Nanostructured hexagonal InN overlayers were heteroepitaxially deposited on vertically oriented -axis GaN nanorods by metal-organic chemical vapor deposition. InN overlayers grown in radial directions are featured by a nonpolar heteroepitaxial growth mode on GaN nanorods, showing a great difference from the conventional InN growth on (0001) -plane GaN template. The surface of InN overlayers is mainly composed of several specific facets with lower crystallographic indices. The orientation relationship between InN and GaN lattices is found to be and . A strong photoluminescence of InN nanostructures is observed.
REFERENCES
1.
A. G.
Bhuiyan
, A.
Hashimoto
, and A.
Yamamoto
, J. Appl. Phys.
94
, 2779
(2003
).2.
J.
Wu
, W.
Walukiewicz
, K. M.
Yu
, J. W.
Ager
III, E. E.
Haller
, H.
Lu
, W. J.
Schaff
, Y.
Saito
, and Y.
Nanishi
, Appl. Phys. Lett.
80
, 3967
(2002
).3.
J.
Wu
, W.
Walukiewicz
, K. M.
Yu
, J. W.
Ager
III, E. E.
Haller
, H.
Lu
, and W. J.
Schaff
, Appl. Phys. Lett.
80
, 4741
(2002
).4.
V. Y.
Davydov
, A. A.
Klochikhin
, R. P.
Seisyan
, V. V.
Emtsev
, S. V.
Ivanov
, F.
Bechstedt
, J.
Furthmüller
, H.
Harima
, A. V.
Mudryi
, J.
Aderhold
, O.
Semchinova
, and J.
Graul
, Phys. Status Solidi B
229
, R1
(2002
).5.
T.
Matsuoka
, H.
Okamoto
, M.
Nakao
, H.
Harima
, and E.
Kurimoto
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1246
(2002
).6.
H.
Wang
, D. S.
Jiang
, L. L.
Wang
, X.
Sun
, W. B.
Liu
, D. G.
Zhao
, J. J.
Zhu
, Z. S.
Liu
, Y. T.
Wang
, S. M.
Zhang
, and H.
Yang
, J. Phys. D
41
, 135403
(2008
).7.
S.
Tiwari
, F.
Rana
, K.
Chan
, L.
Shi
, and H.
Hanafi
, Appl. Phys. Lett.
69
, 1232
(1996
).8.
J.
Wang
, M.
Nozaki
, M.
Lachab
, R. S.
Qhalid Fareed
, Y.
Ishikawa
, T.
Wang
, Y.
Naoi
, and S.
Sakai
, J. Cryst. Growth
200
, 85
(1999
).9.
D.
Zubia
and S. D.
Hersee
, J. Appl. Phys.
85
, 6492
(1999
).10.
E.
Ertekin
, P. A.
Greaney
, D. C.
Chrzan
, and T. D.
Sands
, J. Appl. Phys.
97
, 114325
(2005
).11.
T. H.
Hsueh
, H. W.
Huang
, C. C.
Kao
, Y. H.
Chang
, M. C.
Ou-Yang
, H. C.
Kuo
, and S. C.
Wang
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
44
, 2661
(2005
).12.
C. H.
Liang
, L. C.
Chen
, J. S.
Hwang
, K. H.
Chen
, Y. T.
Hung
, and Y. F.
Chen
, Appl. Phys. Lett.
81
, 22
(2002
).13.
T.
Stoica
, R.
Meijers
, R.
Calarco
, T.
Richter
, and H.
Lüth
, J. Cryst. Growth
290
, 241
(2006
).14.
T.
Stoica
, R.
Meijers
, R.
Calarco
, T.
Richter
, E.
Sutter
, and H.
Lüth
, Nano Lett.
6
, 1541
(2006
).15.
H. Y.
Xu
, Z.
Liu
, X. T.
Zhang
, and S. K.
Hark
, Appl. Phys. Lett.
90
, 113105
(2007
).16.
O.
Kryliouk
, H. J.
Park
, Y. S.
Won
, T.
Anderson
, A.
Davydov
, I.
Levin
, J. H.
Kim
, and J. J. A.
Freitas
, Nanotechnology
18
, 135606
(2007
).17.
P.
Deb
, H.
Kim
, V.
Rawat
, M.
Oliver
, S.
Kim
, M.
Marshall
, E.
Stach
, and T.
Sands
, Nano Lett.
5
, 1847
(2005
).18.
F.
Qian
, Y.
Li
, S.
Gradečak
, D.
Wang
, C. J.
Barrelet
, and C. M.
Lieber
, Nano Lett.
4
, 1975
(2004
).19.
F.
Qian
, S.
Gradečak
, Y.
Li
, C. Y.
Wen
, and C. M.
Lieber
, Nano Lett.
5
, 2287
(2005
).20.
N. A.
Fichtenbaum
, C. J.
Neufeld
, C.
Schaake
, Y.
Wu
, M. H.
Wong
, M.
Grundmann
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Phys. Status Solidi B
244
, 1802
(2007
).21.
C. H.
Chiu
, T. C.
Lu
, H. W.
Huang
, C. F.
Lai
, C. C.
Kao
, J. T.
Chu
, C. C.
Yu
, H. C.
Kuo
, S. C.
Wang
, C. F.
Lin
, and T. H.
Hsueh
, Nanotechnology
18
, 445201
(2007
).22.
H. W.
Huang
, C. C.
Kao
, T. H.
Hsueh
, C. C.
Yu
, C. F.
Lin
, J. T.
Chu
, H. C.
Kuo
, and S. C.
Wang
, Mater. Sci. Eng., B
113
, 125
(2004
).23.
Q.
Sun
, C. D.
Yerino
, T. S.
Ko
, Y. S.
Cho
, I. H.
Lee
, J.
Han
, and M. E.
Coltrin
, J. Appl. Phys.
104
, 093523
(2008
).24.
Z.
Liliental-Weber
, J.
Jasinski
, and D. N.
Zakharov
, Opto-Electron. Rev.
12
, 339
(2004
).25.
H.
Lu
, W. J.
Schaff
, L. F.
Eastman
, J.
Wu
, W.
Walukiewicz
, V.
Cimalla
, and O.
Ambacher
, Appl. Phys. Lett.
83
, 1136
(2003
).26.
G.
Koblmüller
, A.
Hirai
, F.
Wu
, C. S.
Gallinat
, G. D.
Metcalfe
, H.
Shen
, M.
Wraback
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
93
, 171902
(2008
).27.
28.
J.
van Landuyt
, R.
Gevers
, and S.
Amelinckx
, Phys. Status Solidi B
18
, 167
(1966
).© 2009 American Institute of Physics.
2009
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
