The influence of the polarization field on the emission properties of the AlGaN-based quantum structures grown on AlN substrates was investigated as a function of well width, barrier width, and barrier height. A thin AlGaN well and a thin AlN barrier design reduced the polarization field to ∼0.5 MV/cm, resulting in an ultralow laser threshold of 3 kW/cm2 in an optically pumped configuration. These experimental results were used to validate the simulation. In the next step, a structure with Al0.7Ga0.3N barriers was designed to support carrier injection with a minimal loss in optical performance. This structure showed a threshold of 7 kW/cm2 under optical pumping and an estimated threshold current of 8 kA/cm2 for the electric injection.

1.
H.
Hirayama
,
S.
Fujikawa
, and
N.
Kamata
,
Electron. Commun. Jpn.
98
,
1
(
2015
).
2.
D.
Li
,
K.
Jiang
,
X.
Sun
, and
C.
Guo
,
Adv. Opt. Photonics
10
,
43
(
2018
).
3.
Y.
Nagasawa
and
A.
Hirano
,
Appl. Sci.
8
,
1264
(
2018
).
4.
M.
Kneissl
,
III-Nitride Ultraviolet Emitters
(
Springer
,
Cham
,
2016
), pp.
1
25
.
5.
J.
Xie
,
S.
Mita
,
Z.
Bryan
,
W.
Guo
,
L.
Hussey
,
B.
Moody
,
R.
Schlesser
,
R.
Kirste
,
M.
Gerhold
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
171102
(
2013
).
6.
R.
Kirste
,
N.
Rohrbaugh
,
I.
Bryan
,
Z.
Bryan
,
R.
Collazo
, and
A.
Ivanisevic
,
Annu. Rev. Anal. Chem.
8
,
149
(
2015
).
7.
R.
Kirste
,
Q.
Guo
,
J. H.
Dycus
,
A.
Franke
,
S.
Mita
,
B.
Sarkar
,
P.
Reddy
,
J. M.
LeBeau
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
Appl. Phys. Express
11
,
082101
(
2018
).
8.
Z.
Bryan
,
I.
Bryan
,
J.
Xie
,
S.
Mita
,
Z.
Sitar
, and
R.
Collazo
,
Appl. Phys. Lett.
106
,
142107
(
2015
).
9.
Q.
Dai
,
M. F.
Schubert
,
M. H.
Kim
,
J. K.
Kim
,
E. F.
Schubert
,
D. D.
Koleske
,
M. H.
Crawford
,
S. R.
Lee
,
A. J.
Fischer
,
G.
Thaler
, and
M. A.
Banas
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
111109
(
2009
).
10.
K.
Ban
,
J.
Yamamoto
,
K.
Takeda
,
K.
Ide
,
M.
Iwaya
,
T.
Takeuchi
,
S.
Kamiyama
,
I.
Akasaki
, and
H.
Amano
,
Appl. Phys. Express
4
,
052101
(
2011
).
11.
U.
Zeimer
,
V.
Kueller
,
A.
Knauer
,
A.
Mogilatenko
,
M.
Weyers
, and
M.
Kneissl
,
J. Cryst. Growth
377
,
32
(
2013
).
12.
H.
Hirayama
,
J.
Norimatsu
,
N.
Noguchi
,
S.
Fujikawa
,
T.
Takano
,
K.
Tsubaki
, and
N.
Kamata
,
Phys. Status Solidi C
6
,
S474
(
2009
).
13.
J. P.
Zhang
,
H. M.
Wang
,
M. E.
Gaevski
,
C. Q.
Chen
,
Q.
Fareed
,
J. W.
Yang
,
G.
Simin
, and
M. A.
Khan
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
3542
(
2002
).
14.
H.-M.
Wang
,
J.-P.
Zhang
,
C.-Q.
Chen
,
Q.
Fareed
,
J.-W.
Yang
, and
M. A.
Khan
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
604
(
2002
).
15.
Y.-S.
Liu
,
Z.
Lochner
,
T.-T.
Kao
,
M. M.
Satter
,
X.-H.
Li
,
J.-H.
Ryou
,
S.-C.
Shen
,
P. D.
Yoder
,
T.
Detchprohm
,
R. D.
Dupuis
,
Y.
Wei
,
H.
Xie
,
A.
Fischer
, and
F.
Ponce
,
Phys. Status Solidi C
11
,
258
(
2014
).
16.
X.-H.
Li
,
T.-T.
Kao
,
M. M.
Satter
,
Y. O.
Wei
,
S.
Wang
,
H.
Xie
,
S.-C.
Shen
,
P. D.
Yoder
,
A. M.
Fischer
,
F. A.
Ponce
,
T.
Detchprohm
, and
R. D.
Dupuis
,
Appl. Phys. Lett.
106
,
041115
(
2015
).
17.
H.
Miyake
,
G.
Nishio
,
S.
Suzuki
,
K.
Hiramatsu
,
H.
Fukuyama
,
J.
Kaur
, and
N.
Kuwano
,
Appl. Phys. Express
9
,
025501
(
2016
).
18.
R.
Dalmau
,
B.
Moody
,
R.
Schlesser
,
S.
Mita
,
J.
Xie
,
M.
Feneberg
,
B.
Neuschl
,
K.
Thonke
,
R.
Collazo
,
A.
Rice
,
J.
Tweedie
, and
Z.
Sitar
,
J. Electrochem. Soc.
158
,
H530
(
2011
).
19.
P.
Reddy
,
F.
Kaess
,
J.
Tweedie
,
R.
Kirste
,
S.
Mita
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
Appl. Phys. Lett.
111
,
152101
(
2017
).
20.
P.
Reddy
,
S.
Washiyama
,
F.
Kaess
,
R.
Kirste
,
S.
Mita
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
J. Appl. Phys.
122
,
245702
(
2017
).
21.
Q.
Guo
,
R.
Kirste
,
S.
Mita
,
J.
Tweedie
,
P.
Reddy
,
S.
Washiyama
,
M. H.
Breckenridge
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
Jpn. J. Appl. Phys.
58
,
SCCC10
(
2019
).
22.
A.
Pinos
,
S.
Marcinkevičius
,
K.
Liu
,
M. S.
Shur
,
E.
Kuokštis
,
G.
Tamulaitis
,
R.
Gaska
,
J.
Yang
, and
W.
Sun
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
061907
(
2008
).
23.
S.
Ichikawa
,
Y.
Iwata
,
M.
Funato
,
S.
Nagata
, and
Y.
Kawakami
,
Appl. Phys. Lett.
104
,
252102
(
2014
).
24.
A.
Kuramata
,
K.
Domen
,
R.
Soejima
,
K.
Horino
,
S.
Kubota
, and
T.
Tanahashi
,
J. Cryst. Growth
189–190
,
826
(
1998
).
25.
W. W.
Chow
,
H.
Amano
,
T.
Takeuchi
, and
J.
Han
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
244
(
1999
).
26.
N.
Grandjean
,
B.
Damilano
,
S.
Dalmasso
,
M.
Leroux
,
M.
Laügt
, and
J.
Massies
,
J. Appl. Phys.
86
,
3714
(
1999
).
27.
T.
Takeuchi
,
S.
Sota
,
M.
Katsuragawa
,
M.
Komori
,
H.
Takeuchi
,
H.
Amano
, and
I.
Akasaki
,
Jpn. J. Appl. Phys.
36
,
L382
(
1997
).
28.
T.
Takeuchi
,
C.
Wetzel
,
S.
Yamaguchi
,
H.
Sakai
,
H.
Amano
,
I.
Akasaki
,
Y.
Kaneko
,
S.
Nakagawa
,
Y.
Yamaoka
, and
N.
Yamada
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
1691
(
1998
).
29.
E.
Kuokstis
,
C. Q.
Chen
,
M. E.
Gaevski
,
W. H.
Sun
,
J. W.
Yang
,
G.
Simin
,
M.
Asif Khan
,
H. P.
Maruska
,
D. W.
Hill
,
M. C.
Chou
,
J. J.
Gallagher
, and
B.
Chai
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
4130
(
2002
).
30.
A.
Bonfiglio
,
M.
Lomascolo
,
G.
Traetta
,
R.
Cingolani
,
A.
Di Carlo
,
F.
Della Sala
,
P.
Lugli
,
A.
Botchkarev
, and
H.
Morkoc
,
J. Appl. Phys.
87
,
2289
(
2000
).
31.
M.
Leroux
,
N.
Grandjean
,
J.
Massies
,
B.
Gil
,
P.
Lefebvre
, and
P.
Bigenwald
,
Phys. Rev. B
60
,
1496
(
1999
).
32.
J.
Zhang
,
H.
Zhao
, and
N.
Tansu
,
Appl. Phys. Lett.
98
,
171111
(
2011
).
33.
J.
Piprek
,
Nitride Semiconductor Devices Principle and Simulation
(
Wiley-VCH
,
2007
).
34.
A.
Chakraborty
,
B. A.
Haskell
,
S.
Keller
,
J. S.
Speck
,
S. P.
Denbaars
,
S.
Nakamura
, and
U. K.
Mishra
,
Jpn. J. Appl. Phys.
44
,
L173
(
2005
).
35.
Y.
Yoshizumi
,
M.
Adachi
,
Y.
Enya
,
T.
Kyono
,
S.
Tokuyama
,
T.
Sumitomo
,
K.
Akita
,
T.
Ikegami
,
M.
Ueno
,
K.
Katayama
, and
T.
Nakamura
,
Appl. Phys. Express
2
,
092101
(
2009
).
36.
K.
Kojima
,
A. A.
Yamaguchi
,
M.
Funato
,
Y.
Kawakami
, and
S.
Noda
,
J. Appl. Phys.
110
,
043115
(
2011
).
37.
R. G.
Banal
,
Y.
Taniyasu
, and
H.
Yamamoto
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
053104
(
2014
).
38.
I.
Bryan
,
Z.
Bryan
,
M.
Bobea
,
L.
Hussey
,
R.
Kirste
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
J. Appl. Phys.
116
,
133517
(
2014
).
39.
I.
Bryan
,
Al-Rich AlGaN and AlN Growth on Bulk AlN Single Crystal Substrates
(
North Carolina State University
,
2015
).
40.
Z. A.
Bryan
,
Point Defect Identification and Management for Sub-300 Nm Light Emitting Diodes and Laser Diodes Grown on Bulk AlN Substrates
(
North Carolina State University
,
2015
).
41.
A.
Rice
,
R.
Collazo
,
J.
Tweedie
,
R.
Dalmau
,
S.
Mita
,
J.
Xie
, and
Z.
Sitar
,
J. Appl. Phys.
108
,
043510
(
2010
).
42.
I.
Bryan
,
C. R.
Akouala
,
J.
Tweedie
,
Z.
Bryan
,
A.
Rice
,
R.
Kirste
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
Phys. Status Solidi C Curr. Top. Solid State Phys.
11
,
454
(
2014
).
43.
I.
Bryan
,
A.
Rice
,
L.
Hussey
,
Z.
Bryan
,
M.
Bobea
,
S.
Mita
,
J.
Xie
,
R.
Kirste
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
061602
(
2013
).
44.
J.
Houston Dycus
,
S.
Washiyama
,
T. B.
Eldred
,
Y.
Guan
,
R.
Kirste
,
S.
Mita
,
Z.
Sitar
,
R.
Collazo
, and
J. M.
LeBeau
,
Appl. Phys. Lett.
114
,
031602
(
2019
).
45.
Q.
Guo
,
R.
Kirste
,
P.
Reddy
,
S.
Mita
,
Y.
Guan
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
, in
2019 IEEE Research and Applications of Photonics in Defense Conference
(
IEEE
,
2019
), pp.
1
4
.
46.
M.
Rigler
,
M.
Zgonik
,
M. P.
Hoffmann
,
R.
Kirste
,
M.
Bobea
,
R.
Collazo
,
Z.
Sitar
,
S.
Mita
, and
M.
Gerhold
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
221106
(
2013
).
47.
W.
Guo
,
Z.
Bryan
,
J.
Xie
,
R.
Kirste
,
S.
Mita
,
I.
Bryan
,
L.
Hussey
,
M.
Bobea
,
B.
Haidet
,
M.
Gerhold
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
J. Appl. Phys.
115
,
103108
(
2014
).
48.
H.
Yoshida
,
M.
Kuwabara
,
Y.
Yamashita
,
Y.
Takagi
,
K.
Uchiyama
, and
H.
Kan
,
New J. Phys.
11
,
125013
(
2009
).
49.
M.
Martens
,
C.
Kuhn
,
T.
Simoneit
,
S.
Hagedorn
,
A.
Knauer
,
T.
Wernicke
,
M.
Weyers
, and
M.
Kneissl
,
Appl. Phys. Lett.
110
,
081103
(
2017
).
50.
T.
Deguchi
,
T.
Azuhata
,
T.
Sota
,
S.
Chichibu
, and
S.
Nakamura
,
Mater. Sci. Eng. B
50
,
251
(
1997
).
51.
Q.
Guo
,
R.
Kirste
,
P.
Reddy
,
S.
Mita
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
, in
2019 IEEE Research and Applications of Photonics in Defense Conference
(
IEEE
,
2018
), pp.
131
134
.
52.
M. L.
Nakarmi
,
K. H.
Kim
,
M.
Khizar
,
Z. Y.
Fan
,
J. Y.
Lin
, and
H. X.
Jiang
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
092108
(
2005
).
53.
M. L.
Nakarmi
,
N.
Nepal
,
J. Y.
Lin
, and
H. X.
Jiang
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
091903
(
2009
).
54.
B.
Sarkar
,
S.
Washiyama
,
M. H.
Breckenridge
,
A.
Klump
,
J. N.
Baker
,
P.
Reddy
,
J.
Tweedie
,
S.
Mita
,
R.
Kirste
,
D. L.
Irving
,
R.
Collazo
, and
Z.
Sitar
,
ECS Trans.
86
,
25
(
2018
).
You do not currently have access to this content.