuyuki
,
M.
Nakayama
,
T.
Yoshinobu
,
H.
Shiomi
, and
H.
Matsunami
,
J. Cryst. Growth
95
,
461
(
1989
).
362.
S.
Hara
,
Y.
Aoyagi
,
M.
Kawai
,
S.
Misakawa
,
E.
Sakuma
, and
S.
Yoshida
,
Surf. Sci.
273
,
437
(
1992
).
363.
T.
Fuyuki
,
T.
Yoshinobu
, and
H.
Matsunami
,
Thin Solid Films
125
,
225
(
1993
).
364.
S.
Hara
,
T.
Meguro
,
Y.
Aoyagi
, and
M.
Kawai
,
Thin Solid Films
225
,
240
(
1993
).
365.
S.
Yokoyama
,
K.
Ohba
, and
A.
Nakajima
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
617
(
2001
).
366.
J.
Nishizawa
,
K.
Aoki
,
S.
Suzuki
, and
K.
Kikuchi
,
J. Electrochem. Soc.
137
,
1898
(
1990
).
367.
J.
Nishizawa
,
K.
Aoki
,
S.
Suzuki
, and
K.
Kikuchi
,
J. Cryst. Growth
99
,
502
(
1990
).
368.
J. A.
Yarmoff
,
D. K.
Shuh
,
T. D.
Durbin
,
C. W.
Lo
,
D. A.
Lapiano-Smith
,
F. R.
McFreely
, and
F. J.
Himpsel
,
J. Vac. Sci. Technol. A
10
,
2303
(
1992
).
369.
S.
Imai
,
T.
Iizuka
,
O.
Sugiura
, and
M.
Matsumura
,
Thin Solid Films
225
,
168
(
1993
).
370.
S.
Imai
and
M.
Matsumura
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
322
(
1994
).
371.
D. D.
Koleske
and
S. M.
Gates
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
344
(
1994
).
372.
D. D.
Koleske
and
S. M.
Gates
,
J. Appl. Phys.
76
,
1615
(
1994
).
373.
S.
Sugahara
,
E.
Hasunuma
,
S.
Imai
, and
M.
Matsumura
,
Appl. Surf. Sci.
107
,
161
(
1996
).
374.
E.
Hasunuma
,
S.
Sugahara
,
S.
Hoshino
,
S.
Imai
,
K.
Ikeda
, and
M.
Matsumura
,
J. Vac. Sci. Technol. A
16
,
679
(
1998
).
375.
Y.
Satoh
,
K.
Ikeda
,
S.
Sugahara
, and
M.
Matsumura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
39
,
5732
(
2000
).
376.
Y.
Takahashi
and
T.
Urisu
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
30
,
L209
(
1991
).
377.
H.
Akazawa
,
Phys. Rev. B
54
,
10917
(
1996
).
378.
H.
Akazawa
,
J. Appl. Phys.
81
,
3320
(
1997
).
379.
P. A.
Coon
,
M. L.
Wise
,
A. C.
Dillon
,
M. B.
Robinson
, and
S. M.
George
,
J. Vac. Sci. Technol. B
10
,
221
(
1992
).
380.
F.
Hirose
,
M.
Suemitsu
, and
N.
Miyamoto
,
Appl. Surf. Sci.
60/61
,
592
(
1992
).
381.
J.
Murota
,
M.
Sakuraba
, and
S.
Ono
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
2353
(
1993
).
382.
M.
Sakuraba
,
J.
Murota
,
T.
Watanabe
,
Y.
Sawada
, and
S.
Ono
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
354
(
1994
).
383.
D. D.
Koleske
,
S. M.
Gates
, and
D. B.
Beach
,
J. Appl. Phys.
72
,
4073
(
1992
).
384.
S. M.
Gates
,
D. D.
Koleske
,
J. R.
Heath
, and
M.
Copel
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
510
(
1993
).
385.
D. D.
Koleske
and
S. M.
Gates
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
884
(
1994
).
386.
Y.
Suda
,
D.
Lubben
,
T.
Motooka
, and
J.
Greene
,
J. Vac. Sci. Technol. B
7
,
1171
(
1989
).
387.
D.
Lubben
,
R.
Tsu
,
T. R.
Bramblett
, and
J. E.
Greene
,
J. Vac. Sci. Technol. A
9
,
3003
(
1991
).
388.
D.
Lin
,
T.
Miller
, and
T.
Chiang
,
Phys. Rev. B
47
,
6543
(
1993
).
389.
Y.
Suda
,
M.
Ishida
,
M.
Yamashita
, and
H.
Ikeda
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
332
(
1994
).
390.
Y.
Suda
,
Y.
Misato
, and
D.
Shiratori
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
,
2390
(
1999
).
391.
J.
Nishizawa
,
A.
Murai
,
T.
Ohizumi
,
T.
Kurabayashi
,
K.
Ohtsuka
, and
T.
Yoshida
,
J. Cryst. Growth
209
,
327
(
2000
).
392.
J.
Nishizawa
,
A.
Murai
,
T.
Oizumi
,
T.
Kurabayashi
,
K.
Kanamoto
, and
T.
Yoshida
,
J. Cryst. Growth
233
,
161
(
2001
).
393.