The polar nature of the wurtzite crystalline structure of GaN and ZnO results in the existence of a spontaneous electric polarization within these materials and their associated alloys (Ga,Al,In)N and (Zn,Mg,Cd)O. The polarity has also important consequences on the stability of the different crystallographic surfaces, and this becomes especially important when considering epitaxial growth. Furthermore, the internal polarization fields may adversely affect the properties of optoelectronic devices but is also used as a potential advantage for advanced electronic devices. In this article, polarity-related issues in GaN and ZnO are reviewed, going from theoretical considerations to electronic and optoelectronic devices, through thin film, and nanostructure growth. The necessary theoretical background is first introduced and the stability of the cation and anion polarity surfaces is discussed. For assessing the polarity, one has to make use of specific characterization methods, which are described in detail. Subsequently, the nucleation and growth mechanisms of thin films and nanostructures, including nanowires, are presented, reviewing the specific growth conditions that allow controlling the polarity of such objects. Eventually, the demonstrated and/or expected effects of polarity on the properties and performances of optoelectronic and electronic devices are reported. The present review is intended to yield an in-depth view of some of the hot topics related to polarity in GaN and ZnO, a fast growing subject over the last decade.
References
1.
I.
Akasaki
, Rev. Mod. Phys.
87
, 1119
(2015
).2.
H.
Amano
, Rev. Mod. Phys.
87
, 1133
(2015
).3.
S.
Nakamura
, Rev. Mod. Phys.
87
, 1139
(2015
).4.
O.
Brandt
and K. H.
Ploog
, Nat. Mater.
5
, 769
(2006
).5.
O.
Ambacher
, J.
Smart
, J. R.
Shealy
, N. G.
Weimann
, K.
Chu
, M.
Murphy
, W. J.
Schaff
, L. F.
Eastman
, R.
Dimitrov
, L.
Wittmer
, M.
Stutzmann
, W.
Rieger
, and J.
Hilsenbeck
, J. Appl. Phys.
85
, 3222
(1999
).6.
Ü.
Özgür
, Y. I.
Alivov
, C.
Liu
, A.
Teke
, M. A.
Reshchikov
, S.
Doğan
, V.
Avrutin
, S.-J.
Cho
, and H.
Morkoç
, J. Appl. Phys.
98
, 041301
(2005
).7.
D. C.
Look
, Mater. Sci. Eng., B
80
, 383
(2001
).8.
S. J.
Pearton
, D. P.
Norton
, K.
Ip
, Y. W.
Heo
, and T.
Steiner
, Prog. Mater. Sci.
50
, 293
(2005
).9.
W. A.
Harrison
, J. Vac. Sci. Technol.
16
, 1492
(1979
).10.
C. B.
Duke
, Chem. Rev.
96
, 1237
(1996
).11.
P. W.
Tasker
, J. Phys. C: Solid State Phys.
12
, 4977
(1979
).12.
C.
Noguera
, J. Phys.: Condens Matter
12
, R367
(2000
).13.
A Primer in Density Functional Theory
, edited by C.
Fiolhais
, F.
Nogueira
, and M. A. L.
Marques
(Springer-Verlag
, Berlin, Heidelberg
, 2003
), Vol. 620.14.
R. G.
Parr
and W.
Yang
, Density-Functional Theory of Atoms and Molecules
(Oxford University Press
, New York
, 1989
), Vol. 16.15.
M.
Himmerlich
, L.
Lymperakis
, R.
Gutt
, P.
Lorenz
, J.
Neugebauer
, and S.
Krischok
, Phys. Rev. B
88
, 125304
(2013
).16.
A. I.
Duff
, L.
Lymperakis
, and J.
Neugebauer
, Phys. Status Solidi B
252
, 855
(2015
).17.
J. F.
Nye
, Physical Properties of Crystals
(Oford University Press
, Amen House, London
, 1964
).18.
H.
Klapper
and T.
Hahn
, International Tables for Crystallography
(International Union of Crystallography
, 2006
), Vol. A, p. 804
.19.
M.
Posternak
, A.
Baldereschi
, A.
Catellani
, and R.
Resta
, Phys. Rev. Lett.
64
, 1777
(1990
).20.
F.
Bernardini
, V.
Fiorentini
, and D.
Vanderbilt
, Phys. Rev. B
56
, 10024
(1997
).21.
F.
Bechstedt
, U.
Grossner
, and J.
Furthmüller
, Phys. Rev. B
62
, 8003
(2000
).22.
R.
Resta
, Rev. Mod. Phys.
66
, 899
(1994
).23.
R.
Resta
and D.
Vanderbilt
, Physics of Ferroelectrics
(Springer
, Berlin/Heidelberg
, 2007
), pp. 31
–68
.24.
M.
Posternak
, A.
Baldereschi
, A.
Catellani
, and R.
Resta
, Phys. Rev. Lett.
64
, 1777
(1990
).25.
A. K.
Tagantsev
, Phys. Rev. Lett.
69
, 389
(1992
).26.
A.
Baldereschi
, M.
Posternak
, and R.
Resta
, Phys. Rev. Lett.
69
, 390
(1992
).27.
F.
Bernardini
, V.
Fiorentini
, and D.
Vanderbilt
, Phys. Rev. B
56
, R10024
(1997
).28.
F.
Bernardini
, V.
Fiorentini
, and D.
Vanderbilt
, Phys. Rev. B
63
, 193201
(2001
).29.
A.
Qteish
, V.
Heine
, and R. J.
Needs
, Phys. Rev. B
45
, 6534
(1992
).30.
A.
Dal Corso
, M.
Posternak
, R.
Resta
, and A.
Baldereschi
, Phys. Rev. B
50
, 10715
(1994
).31.
J.
Lähnemann
, O.
Brandt
, U.
Jahn
, C.
Pfüller
, C.
Roder
, P.
Dogan
, F.
Grosse
, A.
Belabbes
, F.
Bechstedt
, A.
Trampert
, and L.
Geelhaar
, Phys. Rev. B
86
, 081302
(2012
).32.
J.
Goniakowski
, F.
Finocchi
, and C.
Noguera
, Rep. Prog. Phys.
71
, 016501
(2008
).33.
F.
Bechstedt
, Principles of Surface Physics
(Springer-Verlag
, Berlin, Heidelberg
, 2003
).34.
N.
Moll
, A.
Kley
, E.
Pehlke
, and M.
Scheffler
, Phys. Rev. B
54
, 8844
(1996
).35.
P.
Waltereit
, O.
Brandt
, A.
Trampert
, H. T.
Grahn
, J.
Menniger
, M.
Ramsteiner
, M.
Reiche
, and K. H.
Ploog
, Nature
406
, 865
(2000
).36.
J. L. A.
Alves
, J.
Hebenstreit
, and M.
Scheffler
, Phys. Rev. B
44
, 6188
(1991
).37.
J.
Northrup
and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
53
, R10477
(1996
).38.
A.
Filippetti
, V.
Fiorentini
, G.
Cappellini
, and A.
Bosin
, Phys. Rev. B
59
, 8026
(1999
).39.
D.
Segev
, A.
Janotti
, and C. G.
Van de Walle
, Phys. Rev. B
75
, 035201
(2007
).40.
C. G.
Van de Walle
and D.
Segev
, J. Appl. Phys.
101
, 081704
(2007
).41.
L.
Ivanova
, S.
Borisova
, H.
Eisele
, M.
Dahne
, A.
Laubsch
, and P.
Ebert
, Appl. Phys. Lett.
93
, 192110
(2008
).42.
M.
Bertelli
, P.
Löptien
, M.
Wenderoth
, A.
Rizzi
, R. G.
Ulbrich
, M. C.
Righi
, A.
Ferretti
, L.
Martin-Samos
, C. M.
Bertoni
, and A.
Catellani
, Phys. Rev. B
80
, 115324
(2009
).43.
L.
Lymperakis
, P. H.
Weidlich
, H.
Eisele
, M.
Schnedler
, J. P.
Nys
, B.
Grandidier
, D.
Stievenard
, R. E.
Dunin-Borkowski
, J.
Neugebauer
, and P.
Ebert
, Appl. Phys. Lett.
103
, 152101
(2013
).44.
L.
Lymperakis
and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
79
, 241308
(2009
).45.
V.
Consonni
, Phys. Status Solidi RRL
7
, 699
(2013
).46.
C. D.
Lee
, R. M.
Feenstra
, J. E.
Northrup
, L.
Lymperakis
, and J.
Neugebauer
, Appl. Phys. Lett.
82
, 1793
(2003
).47.
J. E.
Northrup
, R.
Di Felice
, and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
56
, R4325
(1997
).48.
B.
Meyer
and D.
Marx
, Phys. Rev. B
67
, 035403
(2003
).49.
D. J.
Cooke
, A.
Marmier
, and S. C.
Parker
, J. Phys. Chem. B
110
, 7985
(2006
).50.
H.
Zhang
, S.
Lu
, W.
Xu
, and F.
Yuan
, J. Appl. Phys.
113
, 034903
(2013
).51.
N. L.
Marana
, V. M.
Longo
, E.
Longo
, J. B. L.
Martins
, and J. R.
Sambrano
, J. Phys. Chem. A
112
, 8958
(2008
).52.
P.
Schröer
, P.
Krüger
, and J.
Pollmann
, Phys. Rev. B
49
, 17092
(1994
).53.
A.
Wander
and N. M.
Harrison
, Surf. Sci.
457
, L342
(2000
).54.
J. E.
Jaffe
, N. M.
Harrison
, and A. C.
Hess
, Phys. Rev. B
49
, 11153
(1994
).55.
A.
Wander
and N. M.
Harrison
, J. Phys. Chem. B
105
, 6191
(2001
).56.
Y.
Wang
, B.
Meyer
, X.
Yin
, M.
Kunat
, D.
Langenberg
, F.
Traeger
, A.
Birkner
, and C.
Wöll
, Phys. Rev. Lett.
95
, 266104
(2005
).57.
J. E.
Northrup
, J.
Neugebauer
, R. M.
Feenstra
, and A. R.
Smith
, Phys. Rev. B
61
, 9932
(2000
).58.
A. R.
Smith
, V.
Ramachandran
, R. M.
Feenstra
, D. W.
Greve
, M. S.
Shin
, M.
Skowronski
, J.
Neugebauer
, and J. E.
Northrup
, J. Vac. Sci. Technol., A
16
, 1641
(1998
).59.
A. R.
Smith
, R. M.
Feenstra
, D. W.
Greve
, M. S.
Shin
, M.
Skowronski
, J.
Neugebauer
, and J. E.
Northrup
, Appl. Phys. Lett.
72
, 2114
(1998
).60.
J.
Neugebauer
, T.
Zywietz
, M.
Scheffler
, J. E.
Northrup
, and C. G.
Van de Walle
, Phys. Rev. Lett.
80
, 3097
(1998
).61.
C.
Adelmann
, J.
Brault
, G.
Mula
, B.
Daudin
, L.
Lymperakis
, and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
67
, 165419
(2003
).62.
J.
Neugebauer
, T. K.
Zywietz
, M.
Scheffler
, J. E.
Northrup
, H.
Chen
, and R. M.
Feenstra
, Phys. Rev. Lett.
90
, 056101
(2003
).63.
A. R.
Smith
, R. M.
Feenstra
, D. W.
Greve
, J.
Neugebauer
, and J. E.
Northrup
, Phys. Rev. Lett.
79
, 3934
(1997
).64.
C. A.
Pignedoli
, R.
Di Felice
, and C. M.
Bertoni
, Phys. Rev. B
64
, 113301
(2001
).65.
K.
Rapcewicz
, M. B.
Nardelli
, and J.
Bernholc
, Phys. Rev. B
56
, 12725
(1997
).66.
J.
Fritsch
, O. F.
Sankey
, K. E.
Schmidt
, and J. B.
Page
, Phys. Rev. B
57
, 15360
(1998
).67.
P.
Kempisty
, P.
Strak
, K.
Sakowski
, and S.
Krukowski
, J. Cryst. Growth
401
, 514
(2014
).68.
P.
Kempisty
, P.
Strak
, and S.
Krukowski
, Phys. Status Solidi C
9
, 826
(2012
).69.
J.
Elsner
, M.
Haugk
, G.
Jungnickel
, and T.
Frauenheim
, Solid State Commun.
106
, 739
(1998
).70.
P.
Kempisty
and S.
Krukowski
, AIP Adv.
4
, 117109
(2014
).71.
C. G.
Van de Walle
and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. Lett.
88
, 066103
(2002
).72.
J. E.
Northrup
and J.
Neugebauer
, Appl. Phys. Lett.
85
, 3429
(2004
).73.
A.
Wander
, F.
Schedin
, P.
Steadman
, A.
Norris
, R.
McGrath
, T. S.
Turner
, G.
Thornton
, and N. M.
Harrison
, Phys. Rev. Lett.
86
, 3811
(2001
).74.
G.
Kresse
, O.
Dulub
, and U.
Diebold
, Phys. Rev. B
68
, 245409
(2003
).75.
J. E.
Northrup
and J.
Neugebauer
, Appl. Phys. Lett.
87
, 141914
(2005
).76.
O.
Dulub
, U.
Diebold
, and G.
Kresse
, Phys. Rev. Lett.
90
, 016102
(2003
).77.
M.
Valtiner
, M.
Todorova
, G.
Grundmeier
, and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. Lett.
103
, 065502
(2009
).78.
J.
Northrup
, R.
Di Felice
, and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
56
, R4325
(1997
).79.
M.
Valtiner
, M.
Todorova
, and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
82
, 165418
(2010
).80.
T.
Becker
, S.
Hövel
, M.
Kunat
, C.
Boas
, U.
Burghaus
, and C.
Wöll
, Surf. Sci.
486
, L502
(2001
).81.
B.
Meyer
, Phys. Rev. B
69
, 045416
(2004
).82.
V.
Staemmler
, K.
Fink
, B.
Meyer
, D.
Marx
, M.
Kunat
, S.
Gil Girol
, U.
Burghaus
, and C.
Woll
, Phys. Rev. Lett.
90
, 106102
(2003
).83.
C.
Wöll
, Prog. Surf. Sci.
82
, 55
(2007
).84.
J. V.
Lauritsen
, S.
Porsgaard
, M. K.
Rasmussen
, M. C. R.
Jensen
, R.
Bechstein
, K.
Meinander
, B. S.
Clausen
, S.
Helveg
, R.
Wahl
, G.
Kresse
, and F.
Besenbacher
, ACS Nano
5
, 5987
(2011
).85.
S. B.
Zhang
and S.-H.
Wei
, Phys. Rev. Lett.
92
, 086102
(2004
).86.
C. E.
Dreyer
, A.
Janotti
, and C. G.
Van de Walle
, Phys. Rev. B
89
, 081305
(2014
).87.
A. E.
Romanov
, T. J.
Baker
, S.
Nakamura
, J. S.
Speck
, and E. J. U.
Group
, J. Appl. Phys.
100
, 023522
(2006
).88.
J. E.
Northrup
, Appl. Phys. Lett.
95
, 133107
(2009
).89.
T.
Akiyama
, D.
Ammi
, K.
Nakamura
, and T.
Ito
, Phys. Rev. B
81
, 245317
(2010
).90.
T.
Yamashita
, T.
Akiyama
, K.
Nakamura
, and T.
Ito
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
48
, 120201
(2009
).91.
E.
Kalesaki
, L.
Lymperakis
, J.
Kioseoglou
, J.
Neugebauer
, T.
Karakostas
, and P.
Komninou
, J. Appl. Phys.
112
, 033510
(2012
).92.
T.
Ito
, T.
Akiyama
, and K.
Nakamura
, Semicond. Sci. Technol.
27
, 024010
(2012
).93.
T.
Akiyama
, T.
Yamashita
, K.
Nakamura
, and T.
Ito
, J. Cryst. Growth
318
, 79
(2011
).94.
A. N.
Mariano
and R. E.
Hanneman
, J. Appl. Phys.
34
, 384
(1963
).95.
H.
Maki
, T.
Ikoma
, I.
Sakaguchi
, N.
Ohashi
, H.
Haneda
, J.
Tanaka
, and N.
Ichinose
, Thin Solid Films
411
, 91
(2002
).96.
H.
Tampo
, P.
Fons
, A.
Yamada
, K. K.
Kim
, H.
Shibata
, K.
Matsubara
, S.
Niki
, H.
Yoshikawa
, and H.
Kanie
, Appl. Phys. Lett.
87
, 141904
(2005
).97.
X.
Wang
, Y.
Tomita
, O. H.
Row
, M.
Ohsugi
, S. B.
Che
, Y.
Ishitani
, and A.
Yoshikawa
, Appl. Phys. Lett.
86
, 011921
(2005
).98.
N.
Ohashi
, K.
Takahashi
, S.
Hishita
, I.
Sakaguchi
, H.
Funakubo
, and H.
Haneda
, J. Electrochem. Soc.
154
, D82
(2007
).99.
S. C.
Han
, J. K.
Kim
, J. Y.
Kim
, K. K.
Kim
, H.
Tampo
, S.
Niki
, and J. M.
Lee
, J. Electrochem. Soc.
157
, D60
(2010
).100.
H.
Iwanaga
, T.
Yoshie
, T.
Yamaguchi
, and N.
Shibata
, J. Cryst. Growth
47
, 703
(1979
).101.
Y.
Morimoto
, J. Electrochem. Soc.
121
, 1383
(1974
).102.
A.
Shintani
and S.
Minagawa
, J. Electrochem. Soc.
123
, 706
(1976
).103.
D.
Huang
, P.
Visconti
, K. M.
Jones
, M. A.
Reshchikov
, F.
Yun
, A. A.
Baski
, T.
King
, and H.
Morkoc
, Appl. Phys. Lett.
78
, 4145
(2001
).104.
J. L.
Weyher
, S.
Müller
, I.
Grzegory
, and S.
Porowski
, J. Cryst. Growth
182
, 17
–22
(1997
).105.
M.
Seelmann-Eggebert
, J. L.
Weyher
, H.
Obloh
, H.
Zimmermann
, A.
Rar
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2635
(1997
).106.
J. L.
Rouviere
, J. L.
Weyher
, M.
Seelmann-Eggebert
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
73
, 668
(1998
).107.
T.
Palacios
, F.
Calle
, M.
Varela
, C.
Ballesteros
, E.
Monroy
, F. B.
Naranjo
, M. A.
Sanchez-Garcıa
, E.
Calleja
, and E.
Munoz
, Semicond. Sci. Technol.
15
, 996
(2000
).108.
L.
Dongsheng
, M.
Sumiya
, K.
Yoshimura
, Y.
Suzuki
, Y.
Fukuda
, and S.
Fuke
, Phys. Status Solidi A
180
, 357
(2000
).109.
D.
Li
, M.
Sumiya
, S.
Fuke
, D.
Yang
, D.
Que
, Y.
Suzuki
, and Y.
Fukuda
, J. Appl. Phys.
90
, 4219
(2001
).110.
H. G.
Ng
, N. G.
Weimann
, and A.
Chowdhury
, J. Appl. Phys.
94
, 650
(2003
).111.
H. G.
Ng
, W.
Parz
, N. G.
Weimann
, and A.
Chowdhury
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
, L1405
(2003
).112.
Y.
Gao
, T.
Fujii
, R.
Sharma
, K.
Fujito
, S. P.
Denbaars
, S.
Nakamura
, and E. L.
Hu
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
43
, L637
(2004
).113.
Y.
Gao
, M. D.
Craven
, J. S.
Speck
, S. P.
Denbaars
, and E. L.
Hu
, Appl. Phys. Lett.
84
, 3322
(2004
).114.
D. A.
Stocker
, E. F.
Schubert
, and J. M.
Redwing
, Appl. Phys. Lett.
73
, 2654
(1998
).115.
K.
Hestroffer
, C.
Leclere
, C.
Bougerol
, H.
Renevier
, and B.
Daudin
, Phys. Rev. B
84
, 245302
(2011
).116.
M. D.
Brubaker
, I.
Levin
, A. V.
Davydov
, D. M.
Rourke
, N. A.
Sanford
, V. M.
Bright
, and K. A.
Bertness
, J. Appl. Phys.
110
, 053506
(2011
).117.
L.
Largeau
, E.
Galopin
, N.
Gogneau
, L.
Travers
, F.
Glas
, and J. C.
Harmand
, Cryst. Growth Des.
12
, 2724
(2012
).118.
X.
Wang
, S.
Li
, S.
Fündling
, J.
Wei
, M.
Erenburg
, H. H.
Wehmann
, A.
Waag
, W.
Bergbauer
, M.
Strassburg
, U.
Jahn
, and H.
Riechert
, Cryst. Growth Des.
12
, 2552
(2012
).119.
B.
Alloing
, S.
Vézian
, O.
Tottereau
, P.
Vennéguès
, E.
Beraudo
, and J.
Zuniga-Perez
, Appl. Phys. Lett.
98
, 011914
(2011
).120.
F. A.
Ponce
, D. P.
Bour
, W. Y.
Young
, M.
Saunders
, and J. W.
Steeds
, Appl. Phys. Lett.
69
, 337
(1996
).121.
B.
Daudin
, J. L.
Rouvière
, and M.
Arlery
, Appl. Phys. Lett.
69
, 2480
(1996
).122.
J. L.
Rouviere
, J. L.
Weyher
, M.
Seelmann-Eggebert
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
73
, 668
(1998
).123.
T.
Mitate
, Y.
Sonoda
, and N.
Kuwano
, Phys. Status Solidi A
192
, 383
(2002
).124.
G.
Perillat-Merceroz
, R.
Thierry
, P. H.
Jouneau
, P.
Ferret
, and G.
Feuillet
, Nanotechnology
23
, 125702
(2012
).125.
L. T.
Romano
, J. E.
Northrup
, and M. A.
O'Keefe
, Appl. Phys. Lett.
69
, 2394
(1996
).126.
R.
Serneels
, M.
Snykers
, P.
Delavignette
, R.
Gevers
, and S.
Amelinckx
, Phys. Status Solidi B
58
, 277
(1973
).127.
W.
Kossel
and G.
Möllenstedt
, Ann. Phys.
428
, 113
(1939
).128.
P. A.
Stadelmann
, Ultramicroscopy
21
, 131
(1987
).129.
T.
Mitate
, S.
Mizuno
, H.
Takahata
, R.
Kakegawa
, T.
Matsuoka
, and N.
Kuwano
, Appl. Phys. Lett.
86
, 134103
(2005
).130.
J.
Taftø
, Phys. Rev. Lett.
51
, 654
(1983
).131.
N.
Jiang
, T. J.
Eustis
, J.
Cai
, F. A.
Ponce
, J. C. H.
Spence
, and J.
Silcox
, Appl. Phys. Lett.
80
, 389
(2002
).132.
J.
Taftø
, Acta Crystallogr., Sect. A
43
, 208
(1987
).133.
X.
Kong
, J.
Ristic
, M. A.
Sanchez-Garcıa
, E.
Calleja
, and A.
Trampert
, Nanotechnology
22
, 415701
(2011
).134.
P.
Hirsch
, A.
Howie
, R. B.
Nicholson
, D. W.
Pashley
, and M. J.
Whelan
, Electron Microscopy of Thin Crystal
, 2nd ed. (Huntington
, New York
, 1977
).135.
J. C. H.
Spence
and J. M.
Zuo
, Electron Microdiffraction
(Plenum
, New York
, 1992
).136.
R. F.
Egerton
, Electron-Energy Loss Spectroscopy in the Electron Microscope
, 2nd ed. (Plenum Press
, New York
, 1996
).137.
X.
Kong
, G. Q.
Hu
, X. F.
Duan
, Y.
Lu
, and X. L.
Liu
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1990
(2002
).138.
J.
Jasinski
, D.
Zhang
, J.
Parra
, V.
Katkanant
, and V. J.
Leppert
, Appl. Phys. Lett.
92
, 093104
(2008
).139.
E.
Uccelli
, J.
Arbiol
, C.
Magen
, P.
Krogstrup
, E.
Russo-Averchi
, M.
Heiss
, G.
Mugny
, F.
Morier-Genoud
, J.
Nygard
, J. R.
Morante
, and A.
Fontcuberta i Morral
, Nano Lett.
11
, 3827
(2011
).140.
K. A.
Mkhoyan
, P. E.
Batson
, J.
Cha
, W. J.
Schaff
, and J.
Silcox
, Science
312
, 1354
(2006
).141.
J. L.
Rouvière
, C.
Bougerol
, B.
Amstatt
, E.
Bellet-Almaric
, and B.
Daudin
, Appl. Phys. Lett.
92
, 201904
(2008
).142.
S. D.
Findlay
, N.
Shibata
, H.
Sawada
, E.
Okunishi
, Y.
Kondo
, and Y.
Ikuhara
, Ultramicroscopy
110
, 903
(2010
).143.
M.
de la Mata
, C.
Magen
, J.
Gazquez
, M. I. B.
Utama
, M.
Heiss
, S.
Lopatin
, F.
Furtmayr
, C. J.
Fernandez-Rojas
, B.
Peng
, J. R.
Morante
, R.
Rurali
, M.
Eickhoff
, A.
Fontcuberta I Morral
, Q.
Xiong
, and J.
Arbiol
, Nano Lett.
12
, 2579
(2012
).144.
L.
Li
, Z.
Gan
, M. R.
McCartney
, H.
Liang
, H.
Yu
, W. J.
Yin
, Y.
Yan
, Y.
Gao
, J.
Wang
, and D. J.
Smith
, Adv. Mater.
26
, 1052
(2014
).145.
M. I.
den Hertog
, F.
Gonzalez-Posada
, R.
Songmuang
, J. L.
Rouviere
, T.
Fournier
, B.
Fernandez
, and E.
Monroy
, Nano Lett.
12
, 5691
(2012
).146.
F.
Jona
, J. S.
Strozier
, and W.
Yang
, Rep. Prog. Phys.
45
, 527
(1982
).147.
K.
Heinz
, Rep. Prog. Phys.
58
, 637
(1995
).148.
M. A.
Van Hove
, W. H.
Weinberg
, and C.-M.
Chan
, Low-Energy Electron Diffraction
(Springer-Verlag
, Berlin/Heidelberg
, 1986
).149.
O.
Romanyuk
, P.
Jiricek
, and T.
Paskova
, Surf. Sci.
606
, 740
(2012
).150.
O.
Romanyuk
, S.
Fernández-Garrido
, P.
Jiříček
, I.
Bartoš
, L.
Geelhaar
, O.
Brandt
, and T.
Paskova
, Appl. Phys. Lett.
106
, 021602
(2015
).151.
Z.
Yu
, S.
Tong
, S.
Xu
, S.
Ma
, and H.
Wu
, Surf. Rev. Lett.
10
, 831
(2003
).152.
C. S.
Fadley
, Prog. Surf. Sci.
16
, 275
(1984
).153.
C.
Westphal
, Surf. Sci. Rep.
50
, 1
(2003
).154.
J.
Pezoldt
, T.
Kups
, T.
Stauden
, and B.
Schröter
, Mater. Sci. Eng., B
165
, 28
(2009
).155.
M.
Seelmann-Eggebert
, J. L.
Weyher
, H.
Obloh
, H.
Zimmermann
, A.
Rar
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
71
, 2635
(1997
).156.
J. R.
Williams
, M.
Kobata
, I.
Pis
, E.
Ikenaga
, T.
Sugiyama
, K.
Kobayashi
, and N.
Ohashi
, Surf. Sci.
605
, 1336
(2011
).157.
O.
Romanyuk
, P.
Jiříček
, T.
Paskova
, I.
Bieloshapka
, and I.
Bartoš
, Appl. Phys. Lett.
103
, 091601
(2013
).158.
O.
Romanyuk
, P.
Jiříček
, T.
Paskova
, and I.
Bartoš
, J. Appl. Phys.
116
, 104909
(2014
).159.
O.
Romanyuk
, P.
Jiříček
, T.
Paskova
, and I.
Bartoš
, “Polarity of GaN surfaces with polar {0001} and semipolar {1011}, {2021}, {1122} orientations: X-ray photoelectron diffraction study,” J. Mater. Res.
(in press).160.
J. M.
Bijvoet
, A. F.
Peerdeman
, and A. J.
van Bommel
, Nature
168
, 271
(1951
).161.
J.
Als-Nielsen
and D.
McMorrow
, Elements of Modern X-Ray Physics
, 2nd ed. (Wiley
, Chichester
, 2011
).162.
E. H.
Kisi
and M. M.
Elcombe
, Acta Crystallogr., Sect. C: Struct. Chem.
45
, 1867
(1989
).163.
J.
Hodeau
, V.
Favre-Nicolin
, S.
Bos
, H.
Renevier
, E.
Lorenzo
, and J.
Berar
, Chem. Rev.
101
, 1843
(2001
).164.
V.
Favre-Nicolin
, M. G.
Proietti
, C.
Leclere
, N. A.
Katcho
, M. I.
Richard
, and H.
Renevier
, Eur. Phys. J. Spec. Top.
208
, 189
(2012
).165.
D.
Bowen
and B. K.
Tanner
, X-Ray Metrology in Semiconductor Manufacturing
(Taylor and Francis
, Boca Raton
, 2006
).166.
167.
D.
Coster
, K.
Knol
, and J.
Prins
, Z. Phys.
63
, 345
(1930
).168.
H.
Cole
and N. R.
Stemple
, J. Appl. Phys.
33
, 2227
(1962
).169.
P. F.
Fewster
, J. Appl. Phys.
52
, 4568
(1981
).170.
A. W.
Stevenson
, S. W.
Wilkins
, M. S.
Kwietniak
, and G. N.
Pain
, J. Appl. Phys.
66
, 4198
(1989
).171.
R. D.
Horning
and B. L.
Goldenberg
, Appl. Phys. Lett.
55
, 1721
(1989
).172.
173.
R. L.
Barns
, E. T.
Keve
, and S. C.
Abrahams
, J. Appl. Crystallogr.
3
, 27
(1970
).174.
H.
Tampo
, P.
Fons
, A.
Yamada
, K.-K.
Kim
, H.
Shibata
, K.
Matsubara
, S.
Niki
, H.
Yoshikawa
, and H.
Kanie
, Appl. Phys. Lett.
87
, 141904
(2005
).175.
C. T.
Shelton
, E.
Sachet
, E. A.
Paisley
, M. P.
Hoffmann
, J.
Rajan
, R.
Collazo
, Z.
Sitar
, and J.-P.
Maria
, J. Appl. Phys.
115
, 044912
(2014
).176.
D. C.
Meyer
, K.
Richter
, H.-G.
Krane
, W.
Morgenroth
, and P.
Paufler
, J. Appl. Crystallogr.
32
, 854
(1999
).177.
K.
Hestroffer
, C.
Leclere
, C.
Bougerol
, H.
Renevier
, and B.
Daudin
, Phys. Rev. B
84
, 245302
(2011
).178.
M.
Katayama
, E.
Nomura
, N.
Kanekama
, H.
Soejima
, and M.
Aono
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
33
, 857
(1988
).179.
M.
Aono
, M.
Katayama
, E.
Nomura
, T.
Chasé
, D.
CHoi
, and M.
Kato
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
37
, 264
(1989
).180.
M.
Sumiya
and S.
Fuke
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
9
, 1
(2004
).181.
S.
Sonoda
, S.
Shimizu
, Y.
Suzuki
, K.
Balakrshnan
, J.
Shirakashi
, H.
Okumura
, T.
Nishihara
, and M.
Shinohara
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
38
, L1219
(1999
).182.
T.
Ohnishi
, A.
Ohtomo
, M.
Kawasaki
, K.
Takahashi
, M.
Yoshimoto
, and H.
Koinuma
, Appl. Phys. Lett.
72
, 824
(1998
).183.
M.
Sumiya
, M.
Tanaka
, K.
Ohtsuka
, S.
Fuke
, I.
Ohkubo
, M.
Yoshimoto
, H.
Koinuma
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Lett.
75
, 674
(1999
).184.
S.
Sonoda
, S.
Shimizu
, X. Q.
Shen
, and H.
Okumura
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
39
, L202
(2000
).185.
S. K.
Hong
, T.
Hanada
, H. J.
Ko
, Y.
Chen
, T.
Yao
, D.
Imaki
, K.
Araki
, M.
Shinohara
, K.
Saitoh
, and M.
Terauchi
, Phys. Rev. B
65
, 115331
(2002
).186.
M.
Walker
, T. D.
Veal
, L.
Lu
, W. J.
Schaff
, and C. F.
McConville
, Phys. Status Solidi C
2
, 2301
(2005
).187.
M.
Nonnenmacher
, M. P.
O'Boyle
, and H. K.
Wickramasinghe
, Appl. Phys. Lett.
58
, 2921
(1991
).188.
J.
Zuniga-Perez
, V.
Munoz-Sanjosé
, E.
Palacios-Lidon
, and J.
Colchero
, Phys. Rev. Lett.
95
, 226105
(2005
).189.
K. M.
Jones
, P.
Vsiconti
, F.
Yun
, A. A.
Baski
, and H.
Morkoç
, Appl. Phys. Lett.
78
, 2497
(2001
).190.
B. J.
Rodriguez
, W. C.
Yang
, R. J.
Nemanich
, and A.
Gruverman
, Appl. Phys. Lett.
86
, 112115
(2005
).191.
J.
Zuniga-Perez
, E.
Palacios-Lidon
, V.
Munoz-Sanjosé
, and J.
Colchero
, Appl. Phys. A
88
, 77
(2007
).192.
J. D.
Wei
, R.
Neumann
, X.
Wang
, S. F.
Li
, S.
Fündling
, S.
Merzsch
, M. A. M.
Al-Suleiman
, U.
Sökmen
, H. H.
Wehmann
, and A.
Waag
, Phys. Status Solidi C
8
, 2157
(2011
).193.
A.
Minj
, A.
Cros
, N.
Garro
, J.
Colchero
, T.
Auzelle
, and B.
Daudin
, Nano Lett.
15
, 6770
(2015
).194.
L.
Kronik
and Y.
Shapira
, Surf. Sci. Rep.
37
, 1
(1999
).195.
J. D.
Wei
, S. F.
Li
, A.
Atamuratov
, H. H.
Wehmann
, and A.
Waag
, Appl. Phys. Lett.
97
, 172111
(2010
).196.
B. J.
Rodriguez
, A.
Gruverman
, A. I.
Kingon
, and R. J.
Nemanich
, J. Cryst. Growth
246
, 252
(2002
).197.
T.
Stoica
, R.
Calarco
, R.
Meijers
, and H.
Lüth
, Appl. Surf. Sci.
253
, 4300
(2007
).198.
M. D.
Brubaker
, I.
Levin
, A.
Davydov
, D. M.
Rourke
, M. A.
Sanford
, V. M.
Bright
, and K. A.
Bertness
, J. Appl. Phys.
110
, 053506
(2011
).199.
J.
Jerphagnon
and H. W.
Newkirk
, Appl. Phys. Lett.
18
, 245
(1971
).200.
A.
Dal Corso
, M.
Posternak
, R.
Resta
, and A.
Baldereschi
, Phys. Rev. B
50
, 10715
(1994
).201.
W. S.
Yan
, R.
Zhang
, Z. L.
Xie
, X. Q.
Xiu
, P.
Han
, H.
Lu
, P.
Chen
, S. L.
Gu
, Y.
Shi
, Y. D.
Zheng
, and Z. G.
Liu
, Appl. Phys. Lett.
94
, 042106
(2009
).202.
H.
Blank
, P.
Delavignette
, R.
Gevers
, and S.
Amelinckx
, Phys. Status Solidi B
7
, 747
(1964
).203.
Y. T.
Rebane
, Y. G.
Shreter
, and M.
Albrecht
, Phys. Status Solidi A
164
, 141
(1997
).204.
G.
Salviati
, M.
Albrecht
, C.
Zanotti-Fregonara
, N.
Armani
, M.
Mayer
, Y.
Shreter
, M.
Guzzi
, Y. V.
Melnik
, K.
Vassilevski
, V. A.
Dmitriev
, and H. P.
Strunk
, Phys. Status Solidi A
171
, 325
(1999
).205.
Y. J.
Sun
, O.
Brandt
, U.
Jahn
, T. Y.
Liu
, A.
Trampert
, S.
Cronenberg
, S.
Dhar
, and K. H.
Ploog
, J. Appl. Phys.
92
, 5714
(2002
).206.
R.
Liu
, A.
Bell
, F. A.
Ponce
, C. Q.
Chen
, J. W.
Yang
, and M. A.
Khan
, Appl. Phys. Lett.
86
, 021908
(2005
).207.
T.
Paskova
, R.
Kroeger
, P. P.
Paskov
, S.
Figge
, D.
Hommel
, B.
Monemar
, B.
Haskell
, P.
Fini
, J. S.
Speck
, and S.
Nakamura
, Proc. SPIE
6121
, 612106
(2006
).208.
G.
Jacopin
, L.
Rigutti
, L.
Largeau
, F.
Fortuna
, F.
Furtmayr
, F. H.
Julien
, M.
Eickhoff
, and M.
Tchernycheva
, J. Appl. Phys.
110
, 064313
(2011
).209.
P.
Corfdir
, C.
Hauswald
, J. K.
Zettler
, T.
Flissikowski
, J.
Lähnemann
, S.
Fernández-Garrido
, L.
Geelhaar
, H.
Grahn
, and O.
Brandt
, Phys. Rev. B
90
, 195309
(2014
).210.
S.
Keller
, N.
Fichtenbaum
, F.
Wu
, G.
Lee
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
45
, L322
(2006
).211.
H. P.
Maruska
and J. J.
Tietjen
, Appl. Phys. Lett.
15
, 327
(1969
).212.
H. M.
Manasevit
and W. I.
Simpson
, J. Electrochem. Soc.
116
, 1725
(1969
).213.
A.
Usui
, H.
Sunakawa
, A.
Sakai
, and A. A.
Yamaguchi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
36
, L899
(1997
).214.
M.
Sumiya
, K.
Yoshimura
, T.
Ito
, K.
Ohtsuka
, S.
Fuke
, K.
Mizuno
, M.
Yoshimoto
, H.
Koinuma
, A.
Ohtomo
, and M.
Kawasaki
, J. Appl. Phys.
88
, 1158
(2000
).215.
M.
Stutzmann
, O.
Ambacher
, M.
Eickhoff
, U.
Karrer
, A.
Lima Pimenta
, R.
Neuberger
, J.
Schalwig
, R.
Dimitrov
, P.
Schuck
, and R. D.
Grober
, Phys. Status Solidi B
228
, 505
(2001
).216.
J. L.
Weyher
, P. D.
Brown
, A. R. A.
Zauner
, S.
Müller
, C. B.
Boothroyd
, D. T.
Foord
, P. R.
Hageman
, J. C.
Humphreys
, P. K.
Larsen
, I.
Grzegory
, and S.
Porowski
, J. Cryst. Growth
204
, 419
(1999
).217.
T.
Sasaki
and T.
Matsuoka
, J. Appl. Phys.
64
, 4531
(1988
).218.
V.
Ramachandran
, R. M.
Feenstra
, W. L.
Sarney
, L.
Salamanca-Riba
, J. E.
Northrup
, L. T.
Romano
, and D. W.
Greve
, Appl. Phys. Lett.
75
, 808
(1999
).219.
D. S.
Green
, E.
Haus
, F.
Wu
, L.
Chen
, U. K.
Mishra
, and J. S.
Speck
, J. Vac. Sci. Technol., B
21
, 1804
(2003
).220.
P. R.
Tavernier
, T.
Margalith
, J.
Williams
, D. S.
Green
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, U. K.
Mishra
, S.
Nakamura
, and D. R.
Clarke
, J. Cryst. Growth
264
, 150
(2004
).221.
S.
Figge
, R.
Kröger
, T.
Böttcher
, P. L.
Ryder
, and D.
Hommel
, Appl. Phys. Lett.
81
, 4748
(2002
).222.
J. L.
Rouvière
, M.
Arlery
, R.
Niebuhr
, K. H.
Bachem
, and O.
Briot
, Mater. Sci. Eng., B
43
, 161
(1997
).223.
P.
Guan
, A. L.
Cai
, J. S.
Cabalu
, H. L.
Porter
, and S.
Huang
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2491
(2000
).224.
A. R. A.
Zauner
, J. L.
Weyher
, M.
Plomp
, V.
Kirilyuk
, I.
Grzegory
, W. J. P.
Enckevort
, J. J.
Schermer
, P. R.
Hageman
, and P. K.
Larsen
, J. Cryst. Growth
210
, 435
(2000
).225.
A. R. A.
Zauner
, A.
Aret
, W. J. P.
van Enckevort
, J. L.
Weyher
, S.
Porowski
, and J. J.
Schermer
, J. Cryst. Growth
240
, 14
(2002
).226.
S.
Porowski
, J. Cryst. Growth
166
, 583
(1996
).227.
T.
Matsuoka
, Y.
Kobayashi
, H.
Takahata
, T.
Mitate
, S.
Mizuno
, A.
Sasaki
, M.
Yoshimoto
, T.
Ohnishi
, and M.
Sumiya
, Phys. Status Solidi B
243
, 1446
(2006
).228.
S.
Keller
, N. A.
Fichtenbaum
, F.
Wu
, D.
Brown
, A.
Rosales
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
102
, 083546
(2007
).229.
Y.
Fu
, Q.
Fan
, S.
Chevtchenko
, Ü.
Özgür
, H.
Morkoç
, Y.
Ke
, R.
Devaty
, W. J.
Choyke
, C. K.
Inoki
, and T. S.
Kuan
, Proc. SPIE
6473
, 647305
(2007
).230.
D. F.
Brown
, S.
Keller
, F.
Wu
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
104
, 024301
(2008
).231.
S.
Keller
, Y.
Dora
, F.
Wu
, X.
Chen
, S.
Chowdhury
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
97
, 142109
(2010
).232.
M. H.
Wong
, S.
Keller
, Nidhi
, S.
, Dasgupta
, D.
, Denninghoff
, S.
, Kolluri
, D. F.
, Brown
, J.
, Lu
, N. A.
, Fichtenbaum
, E.
, Ahmadi
, U.
, Singisetti
, A.
, Chini
, S.
, Rajan
, S. P.
, DenBaars
, J. S.
, Speck
, and U.
Mishra
, Semicond. Sci. Technol.
28
, 074009
(2013
).233.
U.
Singisetti
, M. H.
Wong
, and U. K.
Mishra
, Semicond. Sci. Technol.
28
, 074006
(2013
).234.
E. S.
Hellman
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
3
, 11
(1998
) and references therein.235.
M.
Sumiya
and S.
Fuke
, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
9
, 1
(2004
).236.
M.
Kamp
, M.
Mayer
, A.
Pelzmann
, and K. J.
Ebeling
, in Materials Research Society Symposium Proceedings
, edited by F. A.
Ponce
, T. D.
Moustakas
, I.
Akasaki
, and B. A.
Monemar
(Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
, 1997
), Vol. 449, p. 161
.237.
G.
Koblmüller
, J. R.
Lang
, E. C.
Young
, and J. S.
Speck
, Molecular Beam Epitaxy of Nitrides for Advanced Electronic Materials
, 2nd ed. (Elsevier B.V.
, 2015
).238.
A. L.
Corrion
, F.
Wu
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
112
, 054903
(2012
).239.
A.
Munkholm
, G. B.
Stephenson
, J. A.
Eastman
, C.
Thompson
, P.
Fini
, J. S.
Speck
, O.
Auciello
, P. H.
Fuoss
, and S. P.
DenBaars
, Phys. Rev. Lett.
83
, 741
(1999
).240.
M.
Gibbon
, J. P.
Stagg
, C. G.
Cureton
, E. J.
Trush
, C. J.
Jones
, R. E.
Mallard
, R. E.
Pritchard
, N.
Collis
, and A.
Chew
, Semicond. Sci. Technol.
8
, 998
(1993
).241.
C. C.
Michell
, M. E.
Coltrin
, and J.
Han
, J. Cryst. Growth
222
, 144
(2001
).242.
T.
Zywietz
, J.
Neugebauer
, and M.
Scheffler
, Appl. Phys. Lett.
73
, 487
(1998
).243.
S.
Mita
, R.
Collazo
, A.
Rice
, J.
Tweedie
, J.
Xie
, R.
Dalmau
, and Z.
Sitar
, Phys. Status Solidi C
8
, 2078
(2011
).244.
T.
Tanikawa
, K.
Shojiki
, T.
Aisaka
, T.
Kimura
, S.
Kuboya
, T.
Hanada
, R.
Katayama
, and T.
Matsuoka
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
53
, 05FL05
(2014
).245.
K.
Shojiki
, J. H.
Choi
, H.
Shindo
, T.
Kimura
, T.
Tanikawa
, T.
Hanada
, R.
Katayama
, and T.
Matsuoka
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
53
, 05FL07
(2014
).246.
D.
Won
, X.
Weng
, and R.
Redwing
, Appl. Phys. Lett.
100
, 021913
(2012
).247.
J. E.
Northrup
and C. G.
Van de Walle
, Appl. Phys. Lett.
84
, 4322
(2004
).248.
S.
Keller
, N. A.
Fichtenbaum
, M.
Furukawa
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
90
, 191908
(2007
).249.
S.
Keller
, H.
Li
, M.
Laurent
, Y.
Hu
, N.
Pfaff
, J.
Lu
, D. F.
Brown
, N. A.
Fichtenbaum
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Semicond. Sci. Technol.
29
, 113001
(2014
).250.
D.
Kapolnek
, X. H.
Wu
, B.
Heying
, S.
Keller
, B.
Keller
, U. K.
Mishra
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
67
, 1541
(1995
).251.
B.
Heying
, E. J.
Tarsa
, C. R.
Elsass
, P.
Fini
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
85
, 6470
(1999
).252.
M. H.
Xie
, S. M.
Seutter
, W. K.
Zhu
, L. X.
Zheng
, H.
Wu
, and S. Y.
Tong
, Phys. Rev. Lett.
82
, 2749
(1999
).253.
R.
Held
, G.
Nowak
, B. E.
Ishaug
, S. M.
Seutter
, A.
Parkhomovsky
, A. M.
Dabrian
, I.
Grezgory
, and S.
Porowski
, J. Appl. Phys.
85
, 7697
(1999
).254.
H. C.
Lin
, T.
Akasaka
, and H.
Yamamoto
, Appl. Phys. Express
6
, 035503
(2013
).255.
N. A.
Fichtenbaum
, C. J.
Neufeld
, C.
Schaake
, Y.
Wu
, M. H.
Wong
, M.
Grundmann
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
46
, L230
(2007
).256.
N. A.
Fichtenbaum
, C. J.
Neufeld
, C.
Schaake
, Y.
Wu
, M. H.
Wong
, M.
Grundmann
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Phys. Status Solidi B
244
, 1802
(2007
).257.
B.
Heying
, R.
Averbeck
, L. F.
Chen
, E.
Haus
, H.
Riechert
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
88
, 1855
(2000
).258.
B.
Heying
, I.
Smorchkova
, C.
Poblenz
, C.
Elsass
, P.
Fini
, S.
Den Baars
, U.
Mishra
, J. S.
Speck
, and S.
Diego
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2885
(2000
).259.
E.
Monroy
, E.
Sarigiannidou
, F.
Fossard
, N.
Gogneau
, E.
Bellet-Amalric
, J. L.
Rouvière
, S.
Monnoye
, H.
Mank
, and B.
Daudin
, Appl. Phys. Lett.
84
, 3684
(2004
).260.
H.
Okumura
, B. M.
McSkimming
, T.
Huault
, C.
Chaix
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
104
, 012111
(2014
).261.
E. J.
Tarsa
, B.
Heying
, X. H.
Wu
, P.
Fini
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
82
, 5472
(1997
).262.
T.
Zywietz
, J.
Neugebauer
, and M.
Scheffler
, Appl. Phys. Lett.
73
, 487
(1998
).263.
C.
Adelmann
, J.
Brault
, D.
Jalabert
, P.
Gentile
, H.
Mariette
, G.
Mula
, and B.
Daudin
, J. Appl. Phys.
91
, 9638
(2002
).264.
L.
Romano
, J.
Northrup
, A.
Ptak
, and T.
Myers
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2479
(2000
).265.
N.
Grandjean
, A.
Dussaigne
, S.
Pezzagna
, and P.
Vennéguès
, J. Cryst. Growth
251
, 460
(2003
).266.
S.
Pezzagna
, P.
Vennéguès
, N.
Grandjean
, and J.
Massies
, J. Cryst. Growth
269
, 249
(2004
).267.
M. H.
Wong
, F.
Wu
, T. E.
Mates
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
104
, 093710
(2008
).268.
M. H.
Wong
, F.
Wu
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
108
, 123710
(2010
).269.
J. K.
Hite
, M. E.
Twigg
, M. A.
Mastro
, C. R.
Eddy
, and F. J.
Kub
, Phys. Status Solidi A
208
, 1504
(2011
).270.
Q. Z.
Xue
, Q. K.
Xue
, S.
Kuwano
, K.
Nakayama
, and T.
Sakurai
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
, 4388
(2001
).271.
T. W.
Weeks
, M. D.
Bremser
, K. S.
Ailey
, E.
Carlson
, W. G.
Perry
, and R. F.
Davis
, Appl. Phys. Lett.
67
, 401
(1995
).272.
C. G.
Moe
, Y.
Wu
, S.
Keller
, J. S.
speck
, S. P.
DenBaars
, and D.
Emerson
, Phys. Status Solidi A
203
, 1708
(2006
).273.
B.
Moran
, F.
Wu
, A. E.
Romanov
, U. K.
Mishra
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, J. Cryst. Growth
273
, 38
(2004
).274.
D. F.
Brown
, R.
Chu
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
94
, 153506
(2009
).275.
S.
Kolluri
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
33
, 44
(2012
).276.
P.
Waltereit
, O.
Brandt
, A.
Trampert
, M.
Ramsteiner
, M.
Reiche
, M.
Qi
, and K. H.
Ploog
, Appl. Phys. Lett.
74
, 3660
(1999
).277.
W. E.
Hoke
, A.
Torabi
, R. B.
Hallock
, J. J.
Mosca
, and T. D.
Kennedy
, J. Vac. Sci. Technol., B
24
, 1500
(2006
).278.
C.
Poblenz
, P.
Waltereit
, S.
Rajan
, U. K.
Mishra
, J. S.
Speck
, P.
Chin
, I.
Smorchkova
, and B.
Heying
, J. Vac. Sci. Technol., B
23
, 1562
(2005
).279.
M. H.
Wong
, Y.
Pei
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
94
, 182103
(2009
).280.
C. D.
Lee
, A.
Sagar
, R. M.
Feenstra
, C. K.
Inoki
, T. S.
Kuan
, W. L.
Sarney
, and L.
Salamanca-Riba
, Appl. Phys. Lett.
79
, 3428
(2001
).281.
P.
Waltereit
, C.
Poblenz
, S.
Rajan
, F.
Wu
, U. K.
Mishra
, and J. S.
Speck
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
43
, L1520
(2004
).282.
S.
Rajan
, M.
Wong
, Y.
Fu
, F.
Wu
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
44
, L1478
(2005
).283.
N.
Nakamura
, K.
Furuta
, X. Q.
Shen
, K.
Kitamura
, K.
Nakamura
, and H.
Okumura
, J. Cryst. Growth
301–302
, 452
(2007
).284.
M.
Sumiya
, N.
Ogusu
, Y.
Yotsuda
, M.
Itoh
, S.
Fuke
, T.
Nakamura
, S.
Mochizuki
, T.
Sano
, S.
Kamiyama
, A.
Amano
, and I.
Akasaki
, J. Appl. Phys.
93
, 1311
(2003
).285.
D. H.
Lim
, K.
Xu
, S.
Arima
, and A.
Yoshikawa
, J. Appl. Phys.
91
, 6461
(2002
).286.
S.
Nakamura
, N.
Iwasa
, M.
Sehoh
, and T.
Mukai
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
31
, 1258
(1992
).287.
S.
Keller
, B. P.
Keller
, Y. F.
Wu
, B.
Heying
, D.
Kapolnek
, J. S.
Speck
, U. K.
Mishra
, and S. P.
DenBaars
, Appl. Phys. Lett.
68
, 1525
(1996
).288.
H.
Amano
, N.
Sawaki
, I.
Akasaki
, and Y.
Toyoda
, Appl. Phys. Lett.
48
, 353
(1986
).289.
S.
Nakamura
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
30
, L1705
(1991
).290.
X. H.
Wu
, L. M.
Brown
, S.
Keller
, B.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
80
, 3228
(1996
).291.
X. H.
Wu
, P.
Fini
, S.
Keller
, E. J.
Tarsa
, B.
Heying
, U. K.
Mishra
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
35
, L1648
(1996
).292.
P.
Fini
, X.
Wu
, E. J.
Tarsa
, Y.
Golan
, V.
Srikant
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
37
, 4460
(1998
).293.
N.
Grandjean
, J.
Massies
, and M.
Leroux
, Appl. Phys. Lett.
69
, 2071
(1996
).294.
S.
Fuke
, H.
Teshigawara
, K.
Kuwahara
, Y.
Takano
, T.
Ito
, M.
Yanagihara
, and K.
Ohtsuka
, J. Appl. Phys.
83
, 764
(1998
).295.
M.
Takeuchi
, H.
Shimizu
, R.
Kajitani
, K.
Kawasaki
, T.
Kinoshita
, K.
Takada
, H.
Murakami
, Y.
Kumagai
, A.
Koukitu
, T.
Koyama
, S. F.
Chichibu
, and Y.
Aoyagi
, J. Cryst. Growth
305
, 360
(2007
).296.
R.
Collazo
, S.
Mita
, A.
Aleksov
, R.
Schlesser
, and Z.
Sitar
, J. Cryst. Growth
287
, 586
(2006
).297.
P.
Kung
, C. J.
Sun
, A.
Saxler
, H.
Ohsato
, and M.
Razeghi
, J. Appl. Phys.
75
, 4515
(1994
).298.
Q.
Sun
, Y. S.
Cho
, B. H.
Kong
, H. K.
Cho
, T. S.
Ko
, C. D.
Yerino
, I. H.
Lee
, and J.
Han
, J. Cryst. Growth
311
, 2948
(2009
).299.
S.
Keller
, C. S.
Suh
, Z.
Chen
, R.
Chu
, S.
Rajan
, N. A.
Fichtenbaum
, M.
Furukawa
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
103
, 033708
(2008
).300.
H.
Masui
, S.
Keller
, N.
Fellows
, N. A.
Fichtenbaum
, M.
Furukawa
, S.
Nakamura
, U. K.
Mishra
, and S. P.
DenBaars
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
48
, 071003
(2009
).301.
R.
Dimitrov
, L.
Wittmer
, H. P.
Felsl
, A.
Mitchell
, O.
Ambacher
, and M.
Stutzmann
, Phys. Status Solidi A
168
, R7
(1998
).302.
O.
Ambacher
, J.
Smart
, J. R.
Shealy
, N. G.
Weimann
, K.
Chu
, M.
Murphy
, W. J.
Schaff
, L. F.
Eastman
, R.
Dimitrov
, L.
Wittmer
, M.
Stutzmann
, W.
Rieger
, and J.
Hilsenbeck
, J. Appl. Phys.
85
, 3222
(1999
).303.
E. C.
Piquette
, P. M.
Bridger
, Z. Z.
Bandić
, and T. C.
McGill
, J. Vac. Sci. Technol., B
17
, 1241
(1999
).304.
X. Q.
Shen
, T.
Ide
, S. H.
Cho
, M.
Shimizu
, S.
Hara
, H.
Okumura
, S.
Sonoda
, and S.
Shimizu
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
39
, L16
(2000
).305.
D.
Huang
, P.
Visconti
, K. M.
Jones
, M. A.
Reshchikov
, F.
Yun
, A. A.
Baski
, T.
King
, and H.
Morkoç
, Appl. Phys. Lett.
78
, 4145
(2001
).306.
M. J.
Murphy
, K.
Chu
, H.
Wu
, W.
Yeo
, W. J.
Schaff
, O.
Ambacher
, L. F.
Eastman
, T. J.
Eustis
, J.
Silcox
, R.
Dimitrov
, and M.
Stutzmann
, Appl. Phys. Lett.
75
, 3653
(1999
).307.
R.
Dimitrov
, M.
Murphy
, J.
Smart
, W.
Schaff
, J. R.
Shealy
, L. F.
Eastman
, O.
Ambacher
, and M.
Stutzmann
, J. Appl. Phys.
87
, 3375
(2000
).308.
L. T.
Romano
, B. S.
Krusor
, R.
Singh
, and T. D.
Moustakas
, J. Electron. Mater.
26
, 285
(1997
).309.
F.
Widmann
, G.
Feuillet
, B.
Daudin
, and J. L.
Rouvière
, J. Appl. Phys.
85
, 1550
(1999
).310.
G.
Namkoong
, W. A.
Doolittle
, A. S.
Brown
, M.
Losurdo
, P.
Capezzuto
, and G.
Bruno
, J. Vac. Sci. Technol., B
20
, 1221
(2002
).311.
G.
Namkoong
, W. A.
Doolittle
, A. S.
Brown
, M.
Losurdo
, P.
Capezzuto
, and G.
Bruno
, J. Appl. Phys.
91
, 2499
(2002
).312.
M.
Losurdo
, P.
Capezzuto
, G.
Bruno
, G.
Namkoong
, W. A.
Doolittle
, and A. S.
Brown
, J. Appl. Phys.
91
, 2508
(2002
).313.
A.
Kazimirov
, G.
Scherb
, J.
Zegenhagen
, T. L.
Lee
, M. J.
Bedzyk
, M. K.
Kelly
, H.
Angerer
, and O.
Ambacher
, J. Appl. Phys.
84
, 1703
(1998
).314.
S.
Sonoda
, S.
Shimizu
, X.-Q.
Shen
, S.
Hara
, and H.
Okumura
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
39
, L202
(2000
).315.
X. Q.
Shen
, H.
Matsuhata
, and H.
Okumura
, Appl. Phys. Lett.
86
, 021912
(2005
).316.
K.
Kusakabe
, K.
Kishino
, A.
Kikuchi
, T.
Yamada
, D.
Sugihara
, and S.
Nakamura
, J. Cryst. Growth
230
, 387
(2001
).317.
A.
Krost
and A.
Dadgar
, Mater. Sci. Eng., B
93
, 77
(2002
).318.
F.
Schulze
, A.
Dadgar
, J.
Bläsing
, and A.
Krost
, Appl. Phys. Lett.
84
, 4747
(2004
).319.
F.
Schulze
, A.
Dadgar
, J.
Bläsing
, A.
Diez
, and A.
Krost
, Appl. Phys. Lett.
88
, 121114
(2006
).320.
R.
Liu
, F. A.
Ponce
, A.
Dadgar
, and A.
Krost
, Appl. Phys. Lett.
83
, 860
(2003
).321.
H.
Marchand
, L.
Zhao
, N.
Zhang
, B.
Moran
, R.
Coffie
, U. K.
Mishra
, J. S.
Speck
, and S. P.
DenBaars
, J. Appl. Phys.
89
, 7846
(2001
).322.
E.
Feltin
, B.
Beaumont
, M.
Laügt
, P.
de Mierry
, P.
Vennéguès
, H.
Lahrèche
, and P.
Gibart
, Appl. Phys. Lett.
79
, 3230
(2001
).323.
S.
Arulkumaran
, T.
Egawa
, S.
Matsui
, and H.
Ishikawa
, Appl. Phys. Lett.
86
, 123503
(2005
).324.
A.
Reiher
, J.
Bläsing
, A.
Dadgar
, A.
Diez
, and A.
Krost
, J. Cryst. Growth
248
, 563
(2003
).325.
K.
Cheng
, M.
Leys
, S.
Dergoote
, B.
Van Daele
, S.
Boeykens
, J.
Derluyn
, M.
Germain
, G.
Van Tendeloo
, J.
Engelen
, and G.
Borghs
, J. Electron. Mater.
35
, 592
(2006
).326.
S.
Keller
, Y.
Dora
, S.
Chowdhury
, F.
Wu
, X.
Chen
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Phys. Status Solidi C
8
, 2086
(2011
).327.
H.
Marchand
, L.
Zhao
, N.
Zhang
, B.
Moran
, R.
Coffie
, U. K.
Mishra
, J. S.
Speck
, and S. P.
DenBaars
, J. Appl. Phys.
89
, 7846
(2001
).328.
K.
Cheng
, M.
Leys
, J.
Derluyn
, K.
Balachander
, S.
Degroote
, M.
Germain
, and M.
Borghs
, Phys. Status Solidi C
5
, 1600
(2008
).329.
Y.
Nakada
, I.
Aksenov
, and H.
Okumura
, Appl. Phys. Lett.
73
, 827
(1998
).330.
Z. T.
Wang
, Y.
Yamada-Takamura
, Y.
Fujikawa
, T.
Sakurai
, and Q. K.
Xue
, Appl. Phys. Lett.
87
, 032110
(2005
).331.
A.
Ohtani
, K. S.
Stevens
, and R.
Beresford
, Appl. Phys. Lett.
65
, 61
(1994
).332.
S.
Guha
and N. A.
Bojarczuk
, Appl. Phys. Lett.
72
, 415
(1998
).333.
S.
Dasgupta
, F.
Wu
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
94
, 151906
(2009
).334.
S.
Dasgupta
, Nidhi
, F.
Wu
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
51
, 115503
(2012
).335.
M.
Sobanska
, K.
Klosek
, Z. R.
Zytkiewicz
, J.
Borysiuk
, B. S.
Witkowski
, E.
Lusakowska
, A.
Reszka
, and R.
Jakiela
, Cryst. Res. Technol.
47
, 307
(2012
).336.
L.
Largeau
, E.
Galopin
, N.
Gogneau
, L.
Travers
, F.
Glas
, and J. C.
Harmand
, Cryst. Growth Des.
12
, 2724
(2012
).337.
T.
Auzelle
, B.
Haas
, A.
Minj
, C.
Bougerol
, J.-L.
Rouvière
, A.
Cros
, J.
Colchero
, and B.
Daudin
, J. Appl. Phys.
117
, 245303
(2015
).338.
V.
Lebedev
, B.
Schröter
, G.
Kipshidze
, and W.
Richter
, J. Cryst. Growth
207
, 266
(1999
).339.
E.
Calleja
, M. A.
Sánchez-García
, F. J.
Sánchez
, F.
Calle
, F. B.
Naranjo
, E.
Muñoz
, S. I.
Molina
, A.
Sánchez
, F. J.
Pacheco
, and R.
García
, J. Cryst. Growth
201
, 296
(1999
).340.
T.
Palacios
, F.
Calle
, M.
Varela
, C.
Ballesteros
, E.
Monroy
, F. B.
Naranjo
, M. A.
Sánchez-García
, E.
Calleja
, and E.
Muñoz
, Semicond. Sci. Technol.
15
, 996
(2000
).341.
A. M.
Sánchez
, F. J.
Pacheco
, S. I.
Molina
, P.
Ruterana
, F.
Calle
, T. A.
Palacios
, M. A.
Sánchez-García
, E.
Calleja
, and R.
García
, Mater. Sci. Eng., B
93
, 181
(2002
).342.
T. K.
Zywietz
, J.
Neugebauer
, and M.
Scheffler
, Appl. Phys. Lett.
74
, 1695
(1999
).343.
C.
Wetzel
, T.
Suski
, J. W.
Ager
III, E. R.
Weber
, E. E.
Haller
, S.
Fischer
, B. K.
Meyer
, R. J.
Molnar
, and P.
Perlin
, Phys. Rev. Lett.
78
, 3923
(1997
).344.
J. L.
Lyons
, A.
Janotti
, and C. G.
Van de Walle
, Appl. Phys. Lett.
97
, 152108
(2010
).345.
M.
Sumiya
, K.
Yoshimura
, K.
Ohtsuka
, and S.
Fuke
, Appl. Phys. Lett.
76
, 2098
(2000
).346.
A. J.
Ptak
, L. J.
Holbert
, L.
Ting
, C. H.
Swartz
, M.
Moldovan
, N. C.
Giles
, T. H.
Myers
, P.
Van Lierde
, C.
Tian
, R. A.
Hockett
, S.
Mitha
, A. E.
Wickenden
, D. D.
Koleske
, and R. L.
Henry
, Appl. Phys. Lett.
79
, 2740
(2001
).347.
H. M.
Ng
and A. Y.
Cho
, J. Vac. Sci. Technol., B
20
, 1217
(2002
).348.
M. H.
Wong
, Ph.D. thesis, University of California
, Santa Barbara, CA
, 2009
.349.
N. A.
Fichtenbaum
, T. E.
Mates
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, J. Cryst. Growth
310
, 1124
(2008
).350.
D. D.
Koleske
, A. E.
Wickenden
, R. L.
Henry
, and M. E.
Twigg
, J. Cryst. Growth
242
, 55
(2002
).351.
G. B.
Stringfellow
, Organometallic Vapor Phase Epitaxy
(Academic Press
, San Diego, CA
, 1989
).352.
J.
Nishizawa
, H.
Abe
, and T.
Kurabayashi
, J. Electrochem. Soc.
132
, 1197
(1985
).353.
S. P.
DenBaars
and P. D.
Dapkus
, J. Cryst. Growth
98
, 195
(1989
).354.
S.
Cruz
, S.
Keller
, T.
Mates
, U. K.
Mishra
, and S. P.
DenBaars
, J. Cryst. Growth
311
, 3817
(2009
).355.
L. K.
Li
, M. J.
Jurkovic
, W. I.
Wang
, J. M.
Van Hove
, and P. P.
Chow
, Appl. Phys. Lett.
76
, 1740
(2000
).356.
S.
Kato
, Y.
Sato
, H.
Sasaki
, I.
Masayuki
, and S.
Yoshida
, J. Cryst. Growth
298
, 831
(2007
).357.
E.
Bahat-Treidel
, F.
Brunner
, O.
Hilt
, E.
Cho
, J.
Würfl
, and G.
Tränkle
, IEEE Trans. Electron Devices
57
, 3050
(2010
).358.
C.
Poblenz
, P.
Waltereit
, S.
Rajan
, S.
Heikman
, U. K.
Mishra
, and J. S.
Speck
, J. Vac. Sci. Technol., B
22
, 1145
(2004
).359.
J. L.
Lyons
, A.
Janotti
, and C. G.
Van De Walle
, Phys. Rev. B
89
, 035204
(2014
).360.
N.
Koide
, H.
Kato
, M.
Sassa
, S.
Yamasaki
, K.
Manabe
, H.
Hashimoto
, H.
Amano
, K.
Hiramatsu
, and I.
Akasaki
, J. Cryst. Growth
115
, 639
(1991
).361.
L. B.
Rowland
, K.
Doverspike
, and D. K.
Gaskill
, Appl. Phys. Lett.
66
, 1495
(1995
).362.
P.
Kozodoy
, H.
Xing
, S. P.
DenBaars
, U. K.
Mishra
, A.
Saxler
, R.
Perrin
, S.
Elhamri
, and W. C.
Mitchel
, J. Appl. Phys.
87
, 1832
(2000
).363.
H.
Amano
, M.
Kito
, K.
Hiramatsu
, and I.
Akasaki
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
28
, L2112
(1989
).364.
N. A.
Fichtenbaum
, C.
Schaake
, T. E.
Mates
, C.
Cobb
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
91
, 172105
(2007
).365.
Y.
Ohba
and A.
Hatano
, J. Cryst. Growth
145
, 214
(1994
).366.
H.
Xing
, D.
Green
, H.
Yu
, T.
Mates
, P.
Kozodoy
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
, 50
(2003
).367.
C.
Bungaro
, K.
Rapcewicz
, and J.
Bernholc
, Phys. Rev. B
59
, 9771
(1999
).368.
Q.
Sun
, A.
Selloni
, T. H.
Myers
, and W. A.
Doolittle
, Phys. Rev. B
73
, 155337
(2006
).369.
E.
Monroy
, M.
Hermann
, E.
Sarigiannidou
, T.
Andreev
, P.
Holliger
, S.
Monnoye
, H.
Mank
, B.
Daudin
, and M.
Eickhoff
, J. Appl. Phys.
96
, 3709
(2004
).370.
S.
Heikman
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
81
, 439
(2002
).371.
S.
Heikman
, S.
Keller
, T.
Mates
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, J. Cryst. Growth
248
, 513
(2003
).372.
E.
Malguth
, A.
Hoffmann
, and W.
Gehlhoff
, Phys. Rev. B
74
, 165202
(2006
).373.
A.
Corrion
, F.
Wu
, T.
Mates
, C. S.
Gallinat
, C.
Poblenz
, and J. S.
Speck
, J. Cryst. Growth
289
, 587
(2006
).374.
375.
T. G.
Mihopoulos
, V.
Gupta
, and K. F.
Jensen
, J. Cryst. Growth
195
, 733
(1998
).376.
J.
Han
, J. J.
Figiel
, M. H.
Crawford
, M. A.
Banas
, M. E.
Bartram
, R. M.
Biefeld
, Y. K.
Song
, and A. V.
Nurmikko
, J. Cryst. Growth
195
, 291
(1998
).377.
T. F.
Kuech
, D. J.
Wolford
, E.
Veuhoff
, V.
Deline
, P. M.
Mooney
, R.
Potemski
, and J.
Bradley
, J. Appl. Phys.
62
, 632
(1987
).378.
J. P.
Zhang
, M.
Asif Khan
, W. H.
Sun
, H. M.
Wang
, C. Q.
Chen
, Q.
Fareed
, E.
Kuokstis
, and J. W.
Yang
, Appl. Phys. Lett.
81
, 4392
(2002
).379.
T.
Takano
, Y.
Ohtaki
, Y.
Narita
, and H.
Kawanishi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
43
, L1258
(2004
).380.
E.
Iliopoulos
and T. D.
Moustakas
, Appl. Phys. Lett.
81
, 295
(2002
).381.
E.
Monroy
, B.
Daudin
, E.
Bellet-Amalric
, N.
Gogneau
, D.
Jalabert
, F.
Enjalbert
, J.
Brault
, J.
Barjon
, and L. S.
Dang
, J. Appl. Phys.
93
, 1550
(2003
).382.
V. N.
Jmerik
, A. M.
Mizerov
, T. V.
Shubina
, A. V.
Sakharov
, A. A.
Sitnikova
, P. S.
Kop'ev
, S. V.
Ivanov
, E. V.
Lutsenko
, A. V.
Danilchyk
, N. V.
Rzheutskii
, and G. P.
Yablonskii
, Semiconductors
42
, 1420
(2008
).383.
I. P.
Smorchkova
, L.
Chen
, T.
Mates
, L.
Shen
, S.
Heikman
, B.
Moran
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
90
, 5196
(2001
).384.
L.
Shen
, S.
Heikman
, B.
Moran
, R.
Coffie
, N.-Q.
Zhang
, D.
Buttari
, I. P.
Smorchkova
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
22
, 457
(2001
).385.
S.
Kolluri
, S.
Keller
, D.
Brown
, G.
Gupta
, U. K.
Mishra
, S. P.
DenBaars
, and S.
Rajan
, J. Appl. Phys.
108
, 074502
(2010
).386.
S.
Keller
, C. S.
Suh
, N. A.
Fichtenbaum
, M.
Furukawa
, R.
Chu
, Z.
Chen
, K.
Vijayraghaven
, S.
Rajan
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
104
, 093510
(2008
).387.
X.
Zheng
, M.
Guidry
, H.
Li
, A.
Ahmadi
, K.
Hestroffer
, B.
Romanczyk
, S.
Wienecke
, S.
Keller
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
37
, 77
(2016
).388.
S.
Keller
, N.
Pfaff
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
101
, 182103
(2012
).389.
R.
Nötzel
, N. N.
Ledentsov
, L.
Däweritz
, and K.
Ploog
, Phys. Rev. B
45
, 3507
(1992
).390.
D. N.
Nath
, P. S.
Park
, M.
Esposto
, D.
Brown
, S.
Keller
, U. K.
Mishra
, and S.
Rajan
, J. Appl. Phys.
111
, 043715
(2012
).391.
T.
Langer
, A.
Kruse
, F. A.
Ketzer
, A.
Schwiegerl
, L.
Hoffmann
, H.
Jönen
, H.
Bremser
, U.
Rossow
, and A.
Hangleiter
, Phys. Status Solidi C
8
, 2170
(2011
).392.
M. J.
Reed
, N. A.
El-Masry
, C. A.
Parker
, J. C.
Roberts
, and S. M.
Bedair
, Appl. Phys. Lett.
77
, 4121
(2000
).393.
T. K.
Sharma
and E.
Towe
, J. Appl. Phys.
107
, 024516
(2010
).394.
H. K.
Cho
, J. Y.
Lee
, G. M.
Yang
, and C. S.
Kim
, Appl. Phys. Lett.
79
, 215
(2001
).395.
G. B.
Stringfellow
, J. Cryst. Growth
312
, 735
(2010
).396.
T.
Yayama
, Y.
Kangawa
, K.
Kakimoto
, and A.
Koukitu
, Phys. Status Solidi C
7
, 2249
(2010
).397.
M. V.
Durnev
, A. V.
Omelchenko
, E. V.
Yakovlev
, I. Y.
Evstratov
, and S. Y.
Karpov
, Phys. Status Solidi A
208
, 2671
(2011
).398.
S. F.
Chichibu
, A.
Abare
, M. S.
Minsky
, S.
Keller
, S. B.
Fleischer
, J. E.
Bowers
, E.
Hu
, U. K.
Mishra
, L. A.
Coldren
, and S. P.
DenBaars
, Appl. Phys. Lett.
73
, 2006
(1998
).399.
D.
Won
, X.
Weng
, and J.
Redwing
, Appl. Phys. Lett.
100
, 021913
(2012
).400.
X. H.
Wu
, C. R.
Elsass
, A.
Abare
, M.
Mack
, S.
Keller
, P. M.
Petroff
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
72
, 692
(1998
).401.
H.
Wang
, D. S.
Jiang
, U.
Jahn
, J. J.
Zhu
, D. G.
Zhao
, Z. S.
Liu
, S. M.
Zhang
, Y. X.
Qiu
, and H.
Yang
, Physica B
405
, 4668
(2010
).402.
K.
Pantzas
, G.
Patriarche
, G.
Orsal
, S.
Gautier
, T.
Moudakir
, M.
Abid
, V.
Gorge
, Z.
Djebbour
, P. L.
Voss
, and A.
Ougazzaden
, Phys. Status Solidi A
209
, 25
(2012
).403.
J. E.
Northrup
and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
60
, R8473
(1999
).404.
A. I.
Duff
, L.
Lymperakis
, and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
89
, 085307
(2014
).405.
A. I.
Duff
, L.
Lymperakis
, and J.
Neugebauer
, Phys. Status Solidi B
252
, 855
(2015
).406.
K.
Xu
and A.
Yoshikawa
, Appl. Phys. Lett.
83
, 251
(2003
).407.
H.
Naoi
, F.
Matsuda
, T.
Araki
, A.
Suzuki
, and Y.
Nanishi
, J. Cryst. Growth
269
, 155
(2004
).408.
G.
Koblmuüller
, C. S.
Gallinat
, S.
Bernardis
, J. S.
Speck
, G. D.
Chern
, E. D.
Readinger
, H.
Shen
, and M.
Wraback
, Appl. Phys. Lett.
89
, 071902
(2006
).409.
G.
Koblmüller
, C. S.
Gallinat
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
101
, 83516
(2007
).410.
D. N.
Nath
, E.
Guür
, S. A.
Ringel
, and S.
Rajan
, J. Vac. Sci. Technol., B
29
, 021206
(2011
).411.
C.
Chèze
, M.
Siekacz
, G.
Muzioł
, H.
Turski
, S.
Grzanka
, M.
Kryśko
, J. L.
Weyher
, M.
Boćkowski
, C.
Hauswald
, J.
Laühnemann
, O.
Brandt
, M.
Albrecht
, and C.
Skierbiszewski
, J. Vac. Sci. Technol., B
31
, 03C130
(2013
).412.
D. N.
Nath
, E.
Gür
, S. A.
Ringel
, and S.
Rajan
, Appl. Phys. Lett.
97
, 071903
(2010
).413.
F.
Akyol
, D. N.
Nath
, E.
Gür
, P. S.
Park
, and S.
Rajan
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
50
, 052101
(2011
).414.
F.
Akyol
, D. N.
Nath
, S.
Krishnamoorthy
, P. S.
Park
, and S.
Rajan
, Appl. Phys. Lett.
100
, 111118
(2012
).415.
G.
Yang
, G.
Li
, S.
Gao
, D.
Yan
, and F.
Wang
, IEEE Photonics Technol. Lett.
25
, 2369
(2013
).416.
J.
Kuzmik
, IEEE Electron Device Lett.
22
, 510
(2001
).417.
D. F.
Brown
, S.
Keller
, T. E.
Mates
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
107
, 033509
(2010
).418.
L.
Zhou
, D. J.
Smith
, M. R.
McCartney
, D. S.
Katzer
, and D. F.
Storm
, Appl. Phys. Lett.
90
, 081917
(2007
).419.
S. L.
Sahonta
, G. P.
Dimitrakopulos
, T.
Kehagias
, J.
Kioseoglou
, A.
Adikimenakis
, E.
Iliopoulos
, A.
Georgakilas
, H.
Kirmse
, W.
Neumann
, and P.
Komninou
, Appl. Phys. Lett.
95
, 021913
(2009
).420.
S.
Choi
, F.
Wu
, R.
Shivaraman
, E. C.
Young
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
100
, 232102
(2012
).421.
S.
Dasgupta
, S.
Choi
, F.
Wu
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Express
4
, 045502
(2011
).422.
E.
Ahmadi
, R.
Shivaraman
, F.
Wu
, S.
Wienecke
, S. W.
Kaun
, S.
Keller
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
104
, 072107
(2014
).423.
S. W.
Kaun
, E.
Ahmadi
, B.
Mazumder
, F.
Wu
, E. C. H.
Kyle
, P. G.
Burke
, U. K.
Mishra
, and J. S.
Speck
, Semicond. Sci. Technol.
29
, 045011
(2014
).424.
M.
Gonschorek
, J. F.
Carlin
, E.
Feltin
, A. A.
Py
, N.
Grandjean
, V.
Darakchieva
, B.
Monemar
, M.
Lorenz
, and G.
Ramm
, J. Appl. Phys.
103
, 093714
(2008
).425.
B.
Mazumder
, S. W.
Kaun
, J.
Lu
, S.
Keller
, U. K.
Mishra
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
102
, 111603
(2013
).426.
H.
Li
, S.
Keller
, S. H.
Chan
, J.
Lu
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Semicond. Sci. Technol.
30
, 055015
(2015
).427.
J.
Lu
, D.
Danninghoff
, R.
Yeluri
, S.
Lal
, G.
Gupta
, M.
Laurent
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
102
, 232104
(2013
).428.
J.
Lu
, X.
Zheng
, M.
Guidry
, D.
Danninghoff
, E.
Ahmadi
, S.
Lal
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
104
, 092107
(2014
).429.
E.
Ahmadi
, F.
Wu
, H.
Li
, S. W.
Kaun
, M.
Tahhan
, K.
Hestroffer
, S.
Keller
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Semicond. Sci. Technol.
30
, 055012
(2015
).430.
O.
Ambacher
, J. Phys. D: Appl. Phys.
31
, 2653
(1998
).431.
P.
Gibart
, Rep. Prog. Phys.
67
, 667
(2004
).432.
X.
Wang
and A.
Yoshikawa
, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater.
48–49
, 42
(2004
).433.
H.
Morkoç
and U.
Ozgur
, ZnO: Fundamentals, Materials and Device Technology
(WILEY VCH
, GmBH
, 2009
).434.
Y.
Yan
and M. M.
Al-Jassim
, Phys. Rev. B
69
, 085204
(2004
).435.
S.
Lautenschlaeger
, B. K.
Meyer
, G.
Callison
, M. R.
Wagner
, and A.
Hoffmann
, Phys. Status Solidi RRL
3
, 16
(2009
).436.
R.
Helbig
, J. Cryst. Growth
15
, 25
(1972
).437.
D. C.
Look
, D. C.
Reynolds
, J. R.
Sizelove
, R. L.
Jones
, C. W.
Litton
, G.
Cantwell
, and W. C.
Harsch
, Solid State Commun.
105
, 399
(1998
).438.
T. P.
Smith
, H.
McLean
, D. J.
Smith
, and R. F.
Davis
, J. Cryst. Growth
265
, 390
(2004
).439.
A.
Zeuner
, H.
Alvs
, D. M.
Hofmann
, B. K.
Meyer
, M.
Heuken
, J.
Bläsing
, and A.
Krost
, Appl. Phys. Lett.
80
, 2078
(2002
).440.
E.
Ohshima
, H.
Ogino
, I.
Niikura
, K.
Maeda
, M.
Sato
, M.
Ito
, and T.
Fukuda
, J. Cryst. Growth
260
, 166
(2004
).441.
K.
Maeda
, M.
Sato
, I.
Niikura
, and T.
Fukuda
, Semicond. Sci. Technol.
20
, S49
(2005
).442.
D.
Ehrentraut
, K.
Maeda
, M.
Kano
, K.
Fuji
, and T.
Fukuda
, J. Cryst. Growth
320
, 18
(2011
).443.
S.
Graubner
, C.
Neumann
, N.
Volbers
, B. K.
Meyer
, J.
Blasing
, and A.
Krost
, Appl. Phys. Lett.
90
, 042103
(2007
).444.
C.
Neumann
, S.
Lautenschläger
, S.
Graubner
, J.
Sann
, N.
Volbers
, B. K.
Meyer
, J.
Blasing
, A.
Krost
, F.
Bertram
, and J.
Christen
, Phys. Status Solidi B
244
, 1451
(2007
).445.
H.
von Wenckstern
, H.
Schmidt
, C.
Hanisch
, M.
Brandt
, C.
Czekalla
, G.
Benndorf
, G.
Biehne
, A.
Rahm
, H.
Hochmuth
, M.
Lorenz
, and M.
Grundmann
, Phys. Status Solidi RRL
1
, 129
(2007
).446.
D.
Ehrentraut
, H.
Sato
, M.
Miyamoto
, T.
Fukuda
, M.
Nikl
, K.
Maeda
, and I.
Niikura
, J. Cryst. Growth
287
, 367
(2006
).447.
D.
Takamizu
, Y.
Nishimoto
, S.
Akasaka
, H.
Yuji
, K.
Tamura
, K.
Nakahara
, T.
Onuma
, T.
Tanabe
, H.
Takasu
, M.
Kawasaki
, and S. F.
Chichibu
, J. Appl. Phys.
103
, 063502
(2008
).448.
S.
Akasaka
, K.
Nakahara
, H.
Yuji
, A.
Tsukazaki
, A.
Ohtomo
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Express
4
, 035701
(2011
).449.
K.
Furusawa
, H.
Nakasawa
, Y.
Ishikawa
, and S. F.
Chichibu
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
53
, 100301
(2014
).450.
K.
Ogata
, T.
Kawanishi
, K.
Sakurai
, S. W.
Kim
, M.
Maejima
, Sz.
Fujita
, and Sg.
Fujita
, Phys. Status Solidi B
229
, 915
(2002
).451.
T.
Ive
, T.
Ben-Yaacov
, C. G.
Van de Walle
, U.
Mishra
, S.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, Phys. Status Solidi C
6
, 1460
(2009
).452.
R.
Masuda
, T.
Fujii
, N.
Yoshii
, Y.
Kumagai
, and A.
Koukitu
, J. Cryst. Growth
312
, 2324
(2010
).453.
J. M.
Pierce
, B. T.
Adekore
, R. F.
Davis
, and F. A.
Stevie
, J. Cryst. Growth
283
, 147
(2005
).454.
I. C.
Robin
, A.
Ribeaud
, S.
Brochen
, G.
Feuillet
, P.
Ferret
, H.
Mariette
, D.
Ehrentraut
, and T.
Fukuda
, Appl. Phys. Lett.
92
, 141101
(2008
).455.
S.
Heinze
, A.
Krtschil
, J.
Bläsing
, T.
Hempel
, P.
Veit
, A.
Dadgar
, J.
Christen
, and A.
Krost
, J. Cryst. Growth
308
, 170
(2007
).456.
S.
Lautenschlaeger
, J.
Sann
, N.
Volbers
, B. K.
Meyer
, A.
Hoffmann
, U.
Haboeck
, and M. R.
Wagner
, Phys. Rev. B
77
, 144108
(2008
).457.
M. R.
Wagner
, T. P.
Bartel
, R.
Kirste
, A.
Hoffmann
, J.
Sann
, S.
Lautenschlager
, B. K.
Meyer
, and C.
Kisielowski
, Phys. Rev. B
79
, 035307
(2009
).458.
A.
Tsukazaki
, A.
Ohtomo
, T.
Onuma
, M.
Ohtani
, T.
Makino
, M.
Sumiya
, K.
Ohtani
, S. F.
Chichibu
, S.
Fuke
, Y.
Segawa
, H.
Ohno
, H.
Koinuma
, and M.
Kawasaki
, Nat. Mater.
4
, 42
(2005
).459.
K.
Nakahara
, S.
Akasaka
, H.
Yuji
, K.
Tamura
, T.
Fujii
, Y.
Nishimoto
, D.
Takamizu
, A.
Sasaki
, T.
Tanabe
, H.
Takasu
, H.
Amaike
, T.
Onuma
, S. F.
Chichibu
, A.
Tsukazaki
, A.
Ohtomo
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Lett.
97
, 013501
(2010
).460.
S.
Brochen
, M.
Lafossas
, I. C.
Robin
, P.
ferret
, F.
Gemain
, J.
Pernot
, and G.
Feuillet
, J. Appl. Phys.
115
, 113508
(2014
).461.
H.
Xu
, K.
Ohtani
, M.
Yamao
, and H.
Ohno
, Appl. Phys. Lett.
89
, 071918
(2006
).462.
H.
Kato
, M.
Sano
, K.
Miyamoto
, and T.
Yao
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
42
, L1002
(2003
).463.
M.
Wei
, R. C.
Boutwell
, G. A.
Garrett
, K.
Goodman
, P.
Rotella
, M.
Wraback
, and W. V.
Schoenfeld
, J. Alloys Compd.
552
, 127
(2013
).464.
H.
Yuji
, K.
Nakahara
, K.
Tamura
, S.
Akasaka
, Y.
Nishimoto
, D.
Takamizu
, T.
Onuma
, S. F.
Chichibu
, A.
Tsukazaki
, A.
Ohtomo
, and M.
Kawasaki
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
49
, 071104
(2010
).465.
Y.
Kozuka
, A.
Tsukazaki
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Rev.
1
, 011303
(2014
).466.
A.
Tsukazaki
, S.
Akasaka
, K.
Nakahara
, Y.
Ohno
, H.
Ohno
, D.
Maryenko
, A.
Ohtomo
, and M.
Kawasaki
, Nat. Mater.
9
, 889
(2010
).467.
Y.
Nishimoto
, K.
Nakahara
, D.
Takamizu
, A.
Sasaki
, K.
Tamura
, S.
Akasaka
, H.
Yuji
, T.
Fujii
, T.
Tanabe
, H.
Takasu
, A.
Tsukazaki
, A.
Ohtomo
, T.
Onuma
, S. F.
Chichibu
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Express
1
, 091202
(2008
).468.
S.
Akasaka
, A.
Tsukazaki
, K.
Nakahara
, A.
Ohtomo
, and M.
Kawasaki
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
50
, 080215
(2011
).469.
M.
Lorenz
, G.
Wagner
, A.
Rahm
, H.
Schmidt
, H.
Hochmuth
, H.
Schid
, W.
Mader
, M.
Brandt
, H.
von Wenckstern
, and M.
Grundmann
, Phys. Status Solidi C
5
, 3280
(2008
).470.
M.
Brandt
, H.
von Wencsktern
, H.
Schmidt
, A.
Rahm
, G.
Biehne
, G.
Benndorf
, H.
Hochmuth
, M.
Lorenz
, C.
Meinecke
, T.
Butz
, and M.
Grundmann
, J. Appl. Phys.
104
, 013708
(2008
).471.
A.
Lajn
, H.
von Wenckstern
, G.
Benndorf
, C. P.
Dietrich
, M.
Brandt
, G.
Biehne
, H.
Hochmuth
, M.
Lorenz
, and M.
Grundmann
, J. Electron. Mater.
39
, 595
(2010
).472.
M.
Lorenz
, T.
Weiss
, F.
Schmidt
, H.
von Wencktern
, and M.
Grundmann
, Phys. Status Solidi A
212
, 1440
(2015
).473.
M.
Lorenz
, C.
Schmidt
, G.
Benndorf
, T.
Böntgen
, H.
Hochmuth
, R.
Böttcher
, A.
Pöppl
, D.
Spemann
, and M.
Grundmann
, J. Phys. D: Appl. Phys.
46
, 065311
(2013
).474.
C. F.
Walters
, K. F.
McCarty
, E. A.
Soares
, and M. A.
Van Hove
, Surf. Sci.
464
, L732
(2000
).475.
A.
Ohtomo
, K.
Tamura
, K.
Saikusa
, K.
Takahashi
, T.
Makino
, Y.
Segawa
, H.
Koinuma
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Lett.
75
, 2635
(1999
).476.
N.
Kawamoto
, M.
Fujita
, T.
Tatsumi
, and Y.
Horikoshi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
, 7209
(2003
).477.
M.
Ying
, X.
Du
, Z.
Mei
, Z.
Zeng
, H.
Zheng
, Y.
Wang
, J.
Jia
, Z.
Zhang
, and Q.
Xue
, J. Phys. D: Appl. Phys.
37
, 3058
(2004
).478.
X.
Wang
, Y.
Tomita
, O. H.
Roh
, M.
Ohsugi
, S. B.
Che
, Y.
Ishitani
, and A.
Yoshikawa
, Appl. Phys. Lett.
86
, 011921
(2005
).479.
C.
Tang
, M. J. S.
Spencer
, and A. S.
Barnard
, Phys. Chem. Chem. Phys.
16
, 22139
(2014
).480.
Y.
Wang
, X. L.
Du
, Z. X.
Mei
, Z. Q.
Zeng
, M. J.
Ying
, H. T.
Yuan
, J. F.
Jia
, Q. K.
Xue
, and Z.
Zhang
, Appl. Phys. Lett.
87
, 051901
(2005
).481.
Z. X.
Mei
, X. L.
Du
, Y.
Wang
, M. J.
Ying
, Z. Q.
Zeng
, H.
Zheng
, J. F.
Jia
, Q. K.
Xue
, and Z.
Zhang
, Appl. Phys. Lett.
86
, 112111
(2005
).482.
I.
Ohkubo
, A.
Ohtomo
, T.
Ohnishi
, Y.
Mastumoto
, H.
Koinuma
, and M.
Kawasaki
, Surf. Sci.
443
, L1043
(1999
).483.
B. P.
Zhang
, L. H.
Manh
, K.
Wakatsuki
, T.
Ohnishi
, M.
Lippmaa
, N.
Usami
, M.
Kawasaki
, and Y.
Segawa
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
, 2291
(2003
).484.
B. P.
Zhang
, K.
Wakatsuki
, N. T.
Binh
, N.
Usami
, and Y.
Segawa
, Thin Solid Films
449
, 12
(2004
).485.
S.
Akiyama
, K.
Minegishi
, T.
Tanaka
, H.
Ogawa
, and M.
Kasuga
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
46
, 342
(2007
).486.
S. K.
Hong
, H. J.
Ko
, Y.
Chen
, T.
Hanada
, and T.
Yao
, J. Vac. Sci. Technol., B
18
, 2313
(2000
).487.
S. K.
Hong
, T.
Hanada
, Y.
Chen
, H. J.
Ko
, T.
Yao
, D.
Imai
, K.
Araki
, and M.
Shinohara
, Appl. Surf. Sci.
190
, 491
(2002
).488.
Y.
Chen
, H. J.
Ko
, S. K.
Hong
, and T.
Yao
, Appl. Phys. Lett.
76
, 559
(2000
).489.
H.
Kato
, K.
Miyamoto
, M.
Sano
, and T.
Yao
, Appl. Phys. Lett.
84
, 4562
(2004
).490.
M. W.
Cho
, T.
Minegishi
, T.
Suzuki
, H.
Suzuki
, T.
Yao
, S. K.
Hong
, and H.
Ko
, J. Electroceram.
17
, 255
(2006
).491.
A.
Bakin
, J.
Kioseoglou
, B.
Pecz
, A.
El-Shaer
, A. C.
Mofor
, J.
Stoemenos
, and A.
Waag
, J. Cryst. Growth
308
, 314
(2007
).492.
Z. Q.
Zeng
, Y. Z.
Liu
, H. T.
Yuan
, Z. X.
Mei
, X. L.
Du
, J. F.
Jia
, Q. K.
Xue
, and Z.
Zhang
, Appl. Phys. Lett.
90
, 081911
(2007
).493.
J. G.
Kim
, S. K.
Han
, S. M.
Yang
, S. K.
Hong
, J. W.
Lee
, J. Y.
Lee
, J. H.
Song
, Y. E.
Ihm
, D.
Kim
, J. S.
Park
, H. J.
Lee
, and T.
Yao
, Thin Solid Films
519
, 223
(2010
).494.
S.
Park
, S. K.
Hong
, T.
Minegishi
, S. H.
Park
, S. H.
Park
, I. H.
Im
, M. W.
Cho
, T.
Yao
, J. W.
Lee
, and J. Y.
Lee
, Appl. Phys. Lett.
90
, 201907
(2007
).495.
S.
Park
, J. H.
Chang
, T.
Minegishi
, H. J.
Lee
, S. H.
Park
, I. H.
Im
, T.
Hanada
, S. K.
Hong
, M. W.
Cho
, and T.
Yao
, J. Electron. Mater.
37
, 736
(2008
).496.
J.
Park
and T.
Yao
, Thin Solid Films
531
, 88
(2013
).497.
J.
Park
and T.
Yao
, Mater. Res. Bull.
47
, 2875
(2012
).498.
J.
Park
, T.
Minegishi
, S. H.
Park
, S. K.
Honng
, J. H.
Chang
, and T.
Yao
, Thin Solid Films
519
, 3417
(2011
).499.
J.
Park
and T.
Yao
, J. Alloys Compd.
513
, 180
(2012
).500.
Z.
Zhong
, F.
Qian
, D.
Wang
, and C. M.
Lieber
, Nano Lett.
3
, 343
(2003
).501.
T.
Kuykendall
, P.
Pauzauskie
, S.
Lee
, Y.
Zhang
, J.
Goldberger
, and P.
Yang
, Nano Lett.
3
, 1063
(2003
).502.
T.
Kuykendall
, P. J.
Pauzauskie
, Y.
Zhang
, J.
Goldberger
, D.
Sirbuly
, J.
Denlinger
, and P.
Yang
, Nat. Mater.
3
, 524
(2004
).503.
F.
Qian
, S.
Gradecak
, H.
Park
, Y.
Dong
, Y.
Ding
, Z. L.
Wang
, and C. M.
Lieber
, Nat. Mater.
7
, 701
(2008
).504.
W.
Bergbauer
, M.
Strassburg
, Ch.
Kölper
, N.
Lindner
, C.
Roder
, J.
Lähnemann
, A.
Trampert
, S.
Fündling
, S.
f. Li
, H.
Wehmann
, and A.
Waag
, Nanotechnology
21
, 305201
(2010
).505.
W.
Bergbauer
, M.
Strassburg
, Ch.
Kölper
, N.
Lindner
, C.
Roder
, J.
Lähnemann
, A.
Trampert
, S.
Fündling
, S.
f. Li
, H.
Wehmann
, and A.
Waag
, J. Cryst. Growth
315
, 164
(2011
).506.
X. J.
Chen
, G.
Perillat-Merceroz
, D.
Sam-Giao
, C.
Durand
, and J.
Eymery
, Appl. Phys. Lett.
97
, 151909
(2010
).507.
B.
Alloing
, S.
Vézian
, O.
Tottereau
, P.
Vennéguès
, E.
Beraudo
, and J.
Zuniga-Perez
, Appl. Phys. Lett.
98
, 011914
(2011
).508.
S. F.
Li
, S.
Fuendling
, X.
Wang
, S.
Merzsch
, M. A. M.
Al-Suleiman
, J. D.
Wei
, H. H.
Wehmann
, A.
Waag
, W.
Bergabuer
, and M.
Strassburg
, Cryst. Growth Des.
11
, 1573
(2011
).509.
M.
Sumiya
, M.
Tanaka
, K.
Ohtsuka
, S.
Fuke
, T.
Ohnishi
, I.
Ohkubo
, M.
Yoshimoto
, H.
Koinuma
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Lett.
75
, 674
(1999
).510.
M.
Sumiya
, N.
Ogusu
, Y.
Yotsuda
, M.
Itoh
, S.
Fuke
, T.
Nakamura
, S.
Mochizuki
, T.
Sano
, S.
Kamiyama
, H.
Amano
, and I.
Akasaki
, J. Appl. Phys.
93
, 1311
(2003
).511.
C.
Tessarek
, M.
Bashouti
, M.
Heilmann
, C.
Dieker
, I.
Knoke
, E.
Spiecker
, and S.
Chrsitiansen
, J. Appl. Phys.
114
, 144304
(2013
).512.
P. M.
Coulon
, M.
Mexis
, M.
Teisseire
, M.
Jublot
, P.
Vennéguès
, M.
Leroux
, and J.
Zuniga-Perez
, J. Appl. Phys.
115
, 153504
(2014
).513.
S.
Labat
, M. I.
Richard
, M.
Dupraz
, M.
Gailhanou
, G.
Beutier
, M.
Verdier
, F.
Mastropietro
, T. W.
Cornelius
, T. U.
Schülli
, J.
Eymery
, and O.
Thomas
, ACS Nano
9
, 9210
(2015
).514.
X. J.
Chen
, B.
Gayral
, D.
Sam-Giao
, C.
Bougerol
, C.
Durand
, and J.
Eymery
, Appl. Phys. Lett.
99
, 251910
(2011
).515.
X.
Wang
, S.
Li
, S.
Fündling
, J.
Wei
, M.
Erenburg
, H. H.
Wehmann
, and A.
Waag
, Cryst. Growth Des.
12
, 2552
(2012
).516.
S. D.
Hersee
, X.
Sun
, and X.
Wang
, Nano Lett.
6
, 1808
(2006
).517.
K.
Choi
, M.
Arita
, and Y.
Arakawa
, J. Cryst. Growth
357
, 58
(2012
).518.
X.
Wang
, S.
Li
, M. S.
Mohajerani
, J.
Ledig
, H. H.
Wehmann
, M.
Mandl
, M.
Strassburg
, U.
Steegmüller
, U.
Jahn
, J.
Lähnemann
, H.
Riechert
, I.
Griffiths
, D.
Cherns
, and A.
Waag
, Cryst. Growth Des.
13
, 3475
(2013
).519.
P. M.
Coulon
, B.
Alloing
, V.
Brändli
, P.
Vennéguès
, M.
Leroux
, and J.
Zuniga-Perez
, Appl. Phys. Express
9
, 015502
(2016
).520.
B. O.
Jung
, S. Y.
Bae
, Y.
Kato
, M.
Imura
, D. S.
Lee
, Y.
Honda
, and H.
Amano
, CrystEngComm
16
, 2273
(2014
).521.
X.
Wang
, X.
Sun
, M.
Fairchild
, and S. D.
Hersee
, Appl. Phys. Lett.
89
, 233115
(2006
).522.
T. Y.
Tang
, W. Y.
Shiao
, C. H.
Lin
, K. C.
Shen
, J. J.
Huang
, S. Y.
Ting
, T. C.
Liu
, C. C.
Yang
, C. L.
Yao
, J. H.
Yeh
, T. C.
Hsu
, W. C.
Chen
, H. C.
Hsu
, and L. C.
Chen
, J. Appl. Phys.
105
, 023501
(2009
).523.
T. W.
Yeh
, Y. T.
Lin
, L. S.
Stewart
, P. D.
Dapkus
, R.
Sarkissian
, J. D.
O'Brien
, B.
Ahn
, and S. R.
Nutt
, Nano Lett.
12
, 3257
(2012
).524.
S. Y.
Bae
, J. Y.
Lee
, J. H.
Min
, and D. S.
Lee
, Appl. Phys. Express
6
, 075501
(2013
).525.
K.
Chung
, H.
Beak
, Y.
Tchoe
, H.
Oh
, H.
Yoo
, M.
Kim
, and G. C.
Yi
, APL Mater.
2
, 092512
(2014
).526.
B.
Foltynski
, N.
Garro
, M.
Vallo
, M.
Finken
, C.
Giesen
, H.
Kalisch
, A.
Vescan
, A.
Cantarero
, and M.
Heuken
, J. Cryst. Growth
414
, 200
(2015
).527.
S.
Vézian
, B.
Alloing
, and J.
Zuñiga-Pérez
, J. Cryst. Growth
323
, 326
(2011
).528.
E.
Calleja
, J.
Ristić
, S.
Fernández-Garrido
, L.
Cerutti
, M. A.
Sánchez-García
, J.
Grandal
, A.
Trampert
, U.
Jahn
, G.
Sánchez
, A.
Griol
, and B.
Sánchez
, Phys. Status Solidi B
244
, 2816
(2007
).529.
L.
Geelhaar
, C.
Chèze
, B.
Jenichen
, O.
Brandt
, C.
Pfüller
, S.
Münch
, R.
Rothemund
, S.
Reitzenstein
, A.
Forchel
, T.
Kehagias
, P.
Komninou
, G. P.
Dimitrakopulos
, T.
Karakostas
, L.
Lari
, P. R.
Chalker
, H. G.
Mhairi
, and H.
Riechert
, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.
17
, 878
(2011
).530.
K. A.
Bertness
, S.
Member
, N. A.
Sanford
, and A. V.
Davydov
, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.
17
, 847
(2011
).531.
532.
L.
Cerutti
, J.
Ristić
, S.
Fernández-Garrido
, E.
Calleja
, A.
Trampert
, K. H.
Ploog
, S.
Lazic
, and J. M.
Calleja
, Appl. Phys. Lett.
88
, 213114
(2006
).533.
T.
Stoica
, E.
Sutter
, R. J.
Meijers
, R. K.
Debnath
, R.
Calarco
, H.
Lüth
, and D.
Grützmacher
, Small
4
, 751
(2008
).534.
S.
Fernández-Garrido
, X.
Kong
, T.
Gotschke
, R.
Calarco
, L.
Geelhaar
, A.
Trampert
, and O.
Brandt
, Nano Lett.
12
, 6119
(2012
).535.
M.
Sobanska
, K.
Klosek
, J.
Borysiuk
, S.
Kret
, G.
Tchutchulasvili
, S.
Gieraltowska
, and Z. R.
Zytkiewicz
, J. Appl. Phys.
115
, 043517
(2014
).536.
M.
Wölz
, C.
Hauswald
, T.
Flissikowski
, T.
Gotschke
, S.
Fernández-Garrido
, O.
Brandt
, H. T.
Grahn
, L.
Geelhaar
, and H.
Riechert
, Nano Lett.
15
, 3743
(2015
).537.
C.
Chèze
, L.
Geelhaar
, O.
Brandt
, W.
Weber
, H.
Riechert
, S.
Münch
, R.
Rothemund
, S.
Reitzenstein
, A.
Forchel
, T.
Kehagias
, P.
Komninou
, G.
Dimitrakopulos
, and T.
Karakostas
, Nano Res.
3
, 528
(2010
).538.
C.
Chèze
, L.
Geelhaar
, B.
Jenichen
, and H.
Riechert
, Appl. Phys. Lett.
97
, 153105
(2010
).539.
C.
Chèze
, L.
Geelhaar
, A.
Trampert
, O.
Brandt
, and H.
Riechert
, Nano Lett.
10
, 3426
(2010
).540.
K.
Kishino
, T.
Hoshino
, S.
Ishizawa
, and A.
Kikuchi
, Electron. Lett.
44
, 819
(2008
).541.
K.
Kishino
, H.
Sekiguchi
, and A.
Kikuchi
, J. Cryst. Growth
311
, 2063
(2009
).542.
A.
Bengoechea-Encabo
, F.
Barbagini
, S.
Fernández-Garrido
, J.
Grandal
, J.
Ristić
, M. A.
Sanchez-García
, E.
Calleja
, U.
Jahn
, E.
Luna
, and A.
Trampert
, J. Cryst. Growth
325
, 89
(2011
).543.
A.
Bengoechea-Encabo
, S.
Albert
, M. A.
Sanchez-García
, L.
López
, S.
Estradé
, J.
Rebled
, F.
Peiró
, G.
Nataf
, P.
de Mierry
, J.
Zuniga-Perez
, and E.
Calleja
, J. Cryst. Growth
353
, 1
(2012
).544.
S.
Albert
, A.
Bengoechea-Encabo
, M. A.
Sánchez-García
, X.
Kong
, A.
Trampert
, and E.
Calleja
, Nanotechnology
24
, 175303
(2013
).545.
K. A.
Bertness
, A. W.
Sanders
, D. M.
Rourke
, T. E.
Harvey
, A.
Roshko
, J. B.
Schlager
, and N. A.
Sanford
, Adv. Funct. Mater.
20
, 2911
(2010
).546.
H.
Sekiguchi
, K.
Kishino
, and A.
Kikuchi
, Appl. Phys. Express
1
, 124002
(2008
).547.
A.
Urban
, J.
Malindretos
, J.-H.
Klein-Wiele
, P.
Simon
, and A.
Rizzi
, New J. Phys.
15
, 053045
(2013
).548.
Z.
Gačević
, D.
Gómez Sánchez
, and E.
Calleja
, Nano Lett.
15
, 1117
(2015
).549.
D.
Cherns
, L.
Meshi
, I.
Griffiths
, S.
Khongphetsak
, S. V.
Novikov
, N. R. S.
Farley
, R. P.
Campion
, and C. T.
Foxon
, Appl. Phys. Lett.
93
, 111911
(2008
).550.
M. J.
Bierman
, Y. K. A.
Lau
, A. V.
Kvit
, A. L.
Schmitt
, and S.
Jin
, Science
320
, 1060
(2008
).551.
S.
Fernández-Garrido
, J.
Grandal
, E.
Calleja
, M. A.
Sánchez-García
, and D.
López-Romero
, J. Appl. Phys.
106
, 126102
(2009
).552.
S.
Fernández-Garrido
, V. M.
Kaganer
, K. K.
Sabelfeld
, T.
Gotschke
, J.
Grandal
, E.
Calleja
, L.
Geelhaar
, and O.
Brandt
, Nano Lett.
13
, 3274
(2013
).553.
M.
Yoshizawa
, A.
Kikuchi
, M.
Mori
, N.
Fujita
, and K.
Kishino
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
36
, L459
(1997
).554.
M.
Sánchez-García
, E.
Calleja
, E.
Monroy
, F.
Sánchez
, F.
Calle
, E.
Muñoz
, and R.
Beresford
, J. Cryst. Growth
183
, 23
(1998
).555.
F.
Furtmayr
, M.
Vielemeyer
, M.
Stutzmann
, J.
Arbiol
, S.
Estradé
, F.
Peiró
, J. R.
Morante
, and M.
Eickhoff
, J. Appl. Phys.
104
, 034309
(2008
).556.
X.
Kong
, J.
Ristić
, M. A.
Sánchez-García
, E.
Calleja
, and A.
Trampert
, Nanotechnology
22
, 415701
(2011
).557.
R.
Mata
, K.
Hestroffer
, J.
Budagosky
, A.
Cros
, C.
Bougerol
, H.
Renevier
, and B.
Daudin
, J. Cryst. Growth
334
, 177
(2011
).558.
S. D.
Carnevale
, T. F.
Kent
, P. J.
Phillips
, A. T. M. G.
Sarwar
, C.
Selcu
, R. F.
Klie
, and R. C.
Myers
, Nano Lett.
13
, 3029
(2013
).559.
M. I.
den Hertog
, F.
Gonzalez-Posada
, R.
Songmuang
, J. L.
Rouviere
, T.
Fournier
, B.
Fernandez
, and E.
Monroy
, Nano Lett.
12
, 5691
(2012
).560.
A.
Trampert
, J.
Ristić
, U.
Jahn
, E.
Calleja
, and K. H.
Ploog
, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng.
180
, 167
(2003
).561.
K.
Hestroffer
, C.
Bougerol
, C.
Leclere
, H.
Renevier
, and B.
Daudin
, Phys. Rev. B
84
, 245302
(2011
).562.
F.
Limbach
, C.
Hauswald
, J.
Lähnemann
, M.
Wölz
, O.
Brandt
, A.
Trampert
, M.
Hanke
, U.
Jahn
, R.
Calarco
, L.
Geelhaar
, and H.
Riechert
, Nanotechnology
23
, 465301
(2012
).563.
J.
Müßener
, J.
Teubert
, P.
Hille
, M.
Schäfer
, J.
Schörmann
, M.
de la Mata
, J.
Arbiol
, and M.
Eickhoff
, Nano Lett.
14
, 5118
(2014
).564.
M. D.
Brubaker
, I.
Levin
, A. V.
Davydov
, D. M.
Rourke
, N. A.
Sanford
, V. M.
Bright
, and K. A.
Bertness
, J. Appl. Phys.
110
, 053506
(2011
).565.
L.
Largeau
, E.
Galopin
, N.
Gogneau
, L.
Travers
, F.
Glas
, and J.-C.
Harmand
, Cryst. Growth Des.
12
, 2724
(2012
).566.
J.
Borysiuk
, Z. R.
Zytkiewicz
, M.
Sobanska
, A.
Wierzbicka
, K.
Klosek
, K. P.
Korona
, P. S.
Perkowska
, and A.
Reszka
, Nanotechnology
25
, 135610
(2014
).567.
D.
Cherns
, L.
Meshi
, I.
Griffiths
, S.
Khongphetsak
, S. V.
Novikov
, N.
Farley
, R. P.
Campion
, and C. T.
Foxon
, Appl. Phys. Lett.
92
, 121902
(2008
).568.
F.
Schuster
, F.
Furtmayr
, R.
Zamani
, C.
Magén
, J. R.
Morante
, J.
Arbiol
, J. A.
Garrido
, and M.
Stutzmann
, Nano Lett.
12
, 2199
(2012
).569.
G.
Koblmüller
, S.
Fernández-Garrido
, E.
Calleja
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
91
, 161904
(2007
).570.
G.
Koblmüller
, F.
Wu
, T.
Mates
, J. S.
Speck
, S.
Fernández-Garrido
, and E.
Calleja
, Appl. Phys. Lett.
91
, 221905
(2007
).571.
C. E.
Dreyer
, A.
Janotti
, and C. G.
Van de Walle
, Phys. Rev. B
89
, 081305
(2014
).572.
H.
Li
, L.
Geelhaar
, H.
Riechert
, and C.
Draxl
, Phys. Rev. Lett.
115
, 085503
(2015
).573.
V.
Dubrovskii
, V.
Consonni
, A.
Trampert
, L.
Geelhaar
, and H.
Riechert
, Phys. Rev. B
85
, 165317
(2012
).574.
L.
Geelhaar
, C.
Chèze
, W. M.
Weber
, R.
Averbeck
, H.
Riechert
, T.
Kehagias
, P.
Komninou
, G. P.
Dimitrakopulos
, and T.
Karakostas
, Appl. Phys. Lett.
91
, 093113
(2007
).575.
M. D.
Brubaker
, S. M.
Duff
, T. E.
Harvey
, P. T.
Blanchard
, A.
Roshko
, A. W.
Sanders
, N. A.
Sanford
, and K. A.
Bertness
, Cryst. Growth Des.
16
, 596
(2016
).576.
T.
Schumann
, T.
Gotschke
, F.
Limbach
, T.
Stoica
, and R.
Calarco
, Nanotechnology
22
, 095603
(2011
).577.
T.
Gotschke
, T.
Schumann
, F.
Limbach
, T.
Stoica
, and R.
Calarco
, Appl. Phys. Lett.
98
, 103102
(2011
).578.
K.
Kishino
and S.
Ishizawa
, Nanotechnology
26
, 225602
(2015
).579.
Z. L.
Wang
, J. Phys.: Condens. Matter
16
, R829
(2004
).580.
G. C.
Yi
, C.
Wang
, and W. I.
Park
, Semicond. Sci. Technol.
20
, S22
(2005
).581.
L.
Schmidt-Mende
and J. L.
MacManus-Driscoll
, Mater. Today
10
, 40
(2007
).582.
Z. W.
Pan
, Z. R.
Dai
, and Z. L.
Wang
, Science
291
, 1947
(2001
).583.
Z. L.
Wang
, X. Y.
Kong
, and J. M.
Zuo
, Phys. Rev. Lett.
91
, 185502
(2003
).584.
X. Y.
Kong
and Z. L.
Wang
, Nano Lett.
3
, 1625
(2003
).585.
S. C.
Lyu
, Y.
Zhang
, C. J.
Lee
, H.
Ruh
, and H. J.
Lee
, Chem. Mater.
15
, 3294
(2003
).586.
Y.
Sun
, G. M.
Fuge
, and M. N. R.
Ashfold
, Chem. Phys. Lett.
396
, 21
(2004
).587.
J. J.
Wu
and S. C.
Liu
, Adv. Mater.
14
, 215
(2002
).588.
W. I.
Park
, D. H.
Kim
, S. W.
Jung
, and G. C.
Yi
, Appl. Phys. Lett.
80
, 4232
(2002
).589.
M.
Krunks
, T.
Dedova
, and I.
Oja Acik
, Thin Solid Films
515
, 1157
(2006
).590.
M. J.
Zheng
, L. D.
Zhang
, G. H.
Li
, and W. Z.
Shen
, Chem. Phys. Lett.
363
, 123
(2002
).591.
L.
Vayssieres
, K.
Keis
, S. E.
Lindquist
, and A.
Hagfeldt
, J. Phys. Chem. B
105
, 3350
(2001
).592.
G. W.
She
, X. H.
Zhang
, W. S.
Shi
, X.
Fan
, J. C.
Chang
, C. S.
Lee
, S. T.
Lee
, and C. H.
Liu
, Appl. Phys. Lett.
92
, 053111
(2008
).593.
Z. R.
Tian
, J. A.
Voigt
, J.
Liu
, B.
McKenzie
, M. J.
McDermott
, M. A.
Rodriguez
, H.
Konihi
, and H.
Xu
, Nat. Mater.
2
, 821
(2003
).594.
J.
Park
, K. H.
Kim
, S. H.
Park
, E.
Yoon
, and T.
Yao
, Appl. Phys. Express
3
, 105001
(2010
).595.
F.
Schuster
, B.
Laumer
, R. R.
Zamani
, C.
Magén
, J. R.
Morante
, J.
Arbiol
, and M.
Stutzmann
, ACS Nano
8
, 4376
(2014
).596.
S.
Käbisch
, M. A.
Gluba
, C.
Klimm
, S.
Krause
, N.
Koch
, and N. H.
Nickel
, Appl. Phys. Lett.
103
, 103106
(2013
).597.
S.
Käbisch
, M.
Timpel
, H.
Kirmse
, M. A.
Gluba
, N.
Koch
, and N. H.
Nickel
, Appl. Phys. Lett.
108
, 083114
(2016
).598.
J. B.
Baxter
, F.
Wu
, and E. S.
Aydil
, Appl. Phys. Lett.
83
, 3797
(2003
).599.
M.
de la Mata
, C.
Magen
, J.
Gazquez
, M.
Iqbal Bakti Utama
, M.
Heiss
, S.
Lopatin
, F.
Furtmayr
, C. J.
Fernández-Rojas
, B.
Peng
, J. R.
Morante
et al., Nano Lett.
12
, 2579
(2012
).600.
H.
Iwanaga
, M.
Fujii
, and S.
Takeuchi
, J. Cryst. Growth
134
, 275
(1993
).601.
Y.
Dai
, Y.
Zhang
, Q. K.
Li
, and C. W.
Nan
, Chem. Phys. Lett.
358
, 83
(2002
).602.
Y.
Dai
, Y.
Zhang
, and Z. L.
Wang
, Solid State Commun.
126
, 629
(2003
).603.
P. X.
Gao
and Z. L.
Wang
, J. Phys. Chem. B
108
, 7534
(2004
).604.
S. H.
Lee
, T.
Minegishi
, J. S.
Park
, S. H.
Park
, J. S.
Ha
, H. J.
Lee
, H. J.
Lee
, S.
Ahn
, J.
Kim
, H.
Jeon
et al., Nano Lett.
8
, 2419
(2008
).605.
P. X.
Gao
and Z. L.
Wang
, J. Phys. Chem. B
106
, 12653
(2002
).606.
P. X.
Gao
, Y.
Ding
, and Z. L.
Wang
, Nano Lett.
3
, 1315
(2003
).607.
P. X.
Gao
and Z. L.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
84
, 2883
(2004
).608.
Y. D.
Ding
, P. X.
Gao
, and Z. L.
Wang
, J. Am. Chem. Soc.
126
, 2066
(2004
).609.
X. Y.
Kong
, Y.
Ding
, R.
Yang
, and Z. L.
Wang
, Science
303
, 1348
(2004
).610.
X. Y.
Kong
and Z. L.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
84
, 975
(2004
).611.
Y.
Ding
, X. Y.
Kong
, and Z. L.
Wang
, Phys. Rev. B
70
, 235408
(2004
).612.
W. L.
Hughes
and Z. L.
Wang
, J. Am. Chem. Soc.
126
, 6703
(2004
).613.
M. C.
Jeong
, B. Y.
Oh
, W.
Lee
, and J. M.
Myoung
, J. Cryst. Growth
268
, 149
(2004
).614.
J. Y.
Park
, J. M.
Lee
, J. H.
Je
, and S. S.
Kim
, J. Cryst. Growth
281
, 446
(2005
).615.
G. W.
Cong
, H. Y.
Wei
, P. F.
Zhang
, W. Q.
Peng
, J. J.
Wu
, X. L.
Liu
, C. M.
Jiao
, W. G.
Hu
, Q. S.
Zhu
, and Z. G.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
87
, 231903
(2005
).616.
S. H.
Park
, S. Y.
Seo
, S. H.
Kim
, and S. W.
Han
, Appl. Phys. Lett.
88
, 251903
(2006
).617.
D. J.
Park
, J. Y.
Lee
, D. C.
Kim
, S. K.
Mohanta
, and H. K.
Cho
, Appl. Phys. Lett.
91
, 143115
(2007
).618.
A.
Behrends
, A.
Bakin
, and A.
Waag
, Microelectron. J.
40
, 280
(2009
).619.
T.
Song
, J. W.
Choung
, J. G.
Park
, W.
II Park
, J. A.
Rogers
, and U.
Paik
, Adv. Mater.
20
, 4464
(2008
).620.
D. N.
Montenegro
, A.
Souissi
, C.
Martinez-Tomas
, V.
Munoz-Sanjosé
, and V.
Sallet
, J. Cryst. Growth
359
, 122
(2012
).621.
G.
Perillat-Merceroz
, P. H.
Jouneau
, G.
Feuillet
, R.
Thierry
, M.
Rosina
, and P.
Ferret
, J. Phys.: Conf. Ser.
209
, 012034
(2010
).622.
G.
Perillat-Merceroz
, R.
Thierry
, P. H.
Jouneau
, P.
Ferret
, and G.
Feuillet
, Nanotechnology
23
, 125702
(2012
).623.
V.
Sallet
, in Wide Band Gap Semiconductor Nanowires
, edited by V.
Consonni
and G.
Feuillet
(ISTE/Wiley Publisher
, 2014
), Vol. 1.624.
V.
Sallet
, C.
Sartel
, C.
Vilar
, A.
Lusson
, and P.
Galtier
, Appl. Phys. Lett.
102
, 182103
(2013
).625.
D. P.
Nicholls
, R.
Vincent
, D.
Cherns
, Y.
Sun
, and M. N. R.
Ashfold
, Philos. Mag. Lett.
87
, 417
(2007
).626.
D.
Cherns
and Y.
Sun
, Appl. Phys. Lett.
92
, 051909
(2008
).627.
H.
Iwanaga
and N.
Shibata
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
11
, 121
(1972
).628.
H.
Iwanaga
and N.
Shibata
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
11
, 429A
(1972
).629.
J.
Jasinski
, D.
Zhang
, J.
Parra
, V.
Katkanant
, and V. J.
Leppert
, Appl. Phys. Lett.
92
, 093104
(2008
).630.
P.
Vennegues
, M.
Banaissa
, B.
Beaumont
, E.
Feltin
, P.
De Mierry
, S.
Dalmasso
, M.
Leroux
, and P.
Gibart
, Appl. Phys. Lett.
77
, 880
(2000
).631.
Y.
Adachi
, N.
Ohashi
, T.
Ohgaki
, T.
Ohnishi
, I.
Sakaguchi
, S.
Ueda
, H.
Yoshikawa
, K.
Kobayashi
, J. R.
Williams
, T.
Ogino
, and H.
Haneda
, Thin Solid Films
519
, 5875
(2011
).632.
S.
Wei
, Z.
Wang
, Z.
Yang
et al., Phys. Lett. A
363
, 327
(2007
).633.
L. E.
Greene
, M.
Law
, D. H.
Tan
, M.
Montano
, J.
Goldberger
, G.
Somorjai
, and P.
Yang
, Nano Lett.
5
, 1231
(2005
).634.
Y.
Sun
, D. J.
Riley
, and M. N. R.
Ashfold
, J. Phys. Chem. B
110
, 15186
(2006
).635.
J.
Liu
, J.
She
, S.
Deng
, J.
Chen
, and N.
Xu
, J. Phys. Chem. C
112
, 11685
(2008
).636.
S. W.
Chen
and J. M.
Wu
, Acta Mater.
59
, 841
(2011
).637.
S.
Guillemin
, V.
Consonni
, E.
Appert
, E.
Puyoo
, L.
Rapenne
, and H.
Roussel
, J. Phys. Chem. C
116
, 25106
(2012
).638.
S.
Guillemin
, L.
Rapenne
, H.
Roussel
, E.
Sarigiannidou
, G.
Brémond
, and V.
Consonni
, J. Phys. Chem. C
117
, 20738
(2013
).639.
J.
Volk
, T.
Nagata
, R.
Erdélyi
, I.
Bársony
, A. L.
Tóth
, I. E.
Lukács
, Zs.
Czigány
, H.
Tomimoto
, Y.
Shingaya
, and T.
Chikyow
, Nanoscale Res. Lett.
4
, 699
(2009
).640.
V.
Consonni
, E.
Sarigiannidou
, E.
Appert
, A.
Bocheux
, S.
Guillemin
, F.
Donatini
, I. C.
Robin
, J.
Kioseoglou
, and F.
Robaut
, ACS Nano
8
, 4761
(2014
).641.
K. M.
McPeak
, M. A.
Becker
, N. G.
Britton
, H.
Majidi
, B. A.
Bunker
, and J. B.
Baxter
, Chem. Mater.
22
, 6162
(2010
).642.
Y. J.
Wu
, C. H.
Liao
, C. Y.
Hsieh
, P. M.
Lee
, Y. S.
Wei
, Y. S.
Liu
, C. H.
Chen
, and C. Y.
Liu
, J. Phys. Chem. C
119
, 5122
(2015
).643.
D. A.
Scrymgeour
, T. L.
Sounart
, N. C.
Simmons
, and J. W. P.
Hsu
, J. Appl. Phys.
101
, 014316
(2007
).644.
Y.
Sun
, D.
Cherns
, R. P.
Doherty
, J. L.
Warren
, and P. J.
Heard
, J. Appl. Phys.
104
, 023533
(2008
).645.
N. N.
Rathore
, D. V.
Sridhara Rao
, and S. K.
Sarkar
, RSC Adv.
5
, 28251
(2015
).646.
M.
Law
, L.
Greene
, J. C.
Johnson
, R.
Saykally
, and P.
Yang
, Nat. Mater.
4
, 455
(2005
).647.
Y.
Zhou
, W. B.
Wu
, G. D.
Hu
, H. T.
Wu
, and S. G.
Cui
, Mater. Res. Bull.
43
, 2113
(2008
).648.
C.
Xu
, P.
Shin
, L.
Cao
, and D.
Gao
, J. Phys. Chem. C
114
, 125
(2010
).649.
B.
Liu
and H. C.
Zheng
, J. Am. Chem. Soc.
125
, 4430
(2003
).650.
K.
Govender
, D. S.
Boyle
, P. B.
Kenway
, and P.
O'Brien
, J. Mater. Chem.
14
, 2575
(2004
).651.
L. F.
Xu
, Y.
Guo
, Q.
Liao
, J. P.
Zhang
, and D. S.
Xu
, J. Phys. Chem. B
109
, 13519
(2005
).652.
J. H.
Kim
, D.
Andeen
, and F. F.
Lange
, Adv. Mater.
18
, 2453
(2006
).653.
Z. R.
Tian
, J. A.
Voigt
, J.
Liu
, B.
McKenzie
, and M. J.
McDermott
, J. Am. Chem. Soc.
124
, 12954
(2002
).654.
J.
Yahiro
, T.
Kawano
, and H.
Imai
, J. Colloid Interface Sci.
310
, 302
–311
(2007
).655.
A.
Degen
and M.
Kosec
, J. Eur. Ceram. Soc.
20
, 667
(2000
).656.
J.
Joo
, B. Y.
Chow
, M.
Prakash
, E. S.
Boyden
, and J. M.
Jacobson
, Nat. Mater.
10
, 596
(2011
).657.
R. J.
Kershner
, J. W.
Bullard
, and M. J.
Cima
, Langmuir
20
, 4101
(2004
).658.
J. W.
Bullard
and M. J.
Cima
, Langmuir
22
, 10264
(2006
).659.
D. F.
Zhang
, L. D.
Sun
, J. L.
Yin
, C. H.
Yan
, and R. M.
Wang
, J. Phys. Chem. B
109
, 8786
(2005
).660.
Y.
Xi
, C. G.
Hu
, X. Y.
Han
, Y. F.
Xiong
, P. X.
Gao
, and G. B.
Liu
, Solid State Commun.
141
, 506
(2007
).661.
Q.
Li
, V.
Kumar
, Y.
Li
, H.
Zhang
, T. J.
Marks
, and R. P. H.
Chang
, Chem. Mater.
17
, 1001
(2005
).662.
Y.
Tong
, Y.
Liu
, C.
Shao
, Y.
Liu
, C.
Xu
, J.
Zhang
, Y.
Lu
, D.
Shen
, and X.
Fan
, J. Phys. Chem. B
110
, 14714
(2006
).663.
G. W.
She
, X. H.
Zhang
, W. S.
Shi
, X.
Fan
, J. C.
Chang
, C. S.
Lee
, S. T.
Lee
, and C. H.
Liu
, Appl. Phys. Lett.
92
, 053111
(2008
).664.
Y.
Xi
, J.
Song
, S.
Xu
, R.
Yang
, Z.
Gao
, C.
Hu
, and Z. L.
Wang
, J. Mater. Chem.
19
, 9260
(2009
).665.
G.
She
, X.
Zhang
, W.
Shi
, X.
Fan
, and J. C.
Chang
, Electrochem. Commun.
9
, 2784
(2007
).666.
F.
Li
, Y.
Ding
, P.
Gao
, X.
Xin
, and Z. L.
Wang
, Angew. Chem., Int. Ed.
43
, 5238
(2004
).667.
J. S.
Na
, B.
Gong
, G.
Scarel
, and G. N.
Parsons
, ACS Nano
3
, 3191
(2009
).668.
A. R.
Bielinski
, E.
Kazyak
, C. M.
Schlepütz
, H. J.
Jung
, K. N.
Wood
, and N. P.
Dasgupta
, Chem. Mater.
27
, 4799
(2015
).669.
S. H.
Ko
, D.
Lee
, H. W.
Kang
, K. H.
Nam
, J. Y.
Yeo
, S. J.
Hong
, C. P.
Grigoropoulos
, and H. J.
Sung
, Nano Lett.
11
, 666
(2011
).670.
Z. R.
Tian
, J. A.
Voigt
, J.
Liu
, B.
McKenzie
, M. J.
McDermott
, M. A.
Rodriguez
, H.
Konihi
, and H.
Xu
, Nat. Mater.
2
, 821
(2003
).671.
T. L.
Sounart
, J.
Liu
, J. A.
Voigt
, M.
Huo
, E. D.
Spoerke
, and B.
McKenzie
, J. Am. Chem. Soc.
129
, 15786
(2007
).672.
T.
Zhang
, W.
Dong
, M.
Keeter-Brewer
, S.
Konar
, R. N.
Njabon
, and Z. R.
Tian
, J. Am. Chem. Soc.
128
, 10960
(2006
).673.
H.
Li
, M.
Xia
, G.
Dai
, H.
Yu
, Q.
Zhang
, A.
Pan
, T.
Wang
, Y.
Wang
, and B.
Zhou
, J. Phys. Chem. C
112
, 17546
(2008
).674.
C.
Xu
, J.
Wu
, U. V.
Desai
, and D.
Gao
, J. Am. Chem. Soc.
133
, 8122
(2011
).675.
D. G.
Thomas
, J. Phys. Chem. Solids
15
, 86
(1960
).676.
J. J.
Hopfield
and D.
Thomas
, Phys. Rev. Lett.
15
, 22
(1965
).677.
D. C.
Reynolds
, C. W.
Litton
, and T. C.
Collins
, Phys. Rev.
140
, A1726
(1965
).678.
P.
Gori
, M.
Rakel
, C.
Cobet
, W.
Richter
, N.
Esser
, A.
Hoffmann
, R.
Del Sole
, A.
Cricenti
, and O.
Pulci
, Phys. Rev. B
81
, 125207
(2010
).679.
D. C.
Reynolds
, D. C.
Look
, B.
Jogai
, C. W.
Litton
, T. C.
Collins
, W.
Harsch
, and G.
Cantwell
, Phys. Rev. B
57
, 12151
(1998
).680.
B. K.
Meyer
, H.
Alves
, D. M.
Hofmann
, W.
Kriegseis
, D.
Forster
, F.
Bertram
, J.
Christen
, A.
Hoffmann
, M.
Straßburg
, M.
Dworzak
, U.
Haboeck
, and A. V.
Rodina
, Phys. Status Solidi B
241
, 231
(2004
).681.
M. R.
Wagner
, G.
Callsen
, J. S.
Reparaz
, R.
Kirste
, A.
Hoffmann
, A. V.
Rodina
, A.
Schleife
, F.
Bechstedt
, and M. R.
Phillips
, Phys. Rev. B
88
, 235210
(2013
).682.
M.
Liu
, A. H.
Kitai
, and P.
Mascher
, J. Lumin.
54
, 35
(1992
).683.
N. Y.
Garces
, L.
Wang
, L.
Bai
, N. C.
Giles
, L. E.
Halliburton
, and G.
Cantwell
, Appl. Phys. Lett.
81
, 622
(2002
).684.
N.
Ashkenov
, B. N.
Mbenkum
, C.
Bundesmann
, V.
Riede
, M.
Lorenz
, D.
Spemann
, E. M.
Kaidashev
, A.
Kasic
, M.
Schubert
, M.
Grundmann
, G.
Wagner
, H.
Neumann
, V.
Darakchieva
, H.
Arwin
, and B.
Monemar
, J. Appl. Phys.
93
, 126
(2003
).685.
R. E.
Sherriff
, D. C.
Reynolds
, D. C.
Look
, B.
Jogai
, J. E.
Hoelscher
, T. C.
Collins
, G.
Cantwell
, and W. C.
Harsch
, J. Appl. Phys.
88
, 3454
(2000
).686.
J.
Koida
, S. F.
Chichibu
, A.
Uedono
, T.
Sota
, A.
Tsukazaki
, and M.
Kawasaki
, Appl. Phys. Lett.
84
, 1079
(2004
).687.
H.
Matsui
, H.
Saeki
, T.
Kawai
, A.
Sasaki
, M.
Yoshimoto
, M.
Tsubaki
, and H.
Tabata
, J. Vac. Sci. Technol., B
22
, 2454
(2004
).688.
H.
Sasaki
, H.
Kato
, F.
Izumida
, H.
Endo
, K.
Maeda
, M.
Ikeda
, Y.
Kashiwaba
, and I.
Niikura
, Phys. Status Solidi C
3
, 1034
(2006
).689.
M. W.
Allen
, P.
Miller
, R. J.
Reeves
, and S. M.
Durbin
, Appl. Phys. Lett.
90
, 062104
(2007
).690.
Y.
Dong
, Z. Q.
Fang
, D. C.
Look
, G.
Cantwell
, J.
Zhang
, J. J.
Song
, and L. J.
Brillson
, Appl. Phys. Lett.
93
, 072111
(2008
).691.
D. C.
Oh
, T.
Kato
, H.
Goto
, S. H.
Park
, T.
Hanada
, T.
Yao
, and J. J.
Kim
, Appl. Phys. Lett.
93
, 241907
(2008
).692.
Y.
Dong
, D. C.
Look
, D. R.
Doutt
, M. J.
Hetzer
, L. J.
Brillson
, Z.-Q.
Fang
, D. C.
Look
, D. R.
Doutt
, M. J.
Hetzer
, L. J.
Brillson
, Z.-Q.
Fang
, D. C.
Look
, D. R.
Doutt
, M. J.
Hetzer
, and L. J.
Brillson
, J. Vac. Sci. Technol., B
27
, 1710
(2009
).693.
B. J.
Kwon
, Y.
Sun
, J. S.
Chung
, Y. H.
Cho
, J. S.
Park
, and T.
Yao
, Appl. Phys. Lett.
94
, 061918
(2009
).694.
M. R.
Wagner
, T.
Bartel
, R.
Kirste
, A.
Hoffmann
, J.
Sann
, S.
Lautenschläger
, B. K.
Meyer
, and C.
Kisielowski
, Phys. Rev. B
79
, 035307
(2009
).695.
Y.
Dong
, Z. Q.
Fang
, D. C.
Look
, D. R.
Doutt
, G.
Cantwell
, J.
Zhang
, J. J.
Song
, and L. J.
Brillson
, J. Appl. Phys.
108
, 103718
(2010
).696.
A.
Yamamoto
, Y.
Moriwaki
, K.
Hattori
, and H.
Yanagi
, Appl. Phys. Lett.
98
, 061907
(2011
).697.
S.
Lautenschlaeger
, S.
Eisermann
, G.
Haas
, E. A.
Zolnowski
, M. N.
Hofmann
, A.
Laufer
, M.
Pinnisch
, B. K.
Meyer
, M. R.
Wagner
, J. S.
Reparaz
et al., Phys. Rev. B
85
, 235204
(2012
).698.
M. W.
Allen
, R.
Heinhold
, P.
Miller
, M. J. H.
Henseler
, R. J.
Mendelsberg
, S. M.
Durbin
, and R. J.
Reeves
, Appl. Phys. Lett.
103
, 231109
(2013
).699.
B. K.
Meyer
, J.
Sann
, S.
Lautenschlaeger
, M. R.
Wagner
, and A.
Hoffmann
, Phys. Rev. B
76
, 184120
(2007
).700.
K.
Thonke
, T.
Gruber
, N.
Teofilov
, R.
Schönfelder
, A.
Waag
, and R.
Sauer
, Physica B
308–310
, 945
(2001
).701.
A.
Zeuner
, H.
Alves
, D. M.
Hofmann
, B. K.
Meyer
, A.
Hoffmann
, U.
Haboeck
, M.
Strassburg
, and M.
Dworzak
, Phys. Status Solidi B
234
, R7
(2002
).702.
M. R.
Wagner
, G.
Callsen
, J. S.
Reparaz
, J.-H.
Schulze
, R.
Kirste
, M.
Cobet
, I.
Ostapenko
, S.
Rodt
, C.
Nenstiel
, M.
Kaiser
, A.
Hoffmann
, A.
Rodina
, M.
Phillips
, S.
Lautenschläger
, S.
Eisermann
, and B. K.
Meyer
, Phys. Rev. B
84
, 035313
(2011
).703.
M.
Schirra
, R.
Schneider
, A.
Reiser
, G. M.
Prinz
, M.
Feneberg
, J.
Biskupek
, U.
Kaiser
, C. E.
Krill
, K.
Thonke
, and R.
Sauer
, Phys. Rev. B
77
, 125215
(2008
).704.
B. K.
Meyer
, J.
Sann
, S.
Eisermann
, S.
Lautenschlaeger
, M. R.
Wagner
, M.
Kaiser
, G.
Callsen
, J. S.
Reparaz
, and A.
Hoffmann
, Phys. Rev. B
82
, 115207
(2010
).705.
S.
Lautenschlaeger
, J.
Sann
, N.
Volbers
, B. K.
Meyer
, A.
Hoffmann
, U.
Haboeck
, and M. R.
Wagner
, Phys. Rev. B
77
, 144108
(2008
).706.
M.
Sumiya
, K.
Yoshimura
, K.
Ohtsuka
, and S.
Fuke
, Appl. Phys. Lett.
76
, 2098
(2000
).707.
S.
Lautenschlaeger
, S.
Eisermann
, M. N.
Hofmann
, U.
Roemer
, M.
Pinnisch
, A.
Laufer
, B. K.
Meyer
, H.
von Wenckstern
, A.
Lajn
, F.
Schmidt
, M.
Grundmann
, J.
Blaesing
, and A.
Krost
, J. Cryst. Growth
312
, 2078
(2010
).708.
S.
Lautenschlaeger
, S.
Eisermann
, B. K.
Meyer
, G.
Callison
, M. R.
Wagner
, and A.
Hoffmann
, Phys. Status Solidi RRL
3
, 16
(2009
).709.
M. D.
McCluskey
and S. J.
Jokela
, J. Appl. Phys.
106
, 071101
(2009
).710.
A.
Janotti
and C. G.
Van de Walle
, Phys. Rev. B
76
, 165202
(2007
).711.
D. I.
Florescu
, L. G.
Mourokh
, F. H.
Pollak
, D. C.
Look
, G.
Cantwell
, and X.
Li
, J. Appl. Phys.
91
, 890
(2002
).712.
J.-W.
Jiang
, H. S.
Park
, and T.
Rabczuk
, Nanoscale
5
, 11035
(2013
).713.
H.
Yoshikawa
and S.
Adachi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
36
, 6237
(1997
).714.
M.
Losurdo
, Thin Solid Films
455–456
, 301
(2004
).715.
M.
Losurdo
, M. M.
Giangregorio
, P.
Capezzuto
, G.
Bruno
, G.
Malandrino
, M.
Blandino
, and I. L.
Fragalà
, Superlattices Microstruct.
38
, 291
(2005
).716.
M.
Cobet
, “Ellipsometric study of ZnO from multimode formation of exciton-polaritons to the core-level regime
,” Ph.D. thesis (Technischen Universität Berlin
, 2010
).717.
M. W.
Allen
, C. H.
Swartz
, T. H.
Myers
, T. D.
Veal
, C. F.
McConville
, and S. M.
Durbin
, Phys. Rev. B
81
, 075211
(2010
).718.
J. R.
Schneck
, E.
Bellotti
, P.
Lamarre
, and L. D.
Ziegler
, Appl. Phys. Lett.
93
, 102111
(2008
).719.
H.
Moormann
, D.
Kohl
, and G.
Heiland
, Surf. Sci.
80
, 261
(1979
).720.
S. A.
Chevtchenko
, J. C.
Moore
, U.
Ozgur
, X.
Gu
, A. A.
Baski
, H.
Morkoc
, B.
Nemeth
, and J. E.
Nause
, Appl. Phys. Lett.
89
, 182111
(2006
).721.
K.
Ozawa
, Y.
Oba
, K.
Edamoto
, M.
Higashiguchi
, Y.
Miura
, K.
Tanaka
, K.
Shimada
, H.
Namatame
, and M.
Taniguchi
, Phys. Rev. B
79
, 075314
(2009
).722.
R. T.
Girard
, O.
Tjernberg
, G.
Chiaia
, S.
Söderholm
, U. O.
Karlsson
, C.
Wigren
, H.
Nylén
, and I.
Lindau
, Surf. Sci.
373
, 409
(1997
).723.
W.
Göpel
, J.
Pollmann
, I.
Ivanov
, and B.
Reihl
, Phys. Rev. B
26
, 3144
(1982
).724.
L. F. J.
Piper
, A. R. H.
Preston
, A.
Fedorov
, S. W.
Cho
, A.
DeMasi
, and K. E.
Smith
, Phys. Rev. B
81
, 233305
(2010
).725.
J.
Lahiri
, S.
Senanayake
, and M.
Batzill
, Phys. Rev. B
78
, 155414
(2008
).726.
S.
Pal
, T.
Jasper-Tönnies
, M.
Hack
, and E.
Pehlke
, Phys. Rev. B
87
, 085445
(2013
).727.
T. A.
Merz
, D. R.
Doutt
, T.
Bolton
, Y.
Dong
, and L. J.
Brillson
, Surf. Sci.
605
, L20
(2011
).728.
B. J.
Coppa
, C. C.
Fulton
, P. J.
Hartlieb
, R. F.
Davis
, B. J.
Rodriguez
, B. J.
Shields
, and R. J.
Nemanich
, J. Appl. Phys.
95
, 5856
(2004
).729.
R.
Heinhold
, G. T.
Williams
, S. P.
Cooil
, D. A.
Evans
, and M. W.
Allen
, Phys. Rev. B
88
, 235315
(2013
).730.
M. W.
Allen
, D. Y.
Zemlyanov
, G. I. N.
Waterhouse
, J. B.
Metson
, T. D.
Veal
, C. F.
McConville
, and S. M.
Durbin
, Appl. Phys. Lett.
98
, 101906
(2011
).731.
L. J.
Brillson
, Surfaces and Interfaces of Zinc Oxide
, 1st ed. (Elsevier, Inc.
, 2013
).732.
M. W.
Allen
, S. M.
Durbin
, and J. B.
Metson
, Appl. Phys. Lett.
91
, 053512
(2007
).733.
US DOE Solid state lightening research and development multi-year program plan, April
2014
, see http://apps1.eere.energy.gov/buildings/publications/pdfs/ssl/ssl_mypp2014_web.pdf.734.
J.
Iveland
, L.
Martinelli
, J.
Peretti
, J. S.
Speck
, and C.
Weisbuch
, Phys. Rev. Lett.
110
, 177406
(2013
).735.
Y. C.
Shen
, G. O.
Mueller
, S.
Wanabe
, N. F.
Gardner
, A.
Munkholm
, and M. R.
Krames
, Appl. Phys. Lett.
91
, 141101
(2007
).736.
H.
Ryu
, H.
Kim
, and J.
Shim
, Appl. Phys. Lett.
95
, 081114
(2009
).737.
M. F.
Schubert
, S.
Chhajed
, J. K.
Kim
, E. F.
Schubert
, D. D.
Koleske
, and M. H.
Crawford
, Appl. Phys. Lett.
91
, 231114
(2007
).738.
C. H.
Wang
, C. C.
Ke
, C. Y.
Lee
, S. P.
Chang
, J. C.
Li
, Z. Y.
Li
, H. C.
Yang
, H. C.
Kuo
, T. C.
Lu
, and C.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
97
, 261103
(2010
).739.
Y.-K.
Kuo
, J.-Y.
Chang
, and M.-C.
Tsai
, Opt. Lett.
35
, 3285
(2010
).740.
Y. Y.
Zhang
and Y. A.
Yin
, Appl. Phys. Lett.
99
, 221103
(2011
).741.
D. F.
Feezell
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and S.
Nakamura
, J. Disp. Technol.
9
, 190
–198
(2013
).742.
K.-C.
Kim
, M. C.
Schmidt
, H.
Sato
, F.
Wu
, N.
Fellows
, Z.
Jia
, M.
Saito
, S.
Nakamura
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and K.
Fujito
, Appl. Phys. Lett.
91
, 181120
(2007
).743.
M.
Grundmann
and J.
Zuniga-Perez
, Phys. Status Solidi B
253
, 351
(2016
).744.
Y.
Kawaguchi
, C.-Y.
Huang
, Y.-R.
Wu
, Q.
Yan
, C.-C.
Pan
, Y.
Zhao
, S.
Tanaka
, K.
Fujito
, D.
Feezell
, C. G.
Van de Walle
, S. P.
DenBaars
, and S.
Nakamura
, Appl. Phys. Lett.
100
, 231110
(2012
).745.
Y.-K.
Kuo
, S.-H.
Horng
, S.-H.
Yen
, M.-C.
Tsai
, and M.-F.
Huang
, Appl. Phys. A
98
, 509
(2010
).746.
F.
Akyol
, D. N.
Nath
, S.
Krishnamoorthy
, P. S.
Park
, and S.
Rajan
, Appl. Phys. Lett.
100
, 111118
(2012
).747.
S.-H.
Yen
, Y.-K.
Kuo
, M.-L.
Tsai
, and T.-C.
Hsu
, Appl. Phys. Lett.
91
, 201118
(2007
).748.
G.
Verzellesi
, D.
Saguatti
, M.
Meneghini
, F.
Bertazzi
, M.
Goano
, G.
Meneghesso
, and E.
Zanoni
, J. Appl. Phys.
114
, 071101
(2013
).749.
J.
Wu
, W.
Walukiewich
, K. M.
Yu
, W.
Shan
, J. W.
Ager
, E. E.
Haller
, H.
Lu
, W. J.
Schaff
, W. K.
Metzger
, and S.
Kurtz
, J. Appl. Phys.
94
, 6477
(2003
).750.
Y.
Nanishi
, Y.
Satio
, and T.
Yamaguchi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
, 2549
(2003
).751.
Z. Q.
Li
, M.
Lestradet
, Y. G.
Xiao
, and S.
Li
, Phys. Status Solidi A
208
, 928
(2011
).752.
J.-Y.
Chang
and Y.-K.
Kuo
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 937
(2011
).753.
C. J.
Neufeld
, S. C.
Cruz
, R. M.
Farrell
, M.
Iza
, J. R.
Lang
, S.
Keller
, S.
Nakamura
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
98
, 243507
(2011
).754.
H.
Masui
, S.
Keller
, N.
Fellows
, N. A.
Fichtenbaum
, M.
Furukawa
, S.
Nakamura
, U. K.
Mishra
, and S. P.
DenBaars
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
48
, 071003
(2009
).755.
A. M.
Hosalli
, D. M.
Van Den Broeck
, D.
Bharrat
, N. A.
El-Masry
, and S. M.
Bedair
, Appl. Phys. Lett.
103
, 231108
(2013
).756.
K.
Shojiki
, T.
Tanikawa
, J.-H.
Choi1
, S.
Kuboya
, T.
Hanada
, R.
Katayama
, and T.
Matsuoka
, Appl. Phys. Express
8
, 061005
(2015
).757.
S.-W.
Feng
, P.-H.
Liao
, B.
Leung
, J.
Han
, F.-W.
Yang
, and H.-C.
Wang
, J. Appl. Phys.
118
, 043104
(2015
).758.
F.
Akyol
, D. N.
Nath
, E.
Gur
, P. S.
Park
, and S.
Rajan
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
50
, 052101
(2011
).759.
J.
Verma
, J.
Simon
, V.
Protasenko
, T.
Kosel
, H.
Grace Xing
, and D.
Jena
, Appl. Phys. Lett.
99
, 171104
(2011
).760.
U. K.
Mishra
, L.
Shen
, T. E.
Kazior
, and Y. F.
Wu
, Proc. IEEE
96
, 287
(2008
).761.
M. A.
Khan
, J. N.
Kuznia
, J. M. V.
Hove
, N.
Pan
, and J.
Carter
, Appl. Phys. Lett.
60
, 3027
(1992
).762.
O.
Ambacher
, J.
Smart
, J. R.
Shealy
, N. G.
Weimann
, K.
Chu
, M.
Murphy
, W. J.
Schaff
, L. F.
Eastman
, R.
Dimitrov
, L.
Wittmer
, M.
Stutzmann
, W.
Rieger
, and J.
Hilsenbeck
, J. Appl. Phys.
85
, 3222
(1999
).763.
I. P.
Smorchkova
, C. R.
Elsass
, J. P.
Ibbetson
, R.
Vetury
, B.
Heying
, P.
Fini
, E.
Haus
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
86
, 4520
(1999
).764.
J. P.
Ibbetson
, P. T.
Fini
, K. D.
Ness
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
77
, 250
(2000
).765.
766.
B. M.
Green
, K. K.
Chu
, E. M.
Chumbes
, J. A.
Smart
, J. R.
Shealy
, and L. F.
Eastman
, IEEE Electron Device Lett.
21
, 268
(2000
).767.
Y.
Ando
, Y.
Okamoto
, H.
Miyamoto
, T.
Nakayama
, T.
Inoue
, and M.
Kuzuhara
, IEEE Electron Device Lett.
24
, 289
(2003
).768.
N. Q.
Zhang
, S.
Keller
, G.
Parish
, S.
Heikman
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
21
, 421
(2000
).769.
J. W.
Chung
, K.
Tae-Woo
, and T.
Palacios
, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
(2010
), pp. 30.32.31
–30.32.34
.770.
M.
Higashiwaki
, T.
Mimura
, and T.
Matsui
, Appl. Phys. Express
1
, 021103
(2008
).771.
D.
Marti
, S.
Tirelli
, A. R.
Alt
, J.
Roberts
, and C. R.
Bolognesi
, IEEE Electron Device Lett.
33
, 1372
(2012
).772.
T.
Palacios
, A.
Chakraborty
, S.
Rajan
, C.
Poblenz
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
26
, 781
(2005
).773.
V.
Kumar
, W.
Lu
, R.
Schwindt
, A.
Kuliev
, G.
Simin
, J.
Yang
, M.
Asif Khan
, and I.
Adesida
, IEEE Electron Device Lett.
23
, 455
(2002
).774.
S.
Tirelli
, D.
Marti
, H.
Sun
, A. R.
Alt
, H.
Benedickter
, E. L.
Piner
, and C. R.
Bolognesi
, IEEE Electron Device Lett.
31
, 296
(2010
).775.
J. W.
Chung
, W. E.
Hoke
, E. M.
Chumbes
, and T.
Palacios
, IEEE Electron Device Lett.
31
, 195
(2010
).776.
S.
Huang
, K.
Wei
, G.
Liu
, Y.
Zheng
, X.
Wang
, L.
Pang
, X.
Kong
, X.
Liu
, Z.
Tang
, S.
Yang
, Q.
Jiang
, and K. J.
Chen
, IEEE Electron Device Lett.
35
, 315
(2014
).777.
F.
Medjdoub
, M.
Zegaoui
, and N.
Rolland
, Electron. Lett.
47
, 1345
(2011
).778.
T.
Zimmermann
, D.
Deen
, Y.
Cao
, J.
Simon
, P.
Fay
, D.
Jena
, and H.
Grace Xing
, IEEE Electron Device Lett.
29
, 661
(2008
).779.
Y.
Yue
, Z.
Hu
, J.
Guo
, B.
Sensale-Rodriguez
, G.
Li
, R.
Wang
, F.
Faria
, T.
Fang
, B.
Song
, X.
Gao
, S.
Guo
, T.
Kosel
, G.
Snider
, P.
Fay
, D.
Jena
, and H.
Xing
, IEEE Electron Device Lett.
33
, 988
(2012
).780.
D. S.
Lee
, O.
Laboutin
, Y.
Cao
, W.
Johnson
, E.
Beam
, A.
Ketterson
, M.
Schuette
, P.
Saunier
, D.
Kopp
, P.
Fay
, and T.
Palacios
, Phys. Status Solidi C
10
, 827
(2013
).781.
R.
Wang
, G.
Li
, O.
Laboutin
, Y.
Cao
, W.
Johnson
, G.
Snider
, P.
Fay
, D.
Jena
, and H.
Xing
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 892
(2011
).782.
S.
Tirelli
, D.
Marti
, S.
Haifeng
, A. R.
Alt
, J. F.
Carlin
, N.
Grandjean
, and C. R.
Bolognesi
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 1364
(2011
).783.
D.
Marti
, S.
Tirelli
, V.
Teppati
, L.
Lugani
, J.-F.
Carlin
, M.
Malinverni
, N.
Grandjean
, and C. R.
Bolognesi
, IEEE Electron Device Lett.
36
, 17
(2015
).784.
A.
Soltani
, J. C.
Gerbedoen
, Y.
Cordier
, D.
Ducatteau
, M.
Rousseau
, M.
Chmielowska
, M.
Ramdani
, and J. C.
De Jaeger
, IEEE Electron Device Lett.
34
, 490
(2013
).785.
D.
Jena
, S.
Heikman
, D.
Green
, D.
Buttari
, R.
Coffie
, H.
Xing
, S.
Keller
, S.
DenBaars
, J. S.
Speck
, U. K.
Mishra
, and I.
Smorchkova
, Appl. Phys. Lett.
81
, 4395
(2002
).786.
S.
Rajan
, H.
Xing
, S.
DenBaars
, U. K.
Mishra
, and D.
Jena
, Appl. Phys. Lett.
84
, 1591
(2004
).787.
I. P.
Smorchkova
, L.
Chen
, T.
Mates
, L.
Shen
, S.
Heikman
, B.
Moran
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
90
, 5196
(2001
).788.
J.
Liu
, Y. G.
Zhou
, J.
Zhu
, K. M.
Lau
, and K. J.
Chen
, Phys. Status Solidi C
3
, 2312
(2006
).789.
T.
Palacios
, A.
Chakraborty
, S.
Heikman
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
27
, 13
(2006
).790.
Y. F.
Wu
, M.
Moore
, A.
Abrahamsen
, M.
Jacob-Mitos
, P.
Parikh
, S.
Heikman
, and A.
Burk
, in IEDM Tech. Dig.
(2007
), pp. 405
–407
.791.
N.
Maeda
, T.
Saitoh
, K.
Tsubaki
, T.
Nishida
, and N.
Kobayashi
, Mater. Sci. Eng., B
82
, 232
(2001
).792.
C. Q.
Chen
, J. P.
Zhang
, V.
Adivarahan
, A.
Koudymov
, H.
Fatima
, G.
Simin
, J.
Yang
, and M. A.
Khan
, Appl. Phys. Lett.
82
, 4593
(2003
).793.
M.
Micovic
, P.
Hashimoto
, M.
Hu
, I.
Milosavljevic
, J.
Duvall
, P. J.
Willadsen
, W. S.
Wong
, A. M.
Conway
, A.
Kurdoghlian
, P. W.
Deelman
, J. S.
Moon
, A.
Schmitz
, and M. J.
Delaney
, in IEDM Tech. Dig.
(2004
), pp. 807
–810
.794.
T.
Matsuoka
, Appl. Phys. Lett.
71
, 105
(1997
).795.
D. S.
Lee
, X.
Gao
, S.
Guo
, D.
Kopp
, P.
Fay
, and T.
Palacios
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 1525
(2011
).796.
D. S.
Lee
, B.
Lu
, M.
Azize
, X.
Gao
, S. P.
Guo
, D.
Kopp
, P.
Fay
, and T.
Palacios
, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
(2011
), pp. 19.12.11
–19.12.14
.797.
K.
Shinohara
, A.
Corrion
, D.
Regan
, I.
Milosavljevic
, D.
Brown
, S.
Burnham
, P. J.
Willadsen
, C.
Butler
, A.
Schmitz
, D.
Wheeler
, A.
Fung
, and M.
Micovic
, paper presented at the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
, 2010
.798.
D. S.
Lee
, X.
Gao
, S. P.
Guo
, and T.
Palacios
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 617
(2011
).799.
K.
Shinohara
, D.
Regan
, A.
Corrion
, D.
Brown
, S.
Burnham
, P. J.
Willadsen
, I.
Alvarado-Rodriguez
, M.
Cunningham
, C.
Butler
, A.
Schmitz
, S.
Kim
, B.
Holden
, D.
Chang
, V.
Lee
, A.
Ohoka
, P. M.
Asbeck
, and M.
Micovic
, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
(2011
), pp. 19.11.11
–19.11.14
.800.
F.
Medjdoub
, M.
Zegaoui
, B.
Grimbert
, D.
Ducatteau
, N.
Rolland
, and P. A.
Rolland
, IEEE Electron Device Lett.
33
, 1168
(2012
).801.
Y.
Tang
, K.
Shinohara
, D.
Regan
, A.
Corrion
, D.
Brown
, J.
Wong
, A.
Schmitz
, H.
Fung
, S.
Kim
, and M.
Micovic
, IEEE Electron Device Lett.
36
, 549
(2015
).802.
J. S.
Moon
, D.
Wong
, T.
Hussain
, M.
Micovic
, P.
Deelman
, H.
Ming
, M.
Antcliffe
, C.
Ngo
, P.
Hashimoto
, and L.
McCray
, in 60th Device Research Conference
(2002
), pp. 23
–24
.803.
A.
Endoh
, Y.
Yamashita
, K.
Ikeda
, M.
Higashiwaki
, K.
Hikosaka
, T.
Matsui
, S.
Hiyamizu
, and T.
Mimura
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
43
, 2255
(2004
).804.
Y.
Ohmaki
, M.
Tanimoto
, S.
Akamatsu
, and T.
Mukai
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
45
, L1168
(2006
).805.
V.
Kumar
, A.
Kuliev
, T.
Tanaka
, Y.
Otoki
, and I.
Adesida
, Electron. Lett.
39
, 1758
(2003
).806.
W. B.
Lanford
, T.
Tanaka
, Y.
Otoki
, and I.
Adesida
, Electron. Lett.
41
, 449
(2005
).807.
M.
Micovic
, T.
Tsen
, M.
Hu
, P.
Hashimoto
, P. J.
Willadsen
, I.
Milosavljevic
, A.
Schmitz
, M.
Antcliffe
, D.
Zhender
, J. S.
Moon
, W. S.
Wong
, and D.
Chow
, Electron. Lett.
41
, 1081
(2005
).808.
W.
Saito
, Y.
Takada
, M.
Kuraguchi
, K.
Tsuda
, and I.
Omura
, IEEE Trans. Electron Devices
53
, 356
(2006
).809.
C.
Ostermaier
, G.
Pozzovivo
, J.-F.
Carlin
, B.
Basnar
, W.
Schrenk
, Y.
Douvry
, C.
Gaquiere
, J. C.
DeJaeger
, K.
Cico
, X.
Fro
, K.
Hlich
, M.
Gonschorek
, N.
Grandjean
, G.
Strasser
, D.
Pogany
, and J.
Kuzmik
, IEEE Electron Device Lett.
30
, 1030
(2009
).810.
M.
Kanamura
, T.
Ohki
, T.
Kikkawa
, K.
Imanishi
, T.
Imada
, A.
Yamada
, and N.
Hara
, IEEE Electron Device Lett.
31
, 189
(2010
).811.
B.
Lu
, M.
Sun
, and T.
Palacios
, IEEE Electron Device Lett.
34
, 369
(2013
).812.
Y.
Uemoto
, M.
Hikita
, H.
Ueno
, H.
Matsuo
, H.
Ishida
, M.
Yanagihara
, T.
Ueda
, T.
Tanaka
, and D.
Ueda
, IEEE Trans. Electron Devices
54
, 3393
(2007
).813.
X.
Hu
, G.
Simin
, J.
Yang
, M. A.
Khan
, R.
Gaska
, and M. S.
Shur
, Electron. Lett.
36
, 753
(2000
).814.
Y.
Cai
, Y.
Zhou
, K. J.
Chen
, and K. M.
Lau
, IEEE Electron Device Lett.
26
, 435
(2005
).815.
T.
Palacios
, C. S.
Suh
, A.
Chakraborty
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
27
, 428
(2006
).816.
R.
Wang
, Y.
Cai
, C. W.
Tang
, K. M.
Lau
, and K. J.
Chen
, IEEE Electron Device Lett.
27
, 793
(2006
).817.
M.
Higashiwaki
, T.
Mimura
, and T.
Matsui
, IEEE Trans. Electron Devices
54
, 1566
(2007
).818.
C. Y.
Chang
, S. J.
Pearton
, C. F.
Lo
, F.
Ren
, I. I.
Kravchenko
, A. M.
Dabiran
, A. M.
Wowchak
, B.
Cui
, and P. P.
Chow
, Appl. Phys. Lett.
94
, 263505
(2009
).819.
K.
Zhang
, X.
Chen
, M.
Mi
, S.
Zhao
, Y.
Chen
, J.
Zhang
, X.
Ma
, and Y.
Hao
, Phys. Status Solidi A
212
, 1081
(2015
).820.
L.
Cheng
, Y.
Shu
, L.
Shenghou
, T.
Zhikai
, W.
Hanxing
, J.
Qimeng
, and K. J.
Chen
, IEEE Electron Device Lett.
36
, 318
(2015
).821.
M.
Kuroda
, H.
Ishida
, T.
Ueda
, and T.
Tanaka
, J. Appl. Phys.
102
, 093703
(2007
).822.
M.
Kuroda
, T.
Ueda
, and T.
Tanaka
, IEEE Trans. Electron Devices
57
, 368
(2010
).823.
T.
Fujiwara
, S.
Rajan
, S.
Keller
, M.
Higashiwaki
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Express
2
, 011001
(2009
).824.
T.
Fujiwara
, R.
Yeluri
, D.
Denninghoff
, J.
Lu
, S.
Keller
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Express
4
, 096501
(2011
).825.
T.
Fujiwara
, S.
Keller
, J. S.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Express
3
, 101002
(2010
).826.
D. J.
Denninghoff
, S.
Dasgupta
, L.
Jing
, S.
Keller
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
33
, 785
(2012
).827.
U.
Singisetti
, M. H.
Wong
, S.
Dasgupta
, B.
Swenson
, B. J.
Thibeault
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 137
(2011
).828.
J. W.
Chung
, E. L.
Piner
, and T.
Palacios
, IEEE Electron Device Lett.
30
, 113
(2009
).829.
K. K.
Ryu
, J. C.
Roberts
, E. L.
Piner
, and T.
Palacios
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 895
(2011
).830.
The polar classes are given in the Hermann-Mauguin notation.
831.
By focusing on strictly-speaking MOCVD growths, we realize that we neglect a number of articles dealing with the growth of GaN NWs by vapour phase methods employing other kind of metallic precursors.
© 2016 Author(s).
2016
Author(s)
You do not currently have access to this content.
