Integration of epitaxial complex ferroelectric oxides such as BaTiO3 on semiconductor substrates depends on the ability to finely control their structure and properties, which are strongly correlated. The epitaxial growth of thin BaTiO3 films with high interfacial quality still remains scarcely investigated on semiconductors; a systematic investigation of processing conditions is missing although they determine the cationic composition, the oxygen content, and the microstructure, which, in turn, play a major role on the ferroelectric properties. We report here the study of various relevant deposition parameters in molecular beam epitaxy for the growth of epitaxial tetragonal BaTiO3 thin films on silicon substrates. The films were grown using a 4 nm-thick epitaxial SrTiO3 buffer layer. We show that the tetragonality of the BaTiO3 films, the crystalline domain orientations, and SiO2 interfacial layer regrowth strongly depend on the oxygen partial pressure and temperature during the growth and on the post-deposition anneal. The ferroelectricity of the films, probed using piezoresponse force microscopy, is obtained in controlled temperature and oxygen pressure conditions with a polarization perpendicular to the surface.

1.
S.
Salahuddin
and
S.
Datta
,
Nano Lett.
8
,
405
(
2008
).
2.
D. J.
Frank
,
P. M.
Solomon
,
C.
Dubourdieu
,
M. M.
Frank
,
V.
Narayanan
, and
T. N.
Theis
,
IEEE Trans. Electron. Devices
61
,
2145
(
2014
).
3.
C.
Xiong
,
W. H. P.
Pernice
,
J. H.
Ngai
,
J. W.
Rainer
,
D.
Kumah
,
F. J.
Walker
,
C. H.
Ahn
, and
H. X.
Tang
,
Nano Lett.
14
,
1419
(
2014
).
4.
S.
Abel
,
T.
Stöferle
,
C.
Marchiori
,
C.
Rossel
,
M. D.
Rossell
,
R.
Erni
,
D.
Caimi
,
M.
Sousa
,
A.
Chelnokov
,
B. J.
Offrein
, and
J.
Fompeyrine
,
Nat. Commun.
4
,
1671
(
2013
).
5.
R. A. Mc
Kee
,
F. J.
Walker
, and
M. F.
Chisholm
,
Phys. Rev. Lett.
81
,
3014
(
1998
).
6.
J. W.
Reiner
,
A. M.
Kolpak
,
Y.
Segal
,
K. F.
Garrity
,
S.
Ismail-Beigi
,
C. H.
Ahn
, and
F. J.
Walker
,
Adv. Mater.
22
,
2919
(
2010
).
7.
V.
Vaithynathan
,
J.
Lettieri
,
W.
Tian
,
A.
Sharan
,
A.
Vasudevarao
,
Y. L.
Li
,
A.
Kochhar
,
H.
Ma
,
J.
Levy
,
P.
Zschack
,
J. C.
Woicik
,
L. Q.
Chen
,
V.
Gopalan
, and
D. G.
Schlom
,
J. Appl. Phys.
100
,
024108
(
2006
).
8.
F.
Niu
and
B. W.
Wessels
,
J. Vac. Sci. Technol., B
25
,
1053
(
2007
).
9.
J. W.
Park
,
D. F.
Bogorin
,
C.
Cen
,
D. A.
Felker
,
Y.
Zhang
,
C. T.
Nelson
,
C. W.
Bark
,
C. M.
Folkman
,
X. Q.
Pan
,
M. S.
Rzchowski
,
J.
Levy
, and
C. B.
Eom
,
Nat. Commun.
1
,
94
(
2010
).
10.
C.
Dubourdieu
,
I.
Gélard
,
O.
Salicio
,
G.
Saint-Girons
,
B.
Vilquin
, and
G.
Hollinger
,
Int. J. Nanotechnol.
7
(
4–8
),
320
(
2010
).
11.
G.
Niu
,
S.
Yin
,
G.
Saint-Girons
,
B.
Gautier
,
P.
Lecoeur
,
V.
Pillard
,
G.
Hollinger
, and
B.
Vilquin
,
Microelectron. Eng.
88
,
1232
(
2011
).
12.
S. H.
Baek
,
J.
Park
,
D. M.
Kim
,
V. A.
Aksyuk
,
R. R.
Das
,
S. D.
Bu
,
D. A.
Felker
,
J.
Lettieri
,
V.
Vaithyanathan
,
S. S. N.
Bharadwaja
,
N.
Bassiri-Gharb
,
Y. B.
Chen
,
H. P.
Sun
,
C. M.
Folkman
,
H. W.
Jang
,
D. J.
Kreft
,
S. K.
Streiffer
,
R.
Ramesh
,
X. Q.
Pan
,
S.
Trolier-McKinstry
,
D. G.
Schlom
,
M. S.
Rzchowski
,
R. H.
Blick
, and
C. B.
Eom
,
Science
334
,
958
(
2011
).
13.
C.
Dubourdieu
,
J.
Bruley
,
T. M.
Arruda
,
A.
Posadas
,
J.
Jordan-Sweet
,
M. M.
Frank
,
E.
Cartier
,
D. J.
Frank
,
S. V.
Kalinin
,
A. A.
Demkov
, and
V.
Narayanan
,
Nat. Nanotechnol.
8
,
748
(
2013
).
14.
R.
Droopad
,
R.
Contreras-Guerrero
,
J. P.
Veazey
,
Q.
Qiao
,
R. F.
Klie
, and
J.
Levy
,
Microelectron. Eng.
109
,
290
(
2013
).
15.
L.
Louahadj
,
D. Le
Bourdais
,
L.
Largeau
,
G.
Agnus
,
L.
Mazet
,
R.
Bachelet
,
P.
Regreny
,
D.
Albertini
,
V.
Pillard
,
C.
Dubourdieu
,
B.
Gautier
,
P.
Lecoeur
, and
G.
Saint-Girons
, “
Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 epitaxial layers on GaAs
,”
Appl. Phys. Lett.
103
,
212901
(
2013
).
16.
L.
Louahadj
,
R.
Bachelet
,
P.
Regreny
,
L.
Largeau
,
C.
Dubourdieu
, and
G.
Saint-Girons
,
Thin Solid Films
563
,
2
(
2014
).
17.
H.
Colder
,
B.
Domenges
,
C.
Jorel
,
P.
Marie
,
M.
Boisserie
,
S.
Guillon
,
L.
Nicu
,
A.
Galdi
, and
L.
Méchin
,
J. Appl. Phys.
115
(
5
),
053506
(
2014
).
18.
A. I.
Khan
,
D.
Bhowmik
,
P.
Yu
,
S. J.
Kim
,
X.
Pan
,
R.
Ramesh
, and
S.
Salahuddin
,
Appl. Phys. Lett.
99
,
113501
(
2011
).
19.
D. J. R.
Appleby
,
N. K.
Ponon
,
K. S. K.
Kwa
,
B.
Zou
,
P. K.
Petrov
,
T.
Wang
,
N. M.
Alford
, and
A.
O'Neill
,
Nano Lett.
14
,
3864
(
2014
).
20.
R.
Droopad
,
Z.
Yu
,
H.
Li
,
Y.
Liang
,
C.
Overgaard
,
A.
Demkov
,
X.
Zhang
,
K.
Moore
,
K.
Eisenbeiser
,
M.
Hu
,
J.
Curless
, and
J.
Finder
,
J. Cryst. Growth
251
,
638
(
2003
).
21.
H.
Li
,
X.
Hu
,
Y.
Wei
,
Z.
Yu
,
X.
Zhang
,
R.
Droopad
,
A. A.
Demkov
,
J.
Edwards
, Jr.
,
K.
Moore
,
W.
Ooms
,
J.
Kulik
, and
P.
Fejes
,
Appl. Phys.
93
,
4521
(
2003
).
22.
G.
Niu
,
G.
Saint-Girons
,
B.
Vilquin
,
G.
Delhaye
,
J.-L.
Maurice
,
C.
Botella
,
Y.
Robach
, and
G.
Hollinger
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
062902
(
2009
).
23.
M.
Choi
,
A.
Posadas
,
R.
Dargis
,
C.-K.
Shih
,
A. A.
Demkov
,
D. H.
Triyoso
,
N. D.
Theodore
,
C.
Dubourdieu
,
J.
Bruley
, and
J.
Jordan-Sweet
,
J. Appl. Phys.
111
,
064112
(
2012
).
24.
T.
Zhao
,
F.
Chen
,
H.
Lu
,
G.
Yang
, and
Z.
Chen
,
J. Appl. Phys.
87
,
7442
(
2000
).
25.
Y. L.
Zhu
,
S. J.
Zheng
,
D.
Chen
, and
X. L.
Ma
,
Thin Solid Films
518
,
3669
(
2010
).
26.
M. M.
Rutkowski
,
K.
McNicholas
,
Z. Q.
Zeng
,
F.
Tuomisto
, and
L. J.
Brillson
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
47
,
255303
(
2014
).
27.
N. Y.
Lee
,
T.
Sekine
,
Y.
Ito
, and
K.
Uchino
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
33
,
1484
(
1994
).
28.
J.
Zhang
,
D.
Cui
,
Y.
Zhou
,
L.
Li
,
Z.
Chen
,
M.
Szabadi
, and
P.
Hess
,
Thin Solid Films
287
,
101
(
1996
).
29.
J.
Zhang
,
D.
Cui
,
H.
Lu
,
Z.
Chen
,
Y.
Zhou
,
L.
Li
,
G.
Yang
,
S.
Martin
, and
P.
Hess
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
36
,
276
(
1997
).
30.
J.
Gonzalo
,
R. G. San
Roman
,
J.
Perriere
,
C. N.
Afonso
, and
R. P.
Casero
,
Appl. Phys. A
66
,
487
(
1998
).
31.
C. L.
Li
,
D.
Cui
,
Y.
Zhou
,
H.
Lu
,
Z.
Chen
,
D.
Zhang
, and
F.
Wu
,
Appl. Surf. Sci.
136
,
173
(
1998
).
32.
C. L.
Li
,
Z. H.
Chen
,
Y. L.
Zhou
, and
D. F.
Cui
,
J. Phys.: Condens. Matter
13
,
5261
(
2001
).
33.
S. B.
Mi
,
C. L.
Jia
,
T.
Hegg
,
O.
Trihaveesak
,
J.
Schubert
, and
K.
Urban
,
J. Cryst. Growth
283
,
425
(
2005
).
34.
J.
Hiltunen
,
D.
Seneviratne
,
R.
Sun
,
M.
Stolfi
,
H. L.
Tuller
,
J.
Lappalainen
, and
V.
Lantto
,
J. Electroceram.
22
,
416
(
2009
).
35.
J.
Hiltunen
,
D.
Seneviratne
,
H. L.
Tuller
,
J.
Lappalainen
, and
V.
Lantto
,
J. Electroceram.
22
,
395
(
2009
).
36.
A. P.
Chen
,
F.
Khatkhatay
,
W.
Zhang
,
C.
Jacob
,
L.
Jiao
, and
H.
Wang
,
J. Appl. Phys.
114
,
124101
(
2013
).
37.
C.
Wang
,
B. L.
Cheng
,
S. Y.
Wang
,
H. B.
Lu
,
Y. L.
Zhou
,
Z. H.
Chen
, and
G. Z.
Yang
,
Thin Solid Films
485
,
82
(
2005
).
38.
T.
Delage
,
C.
Champeaux
,
A.
Catherinot
,
J. F.
Seaux
,
V.
Madrangeas
, and
D.
Cros
,
Thin Solid Films
453–454
,
279
(
2004
).
39.
A.
Barbier
,
C.
Mocuta
,
D.
Stanescu
,
P.
Jegou
,
N.
Jedrecy
, and
H.
Magnan
,
J. Appl. Phys.
112
,
114116
(
2012
).
40.
S.
Abel
,
M.
Sousa
,
C.
Rossel
,
D.
Caimi
,
M. D.
Rossell
,
R.
Erni
,
J.
Fompeyrine
, and
C.
Marchiori
,
Nanotechnology
24
,
285701
(
2013
).
41.
K.
Shimoyama
,
M.
Kiyohara
,
K.
Kubo
,
A.
Uedono
, and
K.
Yamabe
,
J. Appl. Phys.
92
,
4625
(
2002
).
42.
L.
Qiao
,
K. H. L.
Zhang
,
M. E.
Bowden
,
T.
Varga
,
V.
Shutthanandan
,
R.
Colby
,
Y.
Du
,
B.
Kabius
,
P. V.
Sushko
,
M. D.
Biegalski
, and
S. A.
Chambers
,
Adv. Funct. Mater.
23
,
2953
(
2013
).
43.
I.
Gélard
,
N.
Jehanathan
,
H.
Roussel
,
S.
Gariglio
,
O. I.
Lebedev
,
G.
Van Tendeloo
, and
C.
Dubourdieu
,
Chem. Mater.
23
,
1232
(
2011
).
44.
A. A.
Bosak
,
O. Yu.
Gorbenko
,
A. R.
Kaul
,
I. E.
Graboy
,
C.
Dubourdieu
,
J.-P.
Sénateur
, and
H. W.
Zandbergen
,
J. Magn. Magn. Mater.
211
,
61
(
2000
).
45.
C.
Dubourdieu
,
M.
Audier
,
J. P.
Sénateur
, and
J.
Pierre
,
J. Appl. Phys.
86
(
12
),
6945
(
1999
).
46.
S. V.
Kalinin
,
S.
Jesse
,
A.
Tselev
,
A. P.
Baddorf
, and
N.
Balke
,
ACS Nano
5
,
5683
(
2011
).
47.
C. W.
Bark
,
P.
Sharma
,
Y.
Wang
,
S. H.
Baek
,
S.
Lee
,
S.
Ryu
,
C. M.
Folkman
,
T. R.
Paudel
,
A.
Kumar
,
S. V.
Kalinin
,
A.
Sokolov
,
E. Y.
Tsymbal
,
M. S.
Rzchowski
,
A.
Gruverman
, and
C. B.
Eom
,
Nano Lett.
12
,
1765
(
2012
).
48.
A. S.
Borowiak
,
N.
Baboux
,
D.
Albertini
,
B.
Vilquin
,
G.
Saint-Girons
,
S.
Pelloquin
, and
B.
Gautier
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
012906
(
2014
).
49.
Y.
Kim
,
A. N.
Morozovska
,
A.
Kumar
,
S.
Jesse
,
E. A.
Eliseev
,
F.
Alibart
,
D.
Strukov
, and
S. V.
Kalinin
,
ACS Nano
6
,
7026
(
2012
).
You do not currently have access to this content.