Using 800 nm, 25-fs pulses from a mode locked Ti:Al2O3 laser, we have measured the ultrafast optical reflectivity of MBE-grown, single-layer In0.4Ga0.6As/GaAs quantum-dot (QD) samples. The QDs are formed via two-stage Stranski-Krastanov growth: following initial InGaAs deposition at a relatively low temperature, self assembly of the QDs occurs during a subsequent higher temperature anneal. The capture times for free carriers excited in the surrounding GaAs (barrier layer) are as short as 140 fs, indicating capture efficiencies for the InGaAs quantum layer approaching 1. The capture rates are positively correlated with initial InGaAs thickness and annealing temperature. With increasing excited carrier density, the capture rate decreases; this slowing of the dynamics is attributed to Pauli state blocking within the InGaAs quantum layer.
REFERENCES
1.
S.
Raymond
, S.
Fafard
, P.
Poole
, A.
Wojs
, P.
Hawrylak
, S.
Charbonneau
, D.
Leonard
, R.
Leon
, P.
Petroff
, and J.
Merz
, Phys. Rev. B
54
, 11548
(1996
).2.
B.
Ohnesorge
, M.
Albrecht
, J.
Oshinowo
, A.
Forchel
, and Y.
Arakawa
, Phys. Rev. B
54
, 11532
(1996
).3.
T.
Sosnowski
, T.
Norris
, H.
Jiang
, J.
Singh
, K.
Kamath
, and P.
Bhattacharya
, Phys. Rev. B
57
, 9423
(1998
).4.
D. J.
Kim
, E. A.
Everett
, and H.
Yang
, J. Appl. Phys.
101
, 106106
(2007
).5.
D. J.
Kim
and H.
Yang
, Nanotechnology
19
, 475601
(2008
).6.
A. M.
Jones
, Senior thesis, Brigham Young University
(2010
).7.
K.
Kamath
, P.
Bhattacharaya
, T.
Sosnowski
, T.
Norris
, and J.
Philips
, Electron. Lett.
32
, 1374
(1996
).8.
K.
Kamath
, N.
Chervela
, K. K.
Linder
, T.
Sosnowski
, H.-T.
Jiang
, T.
Norris
, J.
Singh
, and P.
Bhattacharya
, Appl. Phys. Lett.
71
, 927
(1997
).9.
P.
Bhattacharaya
, S.
Ghosh
, S.
Pradham
, J.
Singh
, Z.-W.
Wu
, K.
Kim
, and T.
Norris
, IEEE J. Quantum Electron.
39
, 952
(2003
).10.
S.
Fathpour
, M.
Holub
, S.
Chakrabarti
, and P.
Bhattacharaya
, Electron. Lett.
40
, 694
(2004
).11.
J.
Cederberg
, J. Cryst. Growth
307
, 44
(2007
).12.
Y. I.
Mazur
, B. L.
Liang
, Z. M.
Wang
, D.
Guzun
, G. J.
Salamo
, G. G.
Tarasov
, and Z. Y.
Zhuchenko
, J. Appl. Phys.
100
, 054316
(2006
).13.
Y. I.
Mazur
, V. G.
Dorogan
, J. E.
Marega
, G. G.
Tarasov
, D. F.
Cesar
, V.
Lopez-Richard
, G. E.
Marques
, and G. J.
Salamo
, Appl. Phys. Lett.
94
, 123112
(2009
).14.
M.
Kudo
and T.
Mishima
, J. Appl. Phys.
78
, 1685
(1995
).15.
V.
Turck
, F.
Heinrichsdorff
, M.
Veit
, R.
Heitz
, M.
Grundmann
, A.
Krost
, and D.
Bimberg
, Appl. Surf. Sci.
123/124
, 352
(1998
).16.
G.
Sek
, P.
Poloczek
, K.
Ryczko
, J.
Misiewicz
, A.
Loffler
, J. P.
Reithmaier
, and A.
Forchel
, J. Appl. Phys.
100
, 103529
(2006
).17.
A. J.
Sabbah
and D. M.
Riffe
, Phys. Rev. B
66
, 165217
(2002
).18.
D. M.
Riffe
and A. J.
Sabbah
, Rev. Sci. Instrum.
69
, 3099
(1998
).19.
A. V.
Kuznetsov
, C. S.
Kim
, and C. J.
Stanton
, J. Appl. Phys.
80
, 5899
(1996
).20.
G.
Wang
, S.
Fafard
, D.
Leonard
, J. E.
Bowers
, J. L.
Merz
, and P. M.
Petroff
, Appl. Phys. Lett.
64
, 2815
(1994
).21.
L.
Zhang
, T. F.
Boggess
, D. G.
Deppe
, D. L.
Huffaker
, O. B.
Shchekin
, and C.
Cao
, Appl. Phys. Lett.
76
, 1222
(2000
).22.
S.
Bar-Ad
, P.
Kner
, M. V.
Marquezini
, D. S.
Chemla
, and K.
El Sayed
, Phys. Rev. Lett.
77
, 3177
(1996
).23.
F. X.
Camescasse
, A.
Alexandrou
, D.
Hulin
, L.
Bányai
, D. B.
Tran Thoai
, and H.
Haug
, Phys. Rev. Lett.
77
, 5429
(1996
).24.
B. R.
Bennett
, R. A.
Soref
, and J. A.
del Alamo
, IEEE J. Quantum Electron.
26
, 113
(1990
).25.
P. C.
Becker
, H. L.
Fragnito
, C. H. B.
Cruz
, R. L.
Fork
, J. E.
Cunningham
, J. E.
Henry
, and C. V.
Shank
, Phys. Rev. Lett.
61
, 1647
(1988
).26.
W. A.
Hügel
, M. F.
Heinrich
, M.
Wegener
, Q. T.
Vu
, L.
Bányai
, and H.
Haug
, Phys. Rev. Lett.
83
, 3313
(1999
).27.
M. T.
Portella
, J.-Y.
Bigot
, R. W.
Schoenlein
, J. E.
Cunningham
, and C. V.
Shank
, Appl. Phys. Lett.
60
, 2123
(1992
).28.
J. L.
Oudar
, A.
Migus
, D.
Hulin
, G.
Grillon
, J.
Etchepare
, and A.
Antonetti
, Phys. Rev. Lett.
53
, 384
(1984
).29.
J.
Nunnenkamp
, J. H.
Collet
, J.
Klebniczki
, J.
Kuhl
, and K.
Ploog
, Phys. Rev. B
43
, 14047
(1991
).30.
J. H.
Collet
, S.
Hunsche
, H.
Heesel
, and H.
Kurz
, Phys. Rev. B
50
, 10649
(1994
).31.
A.
Alexandrou
, V.
Berger
, and D.
Hulin
, Phys. Rev. B
52
, 4654
(1995
).32.
P.
Langot
, N.
Del Fatti
, D.
Christofilos
, R.
Tommasi
, and F.
Vallée
, Phys. Rev. B
54
, 14487
(1996
).33.
J.
Shah
, Solid-State Electron.
21
, 43
(1978
).34.
A. J.
Sabbah
and D. M.
Riffe
, J. Appl. Phys.
88
, 6954
(2000
).35.
J. F.
Young
and H. M.
van Driel
, Phys. Rev. B
26
, 2147
(1982
).36.
G.
Bacher
, C.
Hartmann
, H.
Schweizer
, T.
Held
, G.
Mahler
, and H.
Nickel
, Phys. Rev. B
47
, 9545
(1993
).37.
J. H. C.
Casey
, D. D.
Sell
, and K. W.
Wecht
, J. Appl. Phys.
46
, 250
(1975
).38.
A. V.
Uskov
, J.
McInerney
, F.
Adler
, H.
Schweizer
, and M. H.
Pilkuhn
, Appl. Phys. Lett.
72
, 58
(1998
).39.
S.
Lutgen
, R. A.
Kaindl
, M.
Woerner
, T.
Elsaesser
, A.
Hase
, H.
Künzel
, M.
Gulia
, D.
Meglio
, and P.
Lugli
, Phys. Rev. Lett.
77
, 3657
(1996
).40.
T.
Piwonski
, I.
O'Driscoll
, J.
Houlihan
, G.
Huyet
, R. J.
Manning
, and A. V.
Uskov
, Appl. Phys. Lett.
90
, 122108
(2007
).41.
J.
Urayama
, T.
Norris
, J.
Singh
, and P.
Bhattacharya
, Phys. Rev. Lett.
86
, 4930
(2001
).42.
J.
Urayama
, T.
Norris
, H.
Jiang
, J.
Singh
, and P.
Bhattacharya
, Appl. Phys. Lett.
80
, 2162
(2002
).43.
J.
Urayama
, T.
Norris
, H.
Jiang
, J.
Singh
, and P.
Bhattacharya
, Physica B
316
, 74
(2002
).44.
H.-Y.
Liu
, Z.-M.
Meng
, Q.-F.
Dai
, L.-J.
Wu
, Q.
Guo
, W.
Hu
, S.-H.
Liu
, S.
Lan
, and T.
Yang
, J. Appl. Phys.
103
, 083121
(2008
).45.
D. A.
Yarotski
, R. D.
Averitt
, N.
Negre
, S. A.
Crooker
, A. J.
Taylor
, G. P.
Donati
, A.
Stintz
, L. F.
Lester
, and K. J.
Malloy
, J. Opt. Soc. Am. B
19
, 1480
(2002
).46.
Q.
Li
, Z. Y.
Yu
, and W. K.
Ge
, Solid State Commun.
115
, 105
(2000
).© 2013 AIP Publishing LLC.
2013
AIP Publishing LLC
You do not currently have access to this content.
