An overview of the state of art in ferroelectric thin films is presented. First, we review applications: microsystems’ applications, applications in high frequency electronics, and memories based on ferroelectric materials. The second section deals with materials, structure (domains, in particular), and size effects. Properties of thin films that are important for applications are then addressed: polarization reversal and properties related to the reliability of ferroelectric memories, piezoelectric nonlinearity of ferroelectric films which is relevant to microsystems’ applications, and permittivity and loss in ferroelectric films—important in all applications and essential in high frequency devices. In the context of properties we also discuss nanoscale probing of ferroelectrics. Finally, we comment on two important emerging topics: multiferroic materials and ferroelectric one-dimensional nanostructures.

1.
D. W.
Chapman
,
J. Appl. Phys.
40
,
2381
(
1969
).
2.
M. H.
Francombe
,
Thin Solid Films
13
,
243
(
1972
).
3.
B. S.
Sharma
,
S. F.
Vogel
, and
P. I.
Prentky
,
Ferroelectrics
5
,
69
(
1973
).
4.
J. B.
Blum
and
S. R.
Gurkowich
,
J. Mater. Sci.
20
,
4479
(
1985
).
5.
K. D.
Budd
,
S. K.
Dey
, and
D. A.
Payne
,
Br. Ceram. Proc.
36
,
107
(
1988
).
6.
S. S.
Eaton
,
D. B.
Butler
,
M.
Parris
,
D.
Wilson
, and
H.
McNeillie
,
Dig. Tech. Pap.-IEEE Int. Solid-State Circuits Conf.
130
,
329
(
1988
).
7.
C. P.
de Araujo
,
G. W.
Taylor
, and
J. F.
Scott
, in
Ferroelectric Thin Films: Synthesis and Basic Properties
, edited by
C
Paz de Araujo
,
G. W.
Taylor
, and
J. F.
Scott
(
Gordon and Breach
,
Amsterdam
,
1996
).
8.
R.
Ramesh
, in
Thin Film Ferroelectric Materials and Devices
, edited by
R.
Ramesh
(
Kluwer Academinc
,
Dordrecht
,
1997
).
9.
N.
Setter
,
Electroceramic Based MEMS
(
Springer
,
New York
,
2005
).
10.
J. F.
Scott
and
C. A. P.
de Araujo
,
Science
246
,
1400
(
1989
).
11.
M.
Dawber
,
K. M.
Rabe
, and
J. F.
Scott
,
Rev. Mod. Phys.
77
,
1083
(
2005
).
12.
A.
Kingon
,
P.
Muralt
,
N.
Setter
, and
R.
Waser
,
Ceramic Materials for Electronics
, edited by
R. E.
Buchanan
(
Dekker
,
New York
,
2004
), pp.
465
526
.
13.
P.
Muralt
,
J. Micromech. Microeng.
10
,
136
(
2000
).
15.
T.
Maeder
,
P.
Muralt
,
M.
Kohli
,
A.
Kholkin
, and
N.
Setter
,
Br. Ceram. Proc.
54
,
206
(
1995
).
16.
P.
Muralt
,
J.
Baborowski
, and
N.
Ledermann
, in
Piezoelectric Materials in Devices
, edited by
N.
Setter
(
Ceramics Laboratory, EPFL
,
Lausanne, Switzerland
,
2002
), Chap. 12, pp.
231
260
.
17.
A. M.
Flynn
,
L. S.
Tavrow
,
S. F.
Bart
,
R. A.
Brooks
,
D. J.
Ehrlich
,
K. R.
Udayakumar
, and
L. E.
Cross
,
J. Microelectromech. Syst.
1
,
44
(
1992
).
18.
M. A.
Dubois
and
P.
Muralt
,
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control
45
,
1169
(
1998
).
19.
P.
Luginbuhl
,
S. D.
Collins
,
G. A.
Racine
,
M. A.
Grétillat
,
N. F.
de Rooij
,
K. G.
Brooks
, and
N.
Setter
,
J. Microelectromech. Syst.
6
,
337
(
1997
).
20.
Y.
Nemirovsky
,
A.
Nemirovsky
,
P.
Muralt
, and
N.
Setter
,
Sens. Actuators, A
56
,
239
(
1996
).
21.
N.
Ledermann
,
J.
Baborowski
,
A.
Seifert
,
B.
Willing
,
S.
Hiboux
,
P.
Muralt
,
N.
Setter
, and
M.
Forster
,
Integr. Ferroelectr.
35
,
177
(
2001
).
22.
T.
Fujii
and
S.
Watanabe
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
467
(
1996
).
23.
J. Y.
Park
,
Y. J.
Yee
,
H. J.
Nam
, and
J. U.
Bu
,
IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
2001
,
2111
.
24.
J.
Baborowski
,
N.
Ledermann
,
P.
Muralt
, and
D.
Schmitt
,
Int. J. Comput. Eng. Sci.
4
,
471
(
2003
).
25.
J. J.
Bernstein
 et al,
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control
44
,
960
(
1997
).
26.
T.
Yoshimura
and
S.
Trolier-McKinstry
,
J. Appl. Phys.
92
,
3979
(
2002
).
27.
Z.
Kighelman
,
D.
Damjanovic
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
90
,
4682
(
2001
).
28.
S.
Bühlmann
,
B.
Dwir
,
J.
Baborowski
, and
P.
Muralt
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
3195
(
2002
).
29.
N.
Ledermann
,
P.
Muralt
,
J.
Baborowski
,
S.
Gentil
,
K.
Mukati
,
M.
Cantoni
,
A.
Seifert
, and
N.
Setter
,
Sens. Actuators, A
105
,
162
(
2003
).
30.
J.
Quyang
,
R.
Ramesh
, and
A. L.
Roytburd
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
152901
(
2005
).
31.
R.
Maeda
,
T. T.
Tsaur
,
S. H.
Lee
, and
M.
Ichicki
, in
Electroceramic Based MEMS
, editer by
N.
Setter
(
Springer
,
New York
,
2005
), Chap. 2, pp.
19
36
.
32.
S. J.
Gross
,
S.
Tadigadapa
,
T. N.
Jackson
,
S.
Trolier-McKinstry
, and
Q. Q.
Zhang
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
1
(
2003
).
33.
Y. S.
Kim
,
C. S.
Lee
,
W. H.
Jin
,
S. S.
Jang
,
H. J.
Nam
, and
J. U.
Bu
,
Sens. Mater.
17
,
57
(
2005
).
34.
P. V. M.
Despont
 et al,
IBM J. Res. Dev.
44
,
323
(
2000
).
35.
P.
Muralt
, in
Electroceramic Based MEMS
, edited by
N.
Setter
(
Springer
,
New York
,
2005
), Chap. 3, pp.
37
48
.
36.
J.
Baborowski
,
Electroceramic Based MEMS
, edited by
N.
Setter
(
Springer
,
New York
,
2005
), Chap. 13, pp.
325
360
.
37.
G.
Percin
and
B. T.
Khuri-Yakub
,
Rev. Sci. Instrum.
73
,
2193
(
2002
).
38.
K.
Yamashita
 et al,
Sens. Actuators, A
97
,
302
(
2002
).
39.
K. M.
Lakin
and
J. S.
Wang
,
Appl. Phys. Lett.
38
,
125
(
1981
).
40.
K. M.
Lakin
,
G. R.
Kline
, and
K. T.
McCarron
,
IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
43
,
2933
(
1995
).
41.
P.
Muralt
and
R.
Lanz
, in
Piezoelectric Materials in Devices
, edited by
N.
Setter
(
Ceramics Laboratory, EPFL
,
Lausanne, Switzerland
,
2002
), Chap. 15, pp.
303
314
.
42.
N.
Ylilammi
,
J.
Ella
,
M.
Partanen
, and
J.
Kaitila
,
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control
49
,
535
(
2002
).
43.
F.
Martin
,
P.
Muralt
, and
M. A.
Dubois
,
J. Vac. Sci. Technol. A
22
,
361
(
2004
).
44.
A.
Ballato
,
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control
41
,
834
(
1994
).
45.
M. A.
Dubois
and
P.
Muralt
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
3032
(
1999
).
46.
J.
Kaitila
,
M.
Yililammi
,
J.
Molaris
,
J.
Ellä
, and
T.
Makkonen
,
Proc.-IEEE Ultrason. Symp.
803
(
2001
).
47.
P.
Muralt
and
R.
Lanz
, in
Piezoelectric Materials in Devices
, edited by
N.
Setter
(
Ceramics Laboratory, EPFL
,
Lausanne, Switzerland
,
2002
), Chap. 15, p.
312
.
49.
H. P.
Loebl
,
C.
Metzmacher
,
R. F.
Milsom
,
P.
Lok
, and
A.
Tuinhout
, in
Electroceramic Based MEMS
, edited by
N.
Setter
(
Springer
,
New York
,
2005
), Chap. 6, p.
115
.
50.
S.
Gevorgian
, in
Electroceramic-Based MEMS
, edited by
N.
Setter
(
Springer
,
New York
,
2005
), Chap. 7, p.
133
.
51.
A.
Vorobiev
,
P.
Rundqvist
,
K.
Khamchane
, and
S.
Gevorgian
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
3144
(
2003
).
52.
V. E.
Demidov
,
B. A.
Kalinikos
,
S. F.
Karmanenko
,
A. A.
Semenov
, and
P.
Edenhofer
,
IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
51
,
2090
(
2003
).
53.
Q. X.
Jia
,
J. R.
Groves
,
P.
Arendt
,
Y.
Fan
,
A. T.
Findikoglu
,
S. R.
Foltyn
,
H.
Jiang
, and
F. A.
Miranda
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
1564
(
1999
).
54.
S.
Gevorgian
,
S.
Abadei
,
H.
Berg
, and
H.
Jacobsson
,
IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
2
,
1195
(
2001
).
55.
H. H.
Fiallo
,
J. P.
Dougherty
,
S. J.
Jang
,
R. E.
Newnham
, and
L. A.
Carpenter
,
IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
42
,
1176
(
1994
).
56.
S.
Gevorgian
and
E.
Kollberg
,
IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
49
,
2117
(
2001
).
57.
S.
Gevorgian
,
IEEE International Microwave Symposium Workshop on Ferroeletric Materials and Devices for Microwave Applications
,
Philadelphia
,
2003
(unpublished).
58.
V. V.
Lemanov
,
A. V.
Sotnikov
,
E. P.
Smirnova
,
M.
Weihnacht
, and
R.
Kunze
,
Solid State Commun.
110
,
611
(
1999
).
59.
E.
Kollberg
,
J.
Stake
, and
L.
Dillner
,
Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A
354
,
2383
(
1996
).
62.
S.
Gevorgian
,
P. K.
Petrov
,
Z.
Ivanov
, and
E.
Wikborg
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
1861
(
2001
).
63.
S.
Gevorgian
,
H.
Jacobsson
, and
T.
Lewin
, U.S. Patent Application No. PCT/SE 2004/00329 (
2004
).
64.
O. G.
Vendik
and
S. P.
Zubko
,
J. Appl. Phys.
82
,
4475
(
1997
).
65.
Ferroelectric Random Access Memories
, of
Topics in Applied Physics
, vol.
93
, edited by
H.
Ishiwara
and
M.
Okuyama
(
Springer-Verlag
,
Berlin
,
2004
).
66.
J. F.
Scott
,
Ferroelectric Memories
,
Springer Series in Advanced Microelectronics
(
Springer-Verlag
,
Berlin
,
2000
).
67.
J.
Evans
and
R.
Womack
,
IEEE J. Solid-State Circuits
23
,
1171
(
1988
).
68.
R.
Womack
and
D.
Tolsch
,
Dig. Tech. Pap.-IEEE Int. Solid-State Circuits Conf.
1989
, p.
242
.
69.
C. A. P.
de Araujo
,
J. D.
Cuchiaro
,
L. D.
MacMillan
,
M. C.
Scott
, and
J. F.
Scott
,
Nature (London)
374
,
627
(
1995
).
70.
T.
Sumi
 et al,
Dig. Tech. Pap.-IEEE Int. Solid-State Circuits Conf.
1994
, p.
268
.
71.
E.
Choi
 et al,
Integr. Ferroelectr.
66
,
107
(
2004
).
72.
S.
Sinharoy
,
H.
Buhay
,
D. R.
Lampe
, and
M. H.
Francombe
,
J. Vac. Sci. Technol. A
10
,
1554
(
1992
).
73.
H.
Volz
,
K.
Koger
, and
H.
Schmitt
,
Ferroelectrics
56
,
161
(
1984
).
74.
T.
Hayashi
 et al,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
2002
.
75.
H.
Kim
,
S.
Yamamoto
, and
H.
Ishiwara
,
Integr. Ferroelectr.
67
,
271
(
2004
).
76.
F.
Chu
,
G.
Fox
, and
T.
Davenport
,
Integr. Ferroelectr.
36
,
43
(
2001
).
77.
F.
Chu
,
G.
Fox
,
T.
Davenport
,
Y.
Miyaguchi
, and
K.
Suu
,
Integr. Ferroelectr.
48
,
161
(2002).
78.
A.
Itoh
 et al,
Proc. IEEE VLSI Tech. Symposium
,
2000
.
79.
W.
Kraus
,
L.
Lehman
,
D.
Wilson
,
T.
Yamasaki
,
C.
Ohno
,
E.
Nagai
,
H.
Yamazaki
, and
H.
Suziki
,
Symp. VLSI Circuits
, 1998, p.
242
.
80.
G. R.
Fox
and
S.
Summerfelt
,
in Magnetic and Electronic Films -Microstructure, Texture and Application to Data Storage
, edited by
P. W.
DeHaven
,
D. P.
Field
,
S. D.
Harkness
,
J. A.
Sutliff
,
J. A.
Szpunar
,
L.
Tang
,
T.
Thomson
, and
V. D.
Vaudin
(
Materials Research Society
,
Pittsburgh, PA
,
2002
), p.
145
.
81.
E.
Fujii
and
K.
Uchiyama
,
Integr. Ferroelectr.
53
,
317
(
2003
).
82.
Y.
Horii
 et al,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
2002
, p.
539
.
83.
H. J.
Joo
 et al,
Integr. Ferroelectr.
68
,
139
(
2004
).
84.
T. S.
Moise
 et al,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
1999
, p.
940
.
85.
D.
Takashima
and
Y.
Oowaki
,
Ferroelectric Random Access Memories
,
Topics in Applied Physics
Vol.
93
, (
Springer-Verlag
,
Berlin
,
2004
), p.
198
.
86.
H.
McAdams
 et al,
IEEE J. Solid-State Circuits
39
,
1
(
2004
).
87.
T. S.
Moise
 et al,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
2002
, p.
535
.
88.
J. A.
Rodriguez
 et al,
IEEE Trans. Device Mater. Reliab.
4
,
436
(
2004
).
89.
Y.
Arimoto
and
H.
Ishiwara
,
MRS Bull.
29
,
823
(
2004
).
90.
H.
Ishiwara
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
596
,
427
(
2000
).
91.
H.
Kohlstedt
and
H.
Ishiwara
, in
Nanoelectronics and Information Technology: Advanced Electronic Materrial and Novel Devices
, edited by
R.
Waser
(
Wiley-VCH
,
Weinheim
,
2002
), Chap. 14, p.
387
.
92.
I. M.
Ross
, U.S. Patent No. 2,791,760 (
1957
).
93.
J. L.
Moll
and
Y.
Tarui
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-10
,
338
(
1963
).
94.
S. Y.
Wu
,
IEEE Trans. Electron Devices
ED-21
,
499
(
1974
).
95.
K.
Takahashi
,
K.
Manabe
,
A.
Morioka
,
T.
Ikarashi
,
T.
Yoshihara
,
H.
Watanabe
, and
T.
Tatsumi
,
Abstracts of the International Conference Solid State Devices and Materials
,
Tokyo
,
2004
(unpublished), Paper No. 1–2..
96.
S. A.
Chambers
,
Y.
Liang
,
Z.
Yu
,
R.
Droopad
,
J.
Ramdani
, and
K.
Eisenbeiser
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
1662
(
2000
).
97.
C. J.
Förster
,
C. R.
Ashman
,
K.
Schwarz
, and
P. E.
Blöchl
,
Nature (London)
427
,
53
(
2004
).
98.
R. A.
McKee
,
F. J.
Walker
, and
M. F.
Chisholm
,
Phys. Rev. Lett.
81
,
3014
(
1998
).
99.
I. P.
Batra
,
P.
Würfel
, and
B. D.
Silverman
,
Phys. Rev. Lett.
30
,
384
(
1973
).
100.
R. R.
Metha
,
B. D.
Siverman
, and
J. T.
Jacobs
,
J. Appl. Phys.
44
,
3379
(
1973
).
101.
T.
Furukawa
,
Phase Transitions
18
,
143
(
1989
).
102.
S. H.
Lim
,
A. C.
Rastogi
, and
S. B.
Desu
,
J. Appl. Phys.
96
,
5673
(
2004
).
103.
T. J.
Reece
,
A.
Ducharme
,
A. V.
Sorokin
, and
M.
Poulsen
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
142
(
2003
).
104.
N.
Yamauchi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
25
,
590
(
1986
).
105.
R. C. G.
Naber
,
C.
Tanase
,
P. W. M.
Blom
,
G. H.
Gelinck
,
A. W.
Marsman
,
F. J.
Touwslager
,
S.
Setayesh
, and
D. M.
De Leeuw
,
Nat. Mater.
4
,
243
(
2005
).
106.
R.
Schroeder
,
L.
Majewski
, and
M.
Grell
,
Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
16
,
633
(
2004
).
107.
G. H.
Gelinck
,
A. W.
Marsman
,
F. J.
Touwslager
,
S.
Setayesh
,
D. M.
de Leeuw
,
R. C. G.
Naber
, and
P. W. M.
Blom
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
092903
(
2005
).
108.
P. W. M.
Blom
,
R. M.
Wolf
,
J. F. M.
Cillessen
, and
M. P. C. M.
Krijn
,
Phys. Rev. Lett.
73
,
2107
(
1994
).
109.
K.
Gotoh
,
H.
Tamaura
,
H.
Takauchi
, and
A.
Yoshida
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
,
39
(
1996
).
110.
M.
Okano
and
Y.
Watanabe
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
233
(
2000
).
111.
R.
Meyer
and
H.
Kohlstedt
,
IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control
(in press).
112.
W.
Zhao
and
D.
Jena
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
2095
(
2004
).
113.
L.
Esaki
,
R. B.
Laibowitz
, and
P. J.
Stiles
,
IBM Tech. Discl. Bull.
13
,
2161
(
1971
).
114.
H.
Kohlstedt
,
N. A.
Pertsev
, and
R.
Waser
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
688
,
161
(
2002
).
115.
H.
Qu
,
W.
Yao
,
T.
Garcia
,
J.
Zhang
,
A. V.
Sorokin
,
S.
Ducharme
,
P. A.
Dowben
, and
V. M.
Fridkin
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
4322
(
2003
).
116.
J. R.
Contreras
,
H.
Kohlstedt
,
U.
Poppe
,
R.
Waser
,
C.
Buchal
, and
N. A.
Pertsev
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
4595
(
2003
).
117.
R.
Wolf
,
P. W. M.
Blom
, and
M. P. C.
Krijn
, U.S. Patent No. 5,541,422 (
1996
).
118.
M.
Indlekofer
and
H.
Kohlstedt
,
Europhys. Lett.
72
,
282
(
2005
).
119.
M. Y.
Zhuravlev
,
R. F.
Sabirianov
,
S. S.
Jaswal
, and
E. Y.
Tsymbal
,
Phys. Rev. Lett.
94
,
246802
(
2005
).
120.
H.
Kohlstedt
,
N. A.
Pertsev
,
J. R.
Contreras
, and
R.
Waser
,
Phys. Rev. B
72
,
125341
(
2005
).
121.
D. P.
Oxley
,
Electrocomponent Sci. Technol.
3
,
217
(
1977
).
122.
D. M.
Schaadt
,
E. T.
Yu
,
V.
Vaithyanathan
, and
D.
Schlom
,
J. Vac. Sci. Technol. B
22
,
2030
(
2004
).
123.
A.
Dietzel
, in
Nanoelectronics and Information Technology: Advanced Electronic Materials and Novel Devices
, edited by
R.
Waser
(
Wiley-VCH
,
Weinheim
,
2002
), Chap. 24, p.
617
.
124.
G.
Binasch
,
P.
Grünberg
,
F.
Saurenbach
, and
W.
Zinn
,
Phys. Rev. B
39
,
4828
(
1989
).
125.
Nanoscale Characterization of Ferroelectric Materials, Nanoscience and Technology
, edited by
M.
Alexe
and
A.
Gruverman
(
Springer-Verlag
,
Berlin
,
2004
).
126.
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films
, edited by
S.
Hong
(
Kluwer Academic
,
Dordrecht
,
2004
).
127.
K.
Franke
,
J.
Besold
,
W.
Haessler
, and
C.
Seegebrath
,
Surf. Sci.
302
,
L283
(
1994
).
128.
T.
Tybell
,
P.
Raruch
,
T.
Giamarchi
, and
J. M.
Trescone
,
Phys. Rev. Lett.
89
,
097601
(
2002
).
129.
T.
Tybell
,
C. H.
Ahn
, and
J. M.
Triscone
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
856
(
1999
).
130.
H.
Shin
,
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films
(Ref. 126), Chap. XI, p.
263
.
131.
H.
Birk
,
J.
Glatz-Reichenbach
,
E.
Schreck
, and
K.
Dransfeld
,
J. Vac. Sci. Technol. B
6
,
1162
(
1991
).
132.
Y.
Cho
,
K.
Fujimoto
,
Y.
Hiranaga
,
Y.
Wagatsuma
,
A.
Onoe
,
K.
Terabe
, and
K.
Kitamura
,
Nanotechnology
14
,
637
(
2003
).
133.
T. P.
Ma
and
J.-P.
Han
,
IEEE Electron Device Lett.
23
,
386
(
2002
).
134.
S. R.
Summerfelt
, in
Thin Film Ferroelectric Materials and Devices
, edited by
R.
Ramesh
(
Kluwer Academic
,
Norwell
, MA,
1997
).
135.
H. N.
Al-Shareef
and
A. I.
Kingon
, in
Ferroelectric Thin Films: Synthesis and Basic Properties
, edited by
C. A.
Paz de Araujo
,
J. F.
Scott
, and
G. W.
Taylor
(
Gordon and Breach
,
New York
,
1996
), Chap. 7.
136.
A. K.
Tagantsev
,
I.
Stolichnov
,
E.
Colla
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
,
90
,
1387
(
2001
).
137.
H. N.
Al-Shareef
,
D.
Dimos
,
W. L.
Warren
, and
B. A.
Tuttle
,
J. Appl. Phys.
80
,
4573
(
1996
).
138.
G.
Arlt
and
H.
Neumann
,
Ferroelectrics
87
,
109
(
1988
).
139.
M.
Grossmann
,
O.
Lohse
,
D.
Bolten
,
U.
Boettger
,
R.
Waser
,
W.
Hartner
,
M.
Kastner
, and
G.
Schindler
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
363
(
2000
).
140.
A.
Gruverman
,
B. J.
Rodriguez
,
A. I.
Kingon
,
R. J.
Nemanich
,
J. S.
Cross
, and
M.
Tsukada
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
3071
(
2003
).
141.
B. H.
Park
,
B. S.
Kang
,
S. D.
Bu
,
T. W.
Noh
,
J.
Lee
, and
W.
Jo
,
Nature (London)
401
,
682
(
1999
).
142.
A.
Lin
,
X.
Hong
,
V.
Wood
,
A. A.
Verevkin
,
C. H.
Ahn
,
R. A.
McKee
,
F. J.
Walker
, and
E. D.
Specht
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
2034
(
2001
).
143.
A.
Gruverman
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
1452
(
1999
).
144.
V.
Nagarajan
,
S.
Aggarwal
,
A.
Gruverman
,
R.
Ramesh
, and
R.
Waser
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
262910
(
2005
).
145.
H.
Funakubo
, et al,
Mater. Sci. Eng., B
118
,
23
(
2005
), and references therein.
146.
T.
Oikawa
,
M.
Aratani
,
K.
Saito
, and
H.
Funakubo
,
J. Cryst. Growth
237–239
,
455
(
2002
).
147.
C. M.
Foster
,
G. R.
Bai
,
R.
Csencsits
,
J.
Vetrone
,
R.
Jammy
,
L. A.
Wills
,
E.
Carr
, and
J.
Amano
,
J. Appl. Phys.
81
,
2349
(
1997
).
148.
B.
Jaffe
,
W.
Jaffe
, and
R.
Cook
,
Piezoelectric Ceramics
(
Academic
,
London
,
1972
).
149.
C.
Dehoff
,
B. J.
Rodriguez
,
A. I.
Kingon
,
R. J.
Nemanich
,
A.
Gruverman
, and
J. S.
Cross
,
Rev. Sci. Instrum.
76
,
023708
(
2005
).
150.
J.
Li
,
H.
Liang
,
B.
Nagaraj
,
W.
Cao
,
C. H.
Lee
, and
R.
Ramesh
,
J. Lightwave Technol.
21
,
3283
(
2003
).
151.
J.
Li
,
B.
Nagaraj
,
H.
Liang
,
W.
Cao
,
C. H.
Lee
, and
R.
Ramesh
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
1174
(
2004
).
152.
E.
Sviridov
,
V.
Alyoshin
,
V.
Mukhortov
,
Y.
Golovko
,
V.
Dudkevich
, and
E.
Fesenko
,
Ferroelectrics
56
,
1153
(
1984
).
153.
E.
Sviridov
,
V.
Alyoshin
,
Y.
Golovko
,
I.
Zakharchenko
,
V.
Mukhortov
, and
V.
Dudkevich
,
Ferroelectrics
128
,
1
(
1992
).
154.
H.
Odagawa
and
Y.
Cho
,
Ferroelectrics
251
,
29
(
2001
).
155.
C. S.
Ganpule
, et al,
Appl. Phys. Lett.
77
,
292
(
2000
).
156.
A.
Seifert
,
F. F.
Lange
, and
J. S.
Speck
,
J. Mater. Res.
10
,
680
(
1995
).
157.
T.
Maruyama
,
M.
Saitoh
,
T. H. I.
Sakai
,
Y.
Yano
, and
T.
Noguchi
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
3524
(
1998
).
158.
A. L.
Roytburd
,
S. P.
Alpay
,
L. A.
Bendersky
,
V.
Nagarajan
, and
R.
Ramesh
,
J. Appl. Phys.
89
,
553
(
2001
).
159.
C. M.
Foster
, et al,
J. Appl. Phys.
78
,
2607
(
1995
).
160.
K. S.
Lee
and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
87
,
8035
(
2000
).
161.
B. S.
Kwak
,
A.
Erbil
,
B. J.
Wilkens
,
J. D.
Budai
,
M. F.
Chisholm
, and
L. A.
Boatner
,
Phys. Rev. Lett.
68
,
3733
(
1992
).
162.
R.
Ahluwalia
and
W.
Cao
,
J. Appl. Phys.
89
,
8105
(
2001
).
163.
W. Y.
Hsu
and
R.
Raj
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
792
(
1995
).
164.
S. P.
Alpay
,
A. S.
Prakash
,
S.
Aggarwal
,
R.
Ramesh
, and
A. L.
Roytburd
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
493
,
111
(
1998
).
165.
Y. M.
Kang
and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
82
,
2532
(
1997
).
166.
B. S.
Kwak
,
A.
Erbil
,
J. D.
Budai
,
M. F.
Chisholm
,
L. A.
Boatner
, and
B. J.
Wilkens
,
Phys. Rev. B
49
,
14865
(
1994
).
167.
K. S.
Lee
and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
85
,
1995
(
1999
).
168.
K. S.
Lee
,
Y. M.
Kang
, and
S.
Baik
,
Integr. Ferroelectr.
14
,
43
(
1997
).
169.
T.
Ogawa
,
A.
Senda
, and
T.
Kasanami
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
30
,
2145
(
1991
).
170.
V.
Srikant
,
E. J.
Tarse
,
D. R.
Clarke
, and
J. S.
Speck
,
J. Appl. Phys.
77
,
1517
(
1995
).
171.
D. L.
Kaiser
,
M. D.
Vaudin
,
L. D.
Rotter
,
Z. L.
Wang
,
J. P.
Cline
,
C. S.
Hwang
,
R. B.
Marinenko
, and
J. G.
Gillen
,
Appl. Phys. Lett.
66
,
2801
(
1995
).
172.
Z.
Surowiak
,
V. M.
Mukhortov
, and
V. P.
Dudkevich
,
Ferroelectrics
139
,
1
(
1993
).
173.
S.
Tsunekawa
,
T.
Fukuda
,
T.
Ozaki
,
Y.
Yoneda
,
T.
Okabe
, and
H.
Terauchi
,
J. Appl. Phys.
84
,
999
(
1998
).
174.
S.
Tsunekawa
,
T.
Fukuda
,
T.
Ozaki
,
Y.
Yoneda
, and
H.
Terauchi
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
1486
(
1997
).
175.
S. K.
Streiffer
, et al,
Phys. Rev. Lett.
89
,
067601
(
2002
).
176.
S. K.
Streiffer
, et al,
J. Appl. Phys.
83
,
2742
(
1998
).
177.
A. E.
Romanov
,
A.
Vojta
,
W.
Pompe
,
M. J.
Lefevre
, and
J. S.
Speck
,
Phys. Status Solidi A
172
,
225
(
1999
).
178.
C. H.
Lin
,
B. M.
Yen
,
R. S.
Batzer
, and
H.
Chen
,
Ferroelectrics
221
,
237
(
1999
).
179.
C. E.
Zybill
, et al,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
541
,
449
(
1999
).
180.
C. E.
Zybill
,
B.
Li
,
F.
Koch
, and
T.
Graf
,
Phys. Status Solidi A
177
,
303
(
2000
).
181.
V.
Gopalan
and
R.
Raj
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
1323
(
1996
).
182.
V.
Gopalan
and
R.
Raj
,
J. Appl. Phys.
81
,
865
(
1997
).
183.
Y.
Barad
,
J.
Lettieri
,
C. D.
Theis
,
D. G.
Schlom
,
V.
Gopalan
,
J. C.
Jiang
, and
X. Q.
Pan
,
J. Appl. Phys.
89
,
1387
(
2001
).
184.
A.
Gruverman
and
Y.
Ikeda
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
37
,
L939
(
1998
).
185.
M. A.
Zurbuchen
,
G.
Asayama
,
D. G.
Schlom
, and
S. K.
Streiffer
,
Phys. Rev. Lett.
88
,
107601
(
2002
).
186.
A. L.
Roytburd
,
Phys. Status Solidi A
37
,
329
(
1976
).
187.
W.
Pompe
,
X.
Gong
,
Z.
Suo
, and
J. S.
Speck
,
J. Appl. Phys.
74
,
6012
(
1993
).
188.
N. A.
Pertsev
and
A. G.
Zembilgotov
,
J. Appl. Phys.
78
,
6170
(
1995
).
189.
A. E.
Romanov
,
W.
Pompe
, and
J. S.
Speck
,
J. Appl. Phys.
79
,
4037
(
1996
).
190.
V. G.
Koukhar
,
N. A.
Pertsev
, and
R.
Waser
,
Phys. Rev. B
64
,
214103
(
2001
).
191.
Y. L.
Li
,
S. Y.
Hu
,
Z. K.
Liu
, and
L. Q.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
3878
(
2001
).
192.
A. L.
Roytburd
,
J. Appl. Phys.
83
,
239
(
1998
).
193.
A. L.
Roytburd
, in
Thin Films Ferroelectric Material and Devices
, edited by
R.
Ramesh
(
Kluwer Academic
,
Boston
,
1997
).
194.
N. A.
Pertsev
and
V. G.
Koukhar
,
Phys. Rev. Lett.
84
,
3722
(
2000
).
195.
Y. L.
Li
,
S.
Choudhury
,
Z. K.
Liu
, and
L. Q.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
1608
(
2003
).
196.
Y. L.
Li
,
S. Y.
Hu
,
Z. K.
Liu
, and
L. Q.
Chen
,
Acta Mater.
50
,
395
(
2002
).
197.
A. K.
Tagantsev
(unpublished).
198.
K.
Lee
,
K. S.
Lee
, and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
90
,
6327
(
2001
).
199.
A. M.
Bratkovsky
and
A. P.
Levanyuk
,
Phys. Rev. Lett.
80
,
3177
(
2000
).
200.
A.
Kopal
,
P.
Mokry
,
J.
Fousek
, and
T.
Bahnik
,
Ferroelectrics
223
,
127
(
1999
).
201.
G. B.
Stephenson
and
K. R.
Elder
(unpublished).
202.
S. P.
Alpay
,
V.
Nagarajan
,
A.
Bendersky
,
M. D.
Vaudin
,
S.
Aggarwal
,
R.
Ramesh
, and
A. L.
Roytburd
,
J. Appl. Phys.
85
,
3271
(
1999
).
203.
S. P.
Alpay
and
A. L.
Roytburd
,
J. Appl. Phys.
83
,
4714
(
1998
).
204.
L. S. J.
Peng
,
X. X.
Xi
,
B. H.
Moeckly
, and
S. P.
Alpay
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
4592
(
2003
).
205.
C. L.
Canedy
,
H.
Li
,
S. P.
Alpay
,
L.
Salamanca-Riba
,
A. L.
Roytburd
, and
R.
Ramesh
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
1695
(
2000
).
206.
H.
Li
,
A. L.
Roytburd
,
S. P.
Alpay
,
T. D.
Tran
,
L.
Salamanca-Riba
, and
R.
Ramesh
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
2354
(
2001
).
207.
A. K.
Tagantsev
,
V. O.
Sherman
,
K. F.
Astafiev
,
J.
Venkatesh
, and
N.
Setter
,
J. Electroceram.
11
,
5
(
2003
).
208.
J. H.
Haeni
, et al,
Nature (London)
430
,
758
(
2004
).
209.
B. H.
Park
,
E. J.
Peterson
,
Q. X.
Jia
,
J.
Lee
,
X.
Zeng
,
W.
Si
, and
X. X.
Xi
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
533
(
2001
).
210.
T.
Yamada
,
K. F.
Astafiev
,
V. O.
Sherman
,
A. K.
Tagantsev
,
P.
Muralt
, and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
142904
(
2005
).
211.
T.
Yamada
,
K. F.
Astafiev
,
V. O.
Sherman
,
A. K.
Tagantsev
,
P.
Muralt
,
D.
Su
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
98
,
054105
(
2005
).
212.
J.
Schubert
,
O.
Trithaveesak
,
A.
Petraru
,
C. L.
Jia
,
R.
Uecker
,
P.
Reiche
, and
D. G.
Schlom
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
3460
(
2003
).
213.
J. W.
Matthews
and
A. E.
Blakeslee
,
J. Cryst. Growth
27
,
118
(
1974
).
214.
D.-W.
Kim
,
D.-H.
Kim
,
B.-S.
Kang
,
T. W.
Noh
,
D. R.
Lee
, and
K. B.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
2176
(
1999
).
215.
T.
Ohnishi
,
K.
Takahashi
,
M.
Nakamura
,
M.
Kawasaki
,
M.
Yoshimoto
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
2531
(
1999
).
216.
A.
Ohtomo
and
H. Y.
Hwang
,
Nature (London)
427
,
423
(
2004
).
217.
See, for instance,
R.
Kretschmer
and
K.
Binder
,
Phys. Rev. B
20
,
1065
(
1979
);
D. R.
Tilley
and
B.
Zeks
,
Solid State Commun.
49
,
823
(
1984
).
218.
M. D.
Glinchuk
,
E. A.
Eliseev
, and
V. A.
Stephanovich
,
Physica B
322
,
356
(
2002
).
219.
C.
Zhou
and
D. M.
Newns
,
J. Appl. Phys.
82
,
3081
(
1997
).
220.
T.
Mitsui
and
J.
Furuichi
,
Phys. Rev.
90
,
193
(
1953
).
221.
I. P.
Batra
,
P.
Wurfel
, and
B. D.
Silverman
,
Phys. Rev. B
8
,
3257
(
1973
).
222.
P.
Wurfel
,
I. P.
Batra
, and
J. T.
Jacobs
,
Phys. Rev. Lett.
30
,
1218
(
1973
).
223.
See, for instance,
N. A.
Pertsev
and
V. G.
Koukhar
,
Phys. Rev. Lett.
84
,
3722
(
2000
).
224.
Y. L.
Li
,
S. Y.
Hu
, and
L. Q.
Chen
,
J. Appl. Phys.
97
,
34112
(
2005
).
225.
See, for instance,
K.
Ishikawa
,
T.
Nomura
,
N.
Okada
, and
K.
Takada
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
,
5196
(
1996
).
226.
A. I.
Kingon
and
S.
Srinivasan
,
Nat. Mater.
4
,
233
(
2005
).
227.
M. D.
Losego
,
L. H.
Jimison
,
J. F.
Ihlefeld
, and
J. P.
Maria
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
172906
(
2005
).
228.
R. W.
Schwartz
,
Chem. Mater.
9
,
2325
(
1997
).
229.
L. M.
Doeswijk
,
G.
Rijnders
, and
D. H. A.
Blank
,
Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
A78
,
263
(
2004
).
230.
D. A.
Muller
,
N.
Nakagawa
,
A.
Ohtomo
,
J. L.
Grazul
, and
H. Y.
Hwang
,
Nature (London)
430
,
657
(
2004
).
231.
A.
Ohtomo
,
D. A.
Muller
,
J. L.
Grazul
, and
H. Y.
Hwang
,
Nature (London)
419
,
378
(
2002
).
232.
G. J. H. M.
Rijnders
,
A. G.
Koster
,
D. H. A.
Blank
, and
H.
Rogalla
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
1888
(
1997
).
233.
S. D.
Bu
,
M. K.
Lee
,
C. B.
Eom
,
W.
Tian
,
X. Q.
Pan
,
S. K.
Streiffer
, and
J. J.
Krajewski
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
3482
(
2001
).
234.
T.
Maeder
,
P.
Muralt
, and
L.
Sagalowicz
,
Thin Solid Films
345
,
300
(
1999
).
235.
P.
Muralt
, et al,
J. Appl. Phys.
83
,
3835
(
1998
).
236.
B.
Pachaly
,
R.
Bruchhaus
,
D.
Pitzer
,
H.
Huber
,
W.
Wersing
, and
F.
Koch
,
Integr. Ferroelectr.
5
,
333
(
1994
).
237.
N. K.
Pervez
,
P. J.
Hansen
, and
R. A.
York
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
4451
(
2004
).
238.
J. M.
Trsicone
,
L.
Frauchiger
,
M.
Decroux
,
L.
Mieville
,
O.
Fischer
,
C.
Beeli
,
P.
Stadelmann
, and
G. A.
Racine
,
J. Appl. Phys.
79
,
4298
(
1996
).
239.
C. D.
Theis
,
J.
Yeh
,
D. G.
Schlom
,
M. E.
Hawley
, and
G.
Brown
,
Thin Solid Films
325
,
107
(
1998
).
240.
M. P.
Warusawithana
,
E. V.
Colla
,
J. N.
Eckstein
, and
M. B.
Weissman
,
Phys. Rev. Lett.
90
,
036802
(
2003
).
241.
G. R.
Bai
,
I.-F.
Tsu
,
A.
Wang
,
C. M.
Foster
,
C. E.
Murray
, and
V. P.
Dravid
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
1572
(
1998
).
242.
M.
de Keijser
and
G. J. M.
Dormans
,
J. Cryst. Growth
149
,
215
(
1995
).
243.
M.
de Keijser
and
G. J. M.
Dormans
,
MRS Bull.
21
,
37
(
1996
).
244.
M.
de Keijser
,
G. J. M.
Dormans
,
J. F. M.
Cillessen
,
D. M.
de Leeuw
, and
H. W.
Zandbergen
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
2636
(
1991
).
245.
G. J. M.
Dormans
,
P. J.
van Veldhoven
, and
M.
de Keijser
,
J. Cryst. Growth
123
,
537
(
1992
).
246.
Y. K.
Kim
,
H.
Morioka
,
R.
Ueno
,
S.
Yokoyama
, and
H.
Funakubo
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
21290
(
2005
).
247.
B. S.
Kwak
,
E. P.
Boyd
, and
A.
Erbil
,
Appl. Phys. Lett.
53
,
1702
(
1988
).
248.
Z.
Li
,
C. M.
Foster
,
D.
Guo
,
H.
Zhang
,
G. R.
Bai
,
P. M.
Baldo
, and
L. E.
Rehn
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
1106
(
1994
).
249.
M. V. R.
Murty
,
S. K.
Streiffer
,
G. B.
Stephenson
,
J. A.
Eastman
,
G. R.
Bai
,
A.
Munkholm
,
O.
Auciello
, and
C.
Thompson
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
1809
(
2002
).
250.
A.
Nagai
,
H.
Morioka
,
G.
Asano
,
H.
Funakubo
, and
A.
Saiki
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
142906
(
2005
).
251.
M.
Okada
,
S.
Takai
,
M.
Amemiya
, and
K.
Tominaga
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
28
,
1030
(
1989
).
252.
J. F.
Roeder
,
T. H.
Baum
,
S. M.
Bilodeau
,
G. T.
Stauf
,
C.
Ragaglia
,
M. W.
Russell
, and
P. C. V.
Buskirk
,
Adv. Mater. Opt. Electron.
10
,
145
(
2000
).
253.
K.
Saito
,
I.
Yamaji
,
T.
Akai
,
M.
Mitsuya
, and
H.
Funakubo
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
539
(
2003
).
254.
C. H.
Ahn
,
K. M.
Rabe
, and
J. M.
Triscone
,
Science
303
,
488
(
2004
).
255.
M.
Dawber
,
K. M.
Rabe
, and
J. F.
Scott
,
Rev. Mod. Phys.
77
,
1083
(
2005
).
256.
T. M.
Shaw
,
S.
Trolier-McKinstry
, and
P. C.
McIntyre
,
Annu. Rev. Mater. Sci.
30
,
263
(
2000
).
257.
C.
Bungaro
and
K. M.
Rabe
,
Phys. Rev. B
71
,
035420
(
2005
).
258.
R. E.
Cohen
,
Nature (London)
358
,
136
(
1992
).
259.
See, for instance,
S.
Tinte
and
M.
Stachiotti
,
Phys. Rev. B
64
,
235403
(
2001
).
260.
P.
Ghosez
and
K. M.
Rabe
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
2767
(
2000
).
261.
See, for example,
C. B.
Parker
,
J.-P.
Maria
, and
A. I.
Kingon
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
340
(
2002
).
262.
Note as well that similar results have been observed in 1nm thick vinylidene fluoride / trifluoroethylene copolymer films.
A. V.
Bune
,
V. M.
Fridkin
,
S.
Ducharme
,
L. M.
Blinov
,
S. P.
Palto
,
A. V.
Sorokin
,
S. G.
Yudin
, and
A.
Zlatkin
,
Nature (London)
391
,
874
(
1998
).
263.
D. D.
Fong
,
G. B.
Stephenson
,
S. K.
Streiffer
,
J. A.
Eastman
,
O.
Auciello
,
P. H.
Fuoss
, and
C.
Thompson
,
Science
304
,
1650
(
2004
), and supplementary material.
264.
V.
Nagarajan
, et al,
Appl. Phys. Lett.
84
,
5225
(
2004
).
265.
C.
Lichtensteiger
,
J. M.
Triscone
,
J.
Junquera
, and
P.
Ghosez
,
Phys. Rev. Lett.
94
,
047603
(
2005
).
266.
J.
Junquera
and
P.
Ghosez
,
Nature (London)
422
,
506
(
2003
).
267.
I.
Kornev
,
H.
Fu
, and
L.
Bellaiche
,
Phys. Rev. Lett.
93
,
196104
(
2004
).
268.
K. J.
Choi
, et al,
Science
306
,
1005
(
2004
).
269.
H.
Orihara
,
S.
Hashimoto
, and
Y.
Ishibashi
,
J. Phys. Soc. Jpn.
63
,
1031
(
1994
).
270.
A.
Kolmogorov
,
Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Mat.
3
,
355
(
1937
);
M.
Avrami
,
J. Chem. Phys.
8
,
212
(
1940
).
271.
O.
Lohse
,
M.
Grossmann
,
U.
Boettger
,
D.
Bolten
, and
R.
Waser
,
J. Appl. Phys.
89
,
2332
(
2001
).
272.
A.
Tagantsev
,
I.
Stolichnov
,
N.
Setter
,
J.
Cross
, and
M.
Tsukada
,
Phys. Rev. B
66
,
214109
(
2002
).
273.
G.
Gerra
,
A. K.
Tagantsev
, and
N.
Setter
,
Phys. Rev. Lett.
94
,
107602
(
2005
).
274.
S.
Hong
,
E. L.
Colla
,
E.
Kim
,
D. V.
Taylor
,
A. K.
Tagantsev
,
P.
Muralt
,
K.
No
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
86
,
607
(
1999
).
275.
X.
Du
and
I.
Chen
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
493
,
311
(
1998
).
276.
D. J.
Jung
,
M.
Dawber
,
J. F.
Scott
,
L. J.
Sinnamon
, and
J. M.
Gregg
,
Integr. Ferroelectr.
48
,
59
(
2002
).
277.
I.
Stolichnov
,
A.
Tagantsev
,
N.
Setter
, and
J.
Cross
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
784
,
C6
7
(
2004
).
278.
V.
Nagarajan
,
C. S.
Ganpule
, and
R.
Ramesh
,
Ferroelectric Random Access Memories Fundamentals and Applications
, edited by
H.
Ishiwara
,
M.
Okuyama
, and
Y.
Arimoto
(
Springer
,
New York
,
2004
), Vol.
93
, p.
47
.
279.
Y. W.
So
,
D. J.
Kim
,
T. W.
Noh
,
J. G.
Yoon
, and
T. K.
Song
,
J. Korean Phys. Soc.
46
,
40
(
2005
).
280.
E.
Colla
,
S.
Hong
,
D.
Taylor
,
A.
Tagantsev
,
K.
No
, and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
2763
(
1998
).
281.
A.
Gruverman
,
O.
Auciello
,
J.
Hatano
, and
H.
Takumoto
,
Ferroelectrics
184
,
11
(
1996
).
282.
I.
Stolichnov
,
L.
Malin
,
E.
Colla
,
A. K.
Tagantsev
, and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
012902
(
2005
).
283.
I.
Stolichnov
,
A.
Tagantsev
,
N.
Setter
,
J.
Cross
, and
M.
Tsukada
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
3362
(
2003
).
284.
V.
Nagarajan
 et al,
Nat. Mater.
2
,
43
(
2002
).
285.
A.
Roelofs
,
N. A.
Pertsev
,
R.
Waser
,
F.
Schlaphof
,
L. M.
Eng
,
C.
Ganpule
,
V.
Nagarajan
, and
R.
Ramesh
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
1424
(
2002
).
286.
I.
Stolichnov
,
E.
Colla
,
A.
Tagantsev
,
S. S. N.
Bharadwaja
,
H.
Seungbum
,
N.
Setter
,
J. S.
Cross
, and
M.
Tsukada
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
4804
(
2002
).
287.
W.
Warren
,
B.
Tuttle
,
D.
Dimos
,
G.
Pike
,
H.
Al-Shareef
,
R.
Ramesh
, and
J.
Evans
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
,
1521
(
1998
).
288.
D.
Dimos
,
J. Appl. Phys.
76
,
4305
(
1994
).
289.
M.
Grossmann
,
O.
Lhose
,
D.
Bolten
,
U.
Boettger
, and
R.
Waser
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
688
,
C3
4
(
2002
).
290.
A. K.
Tagantsev
,
I.
Stolichnov
,
N.
Setter
, and
J. S.
Cross
,
J. Appl. Phys.
96
,
6616
(
2004
).
291.
A.
Tagantsev
and
I.
Stolichnov
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
1326
(
1999
).
292.
M.
Grossmann
,
O.
Lhose
,
D.
Bolten
,
U.
Boettger
,
T.
Schneller
, and
R.
Waser
,
J. Appl. Phys.
92
,
2680
(
2002
).
293.
M.
Grossmann
,
O.
Lhose
,
D.
Bolten
,
U.
Boettger
, and
R.
Waser
,
J. Appl. Phys.
92
,
2688
(
2002
).
294.
P.
Schorn
,
U.
Ellerkmann
,
D.
Bolten
,
U.
Boettger
, and
R.
Waser
,
Integr. Ferroelectr.
53
,
361
(
2003
).
295.
S.
Traynor
,
T.
Hadnagy
, and
L.
Kammerdiner
,
Integr. Ferroelectr.
16
,
63
(
1997
).
296.
A.
Gruverman
and
M.
Tanaka
,
J. Appl. Phys.
89
,
1836
(
2001
).
297.
J. M.
Benedetto
,
R. A.
Moore
, and
F. B.
Mclean
,
J. Appl. Phys.
75
,
460
(
1994
).
298.
S.
Sun
and
P. A.
Fuierer
,
Integr. Ferroelectr.
23
,
45
(
1999
).
299.
L.
Kammerdiner
,
T.
Davenport
, and
D.
Hadnagy
, US Patent No. 5969935 (19 October
1999
).
300.
O.
Auciello
,
Integr. Ferroelectr.
15
,
211
(
1997
).
301.
C. A.
az de Araujo
,
J. D.
Cuchiaro
,
L. D.
Mcmillan
,
M. C.
Scott
, and
J. F.
Scott
,
Nature (London)
374
,
627
(
1995
).
302.
L.
Goux
 et al,
IEEE Trans. Electron Devices
52
,
447
(
2005
).
303.
Z. G.
Zhang
,
J. S.
Liu
,
Y. N.
Wang
,
J. S.
Zhu
,
F.
Yan
,
X. B.
Chen
, and
H. M.
Shen
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
788
(
1998
).
304.
P.
Larsen
,
G.
Dormans
,
D.
Taylor
, and
P.
Van-Veldhoven
,
J. Appl. Phys.
76
,
2405
(
1994
).
305.
J. F.
Scott
and
M.
Dawber
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
3801
(
2000
).
306.
W.
Warren
,
D.
Dimos
,
B.
Tuttle
,
G.
Pike
,
R.
Schwartz
,
P.
Clew
, and
D.
McIntyre
,
J. Appl. Phys.
77
,
2623
(
1995
).
307.
E.
Colla
,
A.
Tagantsev
,
D.
Taylor
, and
A.
Kholkin
,
Integr. Ferroelectr.
18
,
19
(
1997
).
308.
M.
Dawber
and
J. F.
Scott
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1060
(
2000
).
309.
I. K.
Yoo
and
S. B.
Desu
,
Mater. Sci. Eng., B
13
,
319
(
1992
).
310.
T.
Nakamura
,
Y.
Nakao
,
A.
Kamisawa
, and
H.
Takasu
,
Appl. Phys. Lett.
65
,
1522
(
1994
).
311.
J. S.
Cross
,
M.
Fujiki
,
M.
Tsukada
,
K.
Matsuura
,
S.
Otani
,
M.
Tomotani
,
Y.
Kataoka
,
Y.
Kotaka
, and
Y.
Goto
,
Integr. Ferroelectr.
25
,
605
(
1999
).
312.
I.
Stolichnov
,
A.
Tagantsev
,
N.
Setter
,
J.
Cross
, and
M.
Tsukada
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
3552
(
1999
).
313.
H.
Al-Shareef
,
O.
Auciello
, and
A.
Kingon
,
J. Appl. Phys.
77
,
2146
(
1994
).
314.
S. B.
Majumder
,
B.
Roy
,
R. S.
Katiyar
, and
S. B.
Krupanidhi
,
Integr. Ferroelectr.
39
,
1077
(
2001
).
315.
Q.
Zhang
and
R. W.
Whatmore
,
Mater. Sci. Eng., B
109
,
136
(
2004
).
316.
G.
Binnig
,
C. F.
Quate
, and
C.
Gerber
,
Phys. Rev. Lett.
56
,
930
(
1986
).
317.
L. M.
Eng
,
M.
Bammerlin
,
C.
Loppacher
,
M.
Guggisberg
,
R.
Bennewitz
,
R.
Lüthi
,
E.
Meyer
, and
H. J.
Güntherodt
,
Appl. Surf. Sci.
140
,
253
(
1999
).
318.
M.
Abplanalp
,
L.
Eng
, and
P.
Günter
,
Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
66
,
S231
(
1998
).
319.
U.
Zerweck
,
C.
Loppacher
,
T.
Otto
,
S.
Grafström
, and
L. M.
Eng
,
Phys. Rev. B
71
,
125424
(
2005
).
320.
D.
Pohl
,
W.
Denk
, and
M.
Lanz
,
Appl. Phys. Lett.
44
,
651
(
1984
).
321.
K.
Franke
and
M.
Weihnacht
,
Ferroelectr., Lett. Sect.
19
,
25
(
1995
).
322.
S. V.
Kalinin
and
D. A.
Bonnell
, in
Nanoscale Charaterisation of Ferroelectric Materials
, edited by
M.
Alexe
and
A.
Gruverman
(
Springer
,
New York
,
2004
), Chap. 2.
323.
C.
Harnagea
and
A.
Pignolet
, in
Nanoscale Charaterisation of Ferroelectric Materials
, edited by
M.
Alexe
and
A.
Gruverman
(
Springer
,
New York
,
2004
), Chap. 2.
324.
M.
Abplanalp
,
M.
Zgonik
, and
P.
Guenter
, in
Nanoscale Charaterisation of Ferroelectric Materials
, edited by
M.
Alexe
and
A.
Gruverman
(
Springer
,
New York
,
2004
), Chap. 2.
325.
A.
Roelofs
,
K.
Szot
, and
R.
Waser
, in
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films
, edited by
S.
Hong
(
Kluwer
,
Dordrecht
,
2004
), Chap. 6.
326.
S.
Hong
and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
3437
(
2002
).
327.
S.
Hong
 et al,
J. Appl. Phys.
89
,
1377
(
2001
).
328.
H.
Shin
, in
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films
, edited by
S.
Hong
(
Kluwer
,
Dordrecht
,
2004
), Chap. 11.
329.
H.
Fujisawa
and
M.
Shimizu
, in
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films
, edited by
S.
Hong
(
Kluwer
,
Dordrecht
,
2004
), Chap. 9.
330.
P.
Paruch
,
T.
Tybell
, and
J. M.
Triscone
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
530
(
2001
).
331.
J.
Woo
,
S.
Hong
,
D. K.
Min
,
H.
Shin
, and
K.
No
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
4000
(
2002
).
332.
P.
Paruch
,
T.
Giamarchi
, and
J. M.
Triscone
,
Phys. Rev. Lett.
94
,
197601
(
2005
).
333.
S. V.
Kalinin
and
D. A.
Bonnell
, in
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films
, edited by
S.
Hong
(
Kluwer
,
Dordrecht
,
2004
), Chap. 8.
334.
S.
Hong
,
B.
Ecabart
,
E. L.
Colla
, and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2382
(
2004
).
335.
O.
Tikhomirov
,
B.
Red’kin
,
A.
Trivelli
, and
J.
Levy
,
J. Appl. Phys.
87
,
1932
(
2000
).
336.
A. V.
Zayats
and
I. I.
Smolyaninov
,
Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A
362
,
843
(
2004
).
337.
J.
Levy
,
C.
Hubert
, and
A.
Trivelli
,
J. Chem. Phys.
112
,
7848
(
2000
).
338.
X. K.
Orlik
,
M.
Labardi
, and
M.
Allegrini
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
2042
(
2000
).
339.
I. I.
Smolyaninov
,
H. Y.
Liang
,
C. H.
Lee
, and
C. C.
Davis
,
J. Appl. Phys.
89
,
206
(
2001
).
340.
I. I.
Smolyaninov
,
C. H.
Lee
, and
C. C.
Davis
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
1942
(
1999
).
341.
A. F.
Xie
,
B. Y.
Gu
,
G. Z.
Yang
, and
Z. B.
Zhang
,
Phys. Rev. B
63
,
054104
(
2001
).
342.
I. I.
Smolyaninov
,
H. Y.
Liang
,
C. H.
Lee
,
C. C.
Davis
,
V.
Nagarajan
, and
R.
Ramesh
,
J. Microsc.
202
,
250
(
2001
).
343.
T. J.
Yang
,
V.
Gopalan
,
P. J.
Swart
, and
U.
Mohideen
,
Phys. Rev. Lett.
82
,
4106
(
1999
).
344.
T.
Otto
,
J.
Seidel
,
S.
Grafström
, and
L. M.
Eng
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
1168
(
2004
).
345.
T.
Otto
,
S.
Grafström
, and
L. M.
Eng
,
Ferroelectrics
303
,
149
(
2004
).
346.
C.
Hubert
,
J.
Levy
,
E.
Cukauskas
, and
S. W.
Kirchoefer
,
Integr. Ferroelectr.
29
,
227
(
2000
).
347.
J.
Renger
,
V.
Deckert
,
I.
Hellmann
,
S.
Grafström
, and
L. M.
Eng
,
J. Opt. Soc. Am. A
21
,
1362
(
2004
).
348.
J.
Renger
,
S.
Grafström
,
L. M.
Eng
, and
R.
Hillenbrand
,
Phys. Rev. B
71
,
075410
(
2005
).
349.
S.
Schneider
,
S.
Grafström
, and
L. M.
Eng
,
Phys. Rev. B
71
,
115418
(
2005
).
350.
H.
Chaib
,
L. M.
Eng
,
T.
Otto
, and
S.
Grafström
,
Phys. Rev. B
71
,
085418
(
2005
).
351.
H.
Chaib
,
F.
Schlaphof
,
T.
Otto
, and
L. M.
Eng
,
J. Phys.: Condens. Matter
15
,
8927
(
2003
).
352.
H.
Chaib
,
T.
Otto
, and
L. M.
Eng
,
Phys. Status Solidi B
233
,
250
(
2002
).
353.
H.
Chaib
,
F.
Schlaphof
,
T.
Otto
, and
L. M.
Eng
,
Ferroelectrics
291
,
143
(
2003
).
354.
E. I.
Bondarenko
,
V. Y.
Topolov
, and
A. V.
Turik
,
Ferroelectr., Lett. Sect.
13
,
13
(
1991
).
355.
R.
Herbeit
,
U.
Robels
,
H.
Dederichs
, and
G.
Arlt
,
Ferroelectrics
98
,
107
(
1989
).
356.
D.
Damjanovic
and
M.
Demartin
,
J. Phys.: Condens. Matter
9
,
4943
(
1997
).
357.
D. A.
Hall
,
J. Mater. Sci.
36
,
4575
(
2001
).
358.
V. D.
Kugel
and
L. E.
Cross
,
J. Appl. Phys.
84
,
2815
(
1998
).
359.
V.
Mueller
and
Q. M.
Zhang
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
2692
(
1998
).
360.
Q. M.
Zhang
,
H.
Wang
,
N.
Kim
, and
L. E.
Cross
,
J. Appl. Phys.
75
,
454
(
1994
).
361.
D.
Damjanovic
,
Rep. Prog. Phys.
61
,
1267
(
1998
).
362.
L.
Chen
,
V.
Nagarajan
,
R.
Ramesh
, and
A. L.
Roytburd
,
J. Appl. Phys.
94
,
5147
(
2003
).
363.
D. V.
Taylor
,
D.
Damjanovic
, and
N.
Setter
,
Ferroelectrics
244
,
299
(
1999
).
364.
D. V.
Taylor
and
D.
Damjanovic
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
2045
(
1998
).
365.
D. V.
Taylor
and
D.
Damjanovic
,
J. Appl. Phys.
82
,
1973
(
1997
).
366.
D.
Damjanovic
and
G.
Robert
, in
Piezoelectric Materials for the end User
, edited by
N.
Setter
(
Ceramics Laboratory, EPFL
,
Lausanne, Switzerland
,
2002
), Chap. 17, pp.
353
388
.
367.
G.
Robert
,
D.
Damjanovic
,
N.
Setter
, and
A. V.
Turik
,
J. Appl. Phys.
89
,
5067
(
2001
).
368.
V. V.
Shvartsman
,
N. A.
Pertsev
,
J. M.
Herrero
,
C.
Zaldo
, and
A. L.
Kholkin
,
J. Appl. Phys.
97
,
104105
(
2005
).
369.
S.
Trolier-McKinstry
,
N. B.
Gharb
, and
D.
Damjanovic
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
202901
(
2006
).
370.
F.
Xu
,
S.
Trolier-McKinstry
,
W.
Ren
, and
B.
Xu
,
J. Appl. Phys.
89
,
1336
(
2001
).
371.
S. E.
Park
and
T. R.
Shrout
,
J. Appl. Phys.
82
,
1804
(
1997
).
372.
X. H.
Du
,
J.
Zheng
,
U.
Belegundu
, and
K.
Uchino
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
2421
(
1998
).
373.
D. V.
Taylor
and
D.
Damjanovic
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1615
(
2000
).
374.
D.
Damjanovic
,
J. Am. Ceram. Soc.
88
,
2663
(
2005
).
375.
M. J.
Haun
,
Z. Q.
Zhuang
,
E.
Furman
,
S. J.
Jang
, and
L. E.
Cross
,
Ferroelectrics
99
,
45
(
1989
).
376.
M.
Budimir
,
D.
Damjanovic
, and
N.
Setter
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
2890
(
2004
).
377.
M.
Davis
,
D.
Damjanovic
,
D.
Hayem
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
98
,
014102
(
2005
).
378.
Z.
Kighelman
,
D.
Damjanovic
,
M.
Cantoni
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
91
,
1495
(
2002
).
379.
Y.
Zhang
,
I. S.
Baturin
,
E.
Aulbach
,
D. C.
Lupascu
,
A. L.
Kholkin
,
Y. V.
Shur
, and
J.
Rödel
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
012910
(
2005
).
380.
N. A.
Pertsev
,
A. G.
Zembilgotov
,
S.
Hoffman
,
R.
Waser
, and
A. K.
Tagantsev
,
J. Appl. Phys.
85
,
1698
(
1999
).
381.
N. A.
Pertsev
,
A. G.
Zembilgotov
, and
A. K.
Tagantsev
,
Phys. Rev. Lett.
80
,
1988
(
1998
).
382.
S. K.
Streiffer
,
C.
Basceri
,
C. B.
Parker
,
S. E.
Lash
, and
A. I.
Kingon
,
J. Appl. Phys.
86
,
4565
(
1999
).
383.
A. K.
Tagantsev
,
N. A.
Pertsev
,
P.
Muralt
, and
N.
Setter
,
Phys. Rev. B
65
,
012104
(
2002
).
384.
Y.
Yoneda
,
T.
Okabe
,
K.
Sakaue
, and
H.
Terauchi
,
J. Appl. Phys.
83
,
2458
(
1998
).
385.
N. A.
Pertsev
,
G.
Arlt
, and
A. G.
Zembilgotov
,
Phys. Rev. Lett.
76
,
1364
(
1996
).
386.
C.
Basceri
,
S. K.
Streiffer
,
A. I.
Kingon
, and
R.
Waser
,
J. Appl. Phys.
82
,
2497
(
1997
).
387.
O. G.
Vendik
and
S. P.
Zubko
,
J. Appl. Phys.
88
,
5343
(
2000
).
388.
A. M.
Bratkovsky
and
A. P.
Levanyuk
,
Phys. Rev. B
63
,
132103
(
2001
).
389.
P.
Mokry
,
A. K.
Tagantsev
, and
N.
Setter
,
Phys. Rev. B
70
,
172107
(
2004
).
390.
A. M.
Bratkovsky
and
A. P.
Levanyuk
,
Phys. Rev. Lett.
94
,
107601
(
2005
).
391.
O. G.
Vendik
,
E. K.
Hollmann
,
A. B.
Kozyrev
, and
A. M.
Prudan
,
J. Supercond.
12
,
325
(
1999
).
392.
J. D.
Baniecki
,
R. B.
Laibowitz
,
T. M.
Shaw
,
P. R.
Duncombe
,
D. A.
Neumayer
,
D. E.
Kotecki
,
H.
Shen
, and
Q. Y.
Ma
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
498
(
1998
).
393.
S.
Razumov
 et al,
Integr. Ferroelectr.
39
,
1317
(
2001
).
394.
A. K.
Jonscher
,
Universal Relaxation Law
(
Chelsea Dielectrics
,
London
,
1996
).
395.
Y.
Fukuda
,
K.
Numata
,
K.
Aoki
, and
A.
Nishimura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
,
5178
(
1996
).
396.
R.
Waser
, in
Science and Technology of Electroceramic Thin Films
, edited by
O.
Auciello
and
R.
Waser
(
Kluwer Academic
,
Norwell, MA
,
1995
), Vol.
284
, p.
223
.
397.
O. G.
Vendik
and
L. M.
Platonova
,
J. Phys. Soc. Jpn.
28
,
61
(
1970
).
398.
J.
Petzelt
 et al,
Phys. Rev. B
64
,
184111
(
2001
).
399.
Y.
Lemaitre
,
B.
Marcilhac
,
D.
Mansart
,
J.
Siejka
, and
J. C.
Mage
,
Physica C
372
,
667
(
2002
).
400.
K. F.
Astafiev
,
V. O.
Sherman
,
A. K.
Tagantsev
,
N.
Setter
,
T.
Kaydanova
, and
D. S.
Ginley
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2385
(
2004
).
401.
A.
Tagantsev
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1182
(
2000
).
402.
K. F.
Astafiev
,
A. K.
Tagantsev
, and
N.
Setter
,
J. Appl. Phys.
97
,
014106
(
2005
).
403.
S.
Iigima
,
Nature (London)
354
,
56
(
1991
).
404.
T.
Kasuga
,
M.
Hiramatsu
,
A.
Hoson
,
T.
Sekino
, and
K.
Niihara
,
Langmuir
14
,
3160
(
1998
).
405.
R.
Tene
,
L.
Margulis
, and
M.
Genud
,
Nature (London)
360
,
444
(
1992
).
406.
I. I.
Naumov
,
L.
Bellaiche
, and
H.
Fu
,
Nature (London)
432
,
737
(
2004
).
407.
E. J.
Mele
and
P.
Král
,
Phys. Rev. Lett.
88
,
056803
(
2002
).
408.
S. M.
Nakhmanson
,
A.
Calzolari
,
V.
Meunier
,
J.
Bernholc
, and
M. B.
Nardelli
,
Phys. Rev. B
67
,
235406
(
2003
).
409.
Y.
Luo
 et al,
Appl. Phys. Lett.
83
,
440
(
2003
).
410.
F. D.
Morrison
,
L.
Ramsay
, and
J. F.
Scott
,
J. Phys.: Condens. Matter
15
,
L527
(
2003
).
411.
J. J.
Urban
,
W. S.
Yun
,
Q.
Gu
, and
H.
Park
,
J. Am. Ceram. Soc.
124
,
1186
(
2002
).
412.
Y.
Mao
,
S.
Banerjee
, and
S. S.
Wong
,
J. Am. Chem. Soc.
125
,
15718
(
2003
).
413.
Y.
Mao
,
S.
Banerjee
, and
S. S.
Wong
,
Chem. Commun. (Cambridge)
2003
, p.
408
.
414.
J.-F.
Liu
,
X.-L.
Li
, and
Y.-D.
Li
,
J. Nanosci. Nanotechnol.
2
,
617
(
2002
).
415.
N. P.
Padture
and
X.
Wei
,
J. Am. Ceram. Soc.
86
,
2215
(
2003
).
416.
E.
Vasco
,
A.
Magrez
,
L.
Forro
, and
N.
Setter
,
J. Phys. Chem. B
109
,
14331
(
2005
).
417.
G.
Suyal
,
E.
Colla
,
R.
Gysel
, and
N.
Setter
,
Nano Lett.
4
,
1339
(
2004
).
418.
W. S.
Yun
,
J. J.
Urban
,
Q.
Gu
, and
H.
Park
,
Nano Lett.
2
,
447
(
2002
).
419.
H.
Schmid
,
Ferroelectrics
162
,
317
(
1994
).
420.
E.
Ascher
,
H.
Rieder
,
H.
Schmid
, and
H.
Stössel
,
J. Appl. Phys.
37
,
1404
(
1966
).
421.
G. A.
Smolenskii
,
V. A.
Isupov
, and
A. I.
Agranovskaya
,
Sov. Phys. Solid State
1
,
149
(
1959
).
422.
G. A.
Smolenskii
and
I. E.
Chupis
,
Sov. Phys. Usp.
25
,
475
(
1982
).
423.
J.
Wang
 et al,
Science
299
,
1719
(
2003
).
424.
C.
Ederer
and
N. A.
Spaldin
,
Phys. Rev. B
71
,
224103
(
2005
).
425.
W.
Eerenstein
,
F. D.
Morrison
,
J.
Dho
,
M. G.
Blamire
,
J. F.
Scott
, and
N. D.
Mathur
,
Science
307
,
1203
(
2005
).
426.
J. B.
Neaton
,
C.
Ederer
,
U. V.
Waghmare
,
N. A.
Spaldin
, and
K. M.
Rabe
,
Phys. Rev. B
71
,
014113
(
2005
).
427.
J.
Wang
 et al,
Science
307
,
1203b
(
2005
).
428.
K. Y.
Yun
,
M.
Noda
, and
M.
Okuyama
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
3981
(
2003
).
429.
B. K.
Ponomarev
,
S. A.
Ivanov
,
Yu. F.
Popov
,
V. D.
Negril
, and
B. S.
Red'kin
,
Ferroelectrics
161
,
43
(
1994
).
430.
N.
Hur
,
S.
Park
,
P. A.
Sharma
,
J. S.
Ahn
,
S.
Guha
, and
S.-W.
Cheong
,
Nature (London)
429
,
392
(
2004
).
431.
T.
Kimura
,
T.
Goto
,
H.
Shintani
,
K.
Ishizaka
,
T.
Arima
, and
Y.
Tokura
,
Nature (London)
426
,
55
(
2003
).
432.
N.
Hill
,
J. Phys. Chem. B
104
,
6694
(
2000
).
433.
J. M.
Gregg
,
J. Phys.: Condens. Matter
15
,
V11
(
2003
), and references therein.
434.
A. Q.
Jiang
,
J. F.
Scott
,
H.
Lu
, and
Z.
Chen
,
J. Appl. Phys.
93
,
1180
(
2003
).
435.
J. C.
Jiang
,
X. Q.
Pan
,
W.
Tian
,
C. D.
Theis
, and
D. G.
Schlom
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
2851
(
1999
).
436.
H. N.
Lee
,
H. M.
Christen
,
M. F.
Chisholm
,
C. M.
Rouleau
, and
D. H.
Lowndes
,
Nature (London)
433
,
395
(
2005
).
437.
See
S.
Dong
,
J.-F.
Li
, and
D.
Viehland
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
2265
(
2003
);
G.
Srinivasan
,
E. T.
Tasmussen
,
A. A.
Bush
,
K. E.
Kamentsev
,
V. F.
Meshcheryakov
, and
Y. K.
Fetisov
,
Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
78
,
721
(
2004
), and references therein.
438.
H.
Zheng
 et al,
Science
303
,
661
(
2004
).
439.
J. H.
Li
,
I.
Levin
,
J.
Slutsker
,
V.
Provenzano
,
P. K.
Schenck
,
R.
Ramesh
,
J.
Ouyang
, and
A. L.
Roytburd
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
072909
(
2005
).
440.
F.
Zavaliche
 et al,
Nano Lett.
5
,
1793
(
2005
).
441.
T.
Zhao
,
S. R.
Shinde
,
S. B.
Ogale
,
H.
Zheng
,
T.
Venkatesan
,
R.
Ramesh
, and
S. D.
Sarma
,
Phys. Rev. Lett.
94
,
126601
(
2005
).
442.
N. A.
Pertsev
,
A. K.
Tagantsev
, and
N.
Setter
,
Phys. Rev. B
61
,
R825
(
2000
).
443.
Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology
,
Landolt-Bornstein New series
, Vol.
III/29a,b
(
Springer
,
New York
,
1981
).
444.
H.
Uwe
and
T.
Sakudo
,
Phys. Rev. B
13
,
271
(
1976
).
445.
S.
Trolier-McKinstry
and
P.
Muralt
, in
Electroceramic Based MEMS
, edited by
N.
Setter
(
Springer
,
New York
,
2005
), p.
199
.
446.
K. S.
Lee
,
J. H.
Choi
,
J. Y.
Lee
, and
S.
Baik
,
J. Appl. Phys.
90
,
4095
(
2001
).
447.
D. V.
Taylor
, Ph.D. thesis Swiss Federal Institute of Technology (EPFL),
1999
.
448.

In the case where the substrate is pseudocubic.

449.

The following relations correspond to those from Ref. 383 to within the difference in the definition of Q44.

450.

In the case of SrTiO3, the whole set of data for Q’s is contradictory; a self-consistent subset of these data has been used in calculations. A discussion of the inaccuracy of the evaluation of strain effects on the permittivity of SrTiO3 can be found in Ref. 208. In the case of SrTiO3, Eqs. (7)–(9) are applicable for temperatures higher than 100K, and for lower temperatures the effect of the quantum statistics should be taken into account (see Refs. 208 and 442 for a more detailed discussion). There may also be small corrections associated with the structure phase transition.

You do not currently have access to this content.