The growth of Shockley type stacking faults in p-i-n diodes fabricated on the C-face of 4H-SiC during forward current operation was investigated using Berg-Barrett X-ray topography and photoluminescence imaging. After forward current experiment, Shockley type stacking faults were generated from very short portions of basal plane dislocations lower than the conversion points to threading edge dislocations in the epitaxial layer. The growth behavior of Shockley type stacking faults was discussed. Growth of stacking faults in the substrates was not observed.

1.
M.
Bhantanger
and
B. J.
Baliga
,
IEEE Trans. Electron Devices
40
,
645
(
1993
).
2.
J. P.
Bergmann
,
H.
Lendenmann
,
P. Å.
Nilsson
,
U.
Lindefelt
, and
P.
Skytt
,
Mater. Sci. Forum
353–356
,
299
(
2001
).
3.
H.
Jacobson
,
J.
Birch
,
R.
Yakimova
,
M.
Syväjärvi
,
J. P.
Bergman
,
A.
Ellison
,
T.
Tuomi
, and
E.
Janzén
,
J. Appl. Phys.
91
,
6354
(
2002
).
4.
S. I.
Maximenko
,
P.
Pirouz
, and
T. S.
Sundarshan
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
033503
(
2005
).
5.
A.
Galeckas
,
J.
Linnoris
, and
P.
Pirouz
,
Phys. Rev. Lett.
96
,
025502
(
2006
).
6.
S.
Ha
,
M.
Skowronski
, and
H.
Lendenmann
,
J. Appl. Phys.
96
,
393
(
2004
).
7.
M.
Skowronski
and
S.
Ha
,
J. Appl. Phys.
99
,
011101
(
2006
).
8.
R.
Singh
,
Microelectron. Reliab.
46
,
713
(
2006
).
9.
S.
Ha
,
M.
Benerama
,
M.
Skowrinski
, and
H.
Lendenmann
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
4957
(
2003
).
10.
P. O. Å.
Persson
,
L.
Hultman
,
H.
Jacobson
,
J. P.
Bergman
,
E.
Janzén
,
J. M.
Molina-Aldareguia
,
W. J.
Clegg
, and
T.
Tuomi
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
4852
(
2002
).
11.
M.
Skowronski
,
J. Q.
Liu
,
W. M.
Vetter
,
M.
Dudley
,
C.
Hallen
, and
H.
Lendenmann
,
J. Appl. Phys.
92
,
4699
(
2002
).
12.
M.
Zhang
,
P.
Pirouz
, and
H.
Lendenmann
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
3320
(
2003
).
13.
W. M.
Vetter
,
J. Q.
Liu
,
M.
Dudly
,
M.
Skowronski
,
H.
Lendnmann
, and
C.
Hallin
,
Mater. Sci. Eng., B
98
,
220
(
2003
).
14.
T.
Ohno
,
H.
Yamaguchi
,
S.
Kuroda
,
K.
Kojima
,
T.
Suzuki
, and
K.
Arai
,
J. Cryst. Growth
260
,
209
(
2004
).
15.
T.
Ohno
,
H.
Yamaguchi
,
S.
Kuroda
,
K.
Kojima
,
T.
Suzuki
, and
K.
Arai
,
J. Cryst. Growth
271
,
1
(
2004
).
16.
H.
Matsuhata
,
H.
Yamaguchi
, and
T.
Ohno
,
Philos. Mag.
92
,
4599
(
2012
).
17.
H.
Matsuhata
,
H.
Yamaguchi
,
T.
Yamashita
,
T.
Tanaka
,
B.
Chen
, and
T.
Sekiguchi
,
Philos. Mag.
94
,
1674
(
2014
).
18.
B. K.
Tanner
,
X-Ray Diffraction Topography
(
Pergamon Press
,
New York
,
1976
), p.
100
.
19.
P. B.
Hirsch
,
A.
Howie
,
R.
Nicholson
,
P. W.
Pashley
, and
M. J.
Whelan
,
Electron Microscopy of Thin Crystals
(
Butterworth
,
London
,
1967
), pp.
227
234
.
20.
J. P.
Hirth
and
J.
Lothe
,
Theory of Dislocations
(
McGraw Hill
,
New York
,
1969
), p.
19
.
21.
D. B.
Williams
and
C. B.
Carter
,
Transmission Electron Microscopy
(
Plenum Press
,
New York, London
,
1996
), pp.
385
389
.
22.
M.
Dudley
,
F.
Wu
,
H.
Wang
,
S.
Byrappa
,
B.
Raghothamachar
,
G.
Choi
,
S.
Sun
,
E. K.
Sanchez
,
D.
Asnsenm
,
R.
Drachev
,
S. G.
Muller
, and
M. J.
Loboda
,
Appl. Phys. Lett.
98
,
232110
(
2011
).
23.
N.
Zhang
,
Y.
Chen
,
Y.
Zhang
,
M.
Dudley
, and
R. E.
Stahlbush
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
122108
(
2009
).
24.
B.
Chen
,
T.
Sekiguchi
,
T.
Ohyanagi
,
H.
Matsuhata
,
A.
Kinoshita
, and
H.
Okumura
,
J. Appl. Phys.
106
,
074502
(
2009
).
25.
M.
Stockmeier
,
R.
Muller
,
S. A.
Sakwe
,
P. J.
Wellmann
, and
A.
Magerl
,
J. Appl. Phys.
105
,
033511
(
2009
).
26.
S.
Chung
,
V.
Wheeler
,
R.
Myers-Ward
,
C. R.
Eddy
, Jr.
,
D. K.
Gaskill
,
P.
Wu
,
Y. N.
Picard
, and
M.
Skowronski
,
J. Appl. Phys.
109
,
094906
(
2011
).
27.
T.
Yamashita
,
T.
Naijoh
,
J.
Senzaki
,
T.
Kato
, and
H.
Matsuhata
, “
On relation between dissociation width of basal plane dislocations and surface morphology on 4H-SiC epitaxial wafers
,”
Jpn. J. Appl. Physics.
(unpublished).
28.
B.
Chen
,
J.
Chen
,
T.
Sekiguchi
,
T.
Ohyanagi
,
H.
Matsauhata
,
A.
Kinoshita
,
H.
Okumura
, and
F.
Fabbri
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
033514
(
2008
).
29.
B.
Chen
,
J.
Chen
,
T.
Sekiguchi
,
T.
Ohyanagi
,
H.
Matsauhata
,
A.
Kinoshita
, and
H.
Okumura
,
J. Electron. Mater.
39
,
684
(
2010
).
30.
B.
Chen
,
T.
Sekiguchi
,
T.
Ohyanagi
,
H.
Matsauhata
,
A.
Kinoshita
, and
H.
Okumura
,
Phys. Rev. B
81
,
233203
(
2010
).
31.
B.
Chen
,
H.
Matsuhata
,
T.
Sekiguchi
,
T.
Ohyanagi
,
A.
Kinoshita
, and
H.
Okumura
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
212110
(
2010
).
32.
B.
Chen
,
H.
Matsuhata
,
T.
Sekiguchi
,
A.
Kinoshita
,
K.
Ichinoseki
, and
H.
Okumura
,
Appl. Phys. Lett.
100
,
132108
(
2012
).
33.
P.
Pirouz
,
J. L.
Dement
, and
M. H.
Hong
,
Philos. Mag. A
81
,
1207
(
2001
).
34.
K.
Maeda
,
K.
Suzuki
,
S.
Fujita
,
M.
Ichihara
, and
S.
Hyodo
,
Philos. Mag.
57
,
573
(
1988
).
35.
T.
Miyanagi
,
H.
Tsuchida
,
I.
Kamata
, and
T.
Nakamura
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
062104
(
2006
).
36.
Y.
Chen
,
M.
Dudley
,
K. X.
Liu
, and
R. E.
Stahlbush
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
171930
(
2007
).
You do not currently have access to this content.