The discovery of hafnium oxide-based ferroelectrics has resulted in the pursuit of ferroelectric field-effect transistors with higher scalability, lower power consumption, and enhanced switching speed. An in-depth understanding of ferroelectric polarization switching kinetics is essential for both scientific and technological purposes. Polarization switching is analyzed based on the nucleation-limited switching model with a Lorentzian distribution of logarithmic switching times. The activation field governing the switching kinetics is explained by a dependence on the density of oxygen vacancies, which are caused by various annealing temperatures. This indicates that oxygen vacancies can be a dominant factor in the polarization switching of Si-doped HfO2 films.

1.
S. D.
Hyun
,
H. W.
Park
,
Y. J.
Kim
,
M. H.
Park
,
Y. H.
Lee
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kwon
,
T.
Moon
,
K.
Do Kim
,
Y.
Bin Lee
,
B. S.
Kim
, and
C. S.
Hwang
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
10
,
35374
(
2018
).
2.
E.
Yurchuk
,
J.
Muller
,
S.
Muller
,
J.
Paul
,
M.
Pesic
,
R.
Van Bentum
,
U.
Schroeder
, and
T.
Mikolajick
,
IEEE Trans. Electron Devices
63
,
3501
(
2016
).
3.
S.
Salahuddin
and
S.
Datta
,
Nano Lett.
8
,
405
(
2008
).
4.
S. C.
Chang
,
U. E.
Avci
,
D. E.
Nikonov
, and
I. A.
Young
,
IEEE J. Explor. Solid-State Comput. Devices Circuits
3
,
56
(
2017
).
5.
M.
Hoffmann
,
M.
Pešić
,
K.
Chatterjee
,
A. I.
Khan
,
S.
Salahuddin
,
S.
Slesazeck
,
U.
Schroeder
, and
T.
Mikolajick
,
Adv. Funct. Mater.
26
,
8643
(
2016
).
6.
H.
Ku
and
C.
Shin
,
IEEE J. Electron Devices Soc.
5
,
232
(
2017
).
7.
A. I.
Khan
,
K.
Chatterjee
,
B.
Wang
,
S.
Drapcho
,
L.
You
,
C.
Serrao
,
S. R.
Bakaul
,
R.
Ramesh
, and
S.
Salahuddin
,
Nat. Mater.
14
,
182
(
2015
).
8.
S.
Park
,
M. C.
Chun
,
S.
Park
,
G.
Yeon Park
,
M.
Jung
,
Y.
Noh
,
S. E.
Ahn
, and
B. S.
Kang
,
Curr. Appl. Phys.
19
,
347
(
2019
).
9.
Y. J.
Kim
,
H. W.
Park
,
S. D.
Hyun
,
H. J.
Kim
,
K.
Do Kim
,
Y. H.
Lee
,
T.
Moon
,
Y.
Bin Lee
,
M. H.
Park
, and
C. S.
Hwang
,
Nano Lett.
17
,
7796
(
2017
).
10.
S. J.
Song
,
Y. J.
Kim
,
M. H.
Park
,
Y. H.
Lee
,
H. J.
Kim
,
T.
Moon
,
K.
Do Kim
,
J. H.
Choi
,
Z.
Chen
,
A.
Jiang
, and
C. S.
Hwang
,
Sci. Rep.
6
,
20825
(
2016
).
11.
T. S.
Böscke
,
S.
Teichert
,
D.
Bräuhaus
,
J.
Müller
,
U.
Schröder
,
U.
Böttger
, and
T.
Mikolajick
,
Appl. Phys. Lett.
99
,
112904
(
2011
).
12.
E.
Yurchuk
,
J.
Müller
,
S.
Knebel
,
J.
Sundqvist
,
A. P.
Graham
,
T.
Melde
,
U.
Schröder
, and
T.
Mikolajick
,
Thin Solid Films
533
,
88
(
2013
).
13.
J.
Muller
,
P.
Polakowski
,
S.
Riedel
,
S.
Mueller
,
E.
Yurchuk
, and
T.
Mikolajick
, in
2014 14th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium
(
IEEE
,
2014
), pp.
1
7
.
14.
T. S.
Böscke
,
J.
Müller
,
D.
Bräuhaus
,
U.
Schröder
, and
U.
Böttger
,
Appl. Phys. Lett.
99
,
102903
(
2011
).
15.
M. H.
Park
,
T.
Schenk
,
C. M.
Fancher
,
E. D.
Grimley
,
C.
Zhou
,
C.
Richter
,
J. M.
Lebeau
,
J. L.
Jones
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
J. Mater. Chem. C
5
,
4677
(
2017
).
16.
M. H.
Park
,
Y. H.
Lee
,
H. J.
Kim
,
T.
Schenk
,
W.
Lee
,
K.
Do Kim
,
F. P. G.
Fengler
,
T.
Mikolajick
,
U.
Schroeder
, and
C. S.
Hwang
,
Nanoscale
9
,
9973
(
2017
).
17.
J.
Müller
,
T. S.
Böscke
,
U.
Schröder
,
S.
Mueller
,
D.
Bräuhaus
,
U.
Böttger
,
L.
Frey
, and
T.
Mikolajick
,
Nano Lett.
12
,
4318
(
2012
).
18.
Y.
Zhang
,
J.
Xu
,
C.
Choi
,
Z.
Fang
,
P.
Li
,
L.
Yuan
, and
L.
Chen
,
Vacuum
179
,
109506
(
2020
).
19.
T.
Olsen
,
U.
Schröder
,
S.
Müller
,
A.
Krause
,
D.
Martin
,
A.
Singh
,
J.
Müller
,
M.
Geidel
, and
T.
Mikolajick
,
Appl. Phys. Lett.
101
,
082905
(
2012
).
20.
P.
Buragohain
,
A.
Erickson
,
P.
Kariuki
,
T.
Mittmann
,
C.
Richter
,
P. D.
Lomenzo
,
H.
Lu
,
T.
Schenk
,
T.
Mikolajick
,
U.
Schroeder
, and
A.
Gruverman
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
11
,
35115
(
2019
).
21.
U.
Schroeder
,
C.
Richter
,
M. H.
Park
,
T.
Schenk
,
M.
Pešić
,
M.
Hoffmann
,
F. P. G.
Fengler
,
D.
Pohl
,
B.
Rellinghaus
,
C.
Zhou
,
C. C.
Chung
,
J. L.
Jones
, and
T.
Mikolajick
,
Inorg. Chem.
57
,
2752
(
2018
).
22.
Z.
Fan
,
J.
Chen
, and
J.
Wang
,
J. Adv. Dielectr.
6
,
1630003
(
2016
).
23.
M. H.
Park
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
W.
Lee
,
T.
Moon
,
K.
Do Kim
, and
C. S.
Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
072902
(
2014
).
24.
P. D.
Lomenzo
,
Q.
Takmeel
,
C.
Zhou
,
C. M.
Fancher
,
E.
Lambers
,
N. G.
Rudawski
,
J. L.
Jones
,
S.
Moghaddam
, and
T.
Nishida
,
J. Appl. Phys.
117
,
134105
(
2015
).
25.
M.
Hoffmann
,
U.
Schroeder
,
T.
Schenk
,
T.
Shimizu
,
H.
Funakubo
,
O.
Sakata
,
D.
Pohl
,
M.
Drescher
,
C.
Adelmann
,
R.
Materlik
,
A.
Kersch
, and
T.
Mikolajick
,
J. Appl. Phys.
118
,
072006
(
2015
).
26.
H.
Ryu
,
K.
Xu
,
J.
Kim
,
S.
Kang
,
J.
Guo
, and
W.
Zhu
,
IEEE Trans. Electron Devices
66
,
2359
(
2019
).
27.
S.
Stemmer
,
Z. Q.
Chen
,
W. J.
Zhu
, and
T. P.
Ma
,
J. Microsc.
210
,
74
(
2003
).
28.
N.
Gong
,
X.
Sun
,
H.
Jiang
,
K. S.
Chang-Liao
,
Q.
Xia
, and
T. P.
Ma
,
Appl. Phys. Lett.
112
,
262903
(
2018
).
29.
Y.
Ishibashi
and
Y.
Takagi
,
J. Phys. Soc. Jpn.
31
,
506
(
1971
).
30.
J. Y.
Jo
,
H. S.
Han
,
J. G.
Yoon
,
T. K.
Song
,
S. H.
Kim
, and
T. W.
Noh
,
Phys. Rev. Lett.
99
,
267602
(
2007
).
31.
A. K.
Tagantsev
,
I.
Stolichnov
,
N.
Setter
,
J. S.
Cross
, and
M.
Tsukada
,
Phys. Rev. B
66
,
214109
(
2002
).
32.
A. G.
Chernikova
,
M. G.
Kozodaev
,
D. V.
Negrov
,
E. V.
Korostylev
,
M. H.
Park
,
U.
Schroeder
,
C. S.
Hwang
, and
A. M.
Markeev
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
10
,
2701
(
2018
).
33.
A. S.
Bondarenko
and
G. A.
Ragoisha
,
Progress in Chemometrics Research
(
Nova Science
,
New York
,
2005
), pp.
89
102
, see http://www.abc.chemistry.bsu.by/vi/analyser/.
34.
A. K.
Saha
,
S.
Datta
, and
S. K.
Gupta
,
J. Appl. Phys.
123
,
105102
(
2018
).
35.
T.-H.
Ryu
,
D.-H.
Min
, and
S.-M.
Yoon
,
J. Appl. Phys.
128
,
074102
(
2020
).
36.
W. J.
Merz
,
Phys. Rev.
95
,
690
(
1954
).
37.
M. C.
Chun
,
S.
Park
,
S.
Park
,
G.
yeon Park
,
M. J.
Kim
,
Y.
Cho
, and
B. S.
Kang
,
J. Alloys Compd.
823
,
153777
(
2020
).
38.
F. P. G.
Fengler
,
R.
Nigon
,
P.
Muralt
,
E. D.
Grimley
,
X.
Sang
,
V.
Sessi
,
R.
Hentschel
,
J. M.
LeBeau
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schroeder
,
Adv. Electron. Mater.
4
,
1700547
(
2018
).
39.
E. D.
Grimley
,
T.
Schenk
,
X.
Sang
,
M.
Pešić
,
U.
Schroeder
,
T.
Mikolajick
, and
J. M.
LeBeau
,
Adv. Electron. Mater.
2
,
1600173
(
2016
).
40.
M. C.
Chun
,
S.
Park
,
S.
Park
,
G.
yeon Park
, and
B. S.
Kang
,
Curr. Appl. Phys.
19
,
503
(
2019
).
41.
H. H.
Wieder
,
J. Appl. Phys.
28
,
367
(
1957
).
42.
Y.
Li
,
J.
Li
,
R.
Liang
,
R.
Zhao
,
B.
Xiong
,
H.
Liu
,
H.
Tian
,
Y.
Yang
, and
T.-L.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
114
,
142902
(
2019
).
43.
T.-H.
Ryu
,
S.-J.
Yoon
,
S.-Y.
Na
, and
S.-M.
Yoon
,
Curr. Appl. Phys.
19
,
1383
(
2019
).
44.
C.
Künneth
,
R.
Materlik
,
M.
Falkowski
, and
A.
Kersch
,
ACS Appl. Nano Mater.
1
,
254
(
2018
).
45.
T.
Schenk
,
Ph.D. thesis
(
University of Dresden
,
Germany
,
2017
).
46.
M. H.
Park
,
H. J.
Kim
,
Y. J.
Kim
,
T.
Moon
, and
C. S.
Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
104
,
072901
(
2014
).
47.
P. D.
Lomenzo
,
P.
Zhao
,
Q.
Takmeel
,
S.
Moghaddam
,
T.
Nishida
,
M.
Nelson
,
C. M.
Fancher
,
E. D.
Grimley
,
X.
Sang
,
J. M.
Lebeau
, and
J. L.
Jones
,
J. Vacuum Sci. Technol. B
32
,
03D123
(
2014
).
48.
T. Y.
Lee
,
K.
Lee
,
H. H.
Lim
,
M. S.
Song
,
S. M.
Yang
,
H. K.
Yoo
,
D. I.
Suh
,
Z.
Zhu
,
A.
Yoon
,
M. R.
Macdonald
,
X.
Lei
,
H. Y.
Jeong
,
D.
Lee
,
K.
Park
,
J.
Park
, and
S. C.
Chae
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
11
,
3142
(
2019
).
49.
C.
Richter
,
T.
Schenk
,
M. H.
Park
,
F. A.
Tscharntke
,
E. D.
Grimley
,
J. M.
LeBeau
,
C.
Zhou
,
C. M.
Fancher
,
J. L.
Jones
,
T.
Mikolajick
, and
U.
Schröeder
,
Adv. Electron. Mater.
3
,
1700131
(
2017
).
50.
D.
Martin
,
E.
Yurchuk
,
S.
Müller
,
J.
Müller
,
J.
Paul
,
J.
Sundquist
,
S.
Slesazeck
,
T.
Schlösser
,
R.
van Bentum
,
M.
Trentzsch
,
U.
Schröder
, and
T.
Mikolajick
,
Solid State Electron.
88
,
65
(
2013
).
51.
H. J.
Kim
,
M. H.
Park
,
Y. J.
Kim
,
Y. H.
Lee
,
T.
Moon
,
K.
Do Kim
,
S. D.
Hyun
, and
C. S.
Hwang
,
Nanoscale
8
,
1383
(
2016
).
52.
Y.
Zhou
,
Y. K.
Zhang
,
Q.
Yang
,
J.
Jiang
,
P.
Fan
,
M.
Liao
, and
Y. C.
Zhou
,
Comput. Mater. Sci.
167
,
143
(
2019
).
53.
H. S.
Baik
,
M.
Kim
,
G. S.
Park
,
S. A.
Song
,
M.
Varela
,
A.
Franceschetti
,
S. T.
Pantelides
, and
S. J.
Pennycook
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
672
(
2004
).
54.
I.
Abdallah
,
C.
Dupressoire
,
L.
Laffont
,
D.
Monceau
, and
A.
Vande Put
,
Corros. Sci.
153
,
191
(
2019
).
55.
C.
Li
,
Y.
Yao
,
X.
Shen
,
Y.
Wang
,
J.
Li
,
C.
Gu
,
R.
Yu
,
Q.
Liu
, and
M.
Liu
,
Nano Res.
8
,
3571
(
2015
).
56.
P.
Rauwel
and
E.
Rauwel
,
Probing the Electronic Structure of HfO2 Polymorphs with Electron Energy Loss Spectroscopy in Microscopy: Advances in Scientific Research and Education
(
Formatex Research Center
,
2014
), pp.
875
886
.
57.
M.
Adachi
,
Y.
Kato
,
K.
Kato
,
M.
Sakashita
,
H.
Kondo
,
W.
Takeuchi
,
O.
Nakatsuka
, and
S.
Zaima
,
Jpn. J. Appl. Phys.
50
,
04DA08
(
2011
).
58.
J.
Bin Fan
,
X. J.
Cheng
,
H. X.
Liu
,
S. L.
Wang
, and
L.
Duan
,
Chin. Phys. B
26
,
087701
(
2017
).
59.
D. J.
Jung
,
F. D.
Morrison
,
M.
Dawber
,
H. H.
Kim
,
K.
Kim
, and
J. F.
Scott
,
J. Appl. Phys.
95
,
4968
(
2004
).
60.
X. Y.
Li
,
Q.
Yang
,
J. X.
Cao
,
L. Z.
Sun
,
Q. X.
Peng
,
Y. C.
Zhou
, and
R. X.
Zhang
,
J. Phys. Chem. C
122
,
3091
(
2018
).

Supplementary Material

You do not currently have access to this content.