Epitaxial Mn-doped BiFeO3 (MBFO) thin films were grown on GaAs (001) substrate with SrTiO3 (STO) buffer layer by pulsed laser deposition. X-ray diffraction results demonstrate that the films show pure (00l) orientation, and MBFO (100)//STO(100), whereas STO (100)//GaAs (110). Piezoresponse force microscopy images and polarization versus electric field loops indicate that the MBFO films grown on GaAs have an effective ferroelectric switching. The MBFO films exhibit good ferroelectric behavior (2Pr ∼ 92 μC/cm2 and 2EC ∼ 372 kV/cm). Ferromagnetic property with saturated magnetization of 6.5 emu/cm3 and coercive field of about 123 Oe is also found in the heterostructure at room temperature.
REFERENCES
1.
R. A.
McKee
, F. J.
Walker
, and M. F.
Chisholm
, Phys. Rev. Lett.
81
, 3014
(1998
).2.
J. H.
Hao
, J.
Gao
, Z.
Wang
, and D. P.
Yu
, Appl. Phys. Lett.
87
, 131908
(2005
).3.
T.
Zhao
, S. B.
Ogale
, S. R.
Shinde
, R.
Ramesh
, R.
Droopad
, J.
Yu
, K.
Eisenbeiser
, and J.
Misewich
, Appl. Phys. Lett.
84
, 750
(2004
).4.
S. Y.
Yang
, Q.
Zhan
, P. L.
Yang
, M. P.
Cruz
, Y. H.
Chu
, R.
Ramesh
, Y. R.
Wu
, J.
Singh
, W.
Tian
, and D. G.
Schlom
, Appl. Phys. Lett.
91
, 022909
(2007
).5.
L. W.
Martin
, Y.-H.
Chu
, Q.
Zhan
, R.
Ramesh
, S.-J.
Han
, S. X.
Wang
, M.
Warusawithana
, and D. G.
Schlom
, Appl. Phys. Lett.
91
, 172513
(2007
).6.
C. W.
Bark
, D. A.
Felker
, Y.
Wang
, Y.
Zhang
, H. W.
Jang
, C. M.
Folkman
, J. W.
Park
, S. H.
Baek
, H.
Zhou
, D. D.
Fong
, X. Q.
Pan
, E. Y.
Tsymbal
, M. S.
Rzchowski
, and C. B.
Eom
, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
108
, 4720
(2011
).7.
S. H.
Baek
, J.
Park
, D. M.
Kim
, V. A.
Aksyuk
, R. R.
Das
, S. D.
Bu
, D. A.
Felker
, J.
Lettieri
, V.
Vaithyanathan
, S. S. N.
Bharadwaja
, N.
Bassiri-Gharb
, Y. B.
Chen
, H. P.
Sun
, C. M.
Folkman
, H. W.
Jang
, D. J.
Kreft
, S. K.
Streiffer
, R.
Ramesh
, X. Q.
Pan
, S.
Trolier-McKinstry
, D. G.
Schlom
, M. S.
Rzchowski
, R. H.
Blick
, and C. B.
Eom
, Science
334
, 958
(2011
).8.
R.
Chau
, S.
Datta
, M.
Doczy
, B.
Doyle
, B.
Jin
, J.
Kavalieros
, A.
Majumdar
, M.
Metz
, and M.
Radosavljevic
, IEEE Trans. Nanotechnol.
4
, 153
(2005
).9.
W. B.
Luo
, J.
Zhu
, H. Z.
Zeng
, X. W.
Liao
, H.
Chen
, W. L.
Zhang
, and Y. R.
Li
, J. Appl. Phys.
109
, 104108
(2011
).10.
T. E.
Murphy
, D.
Chen
, and J. D.
Phillips
, Appl. Phys. Lett.
85
, 3208
(2004
).11.
D.
Chen
, T. E.
Murphy
, S.
Chakrabarti
, and J. D.
Phillips
, Appl. Phys. Lett.
85
, 5206
(2004
).12.
Z. P.
Wu
, W.
Huang
, K. H.
Wong
, and J. H.
Hao
, J. Appl. Phys.
104
, 054103
(2008
).13.
W.
Huang
, Z. P.
Wu
, and J. H.
Hao
, Appl. Phys. Lett.
94
, 032905
(2009
).14.
W.
Huang
, J. Y.
Dai
, and J. H.
Hao
, Appl. Phys. Lett.
97
, 162905
(2010
).15.
S. Y.
Yang
, L. W.
Martin
, S. J.
Byrnes
, T. E.
Conry
, S. R.
Basu
, D.
Paran
, L.
Reichertz
, J.
Ihlefeld
, C.
Adamo
, A.
Melville
, Y.-H.
Chu
, C.-H.
Yang
, J. L.
Musfeldt
, D. G.
Schlom
, J. W.
Ager
III, and R.
Ramesh
, Appl. Phys. Lett.
95
, 062909
(2009
).16.
T.
Choi
, S.
Lee
, Y. J.
Choi
, V.
Kiryukhin
, and S.-W.
Cheong
, Science
324
, 63
(2009
).17.
Y. H.
Chu
, L. W.
Martin
, Q.
Zhan
, P. L.
Yang
, M. P.
Cruz
, K.
Lee
, and M.
Barry
, Ferroelectrics
354
, 167
(2007
).18.
H.
Yang
, M.
Jain
, N. A.
Suvorova
, H.
Zhou
, H. M.
Luo
, D. M.
Feldmann
, P. C.
Dowden
, R. F.
DePaula
, S. R.
Foltyn
, and Q. X.
Jia
, Appl. Phys. Lett.
91
, 72911
(2007
).19.
D. Y.
Wang
, N. Y.
Chan
, R. K.
Zheng
, C.
Kong
, D. M.
Lin
, J. Y.
Dai
, H. L. W.
Chan
, and S.
Li
, J. Appl. Phys.
109
, 114105
(2011
).20.
Y.
Wang
and J.
Wang
, J. Appl. Phys.
106
, 94106
(2009
).21.
J. L.
Li
, J. H.
Hao
, Z.
Ying
, and Y. R.
Li
, Appl. Phys. Lett.
91
, 201919
(2007
).22.
W. G.
Chen
, W.
Ren
, L.
You
, Y. R.
Yang
, Z. H.
Chen
, Y. J.
Qi
, X.
Zou
, J. L.
Wang
, T.
Sritharan
, P.
Yang
, L.
Bellaiche
, and L.
Chen
, Appl. Phys. Lett.
99
, 222904
(2011
).23.
F.
Johann
, A.
Morelli
, and I.
Vrejoiu
, Appl. Phys. Lett.
99
, 82904
(2011
).24.
J.
Wang
, J. B.
Neaton
, H.
Zheng
, V.
Nagarajan
, S. B.
Ogale
, B.
Liu
, D.
Viehland
, V.
Vaithyanathan
, D. G.
Schlom
, U. V.
Waghmare
, N. A.
Spaldin
, K. M.
Rabe
, M.
Wuttig
, and R.
Ramesh
, Science
299
, 1719
(2003
).25.
Y. H.
Chu
, Q.
Zhan
, C.-H.
Yang
, M. P.
Cruz
, L. W.
Martin
, T.
Zhao
, P.
Yu
, R.
Ramesh
, P. T.
Joseph
, I. N.
Lin
, W.
Tian
, and D. G.
Schlom
, Appl. Phys. Lett.
92
, 102909
(2008
).26.
M. F.
Wong
and K.
Zeng
, J. Am. Ceram. Soc.
94
, 1079
(2011
).27.
S.
Yu
, D.
Sun
, W.
Yang
, and J.
Cheng
, Mater. Sci. Eng., B
177
, 140
(2012
).28.
R.
Guo
, L.
You
, M.
Motapothula
, Z.
Zhang
, M. B. H.
Breese
, L.
Chen
, D.
Wu
, and J. L.
Wang
, AIP Adv.
2
, 42104
(2012
).29.
W. B.
Wu
, Y.
Wang
, G. K. H.
Pang
, K. H.
Wong
, and C. L.
Choy
, Appl. Phys. Lett.
85
, 1583
(2004
).30.
D. H.
Wang
, W. C.
Goh
, M.
Ning
, and C. K.
Ong
, Appl. Phys. Lett.
88
, 212907
(2006
).31.
M.
Kumar
and K. L.
Yadav
, J. Appl. Phys.
100
, 074111
(2006
).32.
X. H.
Wei
, W.
Huang
, Z. B.
Yang
, and J. H.
Hao
, Scr. Mater.
65
, 323
(2011
).33.
G. W.
Pabst
, L. W.
Martin
, Y.-H.
Chu
, and R.
Ramesh
, Appl. Phys. Lett.
90
, 72902
(2007
).34.
J. S.
Wu
, C. L.
Jia
, K.
Urban
, J. H.
Hao
, and X. X.
Xi
, J. Mater. Res.
16
, 3443
(2001
).35.
J.-Z.
Huang
, Y.
Wang
, Y.
Lin
, M.
Li
, and C. W.
Nan
, J. Appl. Phys.
106
, 063911
(2009
).© 2013 AIP Publishing LLC.
2013
AIP Publishing LLC
You do not currently have access to this content.