The annealing behavior of defects in n-type 6H SiC epilayers irradiated with 2 MeV electrons have been studied using positron annihilation and deep level transient spectroscopy. Vacancy-type defects are annealed at 500–700 °C and 1200–1400 °C. From the analysis of Doppler broadening spectra (core electron momentum distribution), the latter annealing process is attributed to the disappearance of complexes related to silicon vacancies and not to nearest neighbor divacancies. Among the observed deep levels, the levels show similar annealing behavior to that of positron annihilation centers above 1000 °C. It is thus proposed that the levels originate from complexes containing silicon vacancies.
REFERENCES
1.
W. J.
Choyke
, Inst. Phys. Conf. Ser.
31
, 58
(1977
).2.
3.
V. S.
Ballandovich
and G. N.
Violina
, Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater.
13
, 189
(1987
).4.
J. P.
Doyle
, M. O.
Aboelfotoh
, M. K.
Linnarsson
, B. G.
Svensson
, A.
Schöner
, N.
Nordell
, D.
Harris
, J. L.
Lindström
, E.
Janzén
, and C.
Hemmingsson
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
423
, 519
(1996
).5.
C.
Hemmingsson
, N. T.
Son
, O.
Kordina
, E.
Janzén
, and J. L.
Lindström
, J. Appl. Phys.
84
, 704
(1998
).6.
7.
C.
Hemmingsson
, N. T.
Son
, O.
Kordina
, J. L.
Lindström
, and E.
Janzén
, Semicond. Sci. Technol.
14
, 251
(1999
).8.
9.
T.
Frank
, G.
Pensl
, S.
Bai
, R. P.
Devaty
, and W. J.
Choyke
, Mater. Sci. Forum
338–342
, 753
(2000
).10.
A. A.
Lebedev
, A. I.
Veinger
, D. V.
Davydov
, V. V.
Kozlovski
, N. S.
Savkina
, and A. M.
Strel’chuk
, J. Appl. Phys.
88
, 6265
(2000
).11.
12.
13.
T.
Troffer
, M.
Schadt
, T.
Frank
, H.
Itoh
, G.
Pensl
, J.
Heindl
, H. P.
Strunk
, and M.
Maier
, Phys. Status Solidi A
162
, 277
(1997
).14.
N. T.
Son
, E.
Sörman
, W. M.
Chen
, O.
Kordina
, B.
Monemar
, and E.
Janzén
, Appl. Phys. Lett.
65
, 2687
(1994
).15.
E.
Sörman
, N. T.
Son
, W. M.
Chen
, O.
Kordina
, C.
Hallin
, and E.
Janzén
, Phys. Rev. B
61
, 2613
(2000
).16.
N. T.
Son
, E.
Sörman
, M.
Singh
, W. M.
Chen
, C.
Hallin
, O.
Kordina
, and E.
Janzén
, Diamond Relat. Mater.
6
, 1378
(1997
).17.
18.
T.
Dalibor
, G.
Pensl
, H.
Matsunami
, T.
Kimoto
, W. J.
Choyke
, A.
Schöner
, and N.
Nordell
, Phys. Status Solidi A
162
, 199
(1997
).19.
20.
21.
22.
N. T.
Son
, O. N.
Hai
, M.
Wagner
, W. M.
Chen
, A.
Ellison
, C.
Hallin
, B.
Monemar
, and E.
Janzén
, Semicond. Sci. Technol.
14
, 1141
(1999
).23.
H.
Itoh
, M.
Yoshikawa
, L.
Wei
, S.
Tanigawa
, I.
Nashiyama
, S.
Misawa
, H.
Okumura
, and S.
Yoshida
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
262
, 331
(1992
).24.
H.
Itoh
, M.
Yoshikawa
, I.
Nashiyama
, L.
Wei
, S.
Tanigawa
, S.
Misawa
, H.
Okumura
, and S.
Yoshida
, Mater. Sci. Forum
117–118
, 501
(1993
).25.
H.
Itoh
, M.
Yoshikawa
, I.
Nashiyama
, L.
Wei
, S.
Tanigawa
, S.
Misawa
, H.
Okumura
, and S.
Yoshida
, Hyperfine Interact.
79
, 725
(1993
).26.
A. I.
Girka
, V. A.
Kuleshin
, A. D.
Mokrushin
, E. N.
Mokhov
, S. V.
Svirida
, and A. V.
Shishkin
, Sov. Phys. Semicond.
23
, 1337
(1989
).27.
A. A.
Rempel
and H.-E.
Schaefer
, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
61
, 51
(1995
).28.
29.
30.
C. C.
Ling
, A. H.
Deng
, S.
Fung
, and C. D.
Beling
, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
70
, 33
(2000
).31.
A.
Kawasuso
, H.
Ito
, D.
Cha
, and S.
Okada
, Mater. Sci. Forum
264–268
, 611
(1998
).32.
33.
A.
Kawasuso
, H.
Ito
, T.
Ohshima
, K.
Abe
, and S.
Okada
, J. Appl. Phys.
82
, 3232
(1997
).34.
A.
Kawasuso
, H.
Ito
, N.
Morishita
, M.
Yoshikawa
, T.
Ohshima
, I.
Naishyama
, S.
Okada
, H.
Okumura
, and S.
Yoshida
, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
67
, 209
(1998
).35.
T. Frank, M. Weidner, A. Kawasuso, H. Itoh, and G. Pensl (unpublished).
36.
P.
Sperr
and G.
Kögel
, Mater. Sci. Forum
255–257
, 109
(1997
).37.
P. Kirkegaard, N. Pederson, and M. Eldrup, PATFIT-88, Riso-M-2704 (1989).
38.
The as-grown n-type epilayer was unsuitable to determine exact bulk lifetime because of the reemission effect. The reemission effect vanishes for p-type and irradiated n-type epilayers.
39.
G.
Brauer
, W.
Anward
, E.-M.
Nicht
, J.
Kuriplach
, M.
Sǒb
, N.
Wagner
, P. G.
Poleman
, M. J.
Puska
, and T.
Korhonen
, Phys. Rev. B
54
, 2512
(1996
).40.
J.
Gebauer
, R.
Krause-Rehberg
, S.
Eichler
, and F.
Böner
, Appl. Surf. Sci.
149
, 110
(1999
).41.
J.
Gebauer
, S.
Eichler
, R.
Krause-Rehberg
, and H. P.
Zeindl
, Appl. Surf. Sci.
116
, 247
(1997
).42.
A.
Uedono
, S.
Tanigawa
, T.
Ohshima
, H.
Itoh
, U.
Aoki
, M.
Yoshikawa
, and I.
Nashiyama
, J. Appl. Phys.
86
, 5392
(1999
).43.
44.
T.
Ohshima
, A.
Uedono
, K.
Abe
, H.
Itoh
, U.
Aoki
, M.
Yoshikawa
, S.
Tanigawa
, and I.
Nashiyama
, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
67
, 407
(1998
).45.
R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors, Springer Series in Solid-State Sciences, Vol. 127 (Springer, Berlin, 1998).
46.
K. G.
Lynn
, D. O.
Welch
, J.
Throwe
, and B.
Nielsen
, Int. Mater. Rev.
36
, 1
(1991
).47.
A.
van Veen
, H.
Schut
, M.
Clement
, J. M. M.
de Nijs
, A.
Kruseman
, and M. R.
Ijpma
, Appl. Surf. Sci.
85
, 216
(1995
).48.
T.
Staab
, L. M.
Torpo
, M. J.
Puska
, and R. M.
Nieminen
, Mater. Sci. Forum
353–356
, 533
(2001
).49.
A.
Kawasuso
, F.
Redmann
, R.
Krause-Rehberg
, M.
Yoshikawa
, K.
Kojima
, and H.
Itoh
, Phys. Status Solidi B
223
, R8
(2001
).50.
A. L.
Barry
, B.
Lehmann
, D.
Fritsch
, and D.
Bräung
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
30
, 1111
(1991
).51.
H.
Itoh
, A.
Kawasuso
, T.
Ohshima
, M.
Toshikawa
, I.
Nashiyama
, S.
Tanigawa
, S.
Misawa
, H.
Okumura
, and S.
Yoshida
, Phys. Status Solidi A
162
, 173
(1997
).52.
D.
Cha
, H.
Itoh
, N.
Morishita
, A.
Kawasuso
, T.
Ohshima
, Y.
Watanabe
, J.
Ko
, K.
Lee
, and I.
Nashiyama
, Mater. Sci. Forum
264–268
, 615
(1998
).53.
H.
Itoh
, N.
Hayakawa
, I.
Nashiyama
, and E.
Sakuma
, J. Appl. Phys.
66
, 4529
(1989
).54.
This content is only available via PDF.
© 2001 American Institute of Physics.
2001
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.