Epitaxial (Bi, K)TiO3 films with 800- to 900-nm thicknesses were grown hydrothermally at 200 °C on SrTiO3 substrates covered with SrRuO3 layers. Perfectly (001)-oriented films grew on (100)SrTiO3 due to good lattice matching. Films on (110)SrTiO3 had mixed orientations of dominant (110) and minor (101), while three types of (111) orientations with in-plane 120° rotation were observed for the film on (111)SrTiO3. The (101) and (110) orientations of the film deposited on (110)SrTiO3 were tilted by approximately 2.6° and 1.6°, respectively, from surface normal due to the formation of a 90° domain with a twinning plane. The plane-view measurement for the film deposited on (111)SrTiO3 showed nine spots. These are explained by the presence of 15 possible spots resulting from the relaxed 90° domain combination and by overlapping. The lattice parameters of these films explain the tilting angles of these domains. These results reveal the formation of perfectly relaxed 90° domain structures for films grown on (110) and (111)SrTiO3. This differs from our previous data for tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films grown above TC on (110) and (111)SrTiO3 because the present films directly grow the ferroelectric films below TC without phase change. The tilting angle of the polar-axis and the volume fraction of the 90° domain can explain the piezoelectric responses of these films assuming that films have purely an up-state. This suggests that these films show almost pure up-state polarization without 180° domains, at least along surface-normal directions. These data show that these films have domain structures different from the well-known ones for the tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films.

1.
A. R.
Balakrishna
,
J. E.
Huber
, and
C. M.
Landis
,
Smart Mater. Struct.
23
,
085016
(
2014
).
2.
M.
Hoffmann
,
M.
Pešić
,
K.
Chatterjee
,
A. I.
Khan
,
S.
Salahuddin
,
S.
Slesazeck
,
U.
Schroeder
, and
T.
Mikolajick
,
Adv. Funct. Mater.
26
,
8643
(
2016
).
3.
J. S.
Pulskamp
,
R. G.
Polcawich
,
R. Q.
Rudy
,
S. S.
Bedair
,
R. M.
Proie
,
T.
Ivanov
, and
G. L.
Smith
,
MRS Bull.
37
,
1062
(
2012
).
4.
N.
Inoue
and
Y.
Hayashi
,
IEEE Trans. Electron Devices
48
,
2266
(
2001
).
5.
S.
Pandya
,
J.
Wilbur
,
J.
Kim
,
R.
Gao
,
A.
Dasgupta
,
C.
Dames
, and
L. W.
Martin
,
Nat. Mater.
17
,
432
(
2018
).
6.
B.
Ploss
,
B.
Ploss
,
F. G.
Shin
,
H. L. W.
Chan
, and
C. L.
Choy
,
IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul.
7
,
517
(
2000
).
7.
H. Z.
Jin
and
J.
Zhu
,
J. Appl. Phys.
92
,
4594
(
2002
).
8.
H.
Chen
,
C.
Yang
,
C.
Fu
,
L.
Zhao
, and
Z.
Gao
,
Appl. Surf. Sci.
252
,
4171
(
2006
).
9.
M. H.
Park
,
Y. H.
Lee
,
T.
Mikolajick
,
U.
Schroeder
, and
C. S.
Hwang
,
MRS Commun.
8
,
795
(
2018
).
10.
K. S.
Lee
,
Y. K.
Kim
,
S.
Baik
,
J.
Kim
, and
I. S.
Jung
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
2444
(
2001
).
11.
T.
Matsumoto
,
M.
Koguchi
,
K.
Suzuki
,
H.
Nishimura
,
Y.
Motoyoshi
, and
N.
Wada
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
90
(
2008
).
12.
J.
Karthik
,
A. R.
Damodaran
, and
L. W.
Martin
,
Phys. Rev. Lett.
108
,
167601
(
2012
).
13.
S.
Pöykkö
and
D. J.
Chadi
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
2830
(
1999
).
14.
Y. J.
Wang
,
Y. L.
Zhu
, and
X. L.
Ma
,
J. Appl. Phys.
122
,
224101
(
2017
).
15.
D. J.
Kim
,
J. P.
Maria
,
A. I.
Kingon
, and
S. K.
Streiffer
,
J. Appl. Phys.
93
,
5568
(
2003
).
16.
Y.
Zhao
,
S.
Wang
,
X.
Fu
,
Y.
Zhuang
,
R.
Yang
,
Z.
Yang
,
Z.
Li
,
Z.
Xu
, and
X.
Wei
,
J. Appl. Phys.
123
,
085105
(
2018
).
17.
J.
Huang
,
Y.
Zhang
,
H.
Jiang
,
P.
Fan
,
J.
Xiao
, and
H.
Zhang
,
Ceram. Int.
41
,
10506
(
2015
).
18.
F.
Xu
,
S.
Trolier-McKinstry
,
W.
Ren
,
B.
Xu
,
Z. L.
Xie
, and
K. J.
Hemker
,
J. Appl. Phys.
89
,
1336
(
2001
).
19.
J. W.
Jang
,
W. J.
Cho
,
J. H.
Lee
,
I. T.
Kim
,
Y. H.
Kim
,
C. H.
Kim
,
J. H.
Park
,
S. S.
Choi
, and
T. S.
Hahn
,
Jpn. J. Appl. Phys.
36
,
6937
(
1997
).
20.
A. S.
Everhardt
,
S.
Matzen
,
N.
Domingo
,
G.
Catalan
, and
B.
Noheda
,
Adv. Electron. Mater.
2
,
1500214
(
2016
).
21.
R.
Xu
,
J.
Zhang
,
Z.
Chen
, and
L. W.
Martin
,
Phys. Rev. B
91
,
144106
(
2015
).
22.
B. K.
Lai
,
I.
Ponomareva
,
I.
Kornev
,
L.
Bellaiche
, and
G.
Salamo
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
152909
(
2007
).
23.
J.
Padilla
,
W.
Zhong
, and
D.
Vanderbilt
,
Phys. Rev.
B53
,
R5969
(
1996
).
24.
A.
Chandrasekaran
,
D.
Damjanovic
,
N.
Setter
, and
N.
Marzari
,
Phys. Rev. B
88
,
214116
(
2013
).
25.
Z.
Li
,
C. M.
Foster
,
X.-H.
Dai
et al,
J. Appl. Phys.
71
,
4481
(
1992
).
26.
H.
Chaib
,
F.
Schlaphof
,
T.
Otto
, and
L. M.
Eng
,
J. Phys.: Condens. Matter.
15
,
8927
(
2003
).
27.
Y.
Tan
,
J.
Zhang
,
C.
Wang
,
G.
Viola
, and
H.
Yan
,
Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci.
212
,
433
(
2015
).
28.
M.
Kohli
,
P.
Muralt
, and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
3217
(
1998
).
29.
Y. M.
Kang
,
J. K.
Ku
, and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
78
,
2601
(
1995
).
30.
K. S.
Lee
,
J. H.
Choi
,
J. Y.
Lee
, and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
90
,
4095
(
2001
).
31.
J.
Zhu
,
X.
Zhu
,
H.
Zeng
,
M.
Jiang
,
X.
Li
,
J.
Zhu
,
D.
Xiao
, and
Y.
Li
,
Thin Solid Films
518
,
392
(
2009
).
32.
X.
Huang
,
Z.
Yang
,
L.
Sun
,
Q.
Xie
,
B.
Li
,
J.
Zhou
, and
L.
Li
,
Mater. Chem. Phys.
114
,
23
(
2009
).
33.
T.
Takenaka
,
S.
Member
,
H.
Nagata
, and
Y.
Hiruma
,
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control
56
,
1595
(
2009
).
34.
J.
Suchanicz
,
J. P.
Mercurio
, and
S.
Said
,
Ferroelectrics
290
,
169
(
2003
).
35.
P. V. B.
Rao
,
E. V.
Ramana
, and
T. B.
Sankaram
,
J. Alloys Compd.
467
,
293
(
2009
).
36.
37.
C. H.
Yang
,
Z.
Wang
,
H. Y.
Xu
,
Z. H.
Sun
,
F. Y.
Jiang
, and
J. P. Z. J. R.
Han
,
J. Cryst. Growth
262
,
304
(
2004
).
38.
X.
Jing
,
B.
Huang
,
X.
Zhang
,
X.
Qin
,
J.
Wei
,
X.
Wang
,
S.
Yao
,
Z.
Xu
,
Z.
Wang
, and
P.
Wang
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
42
, 045421 (
2009
).
39.
Y.
Nemoto
,
D.
Ichinose
,
T.
Shimizu
,
H.
Uchida
,
W.
Yamaoka
,
Y.
Sato
, and
H.
Funakubo
,
Jpn. J. Appl. Phys.
55
,
10TA13
(
2016
).
40.
J.
König
and
D.
Suvorov
,
J. Eur. Ceram. Soc.
35
,
2791
(
2015
).
41.
Y.
Hou
,
M.
Zhu
,
L.
Hou
,
J.
Liu
,
J.
Tang
,
H.
Wang
, and
H.
Yan
,
J. Cryst. Growth
273
,
500
(
2005
).
42.
P.
Czaja
,
J.
Suchanicz
,
D.
Bochenek
,
G.
Dercz
,
M.
Piasecki
, and
W.
Hudy
,
Phase Trans.
91
,
1051
(
2018
).
43.
Y.
Ito
,
A.
Tateyama
,
R.
Kubota
,
T.
Shiraishi
,
T.
Shimizu
,
J.
Kim
,
O.
Seo
,
O.
Sakata
,
M.
Kurosawa
, and
H.
Funakubo
,
Appl. Phys. Lett.
120
,
022903
(
2022
).
44.
R.
Kubota
,
A.
Tateyama
,
Y.
Ito
,
T.
Shiraishi
,
M.
Kurosawa
, and
H.
Funakubo
,
AIP Adv.
12
,
035241
(
2022
).
45.
T.
Ohno
,
K.
Fukumitsu
,
T.
Honda
,
S.
Hirai
,
T.
Arai
,
N.
Sakamoto
,
N.
Wakiya
,
H.
Suzuki
, and
T.
Matsuda
,
Mater. Lett.
181
,
74
(
2016
).
46.
T.
Li
,
G.
Wang
,
K.
Li
,
G.
Du
,
Y.
Chen
,
Z.
Zhou
,
D.
Rémiens
, and
X.
Dong
,
Ceram. Int.
40
,
1195
(
2014
).
47.
K.
Saito
,
T.
Kurosawa
,
T.
Akai
,
T.
Oikawa
, and
H.
Funakubo
,
J. Appl. Phys.
93
,
545
(
2003
).
48.
Y.
Gotoh
,
A.
Horii
,
H.
Kawanowa
,
M.
Kamei
,
H.
Yumoto
, and
T.
Gonda
,
J. Cryst. Growth
146
,
198
(
1995
).
49.
R.
Chulist
,
L.
Straka
,
H.
Seiner
,
A.
Sozinov
,
N.
Schell
, and
T.
Tokarski
,
Mater. Des.
171
,
107703
(
2019
).
50.
S. B.
Ubizskii
,
L. O.
Vasylechko
,
D. I.
Savytskii
,
A. O.
Matkovskii
, and
I. M.
Syvorotka
,
Supercond. Sci. Technol.
7
,
766
(
1994
).
51.
M.
Otsu
,
H.
Funakubo
,
T.
Hioki
,
T.
Akai
,
K.
Shinozaki
, and
N.
Mizutani
,
Chem. Soc. Jpn.
10
,
789
(
1995
).
52.
Y. P.
Feng
,
R. J.
Jiang
,
Y. L.
Zhu
,
Y. L.
Tang
,
Y. J.
Wang
,
M. J.
Zou
,
W. R.
Geng
, and
X. L.
Ma
,
RSC Adv.
12
,
20423
(
2022
).
53.
Y. P.
Feng
,
Y. L.
Tang
,
Y. L.
Zhu
,
M. J.
Zou
,
Y. J.
Wang
, and
X. L.
Ma
,
J. Appl. Phys.
128
,
224102
(
2020
).
54.
Y. P.
Feng
,
Y. L.
Tang
,
D. S.
Ma
,
Y. L.
Zhu
,
M. J.
Zou
,
M. J.
Han
,
J. Y.
Ma
, and
X. L.
Ma
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
10
,
24627
(
2018
).
55.
M.
Mtebwa
,
A.
Mazzalai
,
C. S.
Sandu
,
A.
Crassous
, and
N.
Setter
,
AIP Adv.
6
,
055104
(
2016
).
56.
O. Y.
Jun
,
J.
Slusker
,
I.
Levin
,
D. M.
Kim
,
C. B.
Eom
,
R.
Ramesh
, and
A. L.
Roytburd
,
Adv. Funct. Mater.
17
,
2094
(
2007
).
57.
C.
Mocuta
,
M. I.
Richard
,
J.
Fouet
,
S.
Stanescu
,
A.
Barbier
,
C.
Guichet
,
O.
Thomas
,
S.
Hustache
,
A. V.
Zozulya
, and
D.
Thiaudière
,
J. Appl. Crystallogr.
46
,
1842
(
2013
).
58.
S.
Gaudet
,
K.
De Keyser
,
S.
Lambert-Milot
,
J.
Jordan-Sweet
,
C.
Detavernier
,
C.
Lavoie
, and
P.
Desjardins
,
J. Vac. Sci. Technol. A
31
,
021505
(
2013
).
59.
S.
Utsugi
,
T.
Fujisawa
,
Y.
Ehara
,
T.
Yamada
,
S.
Yasui
,
M. T.
Chentir
,
H.
Morioka
,
T.
Iijima
, and
H.
Funakubo
,
J. Ceram. Soc. Jpn.
118
,
627
(
2010
).
60.
K.
Akama
,
I.
Kanno
,
R.
Yokokawa
,
K.
Wasa
, and
H.
Kotera
,
Jpn. J. Appl. Phys.
49
,
09MA07
(
2010
).
61.
S.
Utsugi
,
T.
Fujisawa
,
R.
Ikariyama
,
S.
Yasui
,
H.
Nakaki
,
T.
Yamada
,
M.
Ishikawa
,
M.
Matsushima
,
H.
Morioka
, and
H.
Funakubo
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
052906
(
2009
).
62.
R.
Onn Winestook
,
C.
Saguy
,
C. H.
Ma
,
Y. H.
Chu
, and
Y.
Ivry
,
Adv. Electron. Mater.
5
,
1900428
(
2019
).
63.
K.
Ujimoto
,
T.
Yoshimura
,
A.
Ashida
, and
N.
Fujimura
,
Appl. Phys. Lett.
100
,
102901
(
2012
).
64.
Z.
Zhu
,
J.
Li
,
F.
Lai
,
Y.
Zhen
,
Y.
Lin
,
C.
Nan
,
L.
Li
, and
J.
Li
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
222910
(
2007
).
You do not currently have access to this content.