ZnO has emerged as a promising candidate for optoelectronic and microelectronic applications, whose development requires greater understanding and control of their electronic contacts. The rapid pace of ZnO research over the past decade has yielded considerable new information on the nature of ZnO interfaces with metals. Work on ZnO contacts over the past decade has now been carried out on high quality material, nearly free from complicating factors such as impurities, morphological and native point defects. Based on the high quality bulk and thin film crystals now available, ZnO exhibits a range of systematic interface electronic structure that can be understood at the atomic scale. Here we provide a comprehensive review of Schottky barrier and ohmic contacts including work extending over the past half century. For Schottky barriers, these results span the nature of ZnO surface charge transfer, the roles of surface cleaning, crystal quality, chemical interactions, and defect formation. For ohmic contacts, these studies encompass the nature of metal-specific interactions, the role of annealing, multilayered contacts, alloyed contacts, metallization schemes for state-of-the-art contacts, and their application to n-type versus p-type ZnO. Both ZnO Schottky barriers and ohmic contacts show a wide range of phenomena and electronic behavior, which can all be directly tied to chemical and structural changes on an atomic scale.

1.
D. C.
Look
,
Mater. Sci. Eng.
B80
,
383
(
2001
).
2.
D. C.
Look
,
J. W.
Hemsky
, and
J. R.
Sizelove
,
Phys. Rev. Lett.
82
,
2552
(
1999
).
3.
F.
Tuomisto
,
K.
Saarinen
,
D. C.
Look
, and
G. C.
Farlow
,
Phys. Rev. B
72
,
085206
(
2005
).
4.
H.
Zheng
,
X. L.
Du
,
Q.
Luo
,
J. F.
Jia
,
C. z.
Gu
, and
Q. K.
Xue
,
Thin Solid Films
515
,
3967
(
2007
).
6.
M. D.
McCluskey
and
S. J.
Jokela
,
J. Appl. Phys.
106
,
071101
(
2009
).
7.
E. V.
Monakhov
,
A. Yu.
Kuznetsov
, and
B. G.
Svensson
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
42
,
153001
(
2009
).
8.
S. M.
Sze
and
K. K.
Ng
,
Physics of Semiconductor Devices
, 3rd Ed. (
Wiley
,
NJ
,
2007
) p.
135
.
9.
C. A.
Mead
in
Ohmic Contacts to Semiconductors
, edited by
B.
Schwartz
, (
Electrochem. Soc.
,
NY
,
1969
).
10.
C. A.
Mead
,
Solid-State Electron.
9
,
1023
(
1966
).
11.
W. E.
Spicer
,
P. W.
Chye
,
P. R.
Skeath
,
C. Y.
Su
, and
I.
Lindau
,
J. Vac. Sci. Technol.
16
,
1422
(
1979
).
12.
L. J.
Brillson
,
Surf. Sci. Repts.
2
,
123
(
1982
).
13.
S. J.
Pearton
,
B. S.
Kang
,
L. C.
Tien
,
D. P.
Norton
,
Y. W.
Heo
, and
F.
Ren
,
Nano
2
,
201
(
2007
).
14.
A.
Tsukazaki
,
A.
Ohtomo
,
T.
Kita
,
Y.
Ohno
,
H.
Ohno
, and
M.
Kawasaki
,
Science
315
,
1388
(
2007
).
15.
A.
Tsukazaki
,
H.
Yuji
,
S.
Akasaka
,
K.
Tamura
,
K.
Nakahara
,
T.
Tanabe
,
H.
Takasu
,
A.
Ohtomo
, and
M.
Kawasaki
,
Appl. Phys. Express
1
,
055004
(
2008
).
16.
S.
Ju
,
A.
Faccetti
,
Y.
Xuan
,
J.
Liu
,
F.
Ishikaw
,
P.
Ye
,
C.
Zhou
,
T. J.
Marks
, and
D. B.
Janes
,
Nature Nanotechnology
2
,
378
(
2007
).
17.
M. A.
Contreras
,
K.
Ramanathan
,
J.
AbuShama
,
F.
Hasoon
,
D. L.
Young
,
B.
Egaas
, and
R.
Noufi
,
Prof. Photovolt.: Res. Appl.
13
,
209
(
2005
);
M. J.
Hetzer
,
L. J.
Brillson
, and
D. G.
Jensen
,
Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(
IEEE, Piscataway
,
NJ
,
2009
), pp.
2061
2064
.
18.
F.
Léonard
and
A. A.
Talin
,
Phys. Rev. Lett.
97
,
026804
(
2006
);
[PubMed]
F.
Léonard
,
A. A.
Talin
,
B.
Swartzentruber
,
T.
Picraux
,
Phys. Rev. Lett.
102
,
106805
(
2009
).
[PubMed]
19.
C.
Soci
,
A.
Zhang
,
B.
Xiang
,
S. A.
Dayeh
,
D. P. R.
Aplin
,
J.
Park
,
X. Y.
Bao
,
Y. H.
Lo
, and
D.
Wang
,
Nano Lett.
7
,
1003
(
2007
).
21.
22.
L. J.
Brillson
,
Surfaces and Interfaces of Electronic Materials
(
Wiley-VCH
,
Weinheim
,
2010
) Ch. 21 and references therein.
23.
C. A.
Mead
,
Solid State Electron.
9
,
1023
(
1966
).
24.
S.
Kurtin
,
T. C.
McGill
, and
C. A.
Mead
,
Phys. Rev. Lett.
22
,
1433
(
1969
).
25.
L. J.
Brillson
,
Phys. Rev. Lett.
40
,
260
(
1978
).
26.
B. J.
Coppa
,
R. F.
Davis
, and
R. J.
Nemanich
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
400
(
2003
).
27.
B. J.
Coppa
,
C. C.
Fulton
,
P. J.
Hartlieb
,
R. F.
Davis
,
B. J.
Rodriquez
,
B. J.
Shields
, and
R. J.
Nemanich
,
J. Appl. Phys.
95
,
5856
(
2004
).
28.
B. J.
Coppa
,
C. C.
Fulton
,
S. M.
Kiesel
,
R. F.
David
,
C.
Pandarinath
,
J. E.
Burnette
,
R. J.
Nemanich
, and
D. J.
Smith
,
J. Appl. Phys.
97
,
103517
(
2005
).
29.
Y. M.
Strzhemechny
,
H. L.
Mosbacker
,
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
C. W.
Litton
,
N. Y.
Garces
,
N. C.
Giles
,
L. E.
Halliburton
,
S.
Niki
, and
L. J.
Brillson
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2545
(
2004
).
30.
H. L.
Mosbacker
,
Y. M.
Strzhemechny
,
B. D.
White
,
P. E.
Smith
,
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
C. W.
Litton
, and
L. J.
Brillson
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
012102
(
2005
).
31.
Y.
Dong
,
Z.-Q.
Fang
,
D. C.
Look
,
G.
Cantwell
,
J.
Zhang
,
J. J.
Song
, and
L. J.
Brillson
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
072111
(
2008
).
32.
B.
Meyer
,
H.
Alves
,
D. M.
Hofmann
,
W.
Kriegsels
,
D.
Forster
,
F.
Bertram
,
J.
Christen
,
A.
Hoffmann
,
M.
Straâburg
,
M.
Dworzak
,
U.
Haboeck
, and
A. V.
Rodina
,
Phys. Status Solidi B
241
,
231
(
2004
).
33.
C. G.
Van de Walle
,
Phys. Rev. Lett.
85
,
1012
(
2000
).
34.
F.
Oba
,
A.
Togo
,
I.
Tanaka
,
J.
Paier
, and
G.
Kresse
,
Phys. Rev. B
77
,
245202
(
2008
).
35.
L. J.
Brillson
,
J. Vac. Sci. Technol. B
19
,
1762
(
2001
).
36.
R. C.
Neville
and
C. A.
Mead
,
J. Appl. Phys.
41
,
3795
(
1970
).
37.
B. J.
Coppa
,
R. F.
David
, and
R. J.
Nemanich
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
400
(
2003
).
38.
L. J.
Brillson
,
H. L.
Mosbacker
,
M. J.
Hetzer
,
Y.
Strzhemechny
,
G. H.
Jessen
,
D. C.
Look
,
G.
Cantwell
,
J.
Zhang
, and
J. J.
Song
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
102116
(
2007
).
39.
H. L.
Mosbacker
,
C.
Zgrabik
,
M. J.
Hetzer
,
A.
Swain
,
D. C.
Look
,
G.
Cantwell
,
J.
Zhang
,
J. J.
Song
, and
L. J.
Brillson
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
072102
(
2007
).
40.
H. L.
Mosbacker
,
S.
El Hage
,
M.
Gonzalez
,
S. A.
Ringel
,
M.
Hetzer
,
D. C.
Look
,
G.
Cantwell
,
J.
Zhang
,
J. J.
Song
, and
L. J.
Brillson
,
J. Vac. Sci. Technol. B
25
,
1405
(
2007
).
41.
Q. L.
Gu
,
C. K.
Cheung
,
C. C.
Ling
,
A. M. C.
Ng
,
A. B.
Djuriîsiæ
,
L. W.
Lu
,
X. D.
Chen
,
S.
Fung
,
C. D.
Beling
, and
H. C.
Ong
,
J. Appl. Phys.
103
,
093706
(
2008
).
42.
A. R.
Polyakov
,
N. B.
Smirnov
,
E. A.
Kozhukhova
,
V. I.
Vdovin
,
K.
Ip
,
D. P.
Norton
, and
S. J.
Pearton
,
J. Vac. Sci. Technol. A
21
,
1603
(
2003
);
A. R.
Polyakov
,
N. B.
Smirnov
,
E. A.
Kozhukhova
,
V. I.
Vdovin
,
K.
Ip
,
D. P.
Norton
, and
S. J.
Pearton
,
Appl. Phys. Lett
.
83
,
1575
(
2003
).
43.
H.
Sheng
,
S.
Muthukumar
,
N. W.
Emanetoglu
, and
Y.
Lu
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
2132
(
2002
).
44.
D. C.
Oh
,
J. J.
Kim
,
H.
Makino
,
T.
Handa
,
M. W.
Cho
,
T.
Yao
, and
H. J.
Ko
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
042110
(
2005
).
45.
K.
Ip
,
Y. W.
Heo
,
K. H.
Baik
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
,
S.
Kim
,
J. R.
LaRoche
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2835
(
2004
).
46.
M -S.
Oh
,
D -K.
Hwang
,
J -H.
Lim
,
Y -S.
Choi
, and
S -J.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
042109
(
2007
).
47.
H.
Endo
,
M.
Sugibuchi
,
K.
Takahashi
,
S.
Goto
,
S.
Sugimura
,
K.
Hane
, and
Y.
Kashiwaba
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
121906
(
2007
).
48.
H. v.
Wenckstern
,
G.
Biehne
,
R. A.
Rahman
,
H.
Hochmuth
,
M.
Lorenz
, and
M.
Grundmann
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
092102
(
2006
).
49.
H. v.
Wenckstern
,
E. M.
Kaidashev
,
M.
Lorenz
,
H.
Hochmuth
,
G.
Biehne
,
J.
Lenzner
,
V.
Gottschalch
,
R.
Pickenhain
, and
M.
Grundmann
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
79
(
2004
).
50.
U.
Grossner
,
S.
Gabrielsen
,
T. M.
Børseth
,
J.
Grillenberger
,
A. Y.
Kuznetsov
, and
B. G.
Svensson
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
2259
(
2004
).
51.
R.
Schifano
,
E. V.
Monakhov
,
U.
Grossner
, and
B. G.
Svensson
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
193507
(
2007
).
52.
K.
Ip
,
B. P.
Gila
,
A. H.
Onstine
,
E. S.
Lambers
,
Y. W.
Heo
,
K. H.
Baik
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
,
S.
Kim
,
J. R.
LaRoche
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
5133
(
2004
).
53.
H. S.
Yang
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
212106
(
2005
).
54.
S.
Liang
,
H.
Sheng
,
Y.
Liu
,
Z.
Huo
,
Y.
Lu
, and
H.
Shen
,
J. Cryst. Growth
225
,
110
(
2001
).
55.
B.
Coppa
,
C. C.
Fulton
,
S. M.
Kiesel
,
R. F.
Davis
,
C.
Pandarinath
,
J. E.
Burnette
,
R. J.
Nemanich
, and
D. J.
Smith
,
J. Appl. Phys.
97
,
103517
(
2005
).
56.
S.-H.
Kim
,
H.-K.
Kim
, and
T.-Y.
Seong
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
022101
(
2005
).
57.
M. W.
Allen
,
M. M.
Alkaisi
, and
S. M.
Durbin
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
103520
(
2006
).
58.
M. W.
Allen
,
P.
Miller
,
R. J.
Reeves
, and
S. M.
Durbin
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
062104
(
2007
).
59.
M. W.
Allen
,
S. M.
Durbin
, and
J. B.
Metson
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
053512
(
2007
).
60.
M.
Nakano
,
A.
Tsukazaki
,
R. Y.
Gunji
,
K.
Ueno
,
A.
Ohtomo
,
T.
Fukumura
, and
M.
Kawasaki
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
142113
(
2007
).
61.
R.
Schifano
,
E. V.
Monakhov
,
B. G.
Svensson
, and
S.
Diplas
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
132101
(
2009
).
62.
M. W.
Allen
,
R. J.
Mendelsberg
,
R. J.
Reeves
, and
S. M.
Durbin
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
103508
(
2009
).
63.
S.
Lee
,
Y.
Lee
,
D. Y.
Kim
, and
T. W.
Kang
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
142102
(
2010
).
64.
M.
Nakano
,
T.
Makino
,
A.
Tsukazaki
,
K.
Ueno
,
A.
Ohtomo
,
T.
Fukumura
,
H.
Yuji
,
S.
Akasaka
,
K.
Tamura
,
K.
Nakahara
,
T.
Tanabe
,
A.
Kamisawa
, and
M.
Kawasaki
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
123309
(
2008
).
65.
R. Y.
Gunji
,
M.
Nakano
,
A.
Tsukazaki
,
A.
Ohtomo
,
T.
Fukumura
, and
M.
Kawasaki
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
012104
(
2008
).
66.
M. W.
Allen
,
R. J.
Mendelsberg
,
R. J.
Reeves
, and
S. M.
Durbin
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
103508
(
2009
).
67.
S.
Lee
,
Y.
Lee
,
D. Y.
Kim
, and
T. W.
Kang
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
142102
(
2010
).
68.
H.
Frenzel
,
A.
Lajn
,
M.
Brandt
,
H.
von Wenckstern
,
G.
Biehne
,
H.
Hochmuth
,
M.
Lorenz
, and
M.
Grundmann
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
192108
(
2008
).
69.
H. B.
Michaelson
,
J. Appl. Phys.
48
,
4729
(
1977
).
70.
R. T.
Tung
,
Mater. Sci. Eng. R.
35
,
1
(
2001
).
71.
K.
Hong
and
J -L.
Lee
,
Electrochem. Solid-State Lett.
11
,
H29
(
2007
).
72.
H.
von Wenckstern
,
G.
Biehne
,
R. A.
Rahman
,
H.
Hochmuth
,
M.
Lorenz
, and
M.
Grundmann
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
092102
(
2006
).
73.
J. H.
Werner
, and
H. H.
Güttler
,
J. Appl. Phys.
69
,
1522
(
1991
).
74.
S. J.
Pearton
,
D. P.
Norton
,
K.
Ip
,
Y. W.
Heo
, and
T.
Steiner
,
Superlattices Microstruct.
34
,
3
(
2003
).
75.
L. J.
Brillson
,
H. L.
Mosbacker
,
D.
Doutt
,
M.
Kramer
,
Z. L.
Fang
,
D. C.
Look
,
G.
Cantwell
,
J.
Zhang
, and
J. J.
Song
,
Superlattices Microstruct.
45
,
206
(
2009
).
76.
C. G.
Van de Walle
,
Phys. Rev. Lett.
85
,
1012
(
2000
).
77.
Y. M.
Strzhemechny
,
H. L.
Mosbacker
,
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
C. W.
Litton
,
N. Y.
Garces
,
NC.
Giles
,
L. E.
Halliburton
,
S.
Niki
, and
L. J.
Brillson
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2545
(
2004
).
78.
D. M.
Hoffman
,
A.
Hofstaetter
,
F.
Leiter
,
H.
Zhou
,
F.
Henecker
, and
B. K.
Meyer
,
Phys. Rev. Lett.
88
,
045505
(
2002
).
79.
D. R.
Doutt
,
C.
Zgrabik
,
H. L.
Mosbacker
, and
L. J.
Brillson
,
J. Vac. Sci. Technol.
26
,
1477
(
2008
).
80.
D. C.
Look
,
Z. Q.
Fang
,
S.
Soloviev
,
T. S.
Sudarshan
, and
J. J.
Boeckl
,
Phys. Rev. B
69
,
195205
(
2004
).
81.
D.
Doutt
,
H. L.
Mosbacker
,
G.
Cantwell
,
J.
Zhang
,
J. J.
Song
, and
L. J.
Brillson
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
042111
(
2009
).
82.
T.
Merz
,
D.
Doutt
,
Y.
Dong
, and
L. J.
Brillson
,
Nanostructure growth-induced defect formation and band bending at ZnO surfaces, Surf. Sci
605
,
L20
(
2011
).
83.
Z.-Q.
Fang
,
B.
Claflin
,
D. C.
Look
,
Y. F.
Dong
,
H. L.
Mosbacker
, and
L. J.
Brillson
,
J. Appl. Phys.
104
,
063707
(
2008
).
84.
N.
Ohashi
,
Y.
Adachi
,
T.
Ohsawa
,
K.
Matsumoto
,
I.
Sakaguchi
,
H.
Haneda
,
S.
Ueda
,
H.
Yoshikawa
, and
K.
Koabyashi
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
122102
(
2009
).
85.
D. D.
Wagman
W. H.
Evans
,
V. B.
Parker
,
I.
Halow
,
S. M.
Bailey
, and
R. H.
Schumm
, “
Selected Values of Chemical Thermodynamic Properties
,” National Bureau of Standards Tech. Notes 270-3-270-7 (
U. S. GPO
,
Washington, D.C.
,
1968–1971
).
86.
O.
Kubachewski
,
C. B.
Alcock
, and
P. J.
Spencer
,
Materials Thermochemistry
(
Pergamon
,
Oxford
,
1993
).
87.
T. M.
Børseth
,
F.
Tuomisto
,
J. S.
Christensen
,
W.
Skorupa
,
E. V.
Monakhov
,
B. G.
Svensson
, and
A.
Yu. Kuznetsov
,
Phys. Rev. B
74
,
161202
R
(
2006
).
88.
T. M.
Børseth
,
F.
Tuomisto
,
J. S.
Christensen
,
E. V.
Monakhov
,
B. G.
Svensson
, and
A.
Yu. Kuznetsov
,
Phys. Rev. B
77
,
045204
(
2008
).
89.
A. F.
Kohan
,
G.
Ceder
,
D.
Morgan
, and
C. G.
Van de Walle
,
Phys. Rev. B
61
,
15019
(
2000
).
90.
K.
Vanheusden
,
C. H.
Seager
,
W. L.
Warren
,
D. R.
Tallant
, and
J. A.
Voigt
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
403
(
1996
).
91.
Y.
Dong
,
A.
Kuznetsov
,
F.
Tuomisto
, and
L. J.
Brillson
,
Phys. Rev. B
81
,
081201
R
(
2010
).
92.
M. W.
Allen
, and
S. M.
Durbin
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
122110
(
2008
).
93.
J.
Robertson
,
O.
Sharia
, and
A. A.
Demkov
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
132912
(
2007
).
94.
L. J.
Brillson
,
C. F.
Brucker
,
A. D.
Katnani
,
N. G.
Stoffel
, and
G.
Margaritondo
,
Appl. Phys. Lett.
38
,
784
(
1981
).
95.
L. J.
Brillson
, in
The Chemical Physics of Solid Surfaces and Heterogeneous Catalysis
, Eds.
D. A.
King
and
D. P.
Woodruff
(
Elsevier
,
Amsterdam
,
1988
), Vol.
5
, Chap. 4, pp.
119
181
.
96.
L. J.
Brillson
,
Phys. Rev. B
18
,
2431
(
1978
).
97.
L. J.
Brillson
,
C. F.
Brucker
,
A. D.
Katnani
,
N. G.
Stoffel
,
R.
Daniels
, and
G.
Margaritondo
,
J. Vac. Sci. Technol.
19
,
661
(
1981
).
98.
L. J.
Brillson
,
C. F.
Brucker
,
A. D.
Katnani
,
N. G.
Stoffel
,
R.
Daniels
, and
G.
Margaritondo
,
Surf. Sci.
132
,
212
(
1983
).
99.
E. H.
Rhoderick
,
Metal Semiconductor Contacts
, (
Clarendon
,
Oxford
,
1978
) p.
77
.
100.
C. R.
Crowell
, and
V. L.
Rideout
,
Solid-State Electron.
12
,
89
(
1969
).
101.
F. A.
Padovani
,
Semiconductors and Semimetals
, vol.
7
, (
Academic Press
,
New York
,
1971
) p.
75
.
102.
J.
Fijol
and
P.
Holloway
,
Crit. Rev. Sol. St. Matl. Sci.
21
,
77
(
1996
).
103.
Y.
Wang
and
P.
Holloway
,
Vacuum
43
,
1149
(
1992
).
104.
H.
Kim
,
S.
Han
,
T.
Seong
, and
W.
Choi
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
G114
(
2001
).
105.
J.-H.
Park
,
T.-H.
Kim
,
N.-Y.
Chang
,
J.-S.
Kim
,
G.-H.
Kim
, and
B.-T.
Lee
,
Mat. Sci. Eng. B
167
,
51
(
2010
).
106.
H.-K.
Kim
,
T.-Y.
Seong
,
K.-K.
Kim
,
S.-J.
Park
,
Y. S.
Yoon
, and
I.
Adesida
,
Jpn. J. App. Phy.
43
,
976
(
2004
).
107.
J.-J.
Chen
,
S.
Jang
,
T. J.
Anderson
,
F.
Ren
,
Y.
Li
,
H.-S.
Kim
,
B. P.
Gila
,
D. P.
Norton
, and
S. J.
Pearton
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
122107
(
2006
).
108.
A.
Inumpudi
,
A. A.
Iliadis
,
S.
Krishnamoorthy
,
S.
Choopun
,
R. D.
Vispute
, and
T.
Venkatesan
,
Solid-State Electron.
46
,
1665
(
2002
).
109.
H.-K.
Kim
,
J. W.
Bae
,
K.-K.
Kim
,
S.-J.
Park
,
T.-Y.
Seong
, and
I.
Adesida
,
Thin Solid Films
447–448
,
90
(
2004
).
110.
H.
Kim
,
S.
Han
, and
T.
Seong
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
1647
(
2000
).
111.
Y. J.
Lin
and
C. T.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
3986
(
2000
).
112.
T.
Akane
,
K.
Sugioka
, and
K.
Midorikawa
,
J. Vac. Sci. Technol. B.
18
,
1406
(
2000
).
113.
J.
Lee
,
K.
Kim
,
S.
Park
, and
W.
Choi
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
3842
(
2001
).
114.
T. E.
Murphy
,
J. O.
Blaszczak
,
K.
Moazzami
,
W. E.
Bowen
, and
J. D.
Phillips
,
J. Electron. Mater.
34
,
389
(
2005
).
115.
M. S.
Oh
,
S. H.
Kim
,
D. K.
Hwang
,
S. J.
Park
, and
T. Y.
Seong
,
Electrochem. Solid-State Lett.
8
,
G317
(
2005
).
116.
H. K.
Kim
,
S. W.
Kim
,
B.
Yang
,
S. H.
Kim
,
K. H.
Lee
,
S. H.
Ji
, and
Y. S.
Yoon
,
Jpn. J. Appl. Phys.
45
,
1560
(
2006
).
118.
H.
Sheng
,
N.
Emanetoglu
,
S.
Muthukumar
,
S.
Feng
, and
Y.
Lu
,
J. of Electron. Mater.
31
,
811
(
2002
).
119.
H. K.
Kim
,
K.
Kim
,
S.
Park
,
T.
Seong
, and
I.
Adesida
,
J. Appl. Phys.
94
,
4225
(
2003
).
120.
H. K.
Kim
,
T. Y.
Seong
,
K. K.
Kim
,
S. J.
Park
,
Y. S.
Yoon
, and
I.
Adesida
,
Jpn. J. Appl. Phys.
43
,
976
(
2004
).
121.
H. K.
Kim
, and
J. M.
Lee
,
Superlattices Microstruct.
42
,
255
(
2007
).
122.
J. H.
Kim
,
J. Y.
Moon
,
H. S.
Lee
,
W. S.
Han
,
H. K.
Cho
,
J. Y.
Lee
, and
H. S.
Kim
,
Mater. Sci. Eng. B
165
,
77
(
2009
)
123.
K.
Ip
,
Y. W.
Heo
,
K. H.
Baik
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
544
(
2004
).
124.
K.
Ip
,
Y. W.
Heo
,
K. H.
Baik
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
, and
F.
Ren
,
J. Vac. Sci. Technol. B
22
,
171
(
2004
).
125.
T. E.
Murphy
,
J. O.
Blaszczak
,
K.
Moazzami
,
W. E.
Bowen
, and
J. D.
Phillips
,
J. Electron. Mater.
34
,
389
(
2005
).
126.
A.
Inumpudi
,
A. A.
Iliadis
,
S.
Krishnamoorthy
,
S.
Choopun
,
R. D.
Vispute
, and
T.
Venkatesan
,
Solid-State Electron.
46
,
1665
(
2002
).
127.
N. H.
Alvi
,
M.
Willander
, and
O.
Nur
,
Supperlattices Microstruct.
47
,
754
(
2010
)
128.
N.
Koteeswara Reddy
,
Q.
Ahsanulhaq
,
J. H.
Kim
,
M.
Devika
, and
Y. B.
Hahn
,
Nanotechnology
18
,
445710
(
2007
).
129.
H.-K.
Kim
,
K.-K.
Kim
,
S.-J.
Park
,
T.-Y.
Seong
, and
Y. S.
Yoon
,
Jpn. J. Appl. Phys.
41
,
L
546
(
2002
).
130.
M. L.
Green
,
M. E.
Gross
,
L. E.
Papa
,
K. J.
Schones
, and
D.
Brasen
,
J. Electrochem. Soc.
132
,
2677
(
1985
).
131.
J. H.
Kim
,
J. Y.
Moon
,
H. S.
Lee
,
W. S.
Han
,
H. K.
Cho
,
J. Y.
Lee
, and
H. S.
Kim
,
Mat. Sci. Eng. B
165
,
77
(
2008
).
132.
S.
Kim
,
H.
Jang
,
J.
Kim
,
C.
Jeon
,
W.
Park
,
G.
Yi
, and
J.
Lee
,
J. of Electron. Mater.
31
,
868
(
2002
).
133.
H.
Sheng
,
S.
Muthukumar
,
N.
Emanetoglu
,
B.
Yakshinskiy
,
S.
Feng
, and
Y.
Lu
,
J. Electron. Mater.
32
,
935
(
2003
).
134.
K.
Ip
,
Y.
Heo
,
K.
Baik
,
D.
Norton
,
S.
Pearton
, and
F.
Ren
,
J. Vac. Sci. Technol. B.
21
,
2378
(
2003
).
135.
B. S.
Kang
,
J. J.
Chen
,
F.
Ren
,
Y.
Li
,
H.-S.
Kim
,
D. P.
Norton
, and
S. J.
Pearton
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
182101
(
2006
).
136.
S. -H
Kim
,
K.-K.
Kim
,
S.-J.
Park
, and
T.-Y.
Seong
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
G169
(
2005
).
137.
J. S.
Wright
,
R.
Khanna
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
,
F.
Ren
, and
I. I.
Kravchenkoc
,
Electrochem. Solid-State Lett.
9
,
G164
(
2006
).
138.
H. B.
Michaleson
,
J. App. Phys.
48
,
4729
(
1977
).
139.
H. B.
Michaleson
, in
CRC Handbook of Chemistry and Physics
, 76 ed., Edited by
D. R.
Lide
, (
CRC Press
,
Boca Raton, FL
,
1995
).
140.
M.
Kurimoto
,
A. B. M.
Almamun Ashrafi
,
M.
Ebihara
,
K.
Uesugi
,
H.
Kumano
, and
I.
Suemune
,
Phys. Stat. Sol. B
241
,
635
(
2004
).
141.
Y. R.
Ryu
,
T. S.
Lee
,
J. H.
Leem
, and
H. W.
White
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
4032
(
2003
).
142.
H. S.
Yang
,
Y.
Li
,
D. P.
Norton
,
K.
Ip
,
S. J.
Pearton
,
S.
Jang
, and
F.
Ren
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
192103
(
2005
).
143.
F.
Zhuge
,
L. P.
Zhu
,
Z. Z.
Ye
,
D. W.
Ma
,
J. G.
Lu
,
J. Y.
Huang
,
F. Z.
Wang
,
Z. G.
Ji
, and
S. B.
Zhang
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
092103
(
2005
).
144.
J.-H.
Lim
,
K.-K.
Kim
,
D.-K.
Hwang
,
H.-S.
Kim
,
J.-Y.
Oh
, and
S.-J.
Park
,
J. Electrochem. Soc.
152
,
G179
(
2005
).
145.
Y. F.
Lu
,
Z. Z.
Ye
,
Y. J.
Zheng
,
L. P.
Zhu
,
J. Y.
Huang
, and
B. H.
Zhao
,
Solid-State Electron.
54
,
732
(
2010
).
146.
Y. F.
Lu
,
Z. Z.
Ye
,
Y. J.
Zheng
,
L. P.
Zhu
,
J. Y.
Huang
, and
B. H.
Zhao
,
Electrochem. Solid-State Lett.
12
,
H60
(
2009
)
147.
Y. F.
Lu
,
Z. Z.
Ye
,
Y. J.
Zheng
,
L. P.
Zhu
, and
B. H.
Zhao
,
Electrochem. Solid-State Lett.
11
,
H185
(
2008
).
148.
G.
Hu
,
H.
Gong
, and
E. F.
Chor
,
Electrochem. Solid-State Lett.
156
,
H740
(
2009
).
149.
S. S.
Lin
,
J. G.
Lu
,
Z. Z.
Ye
,
H. P.
He
,
X. Q.
Gu
,
L. X.
Chen
,
J. Y.
Huang
, and
B. H.
Zhao
,
Solid-State Commun.
148
,
25
(
2008
).
150.
G. D.
Yuan
,
W. J.
Zhang
,
J. S.
Jie
,
X.
Fan
,
J. A.
Zapien
,
Y. H.
Leung
,
L. B.
Luo
,
P. F.
Wang
,
C. S.
Lee
, and
S. T.
Lee
,
Nanolett.
8
,
2591
(
2008
).
151.
J.-M.
Lee
,
K.-K.
Kim
,
H.
Tampo
,
A.
Yamada
, and
S.
Niki
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
928
,
GG09
(
2006
).
152.
L. J.
Mandalapu
,
Z.
Yang
, and
J. L.
Liu
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
252103
(
2007
).
153.
F. X.
Xiu
,
Z.
Yang
,
L. J.
Mandalapu
,
D. T.
Zhao
, and
J. L.
Liu
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
252102
(
2005
).
154.
S.
Limpijumnong
,
S. B.
Zhang
,
S. H.
Wei
, and
C. H.
Park
,
Phys. Rev. Lett.
92
,
155504
(
2004
).
155.
K.
Ip
,
Y.
Li
,
D. P.
Norton
, and
S. J.
Pearton
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
071906
(
2005
).
You do not currently have access to this content.