We report on the use of N implantation to produce thin, pure, uniform, and thermally stable buffer layers and overlayers on Si(100) and Si(111) without silicide formation.
REFERENCES
1.
G. D.
Wilk
, R. M.
Wallace
, and J. M.
Anthony
, J. Appl. Phys.
89
, 5243
(2001
).2.
S.
Toyoda
, J.
Okabayashi
, H.
Kumigashira
, M.
Oshima
, K.
Ono
, M.
Niwa
, K.
Usuda
, and G. L.
Liu
, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.
144–147
, 487
(2005
).3.
N.
Miyata
, M.
Ichikawa
, T.
Nabatame
, T.
Horikawa
, and A.
Toriumi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
, L138
(2003
).4.
M. A.
Quevedo-Lopez
, J. J.
Chambers
, M. R.
Visokay
, A.
Shanware
, and L.
Colombo
, Appl. Phys. Lett.
87
, 012902
(2005
).5.
K. P.
Bastos
, C.
Driemeier
, R. P.
Pezzi
, G. V.
Soares
, L.
Miotti
, J.
Morais
, I. J. R.
Baumvol
, and R. M.
Wallace
, Mater. Sci. Eng., B
112
, 134
(2004
).6.
M. R.
Visokay
, J. J.
Chambers
, A. L. P.
Rotondaro
, A.
Shanware
, and L.
Colombo
, Appl. Phys. Lett.
80
, 3183
(2002
).7.
M.
Koike
, T.
Ino
, Y.
Kamimuta
, M.
Koyama
, Y.
Kamata
, M.
Suzuki
, Y.
Mitani
, A.
Nishiyama
, and Y.
Tsunashima
, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
, 2003
, 107
.8.
M.
Koike
, T.
Ino
, Y.
Kamimuta
, M.
Koyama
, Y.
Kamata
, M.
Suzuki
, Y.
Mitani
, and A.
Nishiyama
, Phys. Rev. B
73
, 125123
(2006
).9.
X. J.
Wang
, L. D.
Zhang
, M.
Liu
, J. P.
Zhang
, and G.
He
, Appl. Phys. Lett.
92
, 122901
(2008
).10.
S. J.
Wang
, J. W.
Chai
, Y. F.
Dong
, Y. P.
Feng
, N.
Sutanto
, J. S.
Pan
, and A. C. H.
Huan
, Appl. Phys. Lett.
88
, 192103
(2006
).11.
M.
Saitoh
, M.
Terai
, N.
Ikarashi
, H.
Watanabe
, S.
Fujieda
, T.
Iwamoto
, T.
Ogura
, A.
Morioka
, K.
Watanabe
, T.
Tatsumi
, and H.
Watanabe
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
44
, 2330
(2005
).12.
P. D.
Kirsch
, C. S.
Kang
, and J.
Lozano
, J. Appl. Phys.
91
, 4353
(2002
).13.
C. S.
Kang
, R.
Choi
, H.
Cho
, Y. H.
Kim
, and J. C.
Lee
, J. Vac. Sci. Technol. B
22
, 916
(2004
).14.
X.
Wang
, G.
Zhai
, J.
Yang
, and N.
Cue
, Phys. Rev. B
60
, R2146
(1999
).15.
K.
Kato
, D.
Matsushita
, K.
Muraoka
, and Y.
Nakasaki
, Phys. Rev. B
78
, 085321
(2008
).16.
A.
Bahari
, U.
Robenhagen
, P.
Morgen
, and Z. S.
Li
, Phys. Rev. B
72
, 205323
(2005
).17.
K.
Kim
, T.
Kang
, K.
Ihm
, C.
Jeon
, C.
Hwang
, and B.
Kim
, Surf. Sci.
600
, 3496
(2006
).18.
C.
Tian
and C. R.
Vidal
, J. Phys. B
31
, 5369
(1998
).19.
Y.
Itikawa
, J. Phys. Chem. Ref. Data
35
, 31
(2006
).20.
S.
Tanuma
, C. J.
Powell
, and D. R.
Penn
, Surf. Interface Anal.
21
, 165
(1994
).21.
C. S.
Fadley
, Prog. Surf. Sci.
16
, 275
(1984
).22.
A.
de Siervo
, C. R.
Flüchter
, D.
Weier
, M.
Schürmann
, S.
Dreiner
, C.
Westphal
, M. F.
Carazzolle
, A.
Pancotti
, R.
Landers
, and G. G.
Kleiman
, Phys. Rev. B
74
, 075319
(2006
).23.
C. R.
Fluchter
, A.
de Siervo
, D.
Weier
, M.
Schurmann
, A.
Beimborn
, S.
Dreiner
, M. F.
Carazzolle
, R.
Landers
, G. G.
Kleiman
, and C.
Westphal
, Surf. Sci.
602
, 3647
(2008
).24.
I.
Kusunoki
, T.
Takaoka
, Y.
Igari
, and K.
Ohtsuka
, J. Chem. Phys.
101
, 8238
(1994
).25.
D. H.
Baek
, H.
Kang
, and J. W.
Chung
, Phys. Rev. B
49
, 2651
(1994
).26.
G. M.
Rignanese
and A.
Pasquarello
, Appl. Phys. Lett.
76
, 553
(2000
).27.
J. W.
Kim
and H. W.
Yeom
, Phys. Rev. B
67
, 035304
(2003
).28.
G. L.
Zhao
and M. E.
Bachlechner
, Phys. Rev. B
58
, 1887
(1998
).29.
S.
Toyoda
, H.
Kamada
, T.
Tanimura
, H.
Kumigashira
, M.
Oshima
, G. L.
Liu
, Z.
Liu
, and K.
Ikeda
, Appl. Phys. Lett.
93
, 182906
(2008
).30.
L.
Zhang
, S.
Terauchi
, Y.
Azuma
, and T.
Fujimoto
, Surf. Interface Anal.
40
, 1701
(2008
).© 2010 American Institute of Physics.
2010
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
