Photoluminescence and cathodoluminescence spectra are recorded on epitaxial GaN laterally overgrown on (0001) sapphire. Photon recycling, which influences the position of the near band edge transition, is evidenced in cathodoluminescence (CL) spectra by changing the accelerating voltage. CL monochromatic images recorded at different wavelengths show that dislocations act as efficient nonradiative recombination centers, and that they are not responsible for the yellow band.
REFERENCES
1.
S.
Nakamura
, M.
Senoh
, S.
Nagahama
, N.
Isawa
, T.
Matushita
, and T.
Mukai
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4S1
, G1
.1
(1999
).2.
O.-H.
Nam
, M. D.
Bremser
, T. S.
Zheleva
, and R. F.
Davis
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2638
(1997
).3.
H.
Marchand
, J. P.
Ibbetson
, P. T.
Fini
, P.
Kozodoy
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
3
, 3
(1998
).4.
H.
Marchand
, X. H.
Wu
, J. P.
Ibbetson
, P. T.
Fini
, P.
Kozodoy
, S.
Keller
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
73
, 747
(1998
).5.
B.
Beaumont
, V.
Bousquet
, P.
Vennéguès
, M.
Vaille
, A.
Bouillé
, P.
Gibart
, S.
Dassonneville
, A.
Amokrane
, and B.
Sieber
, Phys. Status Solidi A
176
, 567
(1999
).6.
M.
Hao
, S.
Mahanty
, T.
Sugahara
, Y.
Morishima
, H.
Takenaka
, J.
Wang
, S.
Tottori
, K.
Nishino
, Y.
Naoi
, and S.
Sakai
, J. Appl. Phys.
85
, 6497
(1999
).7.
D. M.
Tricker
, K.
Jacobs
, and C. J.
Humphreys
, Phys. Status Solidi B
216
, 633
(1999
).8.
A.
Sakai
, H.
Sunakawa
, A.
Kimura
, and A.
Usui
, Appl. Phys. Lett.
76
, 442
(2000
).9.
P.
Vennéguès
, B.
Beaumont
, V.
Bousquet
, M.
Vaille
, and P.
Gibart
, J. Appl. Phys.
87
, 4175
(2000
).10.
M.
Hansen
, P.
Fini
, L.
Zhao
, A. C.
Abare
, L. A.
Coldren
, J. S.
Speck
, and S. P.
DenBaars
, Appl. Phys. Lett.
76
, 529
(2000
).11.
G.
Parish
, S.
Keller
, P.
Kozodoy
, J. P.
Ibbetson
, H.
Marchand
, P. T.
Fini
, S. B.
Fleischer
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
75
, 247
(1999
).12.
O.-H.
Nam
, M. D.
Bremser
, T. S.
Zheleva
, and R. F.
Davis
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2638
(1997
).13.
Z.
Yu
, M. A. L.
Johnson
, J. D.
Brown
, N. A.
El-Masry
, J. F.
Muth
, J. W.
Cook
, Jr., J. F.
Schetzina
, K. W.
Haberern
, H. S.
Kong
, and J. A.
Edmond
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4S1
, G4
.3
(1999
).14.
D.
Kapolnek
, S.
Keller
, R.
Vetury
, R. D.
Underwood
, P.
Kozodoy
, S. P. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
71
, 1204
(1997
).15.
H.
Marchand
, N.
Zhang
, L.
Zhao
, Y.
Golan
, S. J.
Rosner
, G.
Girolami
, P. T.
Fini
, J. P.
Ibbetson
, S.
Keller
, S.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4
, 2
(1999
).16.
S.
Haffouz
, B.
Beaumont
, M.
Leroux
, M.
Laugt
, P.
Lorenzini
, and P.
Gibart
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
2
, 37
(1997
).17.
B.
Beaumont
, M.
Vaille
, G.
Nataf
, A.
Bouillé
, J.-C.
Guillaume
, P.
Vénnègues
, S.
Haffouz
, and P.
Gibart
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
3
, 20
(1998
).18.
S.
Chichibu
, H.
Okumura
, S.
Nakamura
, G.
Feuillet
, T.
Azuhata
, T.
Sota
, and S.
Yoshida
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
36
, 1976
(1997
).19.
K.
Torii
, T.
Deguchi
, T.
Sota
, K.
Suzuki
, S.
Chichibu
, and S.
Nakamura
, Phys. Rev. B
60
, 4723
(1999
).20.
M.
Tchounkeu
, O.
Briot
, B.
Gil
, J. P.
Alexis
, and R.-L.
Aulombard
, J. Appl. Phys.
80
, 5352
(1996
).21.
L.
Siozade
, S.
Colard
, M.
Muhailovic
, J.
Leymarie
, A.
Vasson
, N.
Grandjean
, M.
Leroux
, and J.
Massies
, Phys. Status Solidi B
216
, 73
(1999
).22.
G.
Neu
, M.
Teisseire
, B.
Beaumont
, H.
Lahreche
, and P.
Gibart
, Phys. Status Solidi B
216
, 79
(1999
).23.
S. F.
Chichibu
, K.
Torii
, T.
Deguchi
, T.
Sota
, A.
Setoguchi
, H.
Nakanishi
, T.
Azuhata
, and S.
Nakamura
, Appl. Phys. Lett.
76
, 1576
(2000
).24.
M.
Leroux
, N.
Grandjean
, B.
Beaumont
, G.
Nataf
, F.
Semond
, J.
Massies
, and P.
Gibart
, J. Appl. Phys.
86
, 3721
(1999
).25.
M.
Liu
, L. A.
Bursill
, S.
Prawer
, K. W.
Nugent
, Y. Z.
Tong
, and G. Y.
Zhang
, Appl. Phys. Lett.
74
, 3215
(1999
).26.
L.
Eckey
, U.
Von Gfug
, J.
Holst
, A.
Hoffmann
, A.
Kaschner
, H.
Siegle
, C.
Thomsen
, B.
Schineller
, K.
Heime
, M.
Heuken
, O.
Schön
, and R.
Beccard
, J. Appl. Phys.
84
, 5828
(1998
).27.
E. R.
Glaser
, T. A.
Kennedy
, K.
Doverspike
, L. B.
Rowland
, D. K.
Gaskill
, J. A.
Freitas
, Jr., M.
Asif Khan
, D. T.
Olson
, J. N.
Kuznia
, and D. K.
Wickenden
, Phys. Rev. B
51
, 13
326
(1995
).28.
A. K.
Viswanath
, E.
Shin
, J. I.
Lee
, S.
Yu
, and D.
Kim
, J. Appl. Phys.
83
, 2272
(1998
).29.
30.
F.
Cléton
, B.
Sieber
, R. A.
Masut
, L.
Isnard
, J. M.
Bonard
, and J. D.
Ganière
, Semicond. Sci. Technol.
11
, 726
(1996
).31.
K.
Knobloch
, P.
Perlin
, J.
Krueger
, E. R.
Weber
, and C.
Kisielowski
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
3
, 4
(1998
).32.
33.
I.-H.
Lee
, J. J.
Lee
, P.
Kung
, F. J.
Sanchez
, and M.
Razeghi
, Appl. Phys. Lett.
74
, 102
(1999
).34.
M.
Leroux
, B.
Beaumont
, N.
Grandjean
, P.
Lorenzini
, S.
Haffouz
, P.
Vennéguès
, J.
Massies
, and P.
Gibart
, Mater. Sci. Eng., B
50
, 97
(1997
).35.
J. Christen and T. Riemann, private communication, 2000;
J. Christen, T. Riemann, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Fall Meeting, 2000.
36.
G.
Li
, S. J.
Chua
, S. J.
Xu
, W.
Wang
, P.
Li
, B.
Beaumont
, and P.
Gibart
, Appl. Phys. Lett.
74
, 2821
(1999
).37.
38.
S. C.
Jain
, M.
Willander
, J.
Narayan
, and R.
Van Overstraeten
, J. Appl. Phys.
87
, 965
(2000
).39.
E.
Deleporte
, C.
Guénaud
, M.
Voos
, B.
Beaumont
, and P.
Gibart
, Phys. Status Solidi B
216
, 713
(1999
).40.
B. K. Meyer, A. Hoffmann, and P. Thurian, in Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Oxford University Press, Oxford, 1998), p. 242.
41.
B.
Monemar
, J. P.
Bergman
, I. A.
Buyanova
, W.
Li
, H.
Amano
, and I.
Akasaki
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
1
, 2
(1996
).42.
J. F.
Muth
, J. H.
Lee
, I. K.
Shmagin
, R. M.
Kolbas
, H. C.
Casey
, Jr., B. P.
Keller
, U. K.
Mishra
, and S. P.
Denbaars
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2572
(1997
).43.
S.
Chichibu
, T.
Azuhata
, T.
Sota
, and S.
Nakamura
, J. Appl. Phys.
79
, 2784
(1996
).44.
C.
Merz
, M.
Kunzer
, B.
Santic
, U.
Kaufmann
, I.
Akasaki
, and H.
Amano
, Mater. Sci. Eng., B
43
, 176
(1997
).45.
M.
Smith
, J. Y.
Lin
, H. X.
Jiang
, and M. A.
Khan
, Appl. Phys. Lett.
71
, 635
(1997
).46.
M.
Leroux
, B.
Beaumont
, N.
Grandjean
, P.
Gibart
, J.
Massies
, and J. P.
Faurie
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
1
, 25
(1996
).47.
W.
Rieger
, T.
Metzger
, H.
Angerer
, R.
Dimitrov
, O.
Ambacher
, and M.
Stutzmann
, Appl. Phys. Lett.
68
, 970
(1996
).48.
V.
Yu Davydov
, N. S.
Averkiev
, I. N.
Goncharuk
, D. K.
Nelson
, I. P.
Nikitina
, A. S.
Polkovnikov
, A. N.
Smirnov
, M. A.
Jacobson
, and O. K.
Semchinova
, J. Appl. Phys.
82
, 5097
(1997
).49.
V. A.
Savastenko
and U.
Sheloag
, Phys. Status Solidi A
48
, K135
(1978
).50.
A.
Polian
, M.
Grimsditch
, and O.
Grzegory
, J. Appl. Phys.
79
, 3343
(1996
).51.
S.
Chichibu
, A.
Shikanai
, T.
Azuhata
, T.
Sota
, A.
Kuramata
, K.
Horino
, and S.
Nakamura
, Appl. Phys. Lett.
68
, 3766
(1996
).52.
K.
Kim
, W. R. L.
Lambrecht
, and B.
Segall
, Phys. Rev. B
50
, 1502
(1994
).53.
S. J.
Rosner
, E. C.
Carr
, M. J.
Ludowise
, G.
Girolami
, and H. I.
Erikson
, Appl. Phys. Lett.
70
, 420
(1997
).54.
55.
S.
Dassonneville
, A.
Amokrane
, B.
Sieber
, J.-L.
Farvacque
, B.
Beaumont
, V.
Bousquet
, P.
Gibart
, K.
Leifer
, and J. D.
Ganière
, Physica B
273–274
, 148
(1999
).56.
A.
Amokrane
, S.
Dassonneville
, B.
Sieber
, J.-L.
Farvacque
, B.
Beaumont
, V.
Bousquet
, P.
Gibart
, J.-D.
Ganière
, and K.
Leifer
, J. Phys.: Condens. Matter
12
, 10271
(2000
).57.
F. A.
Ponce
, D. P.
Bour
, W.
Götz
, and P. J.
Wright
, Appl. Phys. Lett.
68
, 57
(1995
).58.
S. D.
Lester
, F. A.
Ponce
, M. G.
Crawford
, and D. A.
Steigerwald
, Appl. Phys. Lett.
66
, 1249
(1995
).59.
S.
Christiansen
et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
1
, 19
(1996
).60.
This content is only available via PDF.
© 2001 American Institute of Physics.
2001
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
