Single crystalline GaN nanowires were synthesized using chemical vapor deposition. Devices containing individual GaN nanowires were fabricated using contact printing. The local turn-on electric field at the tip of the GaN nanowires was compared to that of other nanomaterials. The quality of contact between GaN nanowires and metal electrodes was found to affect the field-emission behavior significantly. It was also observed that the field-emission behavior of individual GaN nanowires follows the conventional Fowler-Nordheim model in the range of applied electric fields.
REFERENCES
1.
R. H.
Fowler
and L.
Nordheim
, Proc. R. Soc. London, Ser. A
119
, 173
(1928
)2.
H. M.
Kim
, Y. H.
Cho
, H.
Lee
, S. I.
Kim
, S. R.
Ryu
, D. Y.
Kim
, T. W.
Kang
, and K. S.
Chung
, Nano Lett.
4
, 1059
(2004
).3.
F.
Qian
, S.
Gradecak
, Y.
Li
, C. Y.
Wen
, and C. M.
Lieber
, Nano Lett.
5
, 2287
(2005
).4.
S.
Nakamura
, S.
Pearton
, and G.
Fasol
, The Blue Laser Diode: The Complete Story
(Springer-Verlag
, Berlin
, 2000
).5.
A.
Osinsky
, S.
Gangopadhyay
, R.
Gaska
, B.
Williams
, M. A.
Khan
, D.
Kuksenkov
, and H.
Temkin
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2334
(1997
).6.
Y.-F.
Wu
, B. P.
Keller
, S.
Keller
, D.
Kapolnek
, P.
Kozodoy
, S. P.
Denbaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
69
, 1438
(1996
).7.
B. P.
Luther
, S. D.
Wolter
, and S. E.
Mohney
, Sens. Actuators B
56
, 164
(1999
).8.
W.
Yi-Feng
, D.
Kapolnek
, J. P.
Ibbetson
, P.
Parikh
, B. P.
Keller
, and U. K.
Mishra
, IEEE Trans. Electron Devices
48
, 586
(2001
).9.
R. J.
Nemanich
, P. K.
Baumann
, M. C.
Benjamin
, S. W.
King
, J.
van der Weide
, and R. F.
Davis
, Diamond Relat. Mater.
5
, 790
(1996
).10.
J. L.
Shaw
, H. F.
Gray
, K. L.
Jensen
, and T. M.
Jung
, J. Vac. Sci. Technol. B
14
, 2072
(1996
).11.
B. D.
Liu
, Y.
Bando
, C. C.
Tang
, F. F.
Xu
, J. Q.
Hu
, and D.
Golberg
, J. Phys. Chem. B
109
, 17082
(2005
).12.
B.
Ha
, S. H.
Seo
, J. H.
Cho
, C. S.
Yoon
, J.
Yoo
, G. C.
Yi
, C. Y.
Park
, and C. J.
Lee
, J. Phys. Chem. B
109
, 11095
(2005
).13.
D. K. T.
Ng
, M. H.
Hong
, L. S.
Tan
, Y. W.
Zhu
, and C. H.
Sow
, Nanotechnology
18
, 375707
(2007
).14.
C. T.
Lin
, G. H.
Yu
, X. Z.
Wang
, M. X.
Cao
, H. F.
Lu
, H.
Gong
, M.
Qi
, and A. Z.
Li
, J. Phys. Chem. C
112
, 18821
(2008
).15.
C. C.
Chen
, C. C.
Yeh
, C. H.
Chen
, M. Y.
Yu
, H. L.
Liu
, J. J.
Wu
, K. H.
Chen
, L. C.
Chen
, J. Y.
Peng
, and Y. F.
Chen
, J. Am. Chem. Soc.
123
, 2791
(2001
).16.
D. V.
Dinh
, S. M.
Kang
, J. H.
Yang
, S. W.
Kim
, and D. H.
Yoon
, J. Cryst. Growth
311
, 495
(2009
).17.
J. L.
Johnson
, Y. H.
Choi
, and A.
Ural
, J. Vac. Sci. Technol. B
26
, 1841
(2008
).18.
J.
Johnson
, Y. H.
Choi
, A.
Ural
, W.
Lim
, J. S.
Wright
, B. P.
Gila
, F.
Ren
, and S. J.
Pearton
, J. Electron. Mater.
38
, 490
(2009
).19.
Z. Y.
Fan
, J. C.
Ho
, Z. A.
Jacobson
, R.
Yerushalmi
, R. L.
Alley
, H.
Razavi
, and A.
Javey
, Nano Lett.
8
, 20
(2008
).20.
J. S.
Wright
, W.
Lim
, B. P.
Gila
, S. J.
Pearton
, J. L.
Johnson
, A.
Ural
, and F.
Ren
, Sens. Actuators B
140
, 196
(2009
).21.
R. G.
Forbes
, Appl. Phys. Lett.
89
, 113
(2006
).22.
Z.
Xu
, X. D.
Bai
, and E. G.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
88
, 133107
(2006
).23.
COMSOL Multiphysics modeling and engineering simulation software, COMSOL AB, http://www.comsol.com/
24.
C. D.
Zhang
, J. M.
Cai
, M.
Gao
, H. L.
Lu
, Q.
Zou
, J. F.
Tian
, H.
Hu
, C. M.
Shen
, H. M.
Guo
, and H. J.
Gao
, Appl. Surf. Sci.
258
, 2149
(2011
)25.
Y.
Yu
, C. H.
Jin
, R. H.
Wang
, Q.
Chen
, and L. M.
Peng
, J. Phys. Chem. B
109
, 18772
(2005
).26.
Y.
Huang
, Y.
Zhang
, Y.
Gu
, X.
Bai
, J.
Qi
, Q.
Liao
, and J.
Liu
, J. Phys. Chem. C
111
, 9039
(2007
).27.
L. M.
Baskin
, O. I.
Lvov
, and G. N.
Fursey
, Phys. Status Solidi B
47
, 49
(1971
).28.
P.
Yaghoobi
, K.
Walus
, and A.
Nojeh
, Phys. Rev. B
80
, 115422
(2009
).29.
P.
Yaghoobi
, M. K.
Alam
, K.
Walus
, and A.
Nojeh
, Appl. Phys. Lett.
95
, 262102
(2009
).30.
J. R.
Arthur
, J. Appl. Phys.
36
, 3221
(1965
).31.
K. X.
Liu
, C. J.
Chiang
, and J. P.
Heritage
, J. Appl. Phys.
99
, 034502
(2006
).32.
V. R.
Reddy
, C. K.
Ramesh
, and C. J.
Choi
, Phys. Status Solidi A
203
, 622
(2006
).33.
L.
Wang
, M. I.
Nathan
, T. H.
Lim
, M. A.
Khan
, and Q.
Chen
, Appl. Phys. Lett.
68
, 1267
(1996
).34.
P.
Deb
, H.
Kim
, Y. X.
Qin
, R.
Lahiji
, M.
Oliver
, R.
Reifenberger
, and T.
Sands
, Nano Lett.
6
, 2893
(2006
).35.
G.
Schindler
, S.
Penka
, G.
Steinlesberger
, M.
Traving
, W. Steinhögl, and M.
Engelhardt
, Microelectron. Eng.
82
, 645
(2005
).36.
H.
Yuejin
and T.
Cher Ming
, Nanoelectronics Conference, 2008, INEC 2008, 2nd IEEE International, 610
(INEC
, Hong Kong
, 2008
).© 2012 American Institute of Physics.
2012
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
