The effect of a small dose of gamma irradiation on transport characteristics of the two-dimensional electron gas (2DEG) in heterostructures was investigated. It is shown that the carrier concentration remains practically unchanged after an irradiation dose of , while the 2DEG mobility exhibits a considerable increase. The results are explained within a model that takes into account the relaxation of elastic strains and structural-impurity ordering occurring in the barrier layer under irradiation.
REFERENCES
1.
S. C.
Binari
, K.
Ikossi-Anastasiou
, J. A.
Roussos
, W.
Kruppa
, D.
Park
, H. B.
Dietrich
, D. D.
Koleske
, A. E.
Wickenden
, and R. L.
Henry
, IEEE Trans. Electron Devices
48
, 465
(2001
).2.
W.
Lu
, V.
Kumar
, R.
Schwindt
, E.
Piner
, and I.
Adesida
, Solid-State Electron.
46
, 1441
(2002
).3.
J. R.
Shealy
, T. R.
Prunty
, E. M.
Chumbes
, and B. K.
Ridley
, J. Cryst. Growth
250
, 7
(2003
).4.
S.
Arulkumaran
, T.
Egawa
, H.
Ishikawa
, T.
Jimbo
, and Y.
Sano
, Appl. Phys. Lett.
84
, 613
(2004
).5.
P.
Kordos
, P.
Kudela
, D.
Gergusova
, and D.
Donoval
, Semicond. Sci. Technol.
21
, 1592
(2006
).6.
D. J.
Chen
, Y. Q.
Tao
, C.
Chen
, R.
Zhang
, Y. D.
Zheng
, M. J.
Wang
, B.
Shen
, Z. H.
Li
, G.
Jiao
, and T. S.
Chen
, Appl. Phys. Lett.
89
, 252104
(2006
).7.
N.
Maeda
, M.
Hiroki
, N.
Watanabe
, Y.
Oda
, H.
Yokoyama
, T.
Yagi
, T.
Makimoto
, T.
Enoki
, and T.
Kobayashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
46
, 547
(2007
).8.
S.
Arulkumaran
, T.
Egawa
, and H.
Ishigawa
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
44
, 2953
(2005
).9.
D. J.
Chen
, Y. Q.
Tao
, C.
Chen
, R.
Zhang
, Y. D.
Zheng
, M. J.
Wang
, B.
Shen
, Z. H.
Li
, G.
Jiao
, and T. S.
Chen
, Appl. Phys. Lett.
89
, 252104
(2006
).10.
R.
Coffie
, D.
Buttari
, S.
Heikman
, S.
Keller
, A.
Chini
, L.
Chen
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
23
, 588
(2002
).11.
C. M.
Jeon
and J.-L.
Lee
, Appl. Phys. Lett.
86
, 172101
(2005
).12.
W.
Wang
, J.
Derluyn
, M.
Germain
, M.
Leys
, S.
Degroote
, D.
Schreurs
, and G.
Borghs
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
45
, L224
(2006
).13.
M.
Higashiwaki
, N.
Onojima
, T.
Matsui
, and T.
Mimura
, J. Appl. Phys.
100
, 033714
(2006
).14.
Z. H.
Feng
, Y. G.
Zhou
, S. J.
Cai
, and K. M.
Lau
, Appl. Phys. Lett.
85
, 5248
(2004
).15.
A. P.
Edwards
, J. A.
Mittereder
, S. C.
Binari
, D. S.
Katzer
, D. F.
Sotrm
, and J. A.
Roussos
, IEEE Electron Device Lett.
26
, 225
(2005
).16.
Y.
Guhel
, B.
Boudart
, N.
Vellas
, C.
Gaguiere
, E.
Delos
, D.
Ducatteau
, Z.
Bougrioua
, and M.
Germain
, Solid-State Electron.
49
, 1589
(2005
).17.
A. E.
Belyaev
, J.
Breza
, E. F.
Venger
, M.
Vesely
, I. Yu.
Il’in
, R. V.
Konakova
, J.
Linday
, V. G.
Lypin
, V. V.
Milenin
, I. V.
prokopenko
, and Yu. A.
Thorik
, Radiation Resistance of GaAs-Based Microwave Schottky-Barrier Devices
(Interpress Ltd.
, Kiev
, 1998
), p. 129
.18.
S. A.
Vitusevich
, N.
Klein
, A. E.
Belyaev
, S. V.
Danylyuk
, M. V.
Petrychuk
, R. V.
Konakova
, A. M.
Kurakin
, A. E.
Rengevich
, A. Yu.
Avksentyev
, B. A.
Danilchenko
, V.
Tilak
, J.
Smart
, A.
Vertiatchikh
, and L. F.
Eastman
, Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III
, MRS Symposia Proceedings No. 719
(Materials Research Society
, Pittsburgh
, 2002
), p. 33
.19.
S. A.
Vitusevich
, N.
Klein
, A. E.
Belyaev
, S. V.
Danylyuk
, M. V.
Petrychuk
, R. V.
Konakova
, A. M.
Kurakin
, A. E.
Rengevich
, A. Yu.
Avksentyev
, B. A.
Danilchenko
, V.
Tilak
, J.
Smart
, A.
Vertiatchikh
, and L. F.
Eastman
, Phys. Status Solidi A
195
, 101
(2003
).20.
S. A.
Vitusevich
, M. V.
Petrychuk
, N.
Klein
, S. V.
Danylyuk
, A. E.
Belyaev
, R. V.
Konakova
, A. Yu.
Avksentyev
, A. M.
Kurakin
, P. M.
Lytvyn
, B. A.
Danilchenko
, V.
Tilak
, J.
Smart
, A.
Vertiatchikh
, and L. F.
Eastman
, New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors
, MRS Symposia Proceedings No. 764
(Materials Research Society
, Pittsburgh
, 2003
), p. 183
.21.
G. H.
Olsen
and M.
Ettenberg
, J. Appl. Phys.
48
, 2543
(1977
).22.
D. G.
Polyakov
, F.
Evers
, A. D.
Mirlin
, and P.
Woelfle
, Phys. Rev. B
64
, 205306
(2001
).23.
A. F.
Brana
, C.
Diaz-Paniagua
, F.
Batallan
, J. A.
Garrido
, E.
Munoz
, and F.
Omnes
, J. Appl. Phys.
88
, 932
(2000
).24.
A.
Houghton
, J. R.
Senna
, and S. C.
Ying
, Phys. Rev. B
25
, 2196
(1982
).25.
B. L.
Altshuler
, D.
Khmelnitzkii
, A. I.
Larkin
, and P. A.
Lee
, Phys. Rev. B
22
, 5142
(1980
).26.
P. A.
Lee
and T. V.
Ramakrishnan
, Phys. Rev. B
26
, 4009
(1982
).27.
K. K.
Choi
, D. C.
Tsui
, and S. C.
Palmateer
, Phys. Rev. B
33
, 8216
(1986
).28.
A.
Houghton
, J. R.
Senna
, and S. C.
Ying
, Phys. Rev. B
25
, 2196
(1982
).29.
A. D.
Mirlin
, D. G.
Polyakov
, F.
Evers
, and P.
Wölfle
, Phys. Rev. Lett.
87
, 126805
(2001
).30.
P. A.
Lee
and T. V.
Ramakrishnan
, Rev. Mod. Phys.
57
, 287
(1985
).31.
H.-I.
Cho
, G. M.
Gusev
, Z. D.
Kvon
, V. T.
Renard
, J.-H.
Lee
, and J.-C.
Portal
, Phys. Rev. B
71
, 245323
(2005
).32.
A.
Bykhovski
, B.
Gelmont
, and M.
Shur
, J. Appl. Phys.
74
, 6734
(1993
).33.
F.
Bernardini
, V.
Fiorentini
, and D.
Vanderbilt
, Phys. Rev. B
56
, R10024
(1997
).34.
O.
Ambacher
, J. Phys.: Condens. Matter
14
, 3399
(2002
).35.
N.
Tang
, B.
Shen
, K.
Han
, Z. J.
Yang
, K.
Xu
, G. Y.
Zhang
, T.
Lin
, B.
Zhu
, W. Z.
Zhou
, L. Y.
Shang
, S. L.
Guo
, and J. H.
Chu
, J. Appl. Phys.
100
, 073704
(2006
).36.
V. I.
Kudashkin
, Semiconductors
40
, 433
(2006
).37.
J. F.
Janak
, Phys. Rev.
178
, 1416
(1968
).© 2008 American Institute of Physics.
2008
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
