Under applied high pressure, the electronic, optical, structural, and other properties of narrow-bandgap telluride semiconductors are subjected to dramatic changes. They can include, for instance, structural and electronic topological transitions. In this work, we investigated the electronic properties of single crystals of three families of tellurides, namely, HgTe, PbTe, and Bi2Te3 by measurements of the thermoelectric power (the Seebeck coefficient) and electrical resistance under high pressure up to 10 GPa. The applied pressure led to spectacular variations in the electronic transport of all three tellurides. We addressed these effects to electronic topological transitions that could be driven by significant narrowing of the bandgaps in the normal-pressure phases of these compounds. In particular, at about 1 GPa, we observed an n-p switching in the conductivity of HgTe, which was well reproducible under multiple pressure cycling. In contrast, in PbTe, we found that an electronic topological transition irreversibly turns the conductivity from p- to n-type. An electronic topological Lifshitz transition in p-type Bi2Te3 crystals with a low carrier concentration enhanced the n-type conductivity in a narrow pressure region about 2–3 GPa and resulted in a double p–n–p conductivity inversion. An irreversible p–n conductivity switching in p-type Bi2Te3 happened already on decompression from a high-pressure phase from about 8 GPa. The stress-controlled p–n inversions of the electrical conductivity in these industrially important telluride materials can potentially find emergent applications in micro- and nanoelectronics.

1.
W.
Shi
,
T.
Stedman
, and
L. M.
Woods
,
J. Appl. Phys.
128
,
025104
(
2020
).
2.
S. V.
Ovsyannikov
,
I. V.
Korobeinikov
,
N. V.
Morozova
,
A.
Misiuk
,
N. V.
Abrosimov
, and
V. V.
Shchennikov
,
Appl. Phys. Lett.
101
,
062107
(
2012
).
3.
S. V.
Ovsyannikov
,
X.
Wu
,
G.
Garbarino
,
M.
Núñez-Regueiro
,
V. V.
Shchennikov
,
J. A.
Khmeleva
,
A. E.
Karkin
,
N.
Dubrovinskaia
, and
L.
Dubrovinsky
,
Phys. Rev. B
88
,
184106
(
2013
).
4.
S. V.
Ovsyannikov
,
A. E.
Karkin
,
N. V.
Morozova
,
V. V.
Shchennikov
,
E.
Bykova
,
A. M.
Abakumov
,
A. A.
Tsirlin
,
K. V.
Glazyrin
, and
L.
Dubrovinsky
,
Adv. Mater.
26
,
8185
(
2014
).
5.
I. V.
Korobeinikov
,
N. V.
Morozova
,
V. V.
Shchennikov
, and
S. V.
Ovsyannikov
,
Sci. Rep.
7
,
44220
(
2017
).
6.
N. V.
Morozova
,
I. V.
Korobeinikov
,
K. V.
Kurochka
,
A. N.
Titov
, and
S. V.
Ovsyannikov
,
J. Phys. Chem. C
122
,
14362
(
2018
).
7.
N. V.
Morozova
,
I. V.
Korobeinikov
,
N. V.
Abrosimov
, and
S. V.
Ovsyannikov
,
CrystEngComm
22
,
5416
(
2020
).
8.
A. T.
Duong
,
V. Q.
Nguyen
,
G.
Duvjir
,
V. T.
Duong
,
S.
Kwon
,
J. Y.
Song
,
J. K.
Lee
,
J. E.
Lee
,
S.
Park
,
T.
Min
,
J.
Lee
,
J.
Kim
, and
S.
Cho
,
Nat. Commun.
7
,
13713
(
2016
).
9.
M.
Akasaka
,
T.
Iida
,
A.
Matsumoto
,
K.
Yamanaka
,
Y.
Takanashi
,
T.
Imai
, and
N.
Hamada
,
J. Appl. Phys.
104
,
013703
(
2008
).
10.
A.
Masarrat
,
A.
Bhogra
,
R.
Meena
,
M.
Bala
,
R.
Singh
,
V.
Barwal
,
C.-L.
Dong
,
C.-L.
Chen
,
T.
Som
,
A.
Kumar
,
A.
Niazi
, and
K.
Asokan
,
RSC Adv.
9
,
36113
(
2019
).
11.
M.
Sinduja
,
S.
Amirthapandian
,
A.
Masarrat
,
R.
Krishnan
,
S. K.
Srivastava
, and
A.
Kandasami
,
Thin Solid Films
697
,
137834
(
2020
).
12.
M.
Baleva
and
E.
Mateeva
,
Phys. Rev. B
50
,
8893
(
1994
).
13.
M.
Baleva
and
M.
Momtchilova
,
Phys. Rev. B
50
,
15056
(
1994
).
14.
T.
Wen
,
Y.
Wang
,
N.
Li
,
Q.
Zhang
,
Y.
Zhao
,
W.
Yang
,
Y.
Zhao
, and
H.
Mao
,
J. Am. Chem. Soc.
141
,
505
(
2019
).
15.
T.
Nilges
,
S.
Lange
,
M.
Bawohl
,
J. M.
Deckwart
,
M.
Janssen
,
H.-D.
Wiemhöfer
,
R.
Decourt
,
B.
Chevalier
,
J.
Vannahme
,
H.
Eckert
, and
R.
Weihrich
,
Nat. Mater.
8
,
101
(
2009
).
16.
O.
Osters
,
M.
Bawohl
,
J.-L.
Bobet
,
B.
Chevalier
,
R.
Decourt
, and
T.
Nilges
,
Solid State Sci.
13
,
944
(
2011
).
17.
C.
Xiao
,
X.
Qin
,
J.
Zhang
,
R.
An
,
J.
Xu
,
K.
Li
,
B.
Cao
,
J.
Yang
,
B.
Ye
, and
Y.
Xie
,
J. Am. Chem. Soc.
134
,
18460
(
2012
).
18.
S. N.
Guin
,
J.
Pan
,
A.
Bhowmik
,
D.
Sanyal
,
U. V.
Waghmare
, and
K.
Biswas
,
J. Am. Chem. Soc.
136
,
12712
(
2014
).
19.
S. N.
Guin
and
K.
Biswas
,
Phys. Chem. Chem. Phys.
17
,
10316
(
2015
).
20.
P.
Roy
and
T.
Maiti
,
J. Phys. D Appl. Phys.
51
,
065104
(
2018
).
21.
O.
de la Peña
,
A.
Aguayo
, and
R.
de Coss
,
Phys. Rev. B
66
,
012511
(
2002
).
22.
J.
Zhang
,
C.
Liu
,
X.
Zhang
,
F.
Ke
,
Y.
Han
,
G.
Peng
,
Y.
Ma
, and
C.
Gao
,
Appl. Phys. Lett.
103
,
052102
(
2013
).
23.
Y.
Zhang
,
Y.
Li
,
Y.
Ma
,
Y.
Li
,
G.
Li
,
X.
Shao
,
H.
Wang
,
T.
Cui
,
X.
Wang
, and
P.
Zhu
,
Sci. Rep.
5
,
14681
(
2015
).
24.
N.-N.
Wang
,
H.-Y.
Lu
,
Z.-T.
Lv
,
W.
Wang
,
J.-Q.
He
,
L.
Geng
, and
S.
Chen
,
J. Low Temp. Phys.
181
,
242
(
2015
).
25.
Z. J.
Xiang
,
G. J.
Ye
,
C.
Shang
,
B.
Lei
,
N. Z.
Wang
,
K. S.
Yang
,
D. Y.
Liu
,
F. B.
Meng
,
X. G.
Luo
,
L. J.
Zou
,
Z.
Sun
,
Y.
Zhang
, and
X. H.
Chen
,
Phys. Rev. Lett.
115
,
186403
(
2015
).
26.
Y. A.
Sorb
,
V.
Rajaji
,
P. S.
Malavi
,
U.
Subbarao
,
P.
Halappa
,
S. C.
Peter
,
S.
Karmakar
, and
C.
Narayana
,
J. Phys. Condens. Matter
28
,
015602
(
2016
).
27.
Y.
Qi
,
W.
Shi
,
P. G.
Naumov
,
N.
Kumar
,
R.
Sankar
,
W.
Schnelle
,
C.
Shekhar
,
F.-C.
Chou
,
C.
Felser
,
B.
Yan
, and
S. A.
Medvedev
,
Adv. Mater.
29
,
1605965
(
2017
).
28.
A.
Ohmura
,
Y.
Higuchi
,
T.
Ochiai
,
M.
Kanou
,
S.
Nakano
,
F.
Ishikawa
,
A.
Nakayama
,
Y.
Yamada
, and
T.
Sasagawa
,
J. Phys. Conf. Ser.
950
,
042036
(
2017
).
29.
T.
Nishimura
,
H.
Sakai
,
H.
Mori
,
K.
Akiba
,
H.
Usui
,
M.
Ochi
,
K.
Kuroki
,
A.
Miyake
,
M.
Tokunaga
,
Y.
Uwatoko
,
K.
Katayama
,
H.
Murakawa
, and
N.
Hanasaki
,
Phys. Rev. Lett.
122
,
226601
(
2019
).
30.
L.-C.
Chen
,
P.-Q.
Chen
,
W.-J.
Li
,
Q.
Zhang
,
V. V.
Struzhkin
,
A. F.
Goncharov
,
Z.
Ren
, and
X.-J.
Chen
,
Nat. Mater.
18
,
1321
(
2019
).
31.
T.
Ideue
,
M.
Hirayama
,
H.
Taiko
,
T.
Takahashi
,
M.
Murase
,
T.
Miyake
,
S.
Murakami
,
T.
Sasagawa
, and
Y.
Iwasa
,
Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
116
,
25530
(
2019
).
32.
O.
De la Peña-Seaman
,
R.
de Coss
,
R.
Heid
, and
K.-P.
Bohnen
,
Phys. Rev. B
79
,
134523
(
2009
).
33.
Y. L.
Chen
,
J. G.
Analytis
,
J.-H.
Chu
,
Z. K.
Liu
,
S.-K.
Mo
,
X. L.
Qi
,
H. J.
Zhang
,
D. H.
Lu
,
X.
Dai
,
Z.
Fang
,
S. C.
Zhang
,
I. R.
Fisher
,
Z.
Hussain
, and
Z.-X.
Shen
,
Science
325
,
178
(
2009
).
34.
H.
Zhang
,
C.-X.
Liu
,
X.-L.
Qi
,
X.
Dai
,
Z.
Fang
, and
S.-C.
Zhang
,
Nat. Phys.
5
,
438
(
2009
).
35.
S.-Y.
Xu
,
C.
Liu
,
N.
Alidoust
,
M.
Neupane
,
D.
Qian
,
I.
Belopolski
,
J. D.
Denlinger
,
Y. J.
Wang
,
H.
Lin
,
L. A.
Wray
,
G.
Landolt
,
B.
Slomski
,
J. H.
Dil
,
A.
Marcinkova
,
E.
Morosan
,
Q.
Gibson
,
R.
Sankar
,
F. C.
Chou
,
R. J.
Cava
,
A.
Bansil
, and
M. Z.
Hasan
,
Nat. Commun.
3
,
1192
(
2012
).
36.
L.
Wu
,
M.
Brahlek
,
R.
Valdés Aguilar
,
A. V.
Stier
,
C. M.
Morris
,
Y.
Lubashevsky
,
L. S.
Bilbro
,
N.
Bansal
,
S.
Oh
, and
N. P.
Armitage
,
Nat. Phys.
9
,
410
(
2013
).
37.
W.-J.
Shi
,
J.
Liu
,
Y.
Xu
,
S.-J.
Xiong
,
J.
Wu
, and
W.
Duan
,
Phys. Rev. B
92
,
205118
(
2015
).
38.
J.
Liu
,
Y.
Xu
,
J.
Wu
,
B.-L.
Gu
,
S. B.
Zhang
, and
W.
Duan
,
Acta Crystallogr. C Struct. Chem.
70
,
118
(
2014
).
39.
J.
Zhu
,
A. R.
Oganov
,
W. X.
Feng
,
Y. G.
Yao
,
S. J.
Zhang
,
X. H.
Yu
,
J. L.
Zhu
,
R. C.
Yu
,
C. Q.
Jin
,
X.
Dai
,
Z.
Fang
, and
Y. S.
Zhao
,
AIP Adv.
6
,
085003
(
2016
).
40.
V.
Rajaji
,
P. S.
Malavi
,
S. S. R. K. C.
Yamijala
,
Y. A.
Sorb
,
U.
Dutta
,
S. N.
Guin
,
B.
Joseph
,
S. K.
Pati
,
S.
Karmakar
,
K.
Biswas
, and
C.
Narayana
,
Appl. Phys. Lett.
109
,
171903
(
2016
).
41.
M.
Zhang
,
X.
Wang
,
A.
Rahman
,
Q.
Zeng
,
D.
Huang
,
R.
Dai
,
Z.
Wang
, and
Z.
Zhang
,
Appl. Phys. Lett.
112
,
041907
(
2018
).
42.
N. M.
Alsaleh
,
E.
Shoko
,
M.
Arsalan
, and
U.
Schwingenschlögl
,
Phys. Status Solidi RRL.
12
,
1800083
(
2018
).
43.
M.
Hajji
,
H.
Absike
,
H.
Labrim
,
H.
Ez-Zahraouy
,
M.
Benaissa
, and
A.
Benyoussef
,
Comput. Condens. Matter
16
,
e00299
(
2018
).
44.
I. M.
Lifshitz
,
Sov. Phys. JETP
11
,
1130
(
1960
).
45.
A.
Polian
,
M.
Gauthier
,
S. M.
Souza
,
D. M.
Trichês
,
J.
Cardoso de Lima
, and
T. A.
Grandi
,
Phys. Rev. B
83
,
113106
(
2011
).
46.
P.
Aguado-Puente
,
S.
Fahy
, and
M.
Grüning
,
Phys. Rev. Res.
2
,
043105
(
2020
).
47.
S. V.
Ovsyannikov
,
V. V.
Shchennikov
,
A. Y.
Manakov
,
A. Y.
Likhacheva
,
Y. S.
Ponosov
,
V. E.
Mogilenskikh
,
A. P.
Vokhmyanin
,
A. I.
Ancharov
, and
E. P.
Skipetrov
,
Phys. Status Solidi
246
,
615
(
2009
).
48.
L.
Xu
,
Y.
Zheng
, and
J.-C.
Zheng
,
Phys. Rev. B
82
,
195102
(
2010
).
49.
K.
Akiba
,
Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions
(
Springer Singapore
,
Singapore
,
2019
).
50.
A. A.
Andreev
,
J. Phys. Colloq.
29
,
C4-50
C4-61
(
1968
).
51.
Y. W.
Tung
and
M. L.
Cohen
,
Phys. Lett. A
29
,
236
(
1969
).
52.
Y. I.
Ravich
,
B. A.
Efimova
, and
I. A.
Smirnov
,
Semiconducting Lead Chalcogenides
(
Springer US
,
Boston
,
MA
,
1970
).
53.
M.
Schlüter
,
G.
Martinez
, and
M. L.
Cohen
,
Phys. Rev. B
12
,
650
(
1975
).
54.
G.
Nimtz
and
B.
Schlicht
,
Narrow-Gap Semiconductors
(
Springer
,
Berlin
,
1983
), pp.
1
117
.
55.
V. V.
Shchennikov
and
S. V.
Ovsyannikov
,
Solid State Commun.
126
,
373
(
2003
).
56.
G.
Rousse
,
S.
Klotz
,
A. M.
Saitta
,
J.
Rodriguez-Carvajal
,
M. I.
McMahon
,
B.
Couzinet
, and
M.
Mezouar
,
Phys. Rev. B
71
,
224116
(
2005
).
57.
V. V.
Shchennikov
,
S. V.
Ovsyannikov
,
A. Y.
Manakov
,
A. Y.
Likhacheva
,
A. I.
Ancharov
,
I. F.
Berger
, and
M. A.
Sheromov
,
J. Exp. Theor. Phys. Lett.
83
,
228
(
2006
).
58.
Y.
Li
,
C.
Lin
,
H.
Li
,
X.
Li
, and
J.
Liu
,
High Pressure Res.
33
,
713
(
2013
).
59.
Y.-C.
Li
,
G.
Li
,
C.-L.
Lin
,
X.-D.
Li
, and
J.
Liu
,
Chin. Phys. Lett.
32
,
016101
(
2015
).
60.
V. V.
Shchennikov
,
S. V.
Ovsyannikov
, and
A. Y.
Derevskov
,
Phys. Solid State
44
,
1845
(
2002
).
61.
Y.
Wang
,
X.
Chen
,
T.
Cui
,
Y.
Niu
,
Y.
Wang
,
M.
Wang
,
Y.
Ma
, and
G.
Zou
,
Phys. Rev. B
76
,
155127
(
2007
).
62.
S. V.
Ovsyannikov
and
V. V.
Shchennikov
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
122103
(
2007
).
63.
A.
Svane
,
N. E.
Christensen
,
M.
Cardona
,
A. N.
Chantis
,
M.
van Schilfgaarde
, and
T.
Kotani
,
Phys. Rev. B
81
,
245120
(
2010
).
64.
P.
Barone
,
T.
Rauch
,
D.
Di Sante
,
J.
Henk
,
I.
Mertig
, and
S.
Picozzi
,
Phys. Rev. B
88
,
045207
(
2013
).
65.
V. V.
Shchennikov
,
S. V.
Ovsyannikov
, and
A. V.
Bazhenov
,
J. Phys. Chem. Solids
69
,
2315
(
2008
).
66.
V. V.
Shchennikov
,
S. V.
Ovsyannikov
, and
A. Y.
Manakov
,
J. Phys. Chem. Solids
71
,
1168
(
2010
).
67.
V. V.
Shchennikov
,
S. V.
Ovsyannikov
,
A. Y.
Derevskov
, and
V. V.
Shchennikov
,
J. Phys. Chem. Solids
67
,
2203
(
2006
).
68.
N. V.
Morozova
,
V. V.
Shchennikov
, and
S. V.
Ovsyannikov
,
J. Appl. Phys.
118
,
225901
(
2015
).
69.
R.
Piotrzkowski
,
S.
Porowski
,
Z.
Dziuba
,
J.
Ginter
,
W.
Giriat
, and
L.
Sosnowski
,
Phys. Status Solidi B
8
,
K135
(
1965
).
70.
I. M.
Tsidilkovski
,
Electron Spectrum of Gapless Semiconductors
(
Springer Verlag
,
Berlin
,
1996
).
71.
N.
Orlowski
,
J.
Augustin
,
Z.
Gołacki
,
C.
Janowitz
, and
R.
Manzke
,
Phys. Rev. B
61
,
R5058
(
2000
).
72.
L.
Fu
and
C. L.
Kane
,
Phys. Rev. B
76
,
045302
(
2007
).
73.
A.
Svane
,
N. E.
Christensen
,
M.
Cardona
,
A. N.
Chantis
,
M.
van Schilfgaarde
, and
T.
Kotani
,
Phys. Rev. B
84
,
205205
(
2011
).
74.
M. V.
Yakunin
,
A. V.
Suslov
,
M. R.
Popov
,
E. G.
Novik
,
S. A.
Dvoretsky
, and
N. N.
Mikhailov
,
Phys. Rev. B
93
,
085308
(
2016
).
75.
G. M.
Minkov
,
O. E.
Rut
,
A. A.
Sherstobitov
,
S. A.
Dvoretski
,
N. N.
Mikhailov
,
V. A.
Solov’ev
,
M. Y.
Chernov
,
S. V.
Ivanov
, and
A. V.
Germanenko
,
Phys. Rev. B
101
,
245303
(
2020
).
76.
P. W.
Bridgman
,
Proc. Am. Acad. Arts Sci.
74
,
21
(
1940
).
77.
A. N.
Mariano
and
E. P.
Warekois
,
Science
142
,
672
(
1963
).
78.
A.
Jayaraman
,
W.
Klement
, and
G. C.
Kennedy
,
Phys. Rev.
130
,
2277
(
1963
).
79.
S.
Katsuki
and
M.
Kunimune
,
J. Phys. Soc. Jpn.
31
,
337
(
1971
).
80.
S.
Narita
,
M.
Egawa
,
K.
Suizu
,
M.
Katayama
, and
S.
Mizukami
,
Appl. Phys.
2
,
151
(
1973
).
81.
T. M.
Turusbekov
and
E. I.
Estrin
,
Sov. Phys. Solid State
21
,
558
(
1979
).
82.
A.
Ohtani
,
T.
Seike
,
M.
Motobayashi
, and
A.
Onodera
,
J. Phys. Chem. Solids
43
,
627
(
1982
).
83.
A.
Werner
,
H. D.
Hochheimer
,
K.
Strössner
, and
A.
Jayaraman
,
Phys. Rev. B
28
,
3330
(
1983
).
84.
T.
Huang
and
A. L.
Ruoff
,
Phys. Status Solidi
77
,
K193
(
1983
).
85.
S. B.
Qadri
,
A. W.
Webb
,
E. F.
Skelton
,
N.
Moulton
,
J.
Furdyna
, and
L.
Colombo
,
High Pressure Res.
4
,
303
(
1990
).
86.
N. G.
Wright
,
M. I.
McMahon
,
R. J.
Nelmes
, and
A.
San-Miguel
,
Phys. Rev. B
48
,
13111
(
1993
).
87.
A.
San-Miguel
,
N. G.
Wright
,
M. I.
McMahon
, and
R. J.
Nelmes
,
Phys. Rev. B
51
,
8731
(
1995
).
88.
R. J.
Nelmes
and
M. I.
McMahon
,
Semicond. Semimetals
54
,
145
(
1998
).
89.
Y. S.
Ponosov
,
V. V.
Shchennikov
,
V. E.
Mogilenskikh
,
V. I.
Osotov
, and
S. V.
Popova
,
Phys. Status Solidi
223
,
275
(
2001
).
90.
D. P.
Kozlenko
,
V. P.
Glazkov
,
S.
Hull
,
B. N.
Savenko
,
V. V.
Shchennikov
, and
V. I.
Voronin
,
Appl. Phys. A Mater. Sci. Process.
74
,
s983
(
2002
).
91.
D. P.
Kozlenko
,
V. V.
Shchennikov
,
V. I.
Voronin
,
V. P.
Glazkov
, and
B. N.
Savenko
,
Phys. Solid State
44
,
1628
(
2002
).
92.
M.
Cardona
,
R. K.
Kremer
,
R.
Lauck
,
G.
Siegle
,
A.
Muñoz
, and
A. H.
Romero
,
Phys. Rev. B
80
,
195204
(
2009
).
93.
S.
Radescu
,
A.
Mujica
,
J.
López-Solano
, and
R. J.
Needs
,
Phys. Rev. B
83
,
094107
(
2011
).
94.
X. D.
Hu
,
D. H.
Zhu
,
Z. F.
Zeng
, and
S. R.
Sun
,
Adv. Mater. Res.
1004–1005
,
1608
(
2014
).
95.
T.-L.
Huang
and
A. L.
Ruoff
,
Phys. Rev. B
31
,
5976
(
1985
).
96.
X.
Chen
,
Y.
Wang
,
T.
Cui
,
Y.
Ma
,
G.
Zou
, and
T.
Iitaka
,
J. Chem. Phys.
128
,
194713
(
2008
).
97.
T.
Ouyang
and
M.
Hu
,
J. Appl. Phys.
117
,
245101
(
2015
).
98.
J.
Blair
and
A. C.
Smith
,
Phys. Rev. Lett.
7
,
124
(
1961
).
99.
I. M.
Tsidil’kovskii
,
V. V.
Shchennikov
, and
N. G.
Gluzman
,
Sov. Phys. Solid State
24
,
1507
(
1982
).
100.
V. V.
Shchennikov
and
N. G.
Gluzman
,
Sov. Phys. Solid State
23
,
1800
(
1981
).
101.
I. M.
Tsidil’kovskii
,
V. V.
Shchennikov
, and
N. G.
Gluzman
,
Sov. Phys. Semicond.
17
,
604
(
1983
).
102.
S. W.
McKnight
and
M. K.
El-Rayess
,
Solid State Commun.
54
,
433
(
1985
).
103.
V. V.
Shchennikov
,
N. P.
Gavaleshko
, and
V. M.
Frasunyak
,
Phys. Solid State
35
,
199
(
1993
).
104.
V. V.
Shchennikov
,
Phys. Solid State
35
,
401
(
1993
).
105.
F. M.
Shchennikov
,
V. V.
Gavaleshko
, and
N. P.
Frasunyak
,
Phys. Solid State
37
,
1943
(
1995
).
106.
T.-J.
Hu
,
X.-Y.
Cui
,
X.-F.
Li
,
J.-S.
Wang
,
X.-M.
Lv
,
L.-S.
Wang
,
J.-H.
Yang
, and
C.-X.
Gao
,
Chin. Phys. B
24
,
116401
(
2015
).
107.
V. V.
Shchennikov
,
A. E.
Kar’kin
,
N. P.
Gavaleshko
, and
V. M.
Frasunyak
,
Phys. Solid State
42
,
215
(
2000
).
108.
B.
Al Shafaay
,
F.
El Haj Hassan
, and
M.
Korek
,
Comput. Mater. Sci.
83
,
107
(
2014
).
109.
T.
Rauch
,
S.
Achilles
,
J.
Henk
, and
I.
Mertig
,
Phys. Rev. Lett.
114
,
236805
(
2015
).
110.
X.
Dai
,
T. L.
Hughes
,
X.-L.
Qi
,
Z.
Fang
, and
S.-C.
Zhang
,
Phys. Rev. B
77
,
125319
(
2008
).
111.
F.
Kirtschig
,
J.
van den Brink
, and
C.
Ortix
,
Phys. Rev. B
94
,
235437
(
2016
).
112.
A.
Laref
,
M.
Alsagri
,
Z.
Hussain
,
S.
Laref
,
F.
Tawfik
, and
S. J.
Luo
,
J. Mater. Sci.
52
,
7039
(
2017
).
113.
V. V.
Shchennikov
,
S. V.
Ovsyannikov
, and
N. Y.
Frolova
,
J. Phys. D Appl. Phys.
36
,
2021
(
2003
).
114.
O.
Falkenbach
,
M. O.
Loeh
,
C. W.
Wiegand
,
A.
Schmitz
,
D.
Hartung
,
G.
Koch
,
P. J.
Klar
,
E.
Mueller
, and
S.
Schlecht
,
J. Electron. Mater.
46
,
5781
(
2017
).
115.
H.
Öztürk
,
G. G.
Arslan
,
C.
Kürkçü
, and
Ç
Yamçıçıer
,
J. Electron. Mater.
49
,
3089
(
2020
).
116.
F.
Demiray
and
S.
Berber
,
Phys. Scr.
88
,
015603
(
2013
).
117.
P. W.
Bridgman
,
Proc. Am. Acad. Arts Sci.
76
,
55
(
1948
).
118.
A. N.
Mariano
and
K. L.
Chopra
,
Appl. Phys. Lett.
10
,
282
(
1967
).
119.
I.
Wakabayashi
,
H.
Kobayashi
,
H.
Nagasaki
, and
S.
Minomura
,
J. Phys. Soc. Jpn.
25
,
227
(
1968
).
120.
Y.
Fujii
,
K.
Kitamura
,
A.
Onodera
, and
Y.
Yamada
,
Solid State Commun.
49
,
135
(
1984
).
121.
T.
Chattopadhyay
,
H. G.
von Schnering
,
W. A.
Grosshans
, and
W. B.
Holzapfel
,
Physica B+C
139–140
,
356
(
1986
).
122.
S.
Ves
,
Y. A.
Pusep
,
K.
Syassen
, and
M.
Cardona
,
Solid State Commun.
70
,
257
(
1989
).
123.
M. K.
Jacobsen
,
R. S.
Kumar
, and
A. L.
Cornelius
,
J. Electron. Mater.
41
,
633
(
2012
).
124.
M. K.
Jacobsen
,
W.
Liu
, and
B.
Li
,
J. Phys. Condens. Matter
25
,
365402
(
2013
).
125.
J.
Baker
,
R.
Kumar
,
C.
Park
,
C.
Kenney-Benson
,
A.
Cornelius
, and
N.
Velisavljevic
,
J. Synchrotron Radiat.
23
,
1368
(
2016
).
126.
S.
Ma
,
C.
Guo
,
C.
Xiao
,
F.
Wu
,
M.
Smidman
,
Y.
Lu
,
H.
Yuan
, and
H.
Wu
,
Adv. Funct. Mater.
28
,
1803188
(
2018
).
127.
S. V.
Ovsyannikov
and
V. V.
Shchennikov
,
Chem. Mater.
22
,
635
(
2010
).
128.
T. H.
Hsieh
,
H.
Lin
,
J.
Liu
,
W.
Duan
,
A.
Bansil
, and
L.
Fu
,
Nat. Commun.
3
,
982
(
2012
).
129.
D.
Bassanezi
,
E. O.
Wrasse
, and
T. M.
Schmidt
,
Mater. Res. Express
5
,
015051
(
2018
).
130.
E. P.
Skipetrov
,
E. A.
Zvereva
,
O. S.
Volkova
,
A. V.
Golubev
,
A. Y.
Mollaev
,
R. K.
Arslanov
, and
V. E.
Slyn’ko
,
Semiconductors
38
,
1164
(
2004
).
131.
N. B.
Brandt
,
D. V.
Gitsu
,
N. S.
Popovich
,
V. I.
Sidorov
, and
S. M.
Chudinov
,
JETP Lett.
22
,
104
(
1975
).
132.
D. A.
Wright
,
Nature
181
,
834
(
1958
).
133.
N.
Serebryanaya
,
E.
Tatyanin
,
S.
Buga
,
I.
Kruglov
,
N.
Lvova
, and
V.
Blank
,
Phys. Status Solidi
252
,
267
(
2015
).
134.
S. G.
Buga
,
V. A.
Kulbachinskii
,
V. G.
Kytin
,
G. A.
Kytin
,
I. A.
Kruglov
,
N. A.
Lvova
,
N. S.
Perov
,
N. R.
Serebryanaya
,
S. A.
Tarelkin
, and
V. D.
Blank
,
Chem. Phys. Lett.
631–632
,
97
(
2015
).
135.
X.
Guo
,
X.
Jia
,
K.
Jie
,
H.
Sun
,
Y.
Zhang
,
B.
Sun
, and
H.
Ma
,
Chem. Phys. Lett.
568–569
,
190
(
2013
).
136.
A. N.
Veis
,
L. N.
Luk’yanova
, and
V. A.
Kutasov
,
Phys. Solid State
54
,
2182
(
2012
).
137.
V. G.
Orlov
,
G. S.
Sergeev
, and
E. A.
Kravchenko
,
J. Magn. Magn. Mater.
475
,
627
(
2019
).
138.
K.
Kusagaya
,
H.
Hagino
,
S.
Tanaka
,
K.
Miyazaki
, and
M.
Takashiri
,
J. Electron. Mater.
44
,
1632
(
2015
).
139.
M.
Takashiri
,
K.
Kurita
,
H.
Hagino
,
S.
Tanaka
, and
K.
Miyazaki
,
J. Appl. Phys.
118
,
065301
(
2015
).
140.
V. R.
Akshay
,
B.
Arun
,
M. V.
Suneesh
, and
M.
Vasundhara
,
ACS Appl. Nano Mater.
1
,
3236
(
2018
).
141.
P.
Fourmont
,
L. F.
Gerlein
,
F.-X.
Fortier
,
S. G.
Cloutier
, and
R.
Nechache
,
ACS Appl. Mater. Interfaces
10
,
10194
(
2018
).
142.
J.
Shi
,
H.
Chen
,
S.
Jia
, and
W.
Wang
,
Mater. Lett.
212
,
299
(
2018
).
143.
A.
Gaul
,
Q.
Peng
,
D. J.
Singh
,
T.
Borca-Tasciuc
, and
G.
Ramanath
,
J. Appl. Phys.
125
,
165101
(
2019
).
144.
G.
Rogl
,
M. J.
Zehetbauer
, and
P. F.
Rogl
,
Mater. Trans.
60
,
2071
(
2019
).
145.
S.
Bano
,
A.
Kumar
,
B.
Govind
,
A. H.
Khan
,
A.
Ashok
, and
D. K.
Misra
,
J. Mater. Sci. Mater. Electron.
31
,
8607
(
2020
).
146.
J. L.
Zhang
,
S. J.
Zhang
,
H. M.
Weng
,
W.
Zhang
,
L. X.
Yang
,
Q. Q.
Liu
,
S. M.
Feng
,
X. C.
Wang
,
R. C.
Yu
,
L. Z.
Cao
,
L.
Wang
,
W. G.
Yang
,
H. Z.
Liu
,
W. Y.
Zhao
,
S. C.
Zhang
,
X.
Dai
,
Z.
Fang
, and
C. Q.
Jin
,
Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
108
,
24
(
2011
).
147.
C.
Zhang
,
L.
Sun
,
Z.
Chen
,
X.
Zhou
,
Q.
Wu
,
W.
Yi
,
J.
Guo
,
X.
Dong
, and
Z.
Zhao
,
Phys. Rev. B
83
,
140504
(
2011
).
148.
S. J.
Zhang
,
J. L.
Zhang
,
X. H.
Yu
,
J.
Zhu
,
P. P.
Kong
,
S. M.
Feng
,
Q. Q.
Liu
,
L. X.
Yang
,
X. C.
Wang
,
L. Z.
Cao
,
W. G.
Yang
,
L.
Wang
,
H. K.
Mao
,
Y. S.
Zhao
,
H. Z.
Liu
,
X.
Dai
,
Z.
Fang
,
S. C.
Zhang
, and
C. Q.
Jin
,
J. Appl. Phys.
111
,
112630
(
2012
).
149.
S. V.
Ovsyannikov
,
V. V.
Shchennikov
,
G. V.
Vorontsov
,
A. Y.
Manakov
,
A. Y.
Likhacheva
, and
V. A.
Kulbachinskii
,
J. Appl. Phys.
104
,
053713
(
2008
).
150.
S. V.
Ovsyannikov
,
N. V.
Morozova
,
I. V.
Korobeinikov
,
L. N.
Lukyanova
,
A. Y.
Manakov
,
A. Y.
Likhacheva
,
A. I.
Ancharov
,
A. P.
Vokhmyanin
,
I. F.
Berger
,
O. A.
Usov
,
V. A.
Kutasov
,
V. A.
Kulbachinskii
,
T.
Okada
, and
V. V.
Shchennikov
,
Appl. Phys. Lett.
106
,
143901
(
2015
).
151.
A.
Nakayama
,
M.
Einaga
,
Y.
Tanabe
,
S.
Nakano
,
F.
Ishikawa
, and
Y.
Yamada
,
High Pressure Res.
29
,
245
(
2009
).
152.
M.
Einaga
,
A.
Ohmura
,
A.
Nakayama
,
F.
Ishikawa
,
Y.
Yamada
, and
S.
Nakano
,
Phys. Rev. B
83
,
092102
(
2011
).
153.
W.
Ibarra-Hernández
,
M. J.
Verstraete
, and
J.-Y.
Raty
,
Phys. Rev. B
90
,
245204
(
2014
).
154.
M. K.
Jacobsen
,
S. V.
Sinogeikin
,
R. S.
Kumar
, and
A. L.
Cornelius
,
J. Phys. Chem. Solids
73
,
1154
(
2012
).
155.
K.
Zhao
,
Y.
Wang
,
C.
Xin
,
Y.
Sui
,
X.
Wang
,
Y.
Wang
,
Z.
Liu
, and
B.
Li
,
J. Alloys Compd.
661
,
428
(
2016
).
156.
F. J.
Manjón
,
R.
Vilaplana
,
O.
Gomis
,
E.
Pérez-González
,
D.
Santamaría-Pérez
,
V.
Marín-Borrás
,
A.
Segura
,
J.
González
,
P.
Rodríguez-Hernández
,
A.
Muñoz
,
C.
Drasar
,
V.
Kucek
, and
V.
Muñoz-Sanjosé
,
Phys. Status Solidi
250
,
669
(
2013
).
157.
R.
Vilaplana
,
O.
Gomis
,
F. J.
Manjón
,
A.
Segura
,
E.
Pérez-González
,
P.
Rodríguez-Hernández
,
A.
Muñoz
,
J.
González
,
V.
Marín-Borrás
,
V.
Muñoz-Sanjosé
,
C.
Drasar
, and
V.
Kucek
,
Phys. Rev. B
84
,
104112
(
2011
).
158.
G. K.
Pradhan
,
A.
Bera
,
P.
Kumar
,
D. V. S.
Muthu
, and
A. K.
Sood
,
Solid State Commun.
152
,
284
(
2012
).
159.
H.
Zhu
,
J.
Dong
,
P.
Li
,
Y.
Wang
,
Z.
Guo
,
X.
Shan
,
Y.
Gong
,
P.
An
,
X.
Li
,
J.
Zhang
, and
D.
Chen
,
Phys. Status Solidi
254
,
1700007
(
2017
).
160.
E. Y.
Atabaeva
,
E. S.
Itskevich
,
S. A.
Mashkov
,
S. P.
Popova
, and
L. F.
Vereshchagin
,
Sov. Phys. Solid State USSR
10
,
43
(
1968
).
161.
L. F.
Vereshchagin
,
N. A.
Bendeliani
, and
E. Y.
Atabaeva
,
Sov. Phys. Solid State USSR
13
,
2051
(
1972
).
162.
L. G.
Khvostantsev
,
A. I.
Orlov
,
N.
Kh. Abrikosov
,
T. E.
Svechnikova
, and
S. N.
Chizhevskaya
,
Phys. Status Solidi
71
,
49
(
1982
).
163.
L.
Zhu
,
H.
Wang
,
Y.
Wang
,
J.
Lv
,
Y.
Ma
,
Q.
Cui
,
Y.
Ma
, and
G.
Zou
,
Phys. Rev. Lett.
106
,
145501
(
2011
).
164.
G.
Xiao
,
K.
Wang
,
L.
Zhu
,
X.
Tan
,
Y.
Qiao
,
K.
Yang
,
Y.
Ma
,
B.
Liu
,
W.
Zheng
, and
B.
Zou
,
J. Phys. Chem. C
119
,
3843
(
2015
).
165.
J.
Zhao
,
Z.
Yu
,
Q.
Hu
,
Y.
Wang
,
J.
Schneeloch
,
C.
Li
,
R.
Zhong
,
Y.
Wang
,
Z.
Liu
, and
G.
Gu
,
Phys. Chem. Chem. Phys.
19
,
2207
(
2017
).
166.
A.
Gaul
,
Q.
Peng
,
D. J.
Singh
,
G.
Ramanath
, and
T.
Borca-Tasciuc
,
Phys. Chem. Chem. Phys.
19
,
12784
(
2017
).
167.
V. V.
Brazhkin
and
A. I.
Orlov
,
JETP Lett.
99
,
283
(
2014
).
168.
C.-Y.
Moon
and
S.-H.
Wei
,
Phys. Rev. B
74
,
045205
(
2006
).
169.
R.
Sakuma
,
C.
Friedrich
,
T.
Miyake
,
S.
Blügel
, and
F.
Aryasetiawan
,
Phys. Rev. B
84
,
085144
(
2011
).
170.
S. H.
Groves
,
R. N.
Brown
, and
C. R.
Pidgeon
,
Phys. Rev.
161
,
779
(
1967
).
171.
K.
Seeger
,
Semiconductor Physics
(
Springer
,
New York
,
1973
).
172.
Y.
Pei
,
X.
Shi
,
A.
LaLonde
,
H.
Wang
,
L.
Chen
, and
G. J.
Snyder
,
Nature
473
,
66
(
2011
).
173.
A. V.
Dmitriev
,
Mater. Res. Express
6
,
015512
(
2018
).
174.
B. M.
Goltsman
,
B. A.
Kudinov
, and
I. A.
Smirnov
,
Thermoelectric Semiconductor Materials Based on Bi2Te3
(
Nauka
,
Moscow
,
1972
).
175.
H.
Köhler
,
Phys. Status Solidi
74
,
591
600
(
1976
).
176.
V. A.
Kulbachinskii
,
N. B.
Brandt
,
P. A.
Cheremnykh
,
S. A.
Azou
,
J.
Horak
, and
P.
Lošták
,
Phys. Status Solidi
150
,
237
(
1988
).
177.
V. A.
Kulbachinskii
,
N. E.
Klokova
,
J.
Gorak
,
P.
Lostjak
,
S. A.
Azou
, and
G. A.
Mironova
,
Fiz. Tverd. Tela
31
,
205
(
1989
).
178.
S. K.
Mishra
,
S.
Satpathy
, and
O.
Jepsen
,
J. Phys. Condens. Matter
9
,
461
(
1997
).
179.
V. A.
Greanya
,
W. C.
Tonjes
,
R.
Liu
,
C. G.
Olson
,
D.-Y.
Chung
, and
M. G.
Kanatzidis
,
Phys. Rev. B
62
,
16425
(
2000
).
180.
A.
Kadir
,
T.
Ganguli
,
R.
Kumar
,
M. R.
Gokhale
,
A. P.
Shah
,
S.
Ghosh
,
B. M.
Arora
, and
A.
Bhattacharya
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
111913
(
2007
).
181.
S.
Ruffell
,
K.
Sears
,
J. E.
Bradby
, and
J. S.
Williams
,
Appl. Phys. Lett.
98
,
052105
(
2011
).
182.
S.
Reboh
,
R.
Coquand
,
S.
Barraud
,
N.
Loubet
,
N.
Bernier
,
G.
Audoit
,
J.-L.
Rouviere
,
E.
Augendre
,
J.
Li
,
J.
Gaudiello
,
N.
Gambacorti
,
T.
Yamashita
, and
O.
Faynot
,
Appl. Phys. Lett.
112
,
051901
(
2018
).
You do not currently have access to this content.