Atomic layer deposition (ALD) is gaining attention as a thin film deposition method, uniquely suitable for depositing uniform and conformal films on complex three-dimensional topographies. The deposition of a film of a given material by ALD relies on the successive, separated, and self-terminating gas–solid reactions of typically two gaseous reactants. Hundreds of ALD chemistries have been found for depositing a variety of materials during the past decades, mostly for inorganic materials but lately also for organic and inorganic–organic hybrid compounds. One factor that often dictates the properties of ALD films in actual applications is the crystallinity of the grown film: Is the material amorphous or, if it is crystalline, which phase(s) is (are) present. In this thematic review, we first describe the basics of ALD, summarize the two-reactant ALD processes to grow inorganic materials developed to-date, updating the information of an earlier review on ALD [R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005)], and give an overview of the status of processing ternary compounds by ALD. We then proceed to analyze the published experimental data for information on the crystallinity and phase of inorganic materials deposited by ALD from different reactants at different temperatures. The data are collected for films in their as-deposited state and tabulated for easy reference. Case studies are presented to illustrate the effect of different process parameters on crystallinity for representative materials: aluminium oxide, zirconium oxide, zinc oxide, titanium nitride, zinc zulfide, and ruthenium. Finally, we discuss the general trends in the development of film crystallinity as function of ALD process parameters. The authors hope that this review will help newcomers to ALD to familiarize themselves with the complex world of crystalline ALD films and, at the same time, serve for the expert as a handbook-type reference source on ALD processes and film crystallinity.

1.
T.
Suntola
,
Mater. Sci. Rep.
4
,
261
(
1989
).
2.
R. L.
Puurunen
,
J. Appl. Phys.
97
,
121301
(
2005
).
3.
M.
Ritala
and
M.
Leskelä
, in
Handbook of Thin Film Materials
, edited by
H. S.
Nalwa
(
Academic
,
San Diego
,
2002
), Vol.
1
, pp.
103
159
.
4.
M.
Leskelä
and
M.
Ritala
,
Angew. Chem., Int. Ed.
42
,
5548
(
2003
).
5.
M.
Putkonen
,
T.
Sajavaara
,
L.
Niinistö
, and
J.
Keinonen
,
Anal. Bioanal. Chem.
382
,
1791
(
2005
).
6.
M.
Putkonen
and
L.
Niinistö
,
Top. Organomet. Chem.
9
,
125
(
2005
).
7.
K. E.
Elers
,
T.
Blomberg
,
M.
Peussa
,
B.
Aitchison
,
S.
Haukka
, and
S.
Marcus
,
Chem. Vap. Deposition
12
,
13
(
2006
).
8.
M.
Schumacher
,
P. K.
Baumann
, and
T.
Seidel
,
Chem. Vap. Deposition
12
,
99
(
2006
).
9.
A. C.
Jones
,
H. C.
Aspinall
,
P. R.
Chalker
,
R. J.
Potter
,
T. D.
Manning
,
Y. F.
Loo
,
R.
O'Kane
,
J. M.
Gaskell
, and
L. M.
Smith
,
Chem. Vap. Deposition
12
,
83
(
2006
).
10.
M.
Knez
,
K.
Nielsch
, and
L.
Niinistö
,
Adv. Mater.
19
,
3425
(
2007
).
11.
F.
Zaera
,
J. Mater. Chem.
18
,
3521
(
2008
).
12.
A.
Sherman
,
Atomic Layer Deposition for Nanotechnology: An Enabling Process for Nanotechnology Fabrication
(
Ivoryton
,
Connecticut
,
2008
).
13.
M.
Ritala
and
J.
Niinistö
, “Atomic layer deposition,” in
Chemical Vapour Deposition
(
Royal Society of Chemistry
,
Cambridge, UK
,
2009
), pp.
158
206
.
14.
J.
Niinistö
,
K.
Kukli
,
M.
Heikkilä
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Adv. Eng. Mater.
11
,
223
(
2009
).
15.
H.
Kim
,
H. -B.-R.
Lee
, and
W. J.
Maeng
,
Thin Solid Films
517
,
2563
(
2009
).
16.
G.
Clavel
,
E.
Rauwel
,
M.-G.
Willinger
, and
N.
Pinna
,
J. Mater. Chem.
19
,
454
(
2009
).
17.
S. M.
George
,
Chem. Rev.
110
,
111
(
2010
).
18.
R. L.
Puurunen
,
H.
Kattelus
, and
T.
Suntola
, “Atomic layer deposition in MEMS technology,” in
Handbook of Silicon-Based MEMS Materials and Technologies
(
Elsevier
,
2010
), pp.
433
446
.
19.
J. R.
Bakke
,
K. L.
Pickrahn
,
T. P.
Brennan
, and
S. F.
Bent
,
Nanoscale
3
,
3482
(
2011
).
20.
H. B.
Profijt
,
S. E.
Potts
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
29
,
050801
(
2011
).
21.
C.
Detavernier
,
J.
Dendooven
,
S. P.
Sree
,
K. F.
Ludwig
, and
J. A.
Martens
,
Chem. Soc. Rev.
40
,
5242
(
2011
).
22.
S. M.
George
,
B. H.
Lee
,
B.
Yoon
,
A. I.
Abdulagatov
, and
R. A.
Hall
,
J. Nanosci. Nanotechnol.
11
,
7948
(
2011
).
23.
E.
Marin
,
A.
Lanzutti
,
F.
Andreatta
,
M.
Lekka
,
L.
Guzman
, and
L.
Fedrizzi
,
Corros. Rev.
29
,
191
(
2011
).
24.
G. N.
Parsons
,
S. M.
George
, and
M.
Knez
,
MRS Bull.
36
,
865
(
2011
).
25.
M.
Leskelä
,
M.
Ritala
, and
O.
Nilsen
,
MRS Bull.
36
,
877
(
2011
).
26.
C.
Bae
,
H.
Shin
, and
K.
Nielsch
,
MRS Bull.
36
,
887
(
2011
).
27.
J. W.
Elam
,
N. P.
Dasgupta
, and
F. B.
Prinz
,
MRS Bull.
36
,
899
(
2011
).
28.
W.
Kessels
and
M.
Putkonen
,
MRS Bull.
36
,
907
(
2011
).
29.
Q.
Peng
,
J. S.
Lewis
,
P. G.
Hoertz
,
J. T.
Glass
, and
G. N.
Parsons
,
J. Vac. Sci. Technol. A
30
,
010803
(
2012
).
30.
H.
Im
,
N. J.
Wittenberg
,
N. C.
Lindquist
, and
S. H.
Oh
,
J. Mater. Res.
27
,
663
(
2012
).
31.
H. C. M.
Knoops
,
M. E.
Donders
,
M. C. M.
van de Sanden
,
P. H. L.
Notten
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Vac. Sci. Technol. A
30
,
010801
(
2012
).
32.
F.
Zaera
,
J. Phys. Chem. Lett.
3
,
1301
(
2012
).
33.
S. D.
Elliott
,
Semicond. Sci. Technol.
27
,
074008
(
2012
).
34.
M.
Knez
,
Semicond. Sci. Technol.
27
,
074001
(
2012
).
35.
J. A.
van Delft
,
D.
Garcia-Alonso
, and
W. M. M.
Kessels
,
Semicond. Sci. Technol.
27
,
074002
(
2012
).
36.
C.
Wiemer
,
L.
Lamagna
, and
M.
Fanciulli
,
Semicond. Sci. Technol.
27
,
074013
(
2012
).
37.
O.
Nilsen
,
O. B.
Karlsen
,
A.
Kjekshus
, and
H.
Fjellvåg
,
Thin Solid Films
515
,
4527
(
2007
).
38.
O.
Nilsen
,
O. B.
Karlsen
,
A.
Kjekshus
, and
H.
Fjellvåg
,
Thin Solid Films
515
,
4538
(
2007
).
39.
O.
Nilsen
,
O. B.
Karlsen
,
A.
Kjekshus
, and
H.
Fjellvåg
,
Thin Solid Films
515
,
4550
(
2007
).
40.
O.
Nilsen
,
O. B.
Karlsen
,
A.
Kjekshus
, and
H.
Fjellvåg
,
J. Cryst. Growth
308
,
366
(
2007
).
41.
R. L.
Puurunen
,
Appl. Surf. Sci.
245
,
6
(
2005
).
42.
H. C. M.
Knoops
,
E.
Langereis
,
M. C. M.
van de Sanden
, and
W. M. M.
Kessels
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
G241
(
2010
).
43.
D.
Hausmann
,
J.
Becker
,
S. L.
Wang
, and
R. G.
Gordon
,
Science
298
,
402
(
2002
).
44.
T.
Aaltonen
,
M.
Alnes
,
O.
Nilsen
,
L.
Costelle
, and
H.
Fjellvåg
,
J. Mater. Chem.
20
,
2877
(
2010
).
45.
M.
Putkonen
,
T.
Aaltonen
,
M.
Alnes
,
T.
Sajavaara
,
O.
Nilsen
, and
H.
Fjellvåg
,
J. Mater. Chem.
19
,
8767
(
2009
).
46.
S. I.
Kol'tsov
,
T. V.
Tuz
, and
A. N.
Volkova
,
Zh. Prikl. Khim.
52
,
2196
(
1979
)
S. I.
Kol'tsov
,
T. V.
Tuz
, and
A. N.
Volkova
, [
J. Appl. Chem. USSR
52
,
2074
(
1979
)].
47.
M.
Putkonen
and
L.
Niinistö
,
Thin Solid Films
514
,
145
(
2006
).
48.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
413
,
16
(
2002
).
49.
B.
Mårlid
,
M.
Ottosson
,
U.
Pettersson
,
K.
Larsson
, and
J.-O.
Carlsson
,
Thin Solid Films
402
,
167
(
2002
).
50.
J.
Olander
,
L. M.
Ottosson
,
P.
Heszler
,
J. O.
Carlsson
, and
K. M. E.
Larsson
,
Chem. Vap. Deposition
11
,
330
(
2005
).
51.
V. V.
Brei
,
V. A.
Kasperskii
, and
N. E.
Gulyanitskaya
,
React. Kinet. Catal. Lett.
50
,
415
(
1993
).
52.
V. M.
Gun'ko
,
Kinet. Katal.
34
,
463
(
1993
)
V. M.
Gun'ko
,
Kinet. Katal.
34
,
406
(
1993
).
53.
S. F.
Komarov
,
J. J.
Lee
,
J. B.
Hudson
, and
M. P.
D'Evelyn
,
Diamond Relat. Mater.
7
,
1087
(
1998
).
54.
T. I.
Hukka
,
R. E.
Rawles
, and
M. P.
D'Evelyn
,
Thin Solid Films
225
,
212
(
1993
).
55.
R.
Huang
and
A. H.
Kitai
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
1450
(
1992
).
56.
R.
Huang
and
A. H.
Kitai
,
J. Electron. Mater.
22
,
215
(
1993
).
57.
R.
Huang
and
A. H.
Kitai
,
J. Mater. Sci. Lett.
12
,
1444
(
1993
).
58.
M.
Putkonen
,
T.
Sajavaara
, and
L.
Niinistö
,
J. Mater. Chem.
10
,
1857
(
2000
).
59.
M.
Putkonen
,
M.
Nieminen
, and
L.
Niinistö
,
Thin Solid Films
466
,
103
(
2004
).
60.
T.
Törndahl
,
C.
Platzer-Björkman
,
J.
Kessler
, and
M.
Edoff
,
Prog. Photovoltaics
15
,
225
(
2007
).
61.
R.
Mantovan
,
M.
Georcieva
,
M.
Perego
,
H. L.
Lu
,
A.
Zenkevich
,
G.
Scarel
, and
M.
Fanciulli
,
Acta Phys. Pol. A
112
,
1271
(
2007
).
62.
H.-L.
Lu
,
S.-J.
Ding
, and
D. W.
Zhang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
13
,
G25
(
2010
).
63.
B. B.
Burton
,
D. N.
Goldstein
, and
S. M.
George
,
J. Phys. Chem. C
113
,
1939
(
2009
).
64.
T.
Hatanpää
,
J.
Ihanus
,
J.
Kansikas
,
I.
Mutikainen
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Chem. Mater.
11
,
1846
(
1999
).
65.
M.
Putkonen
,
L.-S.
Johansson
,
E.
Rauhala
, and
L.
Niinistö
,
J. Mater. Chem.
9
,
2449
(
1999
).
66.
T.
Pilvi
,
T.
Hatanpää
,
E.
Puukilainen
,
K.
Arstila
,
M.
Bischoff
,
U.
Kaiser
,
N.
Kaiser
,
M.
Leskelä
, and
M.
Ritala
,
J. Mater. Chem.
17
,
5077
(
2007
).
67.
T.
Pilvi
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
M.
Bischoff
,
U.
Kaiser
, and
N.
Kaiser
,
Appl. Opt.
47
,
C271
(
2008
).
68.
T.
Pilvi
,
E.
Puukilainen
,
U.
Kreissig
,
M.
Leskelä
, and
M.
Ritala
,
Chem. Mater.
20
,
5023
(
2008
).
69.
J. M.
Hartmann
,
J.
Cibert
,
F.
Kany
,
H.
Mariette
,
M.
Charleux
,
P.
Alleysson
,
R.
Langer
, and
G.
Feuillet
,
J. Appl. Phys.
80
,
6257
(
1996
).
70.
J. M.
Hartmann
,
M.
Charleux
,
H.
Mariette
, and
J. L.
Rouvière
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
142
(
1997
).
71.
Y. J.
Lee
and
S.-W.
Kang
,
J. Vac. Sci. Technol. A
20
,
1983
(
2002
).
72.
Y. J.
Lee
and
S.-W.
Kang
,
Electrochem. Solid-State Lett.
5
,
C91
(
2002
).
73.
S. I.
Kol'tsov
,
V. B.
Kopylov
,
V. M.
Smirnov
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim.
49
,
516
(
1976
)
S. I.
Kol'tsov
,
V. B.
Kopylov
,
V. M.
Smirnov
, and
V. B.
Aleskovskii
, [
J. Appl. Chem. USSR
49
,
525
(
1976
)].
74.
S. I.
Kol'tsov
,
V. M.
Smirnov
,
R. R.
Rachkovskii
,
T. V.
Malalaeva
, and
V. B.
Aleskovskii
,
Zh. Prikl. Khim.
51
,
2596
(
1978
)
S. I.
Kol'tsov
,
V. M.
Smirnov
,
R. R.
Rachkovskii
,
T. V.
Malalaeva
, and
V. B.
Aleskovskii
, [
J. Appl. Chem. USSR
51
,
2475
(
1978
)].
75.
K.
Ezhovskii
and
A. I.
Klusevich
,
Neorg. Mater.
39
,
1230
(
2003
)
K.
Ezhovskii
and
A. I.
Klusevich
, [
Inorg. Mater.
39
,
1062
(
2003
)].
76.
T.
Suntola
,
J.
Antson
,
A.
Pakkala
, and
S.
Lindfors
, in
SID International Symposium in San Diego, California, 29 April-1 May 1980, Digest of Technical Papers
(
SID,
Los Angeles, California
,
1980
), pp.
108
109
.
77.
T. S.
Suntola
,
A. J.
Pakkala
, and
S. G.
Lindfors
, U.S. patent 4,413,022 (1 November,
1983
).
78.
T. S.
Suntola
,
A. J.
Pakkala
, and
S. G.
Lindfors
, U.S. patent 4,389,973 (28 June,
1983
).
79.
J.
Aarik
,
A.
Aidla
,
A.
Jaek
,
A.-A.
Kiisler
, and
A.-A.
Tammik
,
Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Metall. Ser.
195
,
201
(
1990
).
80.
L.
Hiltunen
,
H.
Kattelus
,
M.
Leskelä
,
M.
Mäkelä
,
L.
Niinistö
,
E.
Nykänen
,
P.
Soininen
, and
M.
Tiitta
,
Mater. Chem. Phys.
28
,
379
(
1991
).
81.
H.
Kattelus
,
M.
Ylilammi
,
J.
Saarilahti
,
J.
Antson
, and
S.
Lindfors
,
Thin Solid Films
225
,
296
(
1993
).
82.
M.
Nieminen
,
L.
Niinistö
, and
R.
Lappalainen
,
Microchim. Acta
119
,
13
(
1995
).
83.
M.
Ritala
,
H.
Saloniemi
,
M.
Leskelä
,
T.
Prohaska
,
G.
Friedbacher
, and
M.
Grasserbauer
,
Thin Solid Films
286
,
54
(
1996
).
84.
D.
Riihelä
,
M.
Ritala
,
R.
Matero
, and
M.
Leskelä
,
Thin Solid Films
289
,
250
(
1996
).
85.
K.
Kukli
,
J.
Ihanus
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Electrochem. Soc.
144
,
300
(
1997
).
86.
S. J.
Yun
,
K. H.
Lee
,
J.
Skarp
,
H. R.
Kim
, and
K. S.
Nam
,
J. Vac. Sci. Technol. A
15
,
2993
(
1997
).
87.
S. J.
Yun
,
J. S.
Kang
,
M. C.
Paek
, and
K. S.
Nam
,
J. Korean Phys. Soc.
33
,
S170
(
1998
).
88.
M.
Tiitta
,
E.
Nykänen
,
P.
Soininen
,
L.
Niinistö
,
M.
Leskelä
, and
R.
Lappalainen
,
Mater. Res. Bull.
33
,
1315
(
1998
).
89.
M.
Nieminen
and
L.
Niinistö
,
Fresenius' J. Anal. Chem.
364
,
224
(
1999
).
90.
Y. S.
Kim
,
J. S.
Kang
,
S. J.
Yun
, and
K. I.
Cho
,
J. Korean Phys. Soc.
35
,
S216
(
1999
).
91.
K.
Kukli
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
F35
(
2001
).
92.
M.
Lulla
,
J.
Asari
,
J.
Aarik
,
K.
Kukli
,
R.
Rammula
,
U.
Tapper
,
E.
Kauppinen
, and
V.
Sammelselg
,
Microchim. Acta
155
,
195
(
2006
).
93.
S.
Dueñas
,
H.
Castán
,
H.
García
,
A.
de Castro
,
L.
Bailón
,
K.
Kukli
,
A.
Aidla
,
J.
Aarik
,
H.
Mändar
,
T.
Uustare
,
J.
Lu
, and
A.
Hårsta
,
J. Appl. Phys.
99
,
054902
(
2006
).
94.
M.
Kemell
,
E.
Färm
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Eur. Polym. J.
44
,
3564
(
2008
).
95.
E.
Färm
,
M.
Kemell
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Phys. Chem. C
112
,
15791
(
2008
).
96.
S.
Dueñas
,
H.
Castán
,
H.
García
,
A.
Gómez
,
L.
Bailón
,
K.
Kukli
,
J.
Aarik
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Electrochem. Soc.
155
,
G241
(
2008
).
97.
A. K.
Roy
,
W.
Baumann
,
I.
Koenig
,
G.
Baumann
,
S.
Schulze
,
M.
Hietschold
,
T.
Maeder
,
D. J.
Nestler
,
B.
Wielage
, and
W. A.
Goedel
,
Anal. Bioanal. Chem.
396
,
1913
(
2010
).
98.
E.
Färm
,
M.
Kemell
,
E.
Santala
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Electrochem. Soc.
157
,
K10
(
2010
).
99.
Y. K.
Ezhovskii
and
V. Y.
Kholkin
,
Inorg. Mater.
46
,
38
(
2010
).
100.
G.
Oya
,
M.
Yoshida
, and
Y.
Sawada
,
Appl. Phys. Lett.
51
,
1143
(
1987
).
101.
G.
Oya
and
Y.
Sawada
,
J. Cryst. Growth
99
,
572
(
1990
).
102.
M.
Leskelä
,
L.
Niinistö
,
E.
Nykänen
,
P.
Soininen
, and
M.
Tiitta
,
Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Metall. Ser.
195
,
193
(
1990
).
103.
M.
Ritala
,
K.
Kukli
,
A.
Rahtu
,
P. I.
Räisänen
,
M.
Leskelä
,
T.
Sajavaara
, and
J.
Keinonen
,
Science
288
,
319
(
2000
).
104.
P. I.
Räisänen
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
J. Mater. Chem.
12
,
1415
(
2002
).
105.
G. V.
Anikeev
,
K.
Ezhovskii
, and
S. I.
Kol’tsov
,
Neorg. Mater.
24
,
619
(
1988
)
G. V.
Anikeev
,
K.
Ezhovskii
, and
S. I.
Kol’tsov
, [
Inorg. Mater.
24
,
514
(
1988
)].
106.
G. S.
Higashi
and
L. J.
Rothberg
,
J. Vac. Sci. Technol. B
3
,
1460
(
1985
).
107.
G. S.
Higashi
and
C. G.
Fleming
,
Appl. Phys. Lett.
55
,
1963
(
1989
).
108.
C.
Soto
and
W. T.
Tysoe
,
J. Vac. Sci. Technol. A
9
,
2686
(
1991
).
109.
C.
Soto
,
R.
Wu
,
D. W.
Bennett
, and
W. T.
Tysoe
,
Chem. Mater.
6
,
1705
(
1994
).
110.
V. E.
Drozd
,
A. P.
Baraban
, and
I. O.
Nikiforova
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
583
(
1994
).
111.
S. M.
George
,
O.
Sneh
,
A. C.
Dillon
,
M. L.
Wise
,
A. W.
Ott
,
L. A.
Okada
, and
J. D.
Way
,
Appl. Surf. Sci.
82/83
,
460
(
1994
).
112.
A. C.
Dillon
,
A. W.
Ott
,
J. D.
Way
, and
S. M.
George
,
Surf. Sci.
322
,
230
(
1995
).
113.
E.-L.
Lakomaa
,
A.
Root
, and
T.
Suntola
,
Appl. Surf. Sci.
107
,
107
(
1996
).
114.
A. W.
Ott
,
K. C.
McCarley
,
J. W.
Klaus
,
J. D.
Way
, and
S. M.
George
,
Appl. Surf. Sci.
107
,
128
(
1996
).
115.
A. W.
Ott
,
J. W.
Klaus
,
J. M.
Johnson
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
292
,
135
(
1997
).
116.
A. W.
Ott
,
J. W.
Klaus
,
J. M.
Johnson
,
S. M.
George
,
K. C.
McCarley
, and
J. D.
Way
,
Chem. Mater.
9
,
707
(
1997
).
117.
J. I.
Skarp
,
P. J.
Soininen
, and
P. T.
Soininen
,
Appl. Surf. Sci.
112
,
251
(
1997
).
118.
P.
Ericsson
,
S.
Bengtsson
, and
J.
Skarp
,
Microelectron. Eng.
36
,
91
(
1997
).
119.
Y.
Kim
,
S. M.
Lee
,
C. S.
Park
,
S. I.
Lee
, and
M. Y.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
3604
(
1997
).
120.
B. S.
Berland
,
I. P.
Gartland
,
A. W.
Ott
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
10
,
3941
(
1998
).
121.
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
J.-P.
Dekker
,
C.
Mutsaers
,
P. J.
Soininen
, and
J.
Skarp
,
Chem. Vap. Deposition
5
,
7
(
1999
).
122.
M.
Ritala
,
M.
Juppo
,
K.
Kukli
,
A.
Rahtu
, and
M.
Leskelä
,
J. Phys. IV France
9
,
Pr8
1021
(
1999
).
123.
R.
Matero
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
T.
Salo
,
J.
Aromaa
, and
O.
Forsén
,
J. Phys. IV France
9
,
Pr8
493
(
1999
).
124.
E. P.
Gusev
,
M.
Copel
,
E.
Cartier
,
I. J. R.
Baumvol
,
C.
Krug
, and
M. A.
Gribelyuk
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
176
(
2000
).
125.
R. L.
Puurunen
,
A.
Root
,
S.
Haukka
,
E. I.
Iiskola
,
M.
Lindblad
, and
A. O. I.
Krause
,
J. Phys. Chem. B
104
,
6599
(
2000
).
126.
A. M.
Uusitalo
,
T. T.
Pakkanen
,
M.
Kröger-Laukkanen
,
L.
Niinistö
,
K.
Hakala
,
S.
Paavola
, and
B.
Löfgren
,
J. Mol. Catal. A: Chem.
160
,
343
(
2000
).
127.
M.
Juppo
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
, and
M.
Leskelä
,
Langmuir
16
,
4034
(
2000
).
128.
R.
Matero
,
A.
Rahtu
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
, and
T.
Sajavaara
,
Thin Solid Films
368
,
1
(
2000
).
129.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
371
,
95
(
2000
).
130.
J. D.
Ferguson
,
A. W.
Weimer
, and
S. M.
George
,
Appl. Surf. Sci.
162/163
,
280
(
2000
).
131.
M.
Juppo
, “
Atomic layer deposition of metal and transition metal nitride thin films and in situ mass spectrometry studies
,” Ph.D. dissertation (
University of Helsinki, Finland
,
2001
).
132.
R. L.
Puurunen
,
M.
Lindblad
,
A.
Root
, and
A. O. I.
Krause
,
Phys. Chem. Chem. Phys.
3
,
1093
(
2001
).
133.
A.
Rahtu
,
T.
Alaranta
, and
M.
Ritala
,
Langmuir
17
,
6506
(
2001
).
134.
A.
Paranjpe
,
S.
Gopinath
,
T.
Omstead
, and
R.
Bubber
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
G465
(
2001
).
135.
E. P.
Gusev
,
E.
Cartier
,
D. A.
Buchanan
,
M.
Gribelyuk
,
M.
Copel
,
H.
Okorn-Schmidt
, and
C.
D'Emic
,
Microelectron. Eng.
59
,
341
(
2001
).
136.
A.
Rahtu
, “
Atomic layer deposition of high permittivity oxides: Film growth and in situ studies
,” Ph.D. dissertation (
University of Helsinki, Finland
,
2002
).
137.
R.
Puurunen
, “
Preparation by atomic layer deposition and characterisation of catalyst supports surfaced with aluminium nitride
,” Ph.D. dissertation (
Helsinki University of Technology, Espoo, Finland
,
2002
).
138.
O.
Sneh
,
R. B.
Clark-Phelps
,
A. R.
Londergan
,
J.
Winkler
, and
T. E.
Seidel
,
Thin Solid Films
402
,
248
(
2002
).
139.
H.
Nohira
,
W.
Tsai
,
W.
Besling
,
E.
Young
,
J.
Petry
,
T.
Conard
,
W.
Vandervorst
,
S.
De Gendt
,
M.
Heyns
,
J.
Maes
, and
M.
Tuominen
,
J. Non-Cryst. Solids
303
,
83
(
2002
).
140.
W. F. A.
Besling
,
E.
Young
,
T.
Conard
,
C.
Zhao
,
R.
Carter
,
W.
Vandervorst
,
M.
Caymax
,
S.
De Gendt
,
M.
Heyns
,
J.
Maes
,
M.
Tuominen
, and
S.
Haukka
,
J. Non-Cryst. Solids
303
,
123
(
2002
).
141.
L. G.
Gosset
,
J.-F.
Damlencourt
,
O.
Renault
,
D.
Rouchon
,
Ph.
Holliger
,
A.
Ermolieff
,
I.
Trimaille
,
J.-J.
Ganem
,
F.
Martin
, and
M.-N.
Séméria
,
J. Non-Cryst. Solids
303
,
17
(
2002
).
142.
J. W.
Elam
,
Z. A.
Sechrist
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
414
,
43
(
2002
).
143.
J. W.
Elam
,
M. D.
Groner
, and
S. M.
George
,
Rev. Sci. Instrum.
73
,
2981
(
2002
).
144.
M. D.
Groner
,
J. W.
Elam
,
F. H.
Fabreguette
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
413
,
186
(
2002
).
145.
J. M.
Jensen
,
A. B.
Oelkers
,
R.
Toivola
,
D. C.
Johnson
,
J. W.
Elam
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
14
,
2276
(
2002
).
146.
B.
Brijs
,
C.
Huyghebaert
,
S.
Nauwelaerts
,
M.
Caymax
,
W.
Vandervorst
,
K.
Nakajima
,
K.
Kimura
,
A.
Bergmaier
,
G.
Döllinger
,
W. N.
Lennard
,
G.
Terwagne
, and
A.
Vantomme
,
Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
190
,
505
(
2002
).
147.
J. W.
Elam
and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
15
,
1020
(
2003
).
148.
T. M.
Mayer
,
J. W.
Elam
,
S. M.
George
,
P. G.
Kotula
, and
R. S.
Goeke
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2883
(
2003
).
149.
N. D.
Hoivik
,
J. W.
Elam
,
R. J.
Linderman
,
V. M.
Bright
,
S. M.
George
, and
Y. C.
Lee
,
Sens. Actuators, A
103
,
100
(
2003
).
150.
R.
Kuse
,
M.
Kundu
,
T.
Yasuda
,
N.
Miyata
, and
A.
Toriumi
,
J. Appl. Phys.
94
,
6411
(
2003
).
151.
S.
Jakschik
,
U.
Schroeder
,
T.
Hecht
,
M.
Gutsche
,
H.
Seidl
, and
J. W.
Bartha
,
Thin Solid Films
425
,
216
(
2003
).
152.
S.
Jakschik
,
U.
Schroeder
,
T.
Hecht
,
D.
Krueger
,
G.
Dollinger
,
A.
Bergmaier
,
C.
Luhmann
, and
J. W.
Bartha
,
Appl. Surf. Sci.
211
,
352
(
2003
).
153.
R. L.
Puurunen
,
Chem. Vap. Deposition
9
,
327
(
2003
).
154.
J.-F.
Damlencourt
,
O.
Renault
,
A.
Chabli
,
F.
Martin
, and
M.-N.
Séméria
,
J. Mater. Sci.: Mater. Electron.
14
,
379
(
2003
).
155.
M. M.
Frank
,
Y. J.
Chabal
, and
G. D.
Wilk
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
4758
(
2003
).
156.
M. M.
Frank
,
Y. J.
Chabal
,
M. L.
Green
,
A.
Delabie
,
B.
Brijs
,
G. D.
Wilk
,
M.-Y.
Ho
,
E. B. O.
da Rosa
,
I. J. R.
Baumvol
, and
F. C.
Stedile
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
740
(
2003
).
157.
P. D.
Ye
,
G. D.
Wilk
,
B.
Yang
,
J.
Kwo
,
S. N. G.
Chu
,
S.
Nakahara
,
H. -J. L.
Gossmann
,
J. P.
Mannaerts
,
M.
Hong
,
K. K.
Ng
, and
J.
Bude
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
180
(
2003
).
158.
J. S.
Lee
,
B.
Min
,
K.
Cho
,
S.
Kim
,
J.
Park
,
Y. T.
Lee
,
N. S.
Kim
,
M. S.
Lee
,
S. O.
Park
, and
J. T.
Moon
,
J. Cryst. Growth
254
,
443
(
2003
).
159.
M. D.
Groner
,
F. H.
Fabreguette
,
J. W.
Elam
, and
S. M.
George
,
Chem. Mater.
16
,
639
(
2004
).
160.
T.
Kawahara
,
K.
Torii
,
R.
Mitsuhashi
,
A.
Muto
,
A.
Horiuchi
,
H.
Ito
, and
H.
Kitajima
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
43
,
4129
(
2004
).
161.
S.
Jakschik
,
U.
Schroeder
,
T.
Hecht
,
D.
Krueger
,
G.
Dollinger
,
A.
Bergmaier
,
C.
Luhmann
, and
J. W.
Bartha
,
Mater. Sci. Eng., B
107
,
251
(
2004
).
162.
R. L.
Puurunen
,
W.
Vandervorst
,
W. F. A.
Besling
,
O.
Richard
,
H.
Bender
,
T.
Conard
,
C.
Zhao
,
A.
Delabie
,
M.
Caymax
,
S.
De Gendt
,
M.
Heyns
,
M. M.
Viitanen
,
M.
de Ridder
,
H. H.
Brongersma
,
Y.
Tamminga
,
T.
Dao
,
T.
de Win
,
M.
Verheijen
,
M.
Kaiser
, and
M.
Tuominen
,
J. Appl. Phys.
96
,
4878
(
2004
).
163.
R. L.
Puurunen
and
W.
Vandervorst
,
J. Appl. Phys.
96
,
7686
(
2004
).
164.
R. T.
Brewer
,
M.-T.
Ho
,
K. Z.
Zhang
,
L. V.
Goncharova
,
D. G.
Starodub
,
T.
Gustafsson
,
Y. J.
Chabal
, and
N.
Moumen
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
3830
(
2004
).
165.
R. K.
Grubbs
,
C. E.
Nelson
,
N. J.
Steinmetz
, and
S. M.
George
,
Thin Solid Films
467
,
16
(
2004
).
166.
S. S.
Lee
,
J. Y.
Baik
,
K.-S.
An
,
Y. D.
Suh