We report on the demonstration of light emission from hybrid CdZnO quantum-well light emitting diodes. A one-dimensional drift-diffusion method was used to model the expected band structure and carrier injection in the device, demonstrating the potential for 90% internal quantum efficiency when a CdZnO quantum well is used. Fabricated devices produced visible electroluminescence that was found to redshift from 3.32 to 3.15 eV as the forward current was increased from 20 to 40 mA. A further increase in the forward current to 50 mA resulted in a saturation of the redshift.

1.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
, and
B.
Jogai
,
Solid State Commun.
99
,
873
(
1996
).
2.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
B.
Jogai
, and
T. C.
Collins
,
Phys. Rev. B
56
,
13753
(
1997
).
3.
P.
Zu
,
Z. K.
Tang
,
G. K. L.
Wong
,
M.
Kawasaki
,
A.
Ohtomo
,
H.
Koinuma
, and
Y.
Segawa
,
Solid State Commun.
103
,
459
(
1997
).
4.
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
J. R.
Sizelove
,
R. L.
Jones
,
C. W.
Litton
,
G.
Cantwell
, and
W. C.
Harsch
,
Solid State Commun.
105
,
399
(
1998
).
5.
M.
Suscavage
,
M.
Harris
,
D.
Bliss
,
P.
Yip
,
S. -Q.
Wang
,
D.
Schwall
,
L.
Bouthillette
,
J.
Bailey
,
M.
Callahan
,
D. C.
Look
,
D. C.
Reynolds
,
R. L.
Jones
, and
C. W.
Litton
,
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4S1
,
G3
40
(
1999
).
6.
J. W.
Bae
,
C. H.
Jeong
,
H. K.
Kim
,
K. K.
Kim
,
N. G.
Cho
,
T. Y.
Seong
,
S. J.
Park
,
I.
Adesida
, and
G. Y.
Yeom
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
,
L535
(
2003
).
7.
J. J.
Chen
,
S. W.
Jang
,
F.
Ren
,
Y. J.
Li
,
H. S.
Kim
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
,
A.
Osinksy
,
S. N. G.
Chu
, and
J. F.
Weaver
,
J. Electron. Mater.
35
,
516
(
2006
).
8.
H. K.
Kim
,
J. W.
Bae
,
K. K.
Kim
,
S. J.
Park
,
T. Y.
Seong
, and
I.
Adesida
,
Thin Solid Films
447
,
90
(
2004
).
9.
K.
Takahashi
,
H.
Funakubo
,
N.
Ohashi
, and
H.
Haneda
,
Thin Solid Films
486
,
42
(
2005
).
10.
S.
Choopun
,
R. D.
Vispute
,
W.
Yang
,
R. P.
Sharma
,
T.
Venkatesan
, and
H.
Shen
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
1529
(
2002
).
11.
T.
Gruber
,
C.
Kirchner
,
R.
Kling
,
F.
Reuss
,
A.
Waag
,
F.
Bertram
,
D.
Forster
,
J.
Christen
, and
M.
Schreck
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
3290
(
2003
).
12.
S. S.
Hullavarad
,
N. V.
Hullavarad
,
D. E.
Pugel
,
S.
Dhar
,
I.
Takeuchi
,
T.
Venkatesan
, and
R. D.
Vispute
,
J. Phys. D
40
,
4887
(
2007
).
13.
T.
Makino
,
Y.
Segawa
,
M.
Kawasaki
,
A.
Ohtomo
,
R.
Shiroki
,
K.
Tamura
,
T.
Yasuda
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
1237
(
2001
).
14.
J. W.
Mares
,
F. R.
Ruhge
,
A. V.
Thompson
,
P. G.
Kik
,
A.
Osinsky
,
B.
Hertog
,
A. M.
Dabiran
,
P. P.
Chow
, and
W. V.
Schoenfeld
,
Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.)
30
,
346
(
2007
).
15.
S.
Shigemori
,
A.
Nakamura
,
J.
Ishihara
,
T.
Aoki
, and
J.
Temmyo
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
43
,
L1088
(
2004
).
16.
A.
Osinsky
and
J.
Muth
, in
Wide Bandgap Light Emitting Materials and Devices
, edited by
G. F.
Neumark
,
I. L.
Kiskovsky
, and
H.
Jiang
(
Wiley
,
Weinheim, Germany
,
2007
), pp.
179
204
.
17.
O.
Lopatiuk-Tirpak
,
W. V.
Schoenfeld
,
L.
Chernyak
,
F. X.
Xiu
,
J. L.
Liu
,
S.
Jang
,
F.
Ren
,
S. J.
Pearton
,
A.
Osinsky
, and
P.
Chow
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
202110
(
2006
).
18.
H. W.
Liang
,
Y. M.
Lu
,
D. Z.
Shen
,
Y. C.
Liu
,
J. F.
Yan
,
C. X.
Shan
,
B. H.
Li
,
Z. Z.
Zhang
,
J. Y.
Zhang
, and
X. W.
Fan
,
Phys. Status Solidi A
202
,
1060
(
2005
).
19.
D. P.
Norton
,
Y. W.
Heo
,
M. P.
Ivill
,
K.
Ip
,
S. J.
Pearton
,
M. F.
Chisholm
, and
T.
Steiner
,
Mater. Today
7
,
34
(
2004
).
20.
K. A.
Bulashevich
,
I. Y.
Evstratov
,
V. N.
Nabokov
, and
S. Y.
Karpov
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
243502
(
2005
).
21.
A.
Osinsky
,
J. W.
Dong
,
M. Z.
Kauser
,
B.
Hertog
,
A. M.
Dabiran
,
P. P.
Chow
,
S. J.
Pearton
,
O.
Lopatiuk
, and
L.
Chernyak
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
4272
(
2004
).
22.
A.
Osinsky
and
S.
Karpov
, in
Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties and Applications
, edited by
C.
Jagadish
and
S. J.
Pearton
(
Elsevier
,
London
,
2006
), pp.
525
554
.
23.
K. A.
Bulashevich
,
I. Y.
Evstratov
, and
S. Y.
Karpov
,
Phys. Status Solidi A
204
,
241
(
2007
).
24.
See http://www.semitech.us/products/SiLENSe/ for details on the software package.
25.
S. Y.
Karpov
, in
Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation
, edited by
J.
Piprek
(
Wiley
,
Weinheim
,
2007
), p.
303
325
.
26.
H. S.
Yang
,
S. Y.
Han
,
Y. W.
Heo
,
K. H.
Baik
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
,
F.
Ren
,
A.
Osinsky
,
J. W.
Dong
,
B.
Hertog
,
A. M.
Dabiran
,
P. P.
Chow
,
L.
Chernyak
,
T.
Steiner
,
C. J.
Kao
, and
G. C.
Chi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
44
,
7296
(
2005
).
You do not currently have access to this content.