We demonstrate the control of GaAs quantum dots morphology by using a thin AlGaAs capping layer. The AlGaAs layer uniformly covers the GaAs quantum dots and provides protections against thermally induced deformation up to , which allows improved dot quality. In addition, annealing of AlGaAs-capped quantum dots at flattens the top of the dots, leading to the formation of height-controlled quantum dots and their narrow inhomogeneous width of 28 meV.
REFERENCES
1.
I. K.
Park
, M. K.
Kwon
, S. B.
Seo
, J. Y.
Kim
, J. H.
Lim
, and S. J.
Park
, Appl. Phys. Lett.
90
, 111116
(2007
).2.
M. T.
Todaro
, M. D.
Giorgi
, M. D.
Vittorio
, R.
Cingolani
, and A.
Passaseo
, Appl. Phys. Lett.
84
, 2482
(2004
).3.
T.
Mano
, T.
Kuroda
, K.
Mitsuishi
, Y.
Nakayama
, T.
Noda
, and K.
Sakoda
, Appl. Phys. Lett.
93
, 203110
(2008
).4.
D.
Guimard
, Y.
Arakawa
, M.
Ishida
, S.
Tsukamoto
, M.
Nishioka
, Y.
Nakata
, H.
Sudo
, T.
Yamamoto
, and M.
Sugawara
, Appl. Phys. Lett.
90
, 241110
(2007
).5.
A.
Martí
, E.
Antolín
, C. R.
Stanley
, C. D.
Farmer
, N.
Lopez
, P.
Díaz
, E.
Canovas
, P. G.
Linares
, and A.
Luque
, Phys. Rev. Lett.
97
, 247701
(2006
).6.
A.
Luque
and A.
Martí
, Phys. Rev. Lett.
78
, 5014
(1997
).7.
A. J.
Shields
, Nat. Photonics
1
, 215
(2007
).8.
G.
Costantini
, A.
Rastelli
, C.
Manzano
, P.
Acosta-Diaz
, R.
Songmuang
, G.
Katsaros
, O. G.
Schmidt
, and K.
Kern
, Phys. Rev. Lett.
96
, 226106
(2006
).9.
K.
Takehana
, F.
Pulizzi
, A.
Patane
, M.
Henini
, P. C.
Main
, L.
Eaves
, D.
Granados
, and J. M.
Garcia
, J. Cryst. Growth
251
, 155
(2003
).10.
P. B.
Joyce
, T. J.
Krzyzewski
, G. R.
Bell
, and T. S.
Jones
, Appl. Phys. Lett.
79
, 3615
(2001
).11.
S. J.
Lee
, J. O.
Kim
, S. K.
Noh
, J. W.
Choe
, and K. S.
Lee
, J. Cryst. Growth
284
, 39
(2005
).12.
F.
Ferdos
, S.
Wang
, Y.
Wei
, A.
Larsson
, M.
Sadeghi
, and Q.
Zhao
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1195
(2002
).13.
Q.
Gong
, P.
Offermans
, R.
Notzel
, P. M.
Koenraad
, and J. H.
Wolter
, Appl. Phys. Lett.
85
, 5697
(2004
).14.
J. M.
García
, G.
Mederios-Riverio
, K.
Schmidt
, T.
Ngo
, J. L.
Feng
, A.
Lorke
, J.
Kotthaus
, and P. M.
Petroff
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2014
(1997
).15.
A.
Rastelli
, M.
Kummer
, and H.
von Kanel
, Phys. Rev. Lett.
87
, 256101
(2001
).16.
N.
Koguchi
, S.
Takahashi
, and T.
Chikyow
, J. Cryst. Growth
111
, 688
(1991
).17.
N.
Koguchi
and K.
Ishige
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
32
, 2052
(1993
).18.
K.
Watanabe
, N.
Koguchi
, and Y.
Gotoh
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
39
, L79
(2000
).19.
T.
Mano
, T.
Kuroda
, S.
Sanguinetti
, T.
Ochiai
, T.
Tateno
, J.
Kim
, T.
Noda
, M.
Kawabe
, K.
Sakoda
, G.
Kido
, and N.
Koguchi
, Nano Lett.
5
, 425
(2005
).20.
J. H.
Lee
, Z. M.
Wang
, Z. Y.
AbuWaar
, and G. J.
Salamo
, Cryst. Growth Des.
9
, 715
(2009
).21.
M.
Jo
, T.
Mano
, and K.
Sakoda
, Appl. Phys. Express
3
, 045502
(2010
).22.
C.
Heyn
, A.
Stemmann
, A.
Schramm
, H.
Welsch
, W.
Hansen
, and Á.
Nemcsics
, Appl. Phys. Lett.
90
, 203105
(2007
).23.
The streaks in the AFM image of the -annealed QDs are the mounds in the AlGaAs buffer layer.
24.
L.
Olmsted
and S. N.
Houde-Walter
, Appl. Phys. Lett.
63
, 530
(1993
).25.
S.
Fafard
and C. N.
Allen
, Appl. Phys. Lett.
75
, 2374
(1999
).26.
H.
Sasakura
, S.
Kayamori
, S.
Adachi
, and S.
Muto
, J. Appl. Phys.
102
, 013515
(2007
).27.
Y.
Sakuma
, M.
Takeguchi
, K.
Takemoto
, S.
Hirose
, T.
Usuki
, and N.
Yokoyama
, J. Vac. Sci. Technol. B
23
, 1741
(2005
).28.
J. G.
Keizer
, J.
Bocquel
, P. M.
Koenraad
, T.
Mano
, T.
Noda
, and K.
Sakoda
, Appl. Phys. Lett.
96
, 062101
(2010
).© 2010 American Institute of Physics.
2010
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
