In this review article a comprehensive analysis of the developments in ultraviolet (UV) detector technology is described. At the beginning, the classification of UV detectors and general requirements imposed on these detectors are presented. Further considerations are restricted to modern semiconductor UV detectors, so the basic theory of photoconductive and photovoltaic detectors is presented in a uniform way convenient for various detector materials. Next, the current state of the art of different types of semiconductor UV detectors is presented. Hitherto, the semiconductor UV detectors have been mainly fabricated using Si. Industries such as the aerospace, automotive, petroleum, and others have continuously provided the impetus pushing the development of fringe technologies which are tolerant of increasingly high temperatures and hostile environments. As a result, the main efforts are currently directed to a new generation of UV detectors fabricated from wide band‐gap semiconductors the most promising of which are diamond and AlGaN. The latest progress in development of AlGaN UV detectors is finally described in detail.

1.
J. A. R. Samson, Techniques of Vacuum Ultraviolet Spectroscopy (Wiley, New York, 1967).
2.
The Middle Ultraviolet: Its Science and Technology, edited by A. E. S. Green (Wiley, New York, 1966).
3.
L. R. Koller, Ultraviolet Radiation (Wiley, New York, 1965).
4.
A. N. Zaidel and E. Ya. Shreider, Vacuum Ultraviolet Spectroscopy (Humphrey, Ann Arbor, MI, 1970).
5.
J. Hennes and L. Dunkleman, The Middle Ultraviolet: Its Science and Technology, edited by A. E. S. Green (Wiley, New York, 1966), Chap. 15.
6.
R. E. Huffman, Atmospheric, Ultraviolet Remote Sensing, International Geophysics Series (Academic, New York, 1992), Vol. 52.
7.
R. E. Huffman, Ultraviolet Optics and Technology, SPIE Milestone Series (SPIE Optical Engineering, Bellingham, Washington, 1993), Vol. MS 80.
8.
G. R. Carruthers, Electro-Optics Handbook, edited by R. W. Waynant and M. N. Ediger (McGraw-Hill, New York, 1994), Chap. 15.
9.
J. G. Timothy and R. P. Madden, Handbook on Synchrotron Radiation, edited by E. E. Koch (North-Holland, Amsterdam, 1983), pp. 315–366.
10.
M. J. Eccles, M. E. Sim, and K. P. Tritton, Low Light Level Detectors in Astronomy (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1983).
11.
J. G.
Timothy
,
Publ. Astron. Soc. Pac.
95
,
810
(
1983
).
12.
J. R.
Janesick
,
T.
Elliott
,
S.
Collins
,
H.
Marsh
,
M.
Blouke
, and
M.
Freeman
,
Proc. SPIE
501
,
2
(
1984
).
13.
B. Y.
Welsh
and
M.
Kaplan
,
Proc. SPIE
1743
,
452
(
1992
).
14.
C. L. Joseph, Wisconsin Astrophy. No. 562, 1 (1995).
15.
M. P.
Ulmer
,
M.
Razeghi
, and
E.
Bigan
,
Proc. SPIE
2397
,
210
(
1995
).
16.
J. R.
Janesick
,
D.
Campbell
,
T.
Elliott
, and
T.
Daud
,
Opt. Eng.
26
,
825
(
1987
).
17.
R. A.
Stern
,
R. C.
Catura
,
R.
Kimble
,
A. F.
Davidsen
,
M.
Winzenread
,
M. M.
Blouke
,
R.
Hayes
,
D. M.
Walton
, and
J. L.
Culhane
,
Opt. Eng.
26
,
875
(
1987
).
18.
G.
Naletto
,
G.
Tondello
,
G.
Bonanno
,
R.
Di Benedetto
, and
S.
Scuderi
,
Opt. Eng.
38
,
2544
(
1994
).
19.
M. M.
Blouke
,
M. W.
Cowens
,
J. E.
Hall
,
J. A.
Westphal
, and
A. B.
Christensen
,
Appl. Opt.
19
,
3318
(
1980
).
20.
M. W.
Cowens
,
M. M.
Blouke
,
T.
Fairchild
, and
J. A.
Westphal
,
Appl. Opt:
19
,
3727
(
1980
).
21.
J. R.
Janesick
,
T.
Elliott
,
G.
Fraschetti
,
S.
Collins
,
M.
Blouke
, and
B.
Corrie
,
Proc. SPIE
1071
,
153
(
1989
).
22.
A. Rose, Concepts in Photoconductivity and Allied Problems (Interscience, New York, 1963).
23.
J. Piotrowski, Infrared Photon Detectors, edited by A. Rogalski (SPIE Optical Engineering, Bellingham, Washington, 1995), Chap. 11.
24.
P. W. Kruse, L. D. McGlauchlin, and R. B. McQuistan, Elements of Infrared Technology (Wiley, New York, 1962).
25.
P. W. Kruse, Optical and Infrared Detectors, edited by R. J. Keyes (Springer, Berlin, 1977), pp. 5–69.
26.
D. H. Seib and L. W. Aukerman, Advances in Electronics and Electron Physics, edited by L. Morton (Academic, New York, 1973), Vol. 34, pp. 95–221.
27.
W.
Van Roosbroeck
,
Bell Syst. Tech. J.
29
,
560
(
1950
).
28.
X.
Zhang
,
P.
Kung
,
D.
Walker
,
J.
Piotrowski
,
A.
Rogalski
,
A.
Saxler
, and
M.
Razeghi
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
2028
(
1995
).
29.
R. A. Smith, Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1978).
30.
E. S. Rittner, Photoconductivity Conference at Atlantic City 1954, edited by R. Breckenbridge, B. Russel, and E. Hahn (Wiley, New York, 1956), pp. 215–268.
31.
C. T. Elliott, Handbook on Semiconductors, edited by C. Hilsum (North-Holland, Amsterdam, 1993), Vol. 4, pp. 841–936.
32.
A. Van der Ziel, Fluctuation Phenomena in Semiconductors (Butterworths, London, 1959).
33.
F. N.
Hooge
,
Phys. Lett.
29
A,
123
(
1969
).
34.
R. D.
Nelson
,
Opt. Eng.
16
,
275
(
1977
).
35.
V.
Gopal
,
Infrared Phys.
25
,
615
(
1985
).
36.
H. J. Hovel, Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Berr (Academic, New York, 1975), Vol. 11.
37.
T. S. Moss, G. J. Burrel, and B. Ellis, Semiconductor Optoelectronics (Butterworths, London, 1973).
38.
M. J.
Buckingham
and
E. A.
Faulkner
,
Radio Electron. Eng.
44
,
125
(
1974
).
39.
C. T.
Sah
,
R. N.
Noyce
, and
W.
Shockley
,
Proc. IRE
45
,
1228
(
1957
).
40.
S. C.
Choo
,
Solid-State Electron.
11
,
1069
(
1968
).
41.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
42.
R. J.
McIntyre
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-13
,
164
(
1966
).
43.
A.
Rose
,
Phys. Rev.
97
,
1538
(
1955
).
44.
M. A.
Lampert
,
Phys. Rev.
103
,
1648
(
1956
).
45.
M. A. Lampert and P. Mark, Current Injections in Solids, edited by H. G. Booker and N. DeClaris (Academic, New York, 1970).
46.
J. A.
Edmond
,
K.
Das
, and
R. F.
Davis
,
J. Appl. Phys.
63
,
922
(
1988
).
47.
D. E.
Sawyer
and
R. H.
Rediker
,
Proc. IRE
46
,
1122
(
1958
).
48.
W. W.
Gartner
,
Phys. Rev.
116
,
84
(
1959
).
49.
E. R.
Rhoderick
,
IEE Proc.
129
,
1
(
1982
).
50.
A. M.
Cowley
and
S. M.
Sze
,
J. Appl. Phys.
36
,
3212
(
1965
).
51.
W.
Schottky
and
E.
Spenke
,
Wiss. Veroff. Siemens-Werken.
18
,
225
(
1939
).
52.
E. Spenke, Electronic Semiconductors (McGraw-Hill, New York, 1958).
53.
H. A. Bethe, MIT Radiation Laboratory Report No. 43-12, 1942.
54.
C. R.
Crowell
and
S. M.
Sze
,
Solid-State Electron.
9
,
1035
(
1966
).
55.
G.
Ottaviani
,
K. N.
Tu
, and
J. M.
Mayer
,
Phys. Rev. Lett.
44
,
284
(
1980
).
56.
M.
Krumrey
and
E.
Tegeler
,
Nucl. Instrum. Methods A
288
,
114
(
1990
).
57.
S.
Strite
and
H.
Morkoc
,
J. Vac. Sci. Technol. B
10
,
1237
(
1992
).
58.
H.
Morkoc
,
S.
Strire
,
G. B.
Gao
,
M. E.
Lin
,
B.
Sverdlov
, and
M.
Burns
,
J. Appl. Phys.
76
,
1363
(
1994
).
59.
S. N.
Mohammad
,
A. A.
Salvador
, and
H.
Morkoc
,
Proc. IEEE
83
,
1306
(
1995
).
60.
E. O.
Johnson
,
RCA Rev.
26
,
163
(
1965
).
61.
R. W.
Keyes
,
Proc. IEEE
60
,
225
(
1972
).
62.
M.
Marchywka
,
S. C.
Binari
,
P. E.
Pehrsson
, and
D.
Moses
,
Proc. SPIE
2282
,
20
(
1994
).
63.
Y.
Talmi
and
R. W.
Simpson
,
Appl. Opt.
19
,
1401
(
1980
).
64.
R.
Korde
,
L. R.
Canfield
, and
B.
Wallis
,
Proc. SPIE
932
,
153
(
1988
).
65.
E.
Kooi
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-13
,
238
(
1966
).
66.
T. E.
Hansen
,
Phys. Scr.
18
,
471
(
1978
).
67.
R.
Korde
and
J.
Geist
,
Appl. Opt.
26
,
5284
(
1987
).
68.
United Detector Technology Inc., Data Sheet (1980).
69.
R.
Korde
and
J.
Geist
,
Solid-State Electron.
30
,
89
(
1987
).
70.
L. R.
Canfield
,
J.
Kerner
, and
R.
Korde
,
Appl. Opt.
28
,
3940
(
1989
).
71.
S. G.
Chamberlain
,
J. Appl. Phys.
50
,
7228
(
1979
).
72.
H.
Ouchi
,
T.
Mukai
,
T.
Kamei
, and
M.
Okamura
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-26
,
1965
(
1979
).
73.
C. M. Botchek, VLSI Basic MOS Engineering (Pacific Technical, Sarasota, FL, 1984), Vol. 1, p. 275.
74.
Z. A.
Weinberg
,
D. R.
Young
,
J. A.
Calise
,
S. A.
Cohen
,
J. C.
DeLuca
, and
V. R.
Deline
,
Appl. Phys. Lett.
45
,
1204
(
1984
).
75.
R. S.
Popovic
,
K.
Solt
,
U.
Falk
, and
Z.
Stoessel
,
Sensors and Actuators
A21-A23
,
553
(
1990
).
76.
R. F.
Wolffenbuttel
,
Sensors and Actuators
A21-A23
,
559
(
1990
).
77.
W.
Huang
,
C.
Salupo
,
L. F.
Szabo
,
G. P.
Ceaser
, and
W.
Iavurek
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
118
,
411
(
1988
).
78.
Y. K.
Fang
,
S. B.
Hwang
,
K. H.
Chen
,
C. R.
Liu
,
M. J.
Tsai
, and
L. C.
Kuo
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-39
,
292
(
1992
).
79.
R. C.
Alig
,
S.
Bloom
, and
C. W.
Struck
,
Phys. Rev. B
22
,
5565
(
1980
).
80.
E.
Sakai
,
Nucl. Instrum. Methods
196
,
121
(
1982
).
81.
T.
Kabayashi
,
Appl. Phys. Lett.
21
,
150
(
1972
).
82.
L. R.
Canfield
and
J.
Kerner
,
Proc. SPIE
1344
,
372
(
1990
).
83.
L. R.
Canfield
,
R.
Vest
,
T. N.
Woods
, and
R.
Korde
,
Proc. SPIE
2282
,
31
(
1984
).
84.
M.
Lavagna
,
J. P.
Pigue
, and
Y.
Marfaing
,
Solid-State Electron.
20
,
235
(
1977
).
85.
R. D.
Baertsch
and
J. R.
Richardson
,
J. Appl. Phys.
40
,
229
(
1969
).
86.
H.
Fabricius
,
T.
Skettrup
, and
P.
Bisgaard
,
Appl. Opt.
25
,
2764
(
1986
).
87.
M.
Krumrey
,
E.
Tegler
,
J.
Barth
,
M.
Krisch
,
F.
Schafers
, and
R.
Wolf
,
Appl. Opt.
27
,
4336
(
1988
).
88.
E.
Tegeler
and
M.
Krumrey
,
Nucl. Instrum. Methods A
282
,
701
(
1989
).
89.
A. D.
Wilson
and
H.
Lyall
,
Appl. Opt.
25
,
4530
(
1986
).
90.
M.
Marchywka
,
J. F.
Hochedez
,
M. W.
Geis
,
D. G.
Socker
,
D.
Moses
, and
R. T.
Goldberg
,
Appl. Opt.
30
,
5010
(
1991
).
91.
G.
Zhao
,
T.
Stacy
,
E. M.
Charlson
,
E. J.
Charlson
,
M.
Hajsaid
,
R.
Roychoudhury
,
A. H.
Khan
,
J. M.
Meese
,
Z.
He
, and
M.
Prelas
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
339
,
191
(
1994
).
92.
M. C.
Hicks
,
C. R.
Wronski
,
S. A.
Grot
,
G. Sh.
Gildenblat
,
A. R.
Badzian
,
T.
Badzian
, and
R.
Messier
,
J. Appl. Phys.
65
,
2139
(
1989
).
93.
R. B.
Campbell
and
H.
Chang
,
Solid-State Electron.
10
,
949
(
1967
).
94.
P.
Glasow
,
G.
Ziegler
,
W.
Suttrop
,
G.
Pensl
, and
R.
Helbig
,
Proc. SPIE
868
,
40
(
1987
).
95.
D. M.
Brown
,
E. T.
Downey
,
M.
Ghezzo
,
J. W.
Kretchmer
,
R. J.
Saia
,
Y. S.
Liu
,
J. A.
Edmond
,
G.
Gati
,
J. M.
Pimbley
, and
W. E.
Schneider
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-40
,
325
(
1993
).
96.
J. A.
Edmond
,
H. S.
Kong
, and
C. H.
Carter
Jr.
,
Phys. B
185
,
453
(
1993
).
97.
Y.
Hirabayashi
,
S.
Karasawa
,
K.
Kobayashi
,
S.
Misawa
, and
S.
Yoshida
,
Sensors and Actuators A
43
,
164
(
1994
).
98.
Y. K.
Fang
,
S. B.
Hwang
,
K. H.
Chen
,
C. R.
Liu
,
M. J.
Tsai
, and
L. C.
Kuo
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-39
,
292
(
1992
).
99.
G.
Cesare
,
F.
Irrera
,
F.
Palma
,
M.
Tucci
,
E.
Jannitti
,
G.
Naletto
, and
P.
Nicolosi
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
335
(
1995
).
100.
C.
Fröjdh
,
G.
Thungström
,
H. E.
Nilsson
, and
C. S.
Petersson
,
Phys. Scr. T
54
,
169
(
1994
).
101.
C.
Fröjdh
,
G.
Thungström
,
H. E.
Nilsson
, and
C. S.
Petersson
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
339
,
215
(
1994
).
102.
M. M.
Anikin
,
A. N.
Andreev
,
S. N.
Pyatko
,
N. S.
Savkina
,
A. M.
Strelchuk
,
A. L.
Syrkin
, and
V. E.
Chelnokov
,
Sensors and Actuators A
33
,
91
(
1992
).
103.
M. M.
Anikin
,
A. N.
Andreev
,
A. A.
Lebedev
,
S. N.
Pyatko
,
M. G.
Rastegaeva
,
N. S.
Savkina
,
A. M.
Strelchuk
,
A. L.
Syrkin
, and
V. E.
Chelnokov
,
Sov. Phys. Semicond.
25
,
198
(
1991
).
104.
L. G.
Matus
,
J. A.
Powell
, and
C. S.
Salupo
,
Appl. Phys. Lett.
59
,
1770
(
1991
).
105.
P. G.
Neudeck
,
D. J.
Larkin
,
J. A.
Powell
,
L. G.
Matus
, and
C. S.
Salupo
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
1386
(
1994
).
106.
S.
Nakamura
,
T.
Mukai
,
M.
Senoh
, and
N.
Iwasa
,
Jpn. J. Appl. Phys.
31
,
L139
(
1992
).
107.
Y.
Ohba
and
A.
Hatano
,
Jpn. J. Appl. Phys.
33
,
L1367
(
1994
).
108.
I.
Akasaki
and
H.
Amano
,
J. Electrochem. Soc.
141
,
2266
(
1994
).
109.
M. A.
Khan
,
Q.
Chen
,
C. J.
Sun
,
M. S.
Shur
,
M. F.
Macmillan
,
R. P.
Devaty
, and
J.
Choyke
,
Proc. SPIE
2397
,
283
(
1995
).
110.
S.
Strite
,
M. E.
Lin
, and
H.
Morkoc
,
Thin Solid Films
231
,
197
(
1993
).
111.
R. F.
Davis
,
Proc. IEEE
79
,
702
(
1991
).
112.
S.
Nakamura
,
Y.
Harada
, and
M.
Senoh
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
2021
(
1991
).
113.
V. W.
Chin
,
T. L.
Tansley
, and
T.
Osotchan
,
J. Appl. Phys.
75
,
7365
(
1994
).
114.
R. P.
Joshi
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
223
(
1994
).
115.
M. A.
Khan
,
J. N.
Kuznia
,
J. M.
Van Hove
,
D. T.
Olson
,
S.
Krishnankutty
, and
R. M.
Kolbas
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
526
(
1991
).
116.
H.
Amano
,
M.
Kito
,
K.
Hiramatsu
, and
I.
Akasaki
,
Jpn. J. Appl. Phys.
28
,
L2112
(
1989
).
117.
S.
Nakamura
,
N.
Iwasa
,
M.
Senoh
, and
T.
Mukai
,
Jpn. J. Appl. Phys.
31
,
1258
(
1992
).
118.
T. D.
Moustakas
and
R. J.
Molnar
,
Mater. Res. Soc. Proc.
281
,
753
(
1993
).
119.
M. E.
Lin
,
G.
Xue
,
G. L.
Zhu
,
J. E.
Greene
, and
H.
Morkoc
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
932
(
1993
).
120.
D. K. Gaskill, L. B. Rowland, and K. Doverspike, in Properties of Group III Nitrides, edited by J. H. Edgar (INSPEC, IEE, London, 1994), pp. 101–116.
121.
M.
Rubin
,
N.
Newman
,
J. S.
Chan
,
T. C.
Fu
, and
J. T.
Ross
,
Appl. Phys. Lett.
66
,
64
(
1994
).
122.
S. J.
Pearton
,
C. B.
Vartuli
,
J. C.
Zolper
,
C.
Yuan
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1435
(
1995
).
123.
R. G.
Wilson
,
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
, and
J. M.
Zavada
,
Appl. Phys. Lett.
66
,
2238
(
1995
).
124.
C. H.
Qiu
,
C.
Hoggatt
,
W.
Melton
,
M. W.
Leksono
, and
J. I.
Pankove
,
Appl. Phys. Lett.
66
,
2712
(
1995
).
125.
J. S.
Foresi
and
T. D.
Moustakas
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
2859
(
1993
).
126.
K.
Kurtin
,
T. C.
McGill
, and
C. A.
Mead
,
Phys. Rev. Lett.
22
,
1433
(
1969
).
127.
C. M. Wolfe, N. Holonyak, Jr., and G. S. Stillman, Physical Properties of Semiconductors (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1989).
128.
J. I.
Pankove
and
H. E. P.
Schade
,
Appl. Phys. Lett.
25
,
53
(
1974
).
129.
K. W. Böer, Survey of Semiconductor Physics (Van Nostrand, New York, 1990).
130.
M. E.
Lin
,
Z.
Ma
,
F. Y.
Huang
,
Z. F.
Fan
,
L. H.
Allen
, and
H.
Morkoc
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
1003
(
1994
).
131.
M. E.
Lin
,
F. Y.
Huang
, and
H.
Morkoc
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
2557
(
1994
).
132.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
F.
Ren
,
J. R.
Lothian
,
P. W.
Wisk
, and
A.
Katz
,
J. Vac. Sci. Technol. A
1
,
1772
(
1993
).
133.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
F.
Ren
,
J. R.
Lothian
,
P.
Wisk
,
A.
Katz
, and
C.
Constantine
,
Semicond. Sci. Technol.
8
,
310
(
1993
).
134.
I.
Adesida
,
A.
Mahajan
,
E.
Andideh
,
M. A.
Khan
,
D. T.
Olsen
, and
J. N.
Kuznia
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
2777
(
1993
).
135.
M. E.
Lin
,
Z. F.
Fan
,
Z.
Ma
,
L. H.
Allen
, and
H.
Morkoc
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
887
(
1994
).
136.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
2294
(
1994
).
137.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
3643
(
1994
).
138.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
F.
Ren
, and
J. R.
Lothian
,
J. Appl. Phys.
76
,
1210
(
1994
).
139.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
, and
C. B.
Vartuli
,
Electron. Lett.
30
,
1985
(
1994
).
140.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
F.
Ren
, and
J. R.
Lothian
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
339
,
179
(
1994
).
141.
S. J.
Pearton
,
C. B.
Vartuli
,
R. J.
Shul
, and
J. C.
Zolper
,
Mater. Sci. Eng. B
31
,
309
(
1995
).
142.
A. T.
Ping
,
I.
Adesida
, and
M. A.
Khan
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1250
(
1995
).
143.
H.
Lee
,
D. B.
Oberman
, and
J. S.
Harris
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1754
(
1995
).
144.
M. A.
Khan
,
J. N.
Kuznia
,
D. T.
Olson
,
J. M.
Van Hove
,
M.
Blasingame
, and
L. F.
Reitz
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
2917
(
1992
).
145.
M. A.
Khan
,
J. N.
Kuznia
,
D. T.
Olson
,
M.
Blasingame
, and
A. R.
Bhattarai
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
2455
(
1993
).
146.
M. A.
Khan
,
Microwave J.
67
(November
1993
).
147.
M. A.
Khan
,
M. S.
Shur
,
Q.
Chen
,
J. N.
Kuznia
, and
C. J.
Sun
,
Electron. Lett.
31
,
398
(
1995
).
148.
M. S.
Shur
and
M. A.
Khan
,
Proc. SPIE
2397
,
294
(
1995
).
149.
K. S.
Stevens
,
M.
Kinniburgh
, and
R.
Beresford
,
Appl. Phys. Lett.
66
,
3518
(
1995
).
150.
P. Kung, X. Zhang, D. Walker, A. Saxler, J. Piotrowski, A. Rogalski, and M. Razeghi (to be published).
151.
M.
Misra
,
T. D.
Moustakas
,
R. P.
Vaudo
,
R.
Singh
, and
K. S.
Shah
,
Proc. SPIE
2519
,
78
(
1995
).
152.
Q.
Chen
,
M. A.
Khan
,
C. J.
Sun
, and
J. W.
Yang
,
Electron. Lett.
31
,
1781
(
1995
).
153.
B. Goldenberg, J. D. Zook, and R. J. Ulmer, in Topical Workshop on III-V Nitrides Proc. (North Holland, Nagoya, 1995).
154.
Y.
Morimoto
and
S.
Ushio
,
Jpn. J. Appl. Phys.
13
,
365
(
1974
).
155.
S. C.
Binari
,
H. B.
Dietrich
,
G.
Kelner
,
L. B.
Rowland
,
K.
Doverspike
, and
D. K.
Gaskill
,
Electron. Lett.
30
,
909
(
1994
).
156.
P.
Hacke
,
T.
Detchprohm
,
K.
Hiramatsu
, and
N.
Sawaki
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
2676
(
1993
).
157.
J. D.
Guo
,
M. S.
Feng
,
R. J.
Guo
,
F. M.
Pan
, and
C. Y.
Chang
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
2657
(
1995
).
158.
X.
Zhang
,
P.
Kung
,
D.
Walker
,
J.
Piotrowski
,
A.
Rogalski
,
A.
Saxler
, and
M.
Razeghi
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
2028
(
1995
).
159.
M. A.
Khan
,
J. N.
Kuznia
,
D. T.
Olson
,
W.
Schaff
,
J.
Burm
, and
M. S.
Shur
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
1121
(
1994
).
160.
M.
Constant
,
D.
Loridant
,
J. C.
Camart
,
S.
Meziere
,
L.
Boussekey
, and
M.
Chive
,
Proc. SPIE
2367
,
229
(
1995
).
161.
M.
Misra
,
C.
Zhou
,
P. B.
Bennett
,
M. R.
Squillants
, and
F.
Ahmad
,
Proc. SPIE
2282
,
49
(
1994
).
162.
R. D.
McKeag
,
S. S. M.
Chan
, and
R. B.
Jackman
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
2117
(
1995
).
163.
G. M.
Williams
and
M. M.
Blouke
,
Laser Focus World
129
(September
1995
).
164.
Compound Semiconductor 8 (Nov./Dec. 1995).
165.
Compound Semiconductor 9 (Nov./Dec. 1995).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.