A large amount of work world-wide has been directed towards obtaining an understanding of the fundamental characteristics of porous Si. Much progress has been made following the demonstration in 1990 that highly porous material could emit very efficient visible photoluminescence at room temperature. Since that time, all features of the structural, optical and electronic properties of the material have been subjected to in-depth scrutiny. It is the purpose of the present review to survey the work which has been carried out and to detail the level of understanding which has been attained. The key importance of crystalline Si nanostructures in determining the behaviour of porous Si is highlighted. The fabrication of solid-state electroluminescent devices is a prominent goal of many studies and the impressive progress in this area is described.
REFERENCES
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Y. Watanabe and T. Sakai, Rev. Electron. Commun. Labs. 19, 899 (1971).
7.
Y.
Watanabe
, Y.
Arita
, T.
Yokoyama
, and Y.
Igarashi
, J. Electrochem. Soc.
122
, 1351
(1975
).8.
Y.
Arita
, K.
Kato
, and T.
Sudo
, IEEE Trans. Electron Devices
24
, 756
(1977
).9.
10.
11.
12.
F.
Otoi
, K.
Anzai
, H.
Kitabayashi
, K.
Uchiho
, and Y.
Mizokami
, J. Electrochem. Soc.
131
, C319
(1984
).13.
K.
Barla
, G.
Bomchil
, R.
Herino
, A.
Monroy
, and Y.
Gris
, Electron. Lett.
22
, 1291
(1986
).14.
15.
N. J.
Thomas
, J. R.
Davis
, J. M.
Keen
, J. G.
Castledine
, D.
Brumhead
, M.
Goulding
, J.
Alderman
, J. P. G.
Farr
, L. G.
Earwaker
, J. L.
Écuyer
, I. M.
Sturland
, and J. M.
Cole
, IEEE Electron Device Lett.
10
, 129
(1989
).16.
17.
L. T. Canham, J. M. Keen, and W. Y. Leong, UK Patent No. 8927709, 7th Dec. (1989).
18.
19.
V. Lehmann and U. Gösele, US Patent No. 751, 800, 29th Aug. (1991).
20.
21.
A.
Halimaoui
, C.
Oules
, G.
Bromchil
, A.
Bsiesy
, F.
Gaspard
, R.
Herino
, M.
Ligeon
, and F.
Muller
, Appl. Phys. Lett.
59
, 304
(1991
).22.
L. T. Canham, T. I. Cox, and W. Y. Leong, UK Patent No. 9108176.0, 17th April (1991).
23.
24.
J.
Rouquerol
, D.
Avnir
, C. W.
Fairbridge
, D. H.
Everett
, J. H.
Haynes
, N.
Pernicore
, J. D. F.
Ramsey
, K. S. W.
Sing
, and K. K.
Unger
, Pure Appl. Chem.
66
, 1739
(1994
).25.
J. S.
Shor
, I.
Grimberg
, B. Z.
Weiss
, and A. D.
Kurtz
, Appl. Phys. Lett.
62
, 2836
(1993
).26.
A.
Takazawa
, T.
Tamura
, and M.
Yamada
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
32
, 3148
(1993
).27.
J. S.
Shor
, L.
Bemis
, A. D.
Kurtz
, I.
Grimberg
, B. Z.
Weiss
, M. F.
Macmillian
, and W. J.
Choyke
, J. Appl. Phys.
76
, 4045
(1994
).28.
T.
Matsumoto
, J.
Takahashi
, T.
Tamaki
, T.
Futagi
, H.
Mimura
, and Y.
Kanemitru
, Appl. Phys. Lett.
64
, 226
(1994
).29.
V.
Petrova-Koch
, O.
Sreseli
, G.
Polisski
, D.
Kovalev
, T.
Muschik
, and F.
Koch
, Thin Solid Films
255
, 107
(1995
).30.
A. O.
Konstantinov
, C. I.
Harris
, and E.
Janzen
, Appl. Phys. Lett.
65
, 2699
(1994
).31.
A. O.
Konstantinov
, A.
Henry
, C. I.
Harris
, and E.
Janzen
, Appl. Phys. Lett.
66
, 2250
(1995
).32.
A. M.
Danishevski
, V. B.
Shuman
, A. Yu.
Rogachev
, and P. A.
Ivanov
, Semiconductors
29
, 1106
(1995
).33.
34.
L. S.
Liao
, X. M.
Bao
, Z. F.
Yang
, and N. B.
Min
, Appl. Phys. Lett.
66
, 2382
(1995
).35.
X. L.
Wu
, F.
Yan
, X. M.
Bao
, N. S.
Li
, L. S.
Liao
, M. S.
Zhang
, S. S.
Jiang
, and D.
Feng
, Appl. Phys. Lett.
68
, 2091
(1996
).36.
M. F.
MacMillan
, R. P.
Devaty
, W. J.
Choyke
, D. R.
Goldstein
, J. E.
Spanier
, and A. D.
Kurtz
, J. Appl. Phys.
80
, 2412
(1996
).37.
A. I.
Belogrokhov
, V. A.
Karavanskii
, A. N.
Obraztsov
, and V. Yu.
Timoshenko
, JETP Lett.
60
, 275
(1994
).38.
39.
A.
Aredda
, A.
Serpi
, V. A.
Karravanskii
, I. M.
Tiginyanu
, and V. M.
Ichizli
, Appl. Phys. Lett.
67
, 3316
(1995
).40.
I. M.
Tiginyanu
, V. V.
Ursaki
, V. A.
Karavanskii
, V. N.
Sokolov
, Y. S.
Raptis
, and E.
Anastassakis
, Solid State Commun.
97
, 675
(1996
).41.
B. H.
Erné
, D.
Vanmaekelbergh
, and J. J.
Kelly
, J. Electrochem. Soc.
143
, 305
(1996
).42.
A.
Meyerink
, A. A.
Bol
, and J. J.
Kelly
, Appl. Phys. Lett.
69
, 2801
(1996
).43.
S.
Gardelis
, J. S.
Rimmer
, P.
Dawson
, B.
Hamilton
, R. A.
Kubiak
, T. E.
Whall
, and E. H. C.
Parker
, Appl. Phys. Lett.
59
, 2118
(1991
).44.
A.
Ksendzov
, R. W.
Fathaver
, T.
George
, W. T.
Pike
, R. P.
Vasquez
, and A. P.
Taylor
, Appl. Phys. Lett.
63
, 200
(1993
).45.
W. T.
Pike
, A.
Ksendzov
, R. W.
Fathauer
, and T.
George
, J. Vac. Sci. Technol. B
11
, 1401
(1993
).46.
R. W.
Fathauer
, T.
George
, E. W.
Jones
, W. T.
Pike
, A.
Ksendzov
, and R. P.
Vasquez
, J. Vac. Sci. Technol. B
11
, 1518
(1993
).47.
H. T.
Shi
, Y. D.
Zheng
, Y. B.
Wang
, and R. K.
Yuan
, Appl. Phys. A
57
, 573
(1993
).48.
Y.
Kolic
, E.
Borne
, M. A.
Garcia-Perez
, A.
Sibai
, R.
Gauthier
, and A.
Laugier
, Thin Solid Films
255
, 279
(1995
).49.
M.
Schoisswohl
, J. L.
Cantin
, M.
Chamarro
, H. J.
von Bardeleben
, T.
Morgenstern
, E.
Buigel
, W.
Kissinger
, and R. C.
Andrew
, Phys. Rev. B
52
, 11898
(1995
).50.
M.
Schoisswohl
, M.
Rosenbauer
, J. L.
Cantin
, S.
Lebib
, H. J.
von Bardeleben
, J. L.
Fave
, J.
Cernogora
, G.
Amato
, and A.
Rossi
, J. Appl. Phys.
79
, 9301
(1996
).51.
52.
M.
Sendova-Vassileva
, N.
Tzenov
, D.
Dimova-Malinovska
, M.
Rosenbauer
, M.
Stutzmann
, and K. V.
Josepovits
, Thin Solid Films
255
, 282
(1995
).53.
S.
Bayliss
, Q.
Zhang
, and P.
Harris
, Appl. Surf. Sci.
102
, 390
(1996
).54.
M. I. J.
Beale
, J. D.
Benjamin
, M. J.
Uren
, N. G.
Chew
, and A. G.
Cullis
, J. Cryst. Growth
73
, 622
(1985
).55.
M. H.
Ludwig
, R. E.
Hummel
, and S. S.
Chang
, J. Vac. Sci. Technol. B
12
, 3023
(1994
).56.
P.
Schmuki
, J.
Fraser
, C. M.
Vitus
, M. S.
Graham
, and H. S.
Isaacs
, J. Electrochem. Soc.
143
, 3316
(1996
).57.
P.
Schmuki
, D. J.
Lockwood
, H. J.
Labbe
, and J. W.
Fraser
, Appl. Phys. Lett.
69
, 1620
(1996
).58.
59.
60.
E.
Kumino
, M.
Amiotto
, T.
Takizawa
, and S.
Arai
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
34
, 177
(1995
).61.
62.
63.
P. C.
Searson
, J. M.
Macauley
, and F. M.
Ross
, J. Appl. Phys.
72
, 253
(1992
).64.
65.
66.
67.
Yu. E.
Makushok
, V. P.
Parkhutik
, J. M.
Martinez Duart
, and J. M.
Albella
, J. Phys. D
661
(1994
).68.
J.
Elebacher
, K.
Sieradzki
, and P. C.
Searson
, J. Appl. Phys.
76
, 182
(1994
).69.
70.
St.
Frohnhoff
, M.
Marso
, M. G.
Berger
, M.
Thönissen
, H.
Lüth
, and H.
Münder
, J. Electrochem. Soc.
142
, 615
(1995
).71.
O.
Teschke
, M. C.
dos Santos
, M. V.
Kleinke
, D. M.
Soares
, and D. S.
Galvao
, J. Appl. Phys.
78
, 590
(1995
).72.
D. M.
Soares
, M. C.
Dossantos
, and O.
Teschke
, Chem. Phys. Lett.
242
, 202
(1995
).73.
74.
Z. J.
He
, Y. P.
Huang
, and R.
Kwor
, Thin Solid Films
265
, 96
(1995
).75.
76.
77.
J. W.
Corbett
, D. I.
Shareshevskii
, and I. V.
Verner
, Phys. Status Solidi A
147
, 81
(1995
).78.
P.
Allongue
, C. H.
de Villeneuve
, L.
Pinsard
, and M. C.
Bernard
, Appl. Phys. Lett.
67
, 941
(1995
).79.
D.
Brumhead
, L. T.
Canham
, D. M.
Seekings
, and P. J.
Tufton
, Electrochim. Acta
38
, 191
(1993
).80.
T. R.
Guilinger
, M. J.
Kelly
, E. H.
Chason
, T. J.
Headley
, and A. J.
Howard
, J. Electrochem. Soc.
142
, 1634
(1995
).81.
D. M.
Soares
, O.
Teschki
, and M. C.
dos Santos
, Langmuir
12
, 2875
(1996
).82.
L.
Jia
, S. L.
Zhang
, S. P.
Wong
, I. H.
Wilson
, S. K.
Hark
, Z. F.
Liu
, and S. M.
Cai
, Appl. Phys. Lett.
69
, 3399
(1996
).83.
K. H.
Jung
, S.
Shih
, and D. L.
Kuong
, J. Electrochem. Soc.
140
, 3046
(1993
).84.
A. Halimaoui, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Springer, Berlin, 1995), p. 33.
85.
H.
Ono
, H.
Gomyu
, H.
Morisalci
, S.
Nozaki
, Y.
Shou
, M.
Shimasaki
, M.
Iwase
, and T.
Izumi
, J. Electrochem. Soc.
140
, L180
(1993
).86.
K.
Barla
, G.
Bomchil
, R.
Herino
, J. C.
Pfister
, and J.
Baruchel
, J. Cryst. Growth
68
, 721
(1984
).87.
88.
A.
Bsiesy
, J.-C.
Vial
, F.
Gaspard
, R.
Herino
, M.
Ligeon
, F.
Muller
, R.
Romestain
, A.
Wasiela
, A.
Halimaoui
, and G.
Bomchil
, Surf. Sci.
254
, 195
(1991
).89.
T.
Asano
, K.
Higa
, S.
Aoki
, M.
Tomchi
, and T.
Miyasato
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, L373
(1992
).90.
C.
Tsai
, K. H.
Li
, J. C.
Campbell
, B. K.
Hance
, M. F.
Arendtk
, J. M.
White
, S. L.
Yau
, and A. J.
Bard
, J. Electron. Mater.
21
, 995
(1992
).91.
V. C.
Doan
, R. M.
Penner
, and M. J.
Sailor
, J. Phys. Chem.
97
, 4505
(1993
).92.
93.
H.
Koyama
, T.
Nakagawa
, T.
Ozaki
, and N.
Koshida
, Appl. Phys. Lett.
65
, 1656
(1994
).94.
95.
C.
Lévy-Clément
, A.
Lagoubi
, D.
Ballutaud
, F.
Ozanam
, J. N.
Chazalviel
, and M.
Neumann-Spallart
, Appl. Surf. Sci.
65/66
, 408
(1993
).96.
E.
Galun
, R.
Tenne
, A.
Lagoubi
, and C.
Lévy-Clément
, J. Lumin.
57
, 125
(1993
).97.
C.
Lévy-Clément
, A.
Lagoubi
, and M.
Tomkiewicz
, J. Electrochem. Soc.
141
, 958
(1994
).98.
C. Lévy-Clément, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Springer, Berlin, 1995), p. 329.
99.
T.
Nakagawa
, H.
Koyama
, and N.
Koshida
, Appl. Phys. Lett.
69
, 3206
(1996
).100.
X.
Hou
, H.
Fan
, L.
Xu
, F.
Zhang
, M.
Li
, M.
Yu
, and X.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
68
, 2323
(1996
).101.
102.
R. W.
Fathauer
, T.
George
, A.
Ksendzov
, and R. P.
Vasquez
, Appl. Phys. Lett.
60
, 995
(1992
).103.
S.
Shih
, K. H.
Jung
, T. Y.
Hsieh
, J.
Sarathy
, J. C.
Campbell
, and D. L.
Kwong
, Appl. Phys. Lett.
60
, 1863
(1992
).104.
J. Q.
Jia
, L. Z.
Zhang
, J. J.
Fu
, B. R.
Zhang
, J. C.
Mao
, and G. G.
Qin
, J. Appl. Phys.
74
, 7615
(1993
).105.
W. B.
Dubbleday
, P. M.
Szaflarski
, R. L.
Shimakukaro
, S. D.
Russell
, and M. J.
Sailor
, Appl. Phys. Lett.
62
, 1694
(1993
).106.
S.
Liu
, C.
Palsule
, S.
Yi
, and S.
Gangopadhyay
, Phys. Rev.
49
, 10318
(1994
).107.
M. T.
Kelly
, J. K. M.
Chun
, and A. B.
Bocarsly
, Appl. Phys. Lett.
64
, 1693
(1994
).108.
R. R.
Chandler-Henderson
, J. L.
Coffer
, and L. A.
Filessesler
, J. Electrochem. Soc.
141
, L166
(1994
).109.
M.
Schoisswohl
, J. L.
Cantin
, H. J.
von Bardeleben
, and G.
Amato
, Appl. Phys. Lett.
66
, 3660
(1995
).110.
111.
A. J.
Steckl
, J.
Xu
, H. C.
Mogul
, and S. M.
Prokes
, J. Electrochem. Soc.
142
, L69
(1995
).112.
113.
M. J.
Winton
, S. D.
Russell
, J. A.
Wolk
, and R.
Gronsky
, Appl. Phys. Lett.
69
, 4026
(1996
).114.
115.
Z.
Zhang
, M. L.
Lerner
, T.
Alekel
III, and D. A.
Keszler
, J. Electrochem. Soc.
140
, L97
(1993
).116.
117.
O. K.
Anderson
, T.
Frello
, and E.
Veje
, J. Appl. Phys.
78
, 6189
(1995
).118.
L. E.
Friedersdorf
, P. C.
Searson
, S. M.
Prokes
, O. J.
Glembocki
, and J. M.
Macauley
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2285
(1992
).119.
N.
Noguchi
, I.
Suemune
, M.
Yamanishi
, G. C.
Hua
, and N.
Otsuka
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, L490
(1992
).120.
J.
Oswald
, M.
Nikl
, and J.
Pangrac
, Solid State Commun.
85
, 347
(1993
).121.
122.
N.
Ookubo
, Y.
Matsuda
, Y.
Ochiai
, and N.
Kuroda
, Mater. Sci. Eng. B
20
, 324
(1993
).123.
X.
Wang
, G.
Shi
, F. L.
Zhang
, H. J.
Chen
, W.
Wong
, P. H.
Mao
, and X. Y.
Hou
, Appl. Phys. Lett.
63
, 2363
(1993
).124.
E.
Ettedgui
, C.
Peng
, L.
Tsyberkov
, Y.
Gao
, and P. M.
Fauchet
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
283
, 173
(1993
).125.
C. H.
Lin
, S. C.
Lee
, and Y. F.
Chen
, J. Appl. Phys.
75
, 7728
(1994
).126.
G.
Ambrazevieus
, G.
Zaicevas
, V.
Sasutis
, D.
Lescinskas
, T.
Lidikus
, I.
Siemkiere
, and D.
Gulbinaite
, J. Appl. Phys.
76
, 5442
(1994
).127.
T.
Kimura
, H.
Nishida
, S.
Tervi
, and T.
Suzuki
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
34
, 1895
(1995
).128.
S. D.
Campbell
, L. A.
Jones
, E.
Nakamichi
, F. X.
Wei
, L. D.
Zajchowski
, and D. F.
Thomas
, J. Vac. Sci. Technol. B
13
, 1184
(1995
).129.
E.
zur Muhlen
, D.
Chang
, S.
Rogaschewski
, and H.
Niehus
, Phys. Status Solidi B
198
, 673
(1996
).130.
L. T.
Canham
, A. G.
Cullis
, C.
Pickering
, O. D.
Dosser
, T. I.
Cox
, and T. P.
Lynch
, Nature (London)
368
, 133
(1994
).131.
St.
Frohnhoff
, R.
Arens-Fischer
, T.
Heinrich
, J.
Fricke
, M.
Arntzen
, and W.
Theiss
, Thin Solid Films
255
, 115
(1995
).132.
133.
134.
V.
Pellegrini
, F.
Fuso
, G.
Lorenzi
, M.
Allegrini
, A.
Dilligenti
, A.
Nannini
, and G.
Pennelli
, Appl. Phys. Lett.
67
, 1084
(1995
).135.
O.
Belmont
, D.
Bellet
, and Y.
Bréchet
, J. Appl. Phys.
79
, 7586
(1996
).136.
137.
R. J. M.
Da Foresca
, J. M.
Savrel
, A.
Foucaran
, E.
Massore
, T.
Taliercio
, and J.
Camassel
, Thin Solid Films
255
, 155
(1995
).138.
A.
Borghesi
, A.
Sassella
, B.
Pwai
, and L.
Pavesi
, Solid State Commun.
87
, 1
(1993
).139.
E.
Ettedgui
, C.
Peng
, L.
Tsybeskov
, Y.
Gao
, and P. M.
Fauchet
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
283
, 173
(1993
).140.
M.
Thönissen
, S.
Billat
, M.
Krüger
, H.
Lüth
, M. G.
Berger
, U.
Frotscher
, and U.
Rossow
, J. Appl. Phys.
80
, 2990
(1996
).141.
S. M.
Prokes
, J. A.
Freitas
, Jr., and P. C.
Searson
, Appl. Phys. Lett.
60
, 3295
(1992
).142.
K.
Inoue
, O.
Matsuda
, K.
Maehashi
, H.
Nakashima
, and K.
Murase
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, L997
(1992
).143.
144.
G.
Mariotto
, F.
Ziglio
, and F. L.
Freire
, Jr., J. Non-Cryst. Solids
192/3
, 253
(1995
).145.
Th.
Dittrich
, I.
Sieber
, W.
Henrion
, S.
Rauscher
, N.
Wanderka
, and J.
Rappich
, Appl. Phys. A
63
, 467
(1996
).146.
S. L.
Zhang
, Y.
Hou
, K. S.
Ho
, B.
Qiari
, and S.
Cai
, J. Appl. Phys.
72
, 4469
(1992
).147.
148.
149.
C.
Pickering
, L. T.
Canham
, and D.
Brumhead
, Appl. Surf. Sci.
63
, 22
(1993
).150.
151.
M. A.
Tischler
, R. T.
Collins
, J. C.
Tsang
, J. H.
Stathis
, J. L.
Batstone
, and S.
Zollner
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
256
, 189
(1992
).152.
M. I. J.
Beale
, T. I.
Cox
, L. T.
Canham
, and D.
Brumhead
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
283
, 777
(1993
).153.
M. G.
Berger
, C.
Dieker
, M.
Thönissen
, L.
Vescan
, H.
Lüth
, H.
Münder
, W.
Theiss
, M.
Wernke
, and P.
Grosse
, J. Phys. D
27
, 1333
(1994
).154.
155.
St.
Frohnhoff
, M. G.
Berger
, M.
Thönissen
, C.
Dieker
, L.
Vescan
, H.
Münder
, and H.
Lüth
, Thin Solid Films
255
, 59
(1995
).156.
157.
M. G.
Berger
, M.
Thönissen
, R.
Arens-Fischer
, H.
Münder
, H.
Lüth
, M.
Arntzen
, and W.
Theiss
, Thin Solid Films
255
, 313
(1995
).158.
159.
L.
Pavesi
, C.
Mazzoleni
, A.
Tredicucci
, and V.
Pellegrini
, Appl. Phys. Lett.
67
, 3280
(1995
).160.
V.
Pellegrini
, A.
Tredicucci
, C.
Mazzoleni
, and L.
Pavesi
, Phys. Rev. B
52
, R14328
(1995
).161.
X. L.
Wu
, F.
Yan
, F. M.
Pao
, X.
Bao
, S. S.
Jiang
, M. S.
Zhang
, and D.
Feng
, Appl. Phys. Lett.
68
, 611
(1996
).162.
M.
Araki
, H.
Koyama
, and N.
Koshida
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
35
, 1041
(1996
).163.
164.
L. T.
Canham
, M. R.
Houlton
, W. Y.
Leong
, C.
Pickering
, and J. M.
Keen
, J. Appl. Phys.
70
, 422
(1991
).165.
166.
Y. H.
Xie
, W. L.
Wilson
, F. M.
Ross
, J. A.
Mucha
, E. A.
Fitzgerald
, J. M.
Macauley
, and T. D.
Harris
, J. Appl. Phys.
71
, 2403
(1992
).167.
W. X.
Zhu
, Y. X.
Gao
, L. Z.
Zhang
, J. C.
Mao
, B. R.
Zhang
, J. Q.
Duan
, and G. C.
Qin
, Superlattices Microstruct.
12
, 409
(1992
).168.
A.
Borghesi
, G.
Guizetti
, A.
Sassella
, O.
Bisi
, and L.
Pavesi
, Solid State Commun.
89
, 615
(1994
).169.
A.
Loni
, A. J.
Simons
, L. T.
Canham
, H. J.
Phillips
, and L. G.
Earwaker
, J. Appl. Phys.
76
, 2825
(1994
).170.
Z. C.
Feng
, A. T. S.
Wee
, and K. L.
Tan
, J. Phys. D
27
, 1968
(1994
).171.
N. Hadj
Zoubir
, M.
Vergnat
, T.
Delatour
, A.
Burneau
, Ph.
de Donato
, and O.
Barres
, Thin Solid Films
255
, 228
(1995
).172.
W.
Theiss
, M.
Arntzen
, S.
Hilbrich
, M.
Wernke
, R.
Arens-Fischer
, and M. G.
Berger
, Phys. Status Solidi B
190
, 15
(1995
).173.
D.
Graf
, M.
Grundner
, R.
Schulz
, and L.
Mulhoff
, J. Appl. Phys.
68
, 5155
(1990
).174.
L. T.
Canham
, A.
Loni
, P. D. J.
Calcott
, A. J.
Simons
, C.
Reeves
, M. R.
Houlton
, J. P.
Newey
, K. J.
Nash
, and T. I.
Cox
, Thin Solid Films
276
, 112
(1996
).175.
A.
Bsiesy
, F.
Gaspard
, R.
Herino
, M.
Ligeon
, F.
Muller
, and J. C.
Oberlin
, J. Acoust. Soc. Am.
138
, 3450
(1991
).176.
S.
Shih
, K. H.
Jung
, D. L.
Kwong
, M.
Kovar
, and J. M.
White
, Appl. Phys. Lett.
62
, 1780
(1993
).177.
A.
Grosman
, M.
Chamarro
, V.
Morazzoni
, C.
Ortega
, S.
Rigo
, J.
Siejka
, and H. J.
von Bardeleben
, J. Lumin.
57
, 13
(1993
).178.
A.
Nakajima
, T.
Itakura
, S.
Watanabe
, and N.
Nakajama
, Appl. Phys. Lett.
61
, 46
(1992
).179.
K. H.
Li
, C.
Tsai
, T.
Shih
, T.
Hsu
, D. L.
Kwang
, and J. C.
Campbell
, J. Appl. Phys.
72
, 3816
(1992
).180.
181.
C.
Peng
, L.
Tsybeskov
, and P. M.
Fauchet
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
298
, 179
(1993
).182.
F.
Kozlowski
, W.
Wagenseil
, P.
Steiner
, and W.
Lang
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
358
, 677
(1995
).183.
S.
Shih
, C.
Tsai
, K. H.
Li
, K. H.
Jung
, J. C.
Campbell
, and D. L.
Kwong
, Appl. Phys. Lett.
60
, 633
(1992
).184.
V.
Petrova-Koch
, T.
Muschik
, A.
Kux
, B. K.
Meyer
, F.
Koch
, and V.
Lehmann
, Appl. Phys. Lett.
61
, 943
(1992
).185.
186.
H.
Chen
, X.
Hou
, G.
Li
, F.
Zhang
, M.
Yu
, and X.
Wang
, J. Appl. Phys.
79
, 3282
(1996
).187.
Y.
Xiao
, M. J.
Heben
, J. M.
McCullough
, Y. S.
Tsuo
, J.
Pankove
, and S. K.
Deb
, Appl. Phys. Lett.
62
, 1152
(1993
).188.
U.
Gruning
, S. C.
Gujrathi
, S.
Poulin
, Y.
Diawara
, and A.
Yelon
, J. Appl. Phys.
75
, 8075
(1994
).189.
P. O.
Keefe
, Y.
Aoyagi
, S.
Komuro
, T.
Kato
, and T.
Morikawa
, Appl. Phys. Lett.
66
, 836
(1995
).190.
J. S.
Fu
, J. C.
Mao
, E.
Wu
, Y. Q.
Jia
, B. R.
Zhang
, L. Z.
Zhang
, G. C.
Qin
, G. S.
Wui
, and Y. H.
Zhang
, Appl. Phys. Lett.
63
, 1830
(1993
).191.
T. M.
Bhave
, S. V.
Bhovaskar
, S.
Kulkarni
, and V. N.
Bhoraskar
, J. Phys. D
29
, 462
(1996
).192.
G.
Li
, X.
Hou
, S.
Yuan
, H.
Chen
, F.
Zhang
, H.
Fan
, and X.
Wang
, J. Appl. Phys.
80
, 5967
(1996
).193.
R. C.
Anderson
, R. S.
Muller
, and C. W.
Tobias
, J. Electrochem. Soc.
140
, 1393
(1993
).194.
V. M.
Dubin
, C.
Viellard
, F.
Ozanam
, and J. N.
Chazalviel
, Phys. Status Solidi B
190
, 47
(1995
).195.
M.
Warntjes
, C.
Viellard
, F.
Ozanam
, and J. N.
Chazalviel
, J. Electrochem. Soc.
142
, 4138
(1995
).196.
E. J.
Lee
, J. S.
Ha
, and M. J.
Sailor
, J. Am. Chem. Soc.
117
, 8295
(1995
).197.
T.
Giaddui
, K. S.
Forcey
, L. G.
Earwaker
, A.
Loni
, L. T.
Canham
, and A.
Halimaoui
, J. Phys. D
29
, 1580
(1996
).198.
A.
Halimaoui
, Y.
Campidelli
, P. A.
Badoz
, and D.
Bensahel
, J. Appl. Phys.
78
, 3520
(1995
).199.
P. B. Hirsch, A. Howie, R. B. Nicholson, D. W. Pashley, and M. J. Whelan, Electron Microscopy of Thin Crystals (Kreiger, London, 1977).
200.
D. B. Williams, Practical Analytical Electron Microscopy in Materials Science (Philips, Einhoven, 1984).
201.
A. G.
Cullis
, L. T.
Canham
, G. M.
Williams
, P. W.
Smith
, and O. D.
Dosser
, J. Appl. Phys.
75
, 493
(1994
).202.
203.
C. Colliex, Transmission Electron Energy Loss Spectrometry in Materials Science, edited by M. M. Disko, C. C. Ahn, and B. Fultz (The Minerals, Metal and Materials Society, London, 1992).
204.
D. E. Newbury, D. C. Joy, P. Echlin, C. E. Fiori, and J. I. Goldstein, Advanced Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis (Plenum, New York, 1986).
205.
B. G. Yacobi and D. B. Holt, Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids (Plenum, New York, 1990).
206.
A. Naudon, P. Goudeau, and V. Vezin, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Les Editions de Physique, Les Ulis, 1995), p. 255.
207.
208.
A. Guinier, X-Ray Diffraction (Freeman, London, 1963).
209.
G. Porod, in Small-Angle X-ray Scattering, edited by O. Glatter and O. Kratky (Academic, London, 1982), p. 17.
210.
B. K. Agarwal, X-Ray Spectroscopy: an Introduction (Springer, Berlin, 1979).
211.
P. A.
Lee
, P. H.
Citrin
, P.
Eisenberger
and B. M.
Kincaid
, Rev. Mod. Phys.
53
, 769
(1981
).212.
H. Münder, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Les Editions de Physique, Les Ulis, 1995), p. 277.
213.
J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1971).
214.
P. J. Dean, in Luminescence of Inorganic Solids, edited by P. Guldberg (Academic, New York, 1966).
215.
S. Perkowitz, Optical Characterisation of Semiconductors: Infrared, Raman and Photoluminescence (Academic, London, 1993).
216.
T. D. S. Hamilton, H. I. Munro, and G. Walker, in Luminescence Spectroscopy, edited by M. D. Lumb (Academic, New York, 1978).
217.
W. Theiss, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Les Editions de Physique, Les Ulis, 1995), p. 189.
218.
C. Pickering, in Photonic Probes of Surfaces, edited by P. Halevi (Elsevier Science, Amsterdam, 1995), p. 3.
219.
B. Champagnon, I. Gregora, Y. Monin, E. Duval, and L. Saviot, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Les Editions de Physique, Les Ulis, 1995), p. 247.
220.
P. M. Fauchet, in Light Scattering in Semiconductor Structures and Superlattices, edited by D. J. Lockwood and J. F. Young (Plenum, New York, 1991), p. 229.
221.
R. Wiesendanger, Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy (Cambridge University Press, Cambridge, 1994).
222.
A. Carrington and A. D. McLachlan, Introduction to Magnetic Resonance (Chapman and Hall, London, 1979).
223.
224.
K.
Barla
, R.
Herino
, G.
Bomchil
, J. C.
Pfister
, and A.
Freund
, J. Cryst. Growth
68
, 727
(1984
).225.
I. M.
Young
, M. I. J.
Beale
, and J. D.
Benjamin
, Appl. Phys. Lett.
46
, 1133
(1985
).226.
227.
D.
Buttard
, D.
Bellet
, and G.
Dolino
, J. Appl. Phys.
79
, 8060
(1996
).228.
V.
Vezin
, Ph.
Goudeau
, A.
Naudon
, A.
Herino
, and G.
Bomchil
, J. Appl. Crystallogr.
24
, 581
(1991
).229.
D.
Bellet
, G.
Dolino
, M.
Ligeon
, P.
Blanc
, and M.
Krisch
, J. Appl. Phys.
71
, 145
(1992
).230.
E.
Koppensteiner
, A.
Schuh
, G.
Bauer
, V.
Holy
, D.
Bellet
, and G.
Dolino
, Appl. Phys. Lett.
65
, 1504
(1994
).231.
J. P. Gonchond, A. Halimaoui, and K. Ogura, in Microscopy of Semiconducting Materials 1991, edited by A. G. Cullis and N. J. Long (IOP, Bristol, 1991), p. 235.
232.
233.
A. G. Cullis, L. T. Canham, and O. D. Dosser, in Light Emission From Silicon, edited by S. S. Iyer, R. T. Collins, and L. T. Canham (Materials Research Society, Pittsburgh, 1992), p. 7.
234.
J. D.
L’Ecuyer
, M. H.
Loretto
, J. P. G.
Farr
, J. M.
Keen
, J. G.
Castledine
, and G.
L’Esperance
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
107
, 441
(1988
).235.
S. S.
Tsao
, D. R.
Meyers
, T. R.
Guilinger
, M. J.
Kelly
, and A. K.
Datye
, J. Appl. Phys.
62
, 4182
(1987
).236.
237.
238.
S.-F.
Chuang
, S. D.
Collins
, and R. L.
Smith
, Appl. Phys. Lett.
55
, 1540
(1989
).239.
240.
S.-F.
Chuang
, S. D.
Collins
, and R. L.
Smith
, Appl. Phys. Lett.
55
, 675
(1989
).241.
R.
Herino
, A.
Perio
, K.
Barla
, and G.
Bomchil
, Mater. Lett.
2
, 519
(1984
).242.
M. W.
Cole
, J. F.
Harvey
, R. A.
Lux
, D. W.
Eckhart
, and R.
Tsu
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2800
(1992
).243.
K. H.
Jung
, S.
Shih
, D. L.
Kwong
, T.
George
, T. L.
Lin
, H. Y.
Liu
, and J.
Zavada
, J. Electrochem. Soc.
139
, 3363
(1992
).244.
V.
Lehmann
, B.
Jobst
, T.
Muschik
, A.
Kux
, and V.
Petrova-Koch
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
32
, 2095
(1993
).245.
A.
Nakajima
, Y.
Ohshima
, T.
Itakura
, and Y.
Goto
, Appl. Phys. Lett.
62
, 2631
(1993
).246.
O.
Teschke
, M. C.
Goncalves
, and F.
Galembeck
, Appl. Phys. Lett.
63
, 1348
(1993
).247.
O.
Teschke
, F.
Alvarez
, L.
Tessler
, and M. U.
Kleinke
, Appl. Phys. Lett.
63
, 1927
(1993
).248.
249.
A.
Albu-Yaron
, S.
Bastide
, D.
Bouchet
, N.
Brun
, C.
Colliex
, and C.
Lévy-Clément
, J. Phys. (France) I
4
, 1181
(1994
).250.
S.
Gardelis
, U.
Bangert
, A. J.
Harvey
, and B.
Hamilton
, J. Electrochem. Soc.
142
, 2094
(1995
).251.
R. P.
Vasquez
, R. W.
Fathauer
, T.
George
, A.
Ksendzov
, and T. L.
Lin
, Appl. Phys. Lett.
60
, 1004
(1992
).252.
T.
George
, M. S.
Anderson
, W. T.
Pike
, T. L.
Lin
, R. W.
Fathauer
, K. H.
Jung
, and D. L.
Kwong
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2359
(1992
).253.
R. R.
Kunz
, P. M.
Nitishin
, H. R.
Clark
, M.
Rothschild
, and B.
Ahern
, Appl. Phys. Lett.
67
, 1766
(1995
).254.
M. I. J.
Beale
, J. D.
Benjamin
, M. J.
Uren
, N. G.
Chew
, and A. G.
Cullis
, J. Cryst. Growth
75
, 408
(1986
).255.
S.
Shih
, K. H.
Jung
, R.-Z.
Qian
, and D. L.
Kwong
, Appl. Phys. Lett.
62
, 467
(1993
).256.
G. B.
Amisola
, R.
Behrensmeier
, J. M.
Galligan
, F. A.
Otter
, F.
Namavar
, and N. M.
Kalkoran
, Appl. Phys. Lett.
61
, 2595
(1992
).257.
G.
Mauckner
, T.
Walter
, T.
Baier
, K.
Thonke
, R.
Sauer
, R.
Houbertz
, U.
Memmert
, and R. J.
Behm
, J. Lumin.
57
, 211
(1993
).258.
M.
Enachescu
, E.
Hartmann
, and F.
Koch
, J. Vac. Sci. Technol. B
12
, 2074
(1994
).259.
260.
261.
Ph.
Dumas
, M.
Gu
, C.
Syrykh
, J. K.
Gimzewski
, I.
Makarenko
, A.
Halimaoui
, and F.
Salvan
, Europhys. Lett.
23
, 197
(1993
).262.
Ph.
Dumas
, M.
Gu
, C.
Syrykh
, A.
Halimaoui
, F.
Salvan
, J. K.
Gimzewski
, and R. R.
Schlittler
, J. Vac. Sci. Technol. B
12
, 2064
(1994
).263.
K.
Ito
, S.
Ohyama
, Y.
Uehara
, and S.
Ushioda
, Appl. Phys. Lett.
67
, 2536
(1995
).264.
Ph.
Dumas
, M.
Gu
, C.
Syrykh
, A.
Halimaoui
, F.
Salvan
, and J. K.
Gimzewski
, J. Vac. Sci. Technol. B
12
, 2067
(1994
).265.
M.
Enachescu
, E.
Hartmann
, and F.
Koch
, J. Appl. Phys.
79
, 2948
(1996
).266.
V.
Vezin
, P.
Goudeau
, A.
Naudon
, A.
Halimaoui
, and G.
Bomchil
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2625
(1992
).267.
H. Franz, V. Petrova-Koch, T. Muschik, V. Lehmann, and J. Peisl, in Microcrystalline Semiconductors: Materials Science and Devices, edited by P. M. Fauchet, C. C. Tsai, L. T. Canham, I. Shimizu, and Y. Aoyagi (Materials Research Society, Pittsburgh, 1993), p. 133.
268.
P.
Goudeau
, A.
Naudon
, A.
Halimaoui
, and G.
Bomchil
, J. Lumin.
57
, 141
(1993
).269.
A.
Naudon
, P.
Goudeau
, A.
Halimaoui
, B.
Lambert
, and G.
Bomchil
, J. Appl. Phys.
75
, 780
(1994
).270.
S. R. Lee, J. C. Barbour, J. W. Medernach, J. O. Stevenson, and J. S. Custer, in Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, edited by R. W. Collins, C. C. Tsai, M. Hirose, F. Koch, and L. Brus (Materials Research Society, Pittsburgh, 1995), p. 417.
271.
M.
Binder
, T.
Edelmann
, T. H.
Metzger
, and J.
Peisl
, Solid State Commun.
100
, 13
(1996
).272.
273.
274.
275.
T.
van Buuren
, Y.
Gao
, T.
Tiedje
, J. R.
Dahn
, and B. M.
Way
, Appl. Phys. Lett.
60
, 3013
(1992
).276.
T. K.
Sham
, X. H.
Feng
, D. T.
Jiang
, B. X.
Yang
, J. Z.
Xiong
, and A.
Bzowski
, Can. J. Phys.
70
, 813
(1992
).277.
T.
van Buuren
, T.
Tiedje
, S. N.
Patitsas
, and W.
Weydanz
, Phys. Rev. B
50
, 2719
(1994
).278.
S.
Schuppler
, S. L.
Friedman
, M. A.
Marcus
, D. L.
Adler
, Y.-H.
Xie
, F. M.
Ross
, T. D.
Harris
, W. L.
Brown
, Y. J.
Chabal
, L. E.
Brus
, and P. H.
Citrin
, Phys. Rev. Lett.
72
, 2648
(1994
).279.
S.
Schuppler
, S. L.
Friedmann
, M. A.
Marcus
, D. L.
Adler
, Y.-H.
Xie
, F. M.
Ross
, Y. J.
Chabal
, T. D.
Harris
, L. E.
Brus
, W. L.
Brown
, E. E.
Chaban
, P. F.
Szajowski
, S. B.
Christman
, and P. H.
Citrin
, Phys. Rev. B
52
, 4910
(1995
).280.
S. C.
Bayliss
, D. A.
Hunt
, Q.
Zhang
, N.
Danson
, and A.
Smith
, Solid State Commun.
91
, 371
(1994
).281.
G.
Dalba
, P.
Fornasini
, M.
Grazioli
, R.
Grisenti
, Y.
Soldo
, and F.
Rocca
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
97
, 322
(1995
).282.
283.
S.
Eisebitt
, J.
Lüning
, J.-E.
Rubensson
, T.
van Buuren
, S. N.
Patitsas
, T.
Tiedje
, M.
Berger
, R.
Arens-Fischer
, S.
Frohnhoff
, and W.
Eberhardt
, Solid State Commun.
97
, 549
(1996
).284.
M. S.
Brandt
, H. D.
Fuchs
, M.
Stutzmann
, J.
Weber
, and M.
Cardona
, Solid State Commun.
81
, 307
(1992
).285.
P.
Deak
, M.
Rosenbauer
, M.
Stutzmann
, J.
Weber
, and M. S.
Brandt
, Phys. Rev. Lett.
69
, 2531
(1992
).286.
M.
Stutzmann
, J.
Weber
, M. S.
Brandt
, H. D.
Fuchs
, M.
Rosenbauer
, P.
Deak
, A.
Hopner
, and A.
Breitschwerdt
, Adv. Solid State Phys.
32
, 179
(1992
).287.
A.
Weiss
, G.
Beiland
, and H. Z.
Mayer
, Z. Naturforsch. B
34
, 25
(1979
).288.
T. K.
Sham
, D. T.
Jiang
, I.
Coulthard
, J. W.
Lorimer
, X. H.
Feng
, K. H.
Tan
, S. P.
Frigo
, R. A.
Rosenberg
, D. C.
Houghton
, and B.
Bryskiewicz
, Nature (London)
363
, 331
(1993
).289.
M. A.
Tischler
and R. T.
Collins
, Solid State Commun.
84
, 819
(1992
).290.
R. F.
Pinnizzotto
, H.
Yang
, J. M.
Perez
, and J. L.
Coffer
, J. Appl. Phys.
75
, 4486
(1994
).291.
292.
Z.
Sui
, P. P.
Leong
, I. P.
Herman
, G. S.
Higashi
, and H.
Temkin
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2086
(1992
).293.
H.
Münder
, C.
Andrzejak
, M. G.
Berger
, U.
Klemradt
, H.
Lüth
, R.
Herino
, and M.
Ligeon
, Thin Solid Films
221
, 27
(1992
).294.
J. M.
Perez
, J.
Villalobos
, P.
McNeill
, J.
Prasad
, R.
Cheek
, J.
Kelber
, J. P.
Estrera
, P. D.
Stevens
, and R.
Glosser
, Appl. Phys. Lett.
61
, 563
(1992
).295.
E. D.
Obraztsova
, L. P.
Avakyants
, and G. B.
Demidovich
, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.
64/65
, 857
(1993
).296.
Y.
Kanemitsu
, H.
Uto
, Y.
Masumoto
, T.
Matsumoto
, T.
Futagi
, and H.
Mimura
, Phys. Rev. B
48
, 2827
(1993
).297.
L. Tsybeskov, C. Peng, S. P. Duttagupta, E. Ettedgui, Y. Gao, P. M. Fauchet, and G. E. Carver, in Silicon-Based Optoelectronic Materials, edited by M. A. Tischler, R. T. Collins, M. L. W. Thewalt, and G. Abstreiter (Materials Research Society, Pittsburgh, 1993), p. 307.
298.
I.
Gregora
, B.
Champagnon
, and A.
Halimaoui
, J. Appl. Phys.
75
, 3034
(1994
).299.
300.
I.
Gregora
, B.
Champagnon
, L.
Saviot
, and Y.
Monin
, Thin Solid Films
255
, 139
(1995
).301.
H.
Tanino
, A.
Kuprin
, H.
Deai
, and N.
Koshida
, Phys. Rev. B
53
, 1937
(1996
).302.
J.
Zeman
, M.
Zigone
, G. L. J. A.
Rikken
, and G.
Martinez
, J. Phys. Chem. Solids
56
, 655
(1995
).303.
304.
D. R.
Tallant
, M. J.
Kelly
, T. R.
Giulinger
, and R. L.
Simpson
, J. Appl. Phys.
80
, 7009
(1996
).305.
A.
Filios
, S. S.
Hefner
, and R.
Tsu
, J. Vac. Sci. Technol. B
14
, 3431
(1996
).306.
F.
Liu
, L.
Liao
, G.
Wang
, G.
Cheng
, and X.
Bao
, Phys. Rev. Lett.
76
, 604
(1996
).307.
I. H.
Campbell
and P. M.
Fauchet
, Solid State Commun.
58
, 739
(1986
).308.
G.
Anaple
, R.
Burrows
, Y.
Wu
, P.
Boolchand
, and F.
Adar
, J. Appl. Phys.
78
, 4273
(1995
).309.
A. I.
Mamykin
, A. Yu.
Il’in
, V. A.
Moshnikov
, A. A.
Mamykin
, A. I.
Pershin
, and N. E.
Mokrousov
, Semiconductors
29
, 979
(1995
).310.
W. K.
Chang
, M. Y.
Liao
, and K. K.
Gleason
, J. Phys. Chem.
100
, 19653
(1996
).311.
T.
Pietrass
, A.
Bifone
, R. D.
Roth
, V.-P.
Koch
, A. P.
Alivisatos
, and A.
Pines
, J. Non-Cryst. Solids
202
, 68
(1996
).312.
Y.
Itoh
, H.
Murakami
, and A.
Kinoshita
, Appl. Phys. Lett.
63
, 2798
(1993
).313.
A. P.
Knights
, G.
Kowalski
, A. S.
Saleh
, A.
Towner
, M. I.
Patel
, P. C.
Rice-Evans
, M.
Moore
, G. A.
Gledhill
, E.
Nossarzewska-Orlowska
, and A.
Brzozowski
, J. Appl. Phys.
78
, 4411
(1995
).314.
S.
Dannefaer
, D.
Kerr
, D.
Craigen
, T.
Bretagnon
, T.
Taliercio
, and A.
Foucaran
, J. Appl. Phys.
79
, 9110
(1996
).315.
P. E.
Batson
and J. R.
Heath
, Phys. Rev. Lett.
71
, 911
(1993
).316.
I.
Berbezier
, J. M.
Martin
, C.
Bernardi
, and J.
Derrien
, Appl. Surf. Sci.
102
, 417
(1996
).317.
S.
Gardelis
, U.
Bangert
, B.
Hamilton
, R. F.
Pettifer
, D. A.
Hill
, R.
Keyse
, and D.
Teehan
, Appl. Surf. Sci.
102
, 408
(1996
).318.
R. M.
Sassaki
, F.
Galembeck
, and O.
Teschke
, Appl. Phys. Lett.
69
, 206
(1996
).319.
T.
Ito
, T.
Ohta
, and A.
Hiraki
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, L1
(1992
).320.
321.
F. C. Rong, E. H. Poindexter, J. F. Harvey, D. C. Morton, R. A. Lux, and G. J. Gerardi, in Microcrystalline Semiconductors—Materials Science and Devices, edited by P. M. Fauchet, C. C. Tsai, L. T. Canham, I. Shimizu, and Y. Aoyagi (Materials Research Society, Pittsburgh, 1993), p. 167.
322.
F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Kux, F. Muller, V. Gavrilenko, and F. Möller, in Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1993), p. 1483.
323.
T.
Miyoshi
, K. S.
Lee
, and Y.
Aoyagi
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, 2470
(1992
).324.
K.
Murayama
, S.
Miyazaki
, and M.
Hirose
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, L1358
(1992
).325.
Y.
Mochizuki
, M.
Mizuta
, Y.
Ochuai
, S.
Matsui
, and N.
Ohkubo
, Phys. Rev. B
46
, 12353
(1992
).326.
V. Petrova-Koch, T. Muschik, D. I. Kovalev, F. Koch, and V. Lehmann, in Microcrystalline Semiconductors—Materials Science and Devices, edited by P. M. Fauchet, C. C. Tsai, L. T. Canham, I. Shimizu, and Y. Aoyagi (Materials Research Society, Pittsburgh, 1993), p. 179.
327.
M. H.
Chan
, S. K.
So
, and K. W.
Cheah
, J. Appl. Phys.
79
, 3273
(1996
).328.
H.
Ubara
, T.
Imura
, A.
Hiraki
, I.
Hirabayashi
, and K.
Morigaki
, J. Non-Cryst. Solids
59&60
, 641
(1983
).329.
J.-C.
Vial
, A.
Bsiesy
, F.
Gaspard
, R.
Herino
, M.
Ligeon
, F.
Muller
, R.
Romestain
, and R. M.
Macfarlane
, Phys. Rev. B
45
, 14171
(1992
).330.
A.
Bensaid
, G.
Patrat
, M.
Brunel
, F.
de Bergevin
, and R.
Herino
, Solid State Commun.
79
, 923
(1991
).331.
D.
Bellet
, S.
Billat
, G.
Dolino
, M.
Ligeon
, C.
Mayer
, and F.
Muller
, Solid State Commun.
86
, 51
(1993
).332.
M. A.
Popescu
, V. N.
Chumash
, I.
Cojocaru
, V. K.
Jain
, and A.
Gupta
, Philos. Mag. A
73
, 1725
(1996
).333.
334.
H.
Mizuno
, H.
Koyama
, and N.
Koshida
, Appl. Phys. Lett.
69
, 3779
(1996
).335.
J. F.
Harvey
, M.
Shen
, R. A.
Lux
, M.
Dutta
, J.
Pamulapti
, and R.
Tsu
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
256
, 175
(1992
).336.
D. I.
Kovalev
, I. D.
Yarostietzkii
, T.
Muschik
, V.
Petrova-Koch
, and F.
Koch
, Appl. Phys. Lett.
64
, 214
(1994
).337.
L.
Tsybeskov
, Yu V.
Vandyshev
, and P. M.
Fauchet
, Phys. Rev. B
49
, 7821
(1994
).338.
C. I.
Harris
, M.
Syvajarvi
, J. P.
Bergman
, O.
Kerdina
, A.
Henry
, B.
Monemar
, and E.
Janzen
, Appl. Phys. Lett.
65
, 2451
(1994
).339.
340.
341.
P. M.
Fauchet
, E.
Ettedgui
, A.
Raisanen
, L. J.
Brillson
, F.
Seiferth
, S. K.
Kurinec
, Y.
Gao
, C.
Peng
, and L.
Tsybeskov
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
298
, 271
(1993
).342.
G.
Mauckner
, J.
Hamann
, W.
Rebitzer
, T.
Baier
, K.
Thonke
, and R.
Sauer
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
358
, 489
(1995
).343.
344.
D. T.
Jiang
, I.
Coulthard
, T. K.
Sham
, J. W.
Lorimer
, S. P.
Frigo
, X. H.
Feng
, and R. A.
Rosenberg
, J. Appl. Phys.
74
, 6335
(1993
).345.
J.
Zuk
, R.
Kuduk
, M.
Kulik
, J.
Liskiewicz
, D.
Maczka
, P. V.
Zhukovski
, V. F.
Stelmakh
, V. I.
Bondarenko
, and A. M.
Dorofeev
, J. Lumin.
57
, 57
(1993
).346.
J.
Lin
, G. Q.
Yao
, J. Q.
Duan
, and G. G.
Qin
, Solid State Commun.
97
, 221
(1996
).347.
I.
Coulthard
, D. T.
Jiang
, and T. K.
Sham
, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.
79
, 233
(1996
).348.
G. G.
Qin
, J.
Lin
, J. Q.
Duan
, and G. Q.
Yao
, Appl. Phys. Lett.
69
, 1689
(1996
).349.
Q.
Chen
, G.
Zhou
, J.
Zhu
, C.
Fan
, X. G.
Li
, and Y.
Zhang
, Phys. Lett. A
224
, 133
(1996
).350.
L. T. Canham, W. Y. Leong, T. I. Cox, M. I. J. Beale, K. J. Nash, P. Calcott, D. Brumhead, L. L. Taylor, and K. J. Marsh, Proceedings of the 21st International Conference on Physics of Semiconductors, edited by P. Jiang and H. Z. Zhang (World Scientific, Singapore, 1993), p. 1423.
351.
J. M.
Macauley
, F. M.
Ross
, P. C.
Searson
, S. K.
Sputz
, R.
People
, and L. E.
Friedersdorf
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
256
, 47
(1992
).352.
V.
Lehmann
, H.
Cerva
, and U.
Gösele
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
256
, 3
(1992
).353.
T.
Wadayama
, S.
Yamamoto
, and A.
Hatta
, Appl. Phys. Lett.
65
, 1653
(1994
).354.
M.
Davison
, K. P.
O’Donnell
, U. M.
Noor
, D.
Uttamchandani
, and L. E. A.
Berlovis
, Appl. Phys. Lett.
66
, 2912
(1995
).355.
L. T. Canham, in Optical Properties of Low Dimensional Silicon Structures, edited by D. C. Bensahel, L. T. Canham, and S. Ossicini, NATO ISI Series (NATO, 1993), Vol. 244, p. 81.
356.
V. I.
Bondarenko
, A. M.
Dorofeev
, V. V.
Filippov
, V. A.
Labunov
, and P. P.
Pershukevich
, Phys. Status Solidi B
179
, K53
(1993
).357.
358.
T. L.
Dittrich
, H.
Flietner
, V. Yu.
Timoshenko
, and P. K.
Kashkarov
, Thin Solid Films
255
, 149
(1995
).359.
360.
J.-C.
Vial
, R.
Herino
, S.
Billat
, A.
Bsiesy
, F.
Gaspard
, M.
Ligeon
, I.
Mihalcescu
, F.
Muller
, and R.
Romestein
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
39
, 563
(1992
).361.
F.
Muller
, R.
Herino
, M.
Ligeon
, F.
Gaspard
, R.
Romestein
, J.-C.
Vial
, and A
Bsiesy
, J. Lumin.
57
, 283
(1993
).362.
I.
Mihalcescu
, M.
Ligeon
, F.
Muller
, R.
Romestein
, and J.-C.
Vial
, J. Lumin.
57
, 111
(1993
).363.
T.
Ito
, T.
Ohta
, O.
Arakaki
, and A.
Hiraki
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
256
, 127
(1992
).364.
A.
Takazawa
, T.
Tamura
, and M.
Yamada
, J. Appl. Phys.
75
, 2489
(1994
).365.
S. M.
Prokes
, W. E.
Carlos
, and O. J.
Glembocki
, Phys. Rev. B
50
, 17093
(1994
).366.
367.
368.
369.
370.
S.
Komuro
, T.
Kato
, T.
Morikawa
, P.
O’Keefe
, and Y.
Aoyagi
, Appl. Phys. Lett.
68
, 949
(1996
).371.
M. A.
Tischler
, R. T.
Collins
, J. H.
Stathis
, and J. C.
Tsang
, Appl. Phys. Lett.
60
, 639
(1992
).372.
373.
374.
C.
Tsai
, K. H.
Li
, J. C.
Campbell
, B. K.
Hance
, and J. M.
White
, J. Electron. Mater.
21
, 589
(1992
).375.
R. T.
Collins
, M. A.
Tischler
, and J. H.
Stathis
, Appl. Phys. Lett.
61
, 1649
(1992
).376.
X. L.
Zheng
, H. C.
Chen
, and W.
Wang
, J. Appl. Phys.
72
, 3841
(1992
).377.
H.
Nisictani
, H.
Nakata
, F.
Fujiwara
, and T.
Ohyama
, Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
, L1577
(1992
).378.
G.
Mauckner
, K.
Thonke
, and R.
Sauer
, J. Phys., Condens. Matter.
5
, L9
(1993
).379.
J. L.
Batstone
, M. A.
Tischler
, and R. T.
Collins
, Appl. Phys. Lett.
62
, 2667
(1993
).380.
I. M.
Chang
, S. C.
Pan
, and Y. F.
Chen
, Phys. Rev. B
48
, 8747
(1993
).381.
R.
Laicho
, A.
Pavlov
, O.
Hovi
, and T.
Suboi
, Appl. Phys. Lett.
63
, 275
(1993
).382.
383.
S.
Shih
, K. H.
Jung
, Y.
Yan
, D. L.
Kwong
, M.
Kovar
, J. M.
White
, T.
George
, and S.
Kim
, Appl. Phys. Lett.
63
, 3306
(1993
).384.
385.
386.
387.
V.
Grickas
, J.
Kolenda
, A.
Bernussi
, B.
Matvienko
, and P.
Basmaji
, Braz. J. Phys.
24
, 349
(1994
).388.
K. S.
Zhuravlev
, N. P.
Stepina
, T. S.
Shamizaev
, E. Yu.
Buchin
, and N. E.
Mokrousov
, Semiconductors
28
, 295
(1994
).389.
390.
391.
V.
Grivickas
, J.
Linnros
and J. A.
Tellefsen
, Thin Solid Films
255
, 208
(1995
).392.
R.
Czaputa
, R.
Fritzl
, and A.
Popitsch
, Thin Solid Films
255
, 212
(1995
).393.
S. H.
Choi
, H.
Chung
, and G. S.
Shin
, Solid State Commun.
95
, 341
(1995
).394.
Y. H.
Xie
, I. N.
Germanenko
, V. F.
Voronin
, and S. V.
Gaponenko
, Semiconductors
29
, 350
(1995
).395.
I. M.
Chang
, G. S.
Chuo
, D. C.
Chang
, and Y. F.
Chen
, J. Appl. Phys.
77
, 5365
(1995
).396.
V. G.
Golubov
, A. V.
Zherzdev
, G. K.
Moroz
, A. V.
Patsekin
, and D. T.
Yan
, Semiconductors
30
, 456
(1996
).397.
I. M.
Chang
, J. C.
Fan
, and Y. F.
Chen
, Solid State Commun.
100
, 157
(1996
).398.
J. M.
Lauerhaus
, G. M.
Credo
, J. L.
Heinrich
, and M. J.
Sailor
, J. Am. Chem. Soc.
114
, 1911
(1992
).399.
J. M.
Lauerhaus
, G. M.
Credo
, J. L.
Heinrich
, and M. J.
Sailor
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
256
, 137
(1992
).400.
This content is only available via PDF.
© 1997 American Institute of Physics.
1997
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
