Calcium fluoride is a dielectric material with a wide bandgap (∼12.1 eV) and a relatively high dielectric constant (∼6.8) that forms a van der Waals interface with two-dimensional (2D) materials, meaning that it contains a very low amount of defects. Thin calcium fluoride films can be synthesized using multiple techniques that are scalable to the wafer level, including molecular beam epitaxy, atomic layer deposition, and chemical vapor deposition. However, the consolidation of calcium fluoride as dielectric for 2D electronics requires overcoming some fundamental challenges related to material quality and integration, as well as carrying out advanced characterization and computational studies to evaluate its real potential. Here, we review the status of calcium fluoride dielectric films in terms of material synthesis, fundamental electrical properties, and future applications; we also discuss the most important challenges of calcium fluoride integration in 2D materials–based, solid-state nano/micro-electronic devices, and propose several potential routes to overcome them. Our manuscript may serve as a useful guide for other scientists working on 2D electronics in general, and provides a clear pathway for calcium fluoride research in the future.

1.
M. Y.
Li
,
S. K.
Su
,
H. S. P.
Wong
, and
L. J.
Li
,
Nature
567
,
169
(
2019
).
2.
D.
Akinwande
,
C.
Huyghebaert
,
C. H.
Wang
,
M. I.
Serna
,
S.
Goossens
,
L. J.
Li
,
H. S. P.
Wong
, and
F. H.
Koppens
,
Nature
573
,
507
(
2019
).
3.
M.
Kim
,
E.
Pallecchi
,
R.
Ge
,
X.
Wu
,
G.
Ducournau
,
J. C.
Lee
,
H.
Happy
, and
D.
Akinwande
,
Nat. Electron.
3
,
479
(
2020
).
4.
D. K.
Polyushkin
,
S.
Wachter
,
L.
Mennel
,
M.
Paur
,
M.
Paliy
,
G.
Iannaccone
,
G.
Fiori
,
D.
Neumaier
,
B.
Canto
, and
T.
Mueller
,
Nat. Electron.
3
,
486
(
2020
).
5.
S.
Chen
,
M. R.
Mahmoodi
,
Y.
Shi
,
C.
Mahata
,
B.
Yuan
,
X.
Liang
,
C.
Wen
,
F.
Hui
,
D.
Akinwande
,
D. B.
Strukov
, and
M.
Lanza
,
Nat. Electron.
3
,
638
(
2020
).
6.
M.
Lanza
,
Q.
Smets
,
C.
Huyghebaert
, and
L.-J.
Li
,
Nat. Commun.
11
,
5689
(
2020
).
7.
X.
Wang
,
S. M.
Tabakman
, and
H.
Dai
,
J. Am. Chem. Soc.
130
,
8152
(
2008
).
8.
S.
McDonnell
,
B.
Brennan
,
A.
Azcatl
,
N.
Lu
,
H.
Dong
,
C.
Buie
,
J.
Kim
,
C. L.
Hinkle
,
M. J.
Kim
, and
R. M.
Wallace
,
ACS Nano
7
,
10354
(
2013
).
9.
F.
Hui
,
C.
Pan
,
Y.
Shi
,
Y.
Ji
,
E.
Grustan-Gutierrez
, and
M.
Lanza
,
Microelectron. Eng.
163
,
119
(
2016
).
10.
A.
Di Bartolomeo
,
L.
Genovese
,
F.
Giubileo
,
L.
Iemmo
,
G.
Luongo
,
T.
Foller
, and
M.
Schleberger
,
2D Mater.
5
,
015014
(
2017
).
11.
P.
Xia
,
X.
Feng
,
R. J.
Ng
,
S.
Wang
,
D.
Chi
,
C.
Li
,
Z.
He
,
X.
Liu
, and
K. W.
Ang
,
Sci. Rep.
7
,
40669
(
2017
).
12.
C. R.
Dean
,
A. F.
Young
,
I.
Meric
,
C.
Lee
,
L.
Wang
,
S.
Sorgenfrei
,
K.
Watanabe
,
T.
Taniguchi
,
P.
Kim
,
K. L.
Shepard
, and
J.
Hone
,
Nat. Nanotechnol.
5
,
722
726
(
2010
).
13.
Y.
Shi
,
C.
Pan
,
V.
Chen
,
N.
Raghavan
,
K. L.
Pey
,
F. M.
Puglisi
,
E.
Pop
,
H. S.
Wong
, and
M.
Lanza
,
IEEE Int. Electron Devices Meet
. (
2017
).
14.
H.
Pandey
,
M.
Shaygan
,
S.
Sawallich
,
S.
Kataria
,
Z.
Wang
,
A.
Noculak
,
M.
Otto
,
M.
Nagel
,
R.
Negra
,
D.
Neumaier
, and
M. C.
Lemme
,
IEEE Trans. Electron Devices
65
,
4129
(
2018
).
15.
A. C.
Ferrari
,
F.
Bonaccorso
,
V.
Fal'Ko
,
K. S.
Novoselov
,
S.
Roche
,
P.
Bøggild
,
S.
Borini
,
F. H.
Koppens
,
V.
Palermo
,
N.
Pugno
, and
J. A.
Garrido
,
Nanoscale
7
,
4598
(
2015
).
16.
X.
Li
,
W.
Cai
,
J.
An
,
S.
Kim
,
J.
Nah
,
D.
Yang
,
R.
Piner
,
A.
Velamakanni
,
I.
Jung
,
E.
Tutuc
, and
S. K.
Banerjee
,
Science
324
,
1312
(
2009
).
17.
A.
Laturia
,
M. L.
Van de Put
, and
W. G.
Vandenberghe
,
NPJ 2D Mater. Appl.
2
,
6
(
2018
).
18.
T.
Knobloch
,
Y. Y.
Illarionov
,
F.
Ducry
,
C.
Schleich
,
S.
Wachter
,
K.
Watanabe
,
T.
Taniguchi
,
T.
Mueller
,
M.
Waltl
,
M.
Lanza
,
M. I.
Vexler
,
M.
Luisier
, and
T.
Grasser
,
Nat. Electron
4
,
98
(
2021
).
19.
Y. Y.
Illarionov
,
A. G.
Banshchikov
,
D. K.
Polyushkin
,
S.
Wachter
,
T.
Knobloch
,
M.
Thesberg
,
L.
Mennel
,
M.
Paur
,
M.
Stöger-Pollach
,
A.
Steiger-Thirsfeld
,
M. I.
Vexler
,
M.
Waltl
,
N. S.
Sokolov
,
T.
Mueller
, and
T.
Grasser
,
Nat. Electron.
2
,
230
(
2019
).
20.
R. C.
Ropp
, in
Encyclopedia of the Alkaline Earth Compounds
(
Elsevier
,
Amsterdam, Netherlands
,
2013
) Chap. 2.
21.
H.
Abuzaid
,
N. X.
Williams
, and
A. D.
Franklin
,
Appl. Phys. Lett.
118
,
030501
(
2021
).
22.
Y. Y.
Illarionov
,
A. G.
Banshchikov
,
D. K.
Polyushkin
,
S.
Wachter
,
T.
Knobloch
,
M.
Thesberg
,
M. I.
Vexler
,
M.
Waltl
,
M.
Lanza
,
N. S.
Sokolov
,
T.
Mueller
, and
T.
Grasser
,
2D Mater.
6
,
045004
(
2019
).
23.
P. W.
Sullivan
,
R. F. C.
Farrow
, and
G. R.
Jones
,
J. Cryst. Growth
60
,
403
413
(
1982
).
24.
L. J.
Schowalter
and
R. W.
Fathauer
,
J. Vac. Sci. Technol. A
4
,
1026
1032
(
1986
).
25.
R. A.
McKee
,
F. J.
Walker
, and
M. F.
Chisholm
,
Phys. Rev. Lett.
81
,
3014
(
1998
).
26.
V.
Mathet
,
F.
Nguyen-Van-Dau
,
J.
Olivier
, and
P.
Galtier
,
J. Cryst. Growth
148
,
133
(
1995
).
27.
L. K.
Howard
and
A. K. M. M.
Haque
,
Semicond. Sci. Technol.
7
,
1316
(
1992
).
28.
M.
Sugiyama
and
M.
Oshima
,
Microelectron. J.
27
,
361
(
1996
).
29.
C. C.
Cho
,
H. Y.
Liu
,
B. E.
Gnade
,
T. S.
Kim
, and
Y.
Nishioka
,
J. Vac. Sci. Technol. A
10
,
769
774
(
1992
).
30.
M.
Watanabe
,
Y.
Iketani
, and
M.
Asada
,
Jpn. J. Appl. Phys
39
,
L964
(
2000
).
31.
M. A.
Gribelyuk
and
G. D.
Wilk
,
Thin solid films
339
,
51
57
(
1999
).
32.
Y. Y.
Illarionov
, “
Tunnel transport of carriers and related physical phenomena in gold–calcium fluoride–silicon (111) structures
,” PhD thesis (
Ioffe Institute
,
2015
) (in Russian).
33.
A.
Ishizaka
and
Y.
Shiraki
,
J. Electrochem. Soc.
133
,
666
(
1986
).
34.
C.
Wen
,
A. G.
Banshchikov
,
Y. Y.
Illarionov
,
W.
Frammelsberger
,
T.
Knobloch
,
F.
Hui
,
N. S.
Sokolov
,
T.
Grasser
, and
M.
Lanza
,
Adv. Mater.
32
,
2002525
(
2020
).
35.
H.
Shi
,
R. I.
Eglitis
, and
G.
Borstel
,
Phys. Rev.
72
,
045109
(
2005
).
36.
Z.
Shi
,
H.
Zogg
, and
U.
Keller
,
J. Electron. Mater.
27
,
55
58
(
1998
).
37.
R. F. C.
Farrow
,
P. W.
Sullivan
,
G. M.
Williams
,
G. R.
Jones
, and
D. C.
Cameron
,
J. Vac. Sci. Technol.
19
,
415
420
(
1981
).
38.
F.
Calleja
,
J. J.
Hinarejos
,
A. V.
de Parga
,
S. M.
Suturin
,
N. S.
Sokolov
, and
R.
Miranda
,
Surf. Sci.
582
,
14
20
(
2005
).
39.
T.
Pilvi
,
K.
Arstila
,
M.
Leskelä
, and
M.
Ritala
,
Chem. Mater.
19
,
3387
3392
(
2007
).
40.
T.
Pilvi
,
M.
Ritala
,
M.
Leskelä
,
M.
Bischoff
,
U.
Kaiser
, and
N.
Kaiser
,
Appl. Opt.
47
,
C271
C274
(
2008
).
41.
A. R.
Srivatsa
and
J.
Narayan
,
J. Vac. Sci. Technol. A
7
,
3200
3204
(
1989
).
42.
A.
Mehonic
,
A. L.
Shluger
,
D.
Gao
,
I.
Valov
,
E.
Miranda
,
D.
Ielmini
,
A.
Bricalli
,
E.
Ambrosi
,
C.
Li
,
J. J.
Yang
, and
Q.
Xia
,
Adv. Mater.
30
,
1801187
(
2018
).
43.
M.
Wang
,
S.
Cai
,
C.
Pan
,
C.
Wang
,
X.
Lian
,
Y.
Zhuo
,
K.
Xu
,
T.
Cao
,
X.
Pan
,
B.
Wang
, and
S. J.
Liang
,
Nat. Electron.
1
,
130
(
2018
).
44.
M.
Ylilammi
and
T.
Ranta‐aho
,
J. Electrochem. Soc.
141
,
1278
(
1994
).
45.
M.
Ylilammi
and
T.
Ranta-aho
,
Thin Solid Films
232
,
56
(
1993
).
46.
A. P.
Purdy
,
A. D.
Berry
,
R. T.
Holm
,
M.
Fatemi
, and
D. K.
Gaskill
,
Inorg. Chem.
28
,
2799
2803
(
1989
).
47.
A. M.
Makarevich
,
A.
Shchukin
,
A.
Markelov
,
S.
Samoilenkov
,
P. P.
Semyannikov
, and
N. P.
Kuzmina
,
ECS Trans.
25
,
525
(
2009
).
48.
A. V.
Blednov
,
O. Y.
Gorbenko
,
S. V.
Samoilenkov
,
V. A.
Amelichev
,
V. A.
Lebedev
,
K. S.
Napolskii
, and
A. R.
Kaul
,
Chem. Mater.
22
,
175
(
2010
).
49.
S. S.
Shushtarian
,
S. B.
Ogale
,
G. N.
Chaudhari
,
P.
Singh
, and
V. J.
Rao
,
Mater. Lett.
12
,
335
338
(
1991
).
50.
R. T.
Bunshah
,
Deposition Technologiesfor Films and Coatings: Developments and Applications
(
Norwich
,
New York
,
1982
).
51.
J. G.
Cook
,
G. H.
Yousefi
,
S. R.
Das
, and
D. F.
Mitchell
,
Thin Solid Films
217
,
87
90
(
1992
).
52.
S. S.
Bhagwat
,
A. R.
Bhangale
,
J. M.
Patil
,
V. S.
Shirodkar
,
R.
Pinto
,
P. R.
Apte
, and
S. P.
Pai
,
J. Phys.
29
,
388
392
(
1999
).
53.
C. H.
Lee
,
J.
Qi
,
S. T.
Lee
, and
L. S.
Hung
,
Diam. Relat. Mater.
12
,
1335
1339
(
2003
).
54.
G. W.
Rubloff
,
Phys. Rev. B
5
,
662
(
1972
).
55.
Y.
Ma
and
M.
Rohlfing
,
Phys. Rev. B
75
,
205114
(
2007
).
56.
E.
Cadelano
and
G.
Cappellini
,
Eur. Phys. J. B
81
,
115
(
2011
).
57.
F.
Matusalem
,
M.
Marques
,
L. K.
Teles
,
A.
Filippetti
, and
G.
Cappellini
,
J. Phys. Condens. Matter
30
,
365501
(
2018
).
59.
T. H.
DiStefano
and
D. E.
Eastman
,
Solid State Commun.
9
,
2259
(
1971
).
60.
G.
Cassabois
,
P.
Valvin
, and
B.
Gil
,
Nat. Photonics
10
,
262
(
2016
).
61.
Alineason
, see https://www.alineason.com/en/knowhow/crystal-growth/ (last accessed October
2020
).
62.
V. B.
Braginsky
,
V. S.
Ilchenko
, and
K. S.
Bagdassarov
,
Phys. Lett. A
120
,
300
305
(
1987
).
63.
J. G.
Hartnett
,
A. C.
Fowler
,
M. E.
Tobar
, and
J.
Krupka
,
IEEE T. Ultrason. Ferr.
51
,
380
(
2004
).
64.
K. V.
Rao
and
A.
Smakula
,
J. Appl. Phys.
37
,
319
323
(
1966
).
65.
W.
Kaiser
,
W. G.
Spitzer
,
R. H.
Kaiser
, and
L. E.
Howarth
,
Phys. Rev.
127
,
1950
(
1962
).
66.
K.
Hojendahl
,
Mat.-Phys. Medd.
16
,
2
(
1938
).
67.
W.
Hayes
,
Crystals with the Fluorite Structure
(
Clarendon Press
,
Oxford, UK
,
1974
).
68.
A. A.
Demkov
and
A.
Navrotsky
,
Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
(
Springer
,
Berlin, Germany
,
2005
).
69.
T.
Asana
and
H.
Ishiwara
,
Thin Solid Films
93
,
143
150
(
1982
).
70.
C.
Andeen
,
J.
Fontanella
, and
D.
Schuele
,
J. Appl. Phys.
42
,
2216
(
1971
).
71.
T. P.
De Silans
,
I.
Maurin
,
P. C.
de Souza Segundo
,
S.
Saltiel
,
M. P.
Gorza
,
M.
Ducloy
,
D.
Bloch
,
D.
de Sousa Meneses
, and
P.
Echegut
,
J. Condens. Matter Phys.
21
,
255902
(
2009
).
72.
K.
Schmalzl
,
Phys. Rev. B
75
,
014306
(
2007
).
73.
Dutt
,
N.
Agrawal
, and
G. G.
Shanker
,
J. Phys. Status Solidi B
131
,
505
(
1985
).
74.
M.
Verstraete
and
X.
Gonze
,
Phys. Rev. B
68
,
195123
(
2003
).
75.
J.
Robertson
,
Rep. Prog. Phys.
69
,
327
(
2005
).
76.
G. D.
Wilk
,
R. M.
Wallace
, and
J.
Anthony
,
J. Appl. Phys.
89
,
5243
(
2001
).
77.
Y.
Shi
,
X.
Liang
,
B.
Yuan
,
V.
Chen
,
H.
Li
,
F.
Hui
,
Z.
Yu
,
F.
Yuan
,
E.
Pop
,
H. S. P.
Wong
, and
M.
Lanza
,
Nat. Electron.
1
,
458
465
(
2018
).
78.
S.
Chen
,
L.
Jiang
,
M.
Buckwell
,
X.
Jing
,
Y.
Ji
,
E.
Grustan‐Gutierrez
,
F.
Hui
,
Y.
Shi
,
M.
Rommel
,
A.
Paskaleva
,
G.
Benstetter
,
W.
Ng
,
A.
Mehonic
,
A.
Kenyon
, and
M.
Lanza
,
Adv. Funct. Mater.
28
,
1802266
(
2018
).
79.
M.
Maestro Izquierdo
,
M. B.
Gonzalez
,
F.
Campabadal
,
E.
Miranda
, and
J.
Suñé
, TechRxiv (published online
2020
).
80.
J.
Suñé
,
I.
Placencia
,
N.
Barniol
,
E.
Farrés
,
F.
Martín
, and
X.
Aymerich
,
Thin Solid Films
185
,
347
362
(
1990
).
81.
Y. F.
Chang
,
P. Y.
Chen
,
B.
Fowler
,
Y. T.
Chen
,
F.
Xue
,
Y.
Wang
,
F.
Zhou
, and
J. C.
Lee
,
J. Appl. Phys.
112
,
123702
(
2012
).
82.
J. K.
Ko
,
D. Y.
Kim
,
J. H.
Park
,
S.-W.
Choi
,
S. H.
Park
, and
J.
Yi
,
Thin Solid Films
427
,
259
(
2003
).
83.
Y.
Zuo
,
H.
Lin
,
J.
Guo
,
Y.
Yuan
,
H.
He
,
Y.
Li
,
Y.
Xiao
,
X.
Li
,
K.
Zhu
,
T.
Wang
,
X.
Jing
,
C.
Wen
, and
M.
Lanza
,
Adv. Electron. Mater.
6
,
1901226
(
2020
).
84.
S.
Barraud
,
V.
Lapras
,
B.
Previtali
,
M. P.
Samson
,
J.
Lacord
,
S.
Martinie
,
M. A.
Jaud
,
S.
Athanasiou
,
F.
Triozon
,
O.
Rozeau
,
J. M.
Hartmann
,
C.
Vizioz
,
C.
Comboroure
,
F.
Andrieu
,
J. C.
Barbé
,
M.
Vinet
, and
T.
Ernst
,
IEEE Int. Electron Devices Meet.
(
2017
).
85.
F.
Hui
and
M.
Lanza
,
Nat. Electron.
2
,
221
229
(
2019
).
86.
M.
Lanza
,
Conductive Atomic Force Microscopy
(
Weinheim
,
Germany
,
2017
). Chap. 1.
87.
M. I.
Vexler
,
S. M.
Suturin
,
S. E.
Tyaginov
,
A. G.
Banshchikov
, and
N. S.
Sokolov
,
Thin Solid Films
516
,
8740
8744
(
2008
).
88.
E. Y.
Wu
,
IEEE Trans. Electron Devices
66
,
4523
(
2019
).
89.
J. Y.-M. B.
Lee
and
C.
Lai
,
Handbook of Thin Films Materials
(
Academic Press
,
Cambridge, MA
,
2002
), Vol.
3
.
90.
Y.
Ji
,
C.
Pan
,
M.
Zhang
,
S.
Long
,
X.
Lian
,
F.
Miao
,
F.
Hui
,
Y.
Shi
,
L.
Larcher
,
E.
Wu
, and
M.
Lanza
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
012905
(
2016
).
91.
Y.
Hattori
,
T.
Taniguchi
,
K.
Watanabe
, and
K.
Nagashio
,
ACS Nano
9
,
916
(
2015
).
92.
S.
Suzuki
,
Y.
Otsuka
,
T.
Maki
, and
T.
Kobayashi
,
Jpn. J. Appl. Phys.
35
,
L1031
(
1996
).
93.
Y.
Yun
,
T.
Maki
,
H.
Tanaka
,
Y.
Shirakawa
, and
T.
Kobayashi
,
Jpn. J. Appl. Phys.
37
,
L1293
(
1998
).
94.
H.
Umezawa
,
H.
Taniuchi
,
T.
Arima
,
M.
Tachiki
,
K.
Tsugawa
,
S.
Yamanaka
,
D.
Takeuchi
,
H.
Okushi
, and
H.
Kawarada
,
Jpn. J. Appl. Phys.
39
,
L908
(
2000
).
95.
T. P.
Smith
 III
,
J. M.
Phillips
,
W. M.
Augustyniak
, and
P. J.
Stiles
,
Appl. Phys. Lett.
45
,
907
909
(
1984
).
96.
T.
Waho
and
F.
Yanagawa
,
IEEE Electron Device Lett.
9
,
548
(
1988
).
97.
M. I.
Vexler
,
Y. Y.
Illarionov
,
S. M.
Suturin
,
V. V.
Fedorov
, and
N. S.
Sokolov
,
Solid-state Electron.
63
,
19
21
(
2011
).
98.
Y. Y.
Illarionov
,
M. I.
Vexler
,
V. V.
Fedorov
,
S. M.
Suturin
, and
N. S.
Sokolov
,
J. Appl. Phys.
115
,
223706
(
2014
).
99.
S.
Yu
,
M.
Yi
, and
D.
Ma
,
Semicond. Sci. Technol.
21
,
1452
(
2006
).
100.
W.
Wang
,
J.
Shi
, and
D.
Ma
,
IEEE Trans. Electron Devices
56
,
1036
1039
(
2009
).
101.
N. S.
Sokolov
,
I. V.
Grekhov
,
S.
Ikeda
,
A. K.
Kaveev
,
A. V.
Krupin
,
K.
Saiki
,
K.
Tsutsui
,
S. E.
Tyaginov
, and
M. I.
Vexler
,
Microelectron. Eng.
84
,
2247
(
2007
).
102.
Y. Y.
Illarionov
,
M. I.
Vexler
,
S. M.
Suturin
,
V. V.
Fedorov
, and
N. S.
Sokolov
,
Tech. Phys. Lett.
36
,
404
(
2010
).
103.
K.
Novoselov
,
K. S.
Mishchenko
,
O. A.
Carvalho
,
O. A.
Neto
, and
A.
C.
,
Science
353
,
aac9439
(
2016
).
104.
K.
Chung
,
C. H.
Lee
, and
G. C.
Yi
,
Science
330
,
655
(
2010
).
105.
Y.
Kobayashi
,
K.
Kumakura
,
T.
Akasaka
, and
T.
Makimoto
,
Nature
484
,
223
(
2012
).
106.
Y. J.
Hong
,
W. H.
Lee
,
Y.
Wu
,
R. S.
Ruoff
, and
T.
Fukui
,
Nano Lett.
12
,
1431
(
2012
).
107.
T.
Ayari
,
S.
Sundaram
,
X.
Li
,
Y.
El Gmili
,
P. L.
Voss
,
J. P.
Salvestrini
, and
A.
Ougazzaden
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
171106
(
2016
).
108.
S. H.
Bae
,
H.
Kum
,
W.
Kong
,
Y.
Kim
,
C.
Choi
,
B.
Lee
,
P.
Lin
,
Y.
Park
, and
J.
Kim
,
Nat. Mater.
18
,
550
(
2019
).
109.
M.
Chhowalla
,
H. S.
Shin
,
G.
Eda
,
L. J.
Li
,
K. P.
Loh
, and
H.
Zhang
,
Nat. Chem.
5
,
263
(
2013
).
110.
Y.
Alaskar
,
S.
Arafin
,
Q.
Lin
,
D.
Wickramaratne
,
J.
McKay
,
A. G.
Norman
,
Z.
Zhang
,
L.
Yao
,
F.
Ding
,
J.
Zou
, and
M. S.
Goorsky
,
J. Cryst. Growth
425
,
268
273
(
2015
).
111.
P.
Gupta
,
A. A.
Rahman
,
N.
Hatui
,
M. R.
Gokhale
,
M. M.
Deshmukh
, and
A.
Bhattacharya
, “
MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene
,”
J. Cryst. Growth
372
,
105
108
(
2013
).
112.
S. J.
Chae
,
Y. H.
Kim
,
T. H.
Seo
,
D. L.
Duong
,
S. M.
Lee
,
M. H.
Park
,
E. S.
Kim
,
J. J.
Bae
,
S. Y.
Lee
,
H.
Jeong
, and
E. K.
Suh
,
RSC Adv.
5
,
1343
1349
(
2015
).
113.
T.
Niu
,
J.
Zhang
, and
W.
Chen
,
ChemNanoMat
5
,
6
23
(
2019
).
114.
M. M.
Ugeda
,
D.
Fernández-Torre
,
I.
Brihuega
,
P.
Pou
,
A. J.
Martínez-Galera
,
R.
Pérez
, and
J. M.
Gómez-Rodríguez
,
Phys. Rev. Lett.
107
,
116803
(
2011
).
115.
S.
Son
,
C.
Holroyd
,
J.
Clough
,
A.
Horn
,
S. P. K.
Koehler
, and
C.
Casiraghi
,
Appl. Phys. Lett.
109
,
243103
(
2016
).
116.
Y.
Wang
,
Y. Z.
Zhang
,
Y. Q.
Gao
,
G.
Sheng
, and
E.
Johan
,
Nano Energy
68
,
104306
(
2020
).
117.
B.
Radisavljevic
and
A.
Kis
,
Nat. Mater.
12
,
815
820
(
2013
).
118.
S.
Jo
,
N.
Ubrig
,
H.
Berger
,
A. B.
Kuzmenko
, and
A. F.
Morpurgo
,
Nano Lett.
14
,
2019
(
2014
).
119.
Y.
Zhao
,
J.
Qiao
,
Z.
Yu
,
P.
Yu
,
K.
Xu
,
S. P.
Lau
,
W.
Zhou
,
Z.
Liu
,
X.
Wang
,
W.
Ji
, and
Y.
Chai
,
Adv. Mater.
29
,
1604230
(
2017
).
120.
A.
Koma
,
K.
Saiki
, and
Y.
Sato
,
Appl. Surf. Sci.
41–42
,
451
(
1990
).
121.
J. R.
Nelson
,
R. J.
Needs
, and
C. J.
Pickard
,
Phys. Rev. B
98
,
224105
(
2018
).
122.
X. W.
Sun
,
Y. D.
Chu
,
Z. J.
Liu
,
Q. F.
Chen
,
Q.
Song
, and
T.
Song
,
Phys. B Condens. Matter.
404
,
158
162
(
2009
).
123.
Z. Y.
Zeng
,
X. R.
Chen
,
J.
Zhu
, and
C. E.
Hu
,
Chin. Phys. Lett.
25
,
230
233
(
2007
).
124.
Y. Y.
Qi
,
Y.
Cheng
,
M.
Liu
,
X. R.
Chen
, and
L. C.
Cai
,
Phys. B Condens. Matter.
426
,
13
19
(
2013
).
125.
A. S.
Foster
,
T.
Trevethan
, and
A. L.
Shluger
,
Phys. Rev. B
80
,
115421
(
2009
).
126.
A. M.
Burow
,
M.
Sierka
,
J.
Döbler
, and
J.
Sauer
,
J. Chem. Phys.
130
,
174710
(
2009
).
127.
G.
Rzepa
,
J.
Franco
,
B.
O'Sullivan
,
A.
Subirats
,
M.
Simicic
,
G.
Hellings
,
P.
Weckx
,
M.
Jech
,
T.
Knobloch
,
M.
Waltl
, and
P. J.
Roussel
,
Microelectron. Reliab.
85
,
49
65
(
2018
).
128.
Y.
Nishi
,
M.
Suzuki
, and
M.
Koyama
,
Appl. Phys. Express
6
,
041202
(
2013
).
You do not currently have access to this content.