Silicon and silicon germanium are the archetypical elemental and alloy semiconductor materials for nanoelectronic, sensor, and photovoltaic applications. The investigation of radiation induced defects involving oxygen, carbon, and intrinsic defects is important for the improvement of devices as these defects can have a deleterious impact on the properties of silicon and silicon germanium. In the present review, we mainly focus on oxygen-related defects and the impact of isovalent doping on their properties in silicon and silicon germanium. The efficacy of the isovalent doping strategies to constrain the oxygen-related defects is discussed in view of recent infrared spectroscopy and density functional theory studies.
References
1.
D.
Tsoutsou
, Y.
Panayiotatos
, A.
Sotiropoulos
, G.
Mavrou
, E.
Golias
, S. F.
Galata
, and A.
Dimoulas
, J. Appl. Phys.
108
, 064115
(2010
).2.
D.
Liu
, Y.
Guo
, L.
Lin
, and J.
Robertson
, J. Appl. Phys.
114
, 083704
(2013
).3.
A. R.
Trivedi
, T.
Ando
, A.
Singhee
, P.
Kerber
, E.
Acar
, D. J.
Frank
, and S.
Mukhopadhyay
, IEEE Trans. Electron Devices
61
, 1262
(2014
).4.
V. V.
Voronkov
and R.
Falster
, J. Electrochem. Soc.
149
, G167
(2002
);V. P.
Markevich
, I. D.
Hawkins
, A. R.
Peaker
, K. V.
Emtsev
, V. V.
Emtsev
, V. V.
Litvinov
, L. I.
Murin
, and L.
Dobaczewski
, Phys. Rev. B
70
, 235213
(2004
);C.
Claeys
and E.
Simoen
, Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
(Elsevier
, 2007
);5.
D.
Yang
, M.
Kleverman
, and L. I.
Murin
, Physica B
302–303
, 193
(2001
);M.
Naganawa
, Y.
Smimizu
, M.
Uematsu
, K. M.
Itoh
, K.
Sawano
, Y.
Shiraki
, and E. E.
Haller
, Appl. Phys. Lett.
93
, 191905
(2008
);A.
Chroneos
, D.
Skarlatos
, C.
Tsamis
, A.
Christofi
, D. S.
McPhail
, and R.
Hung
, Mater. Sci. Semicond. Process.
9
, 640
(2006
);R.
Kube
, H.
Bracht
, A.
Chroneos
, M.
Posselt
, and B.
Schmidt
, J. Appl. Phys.
106
, 063534
(2009
).6.
V. V.
Emtsev
, C. A. J.
Ammerlaan
, V. V.
Emtsev
, G. A.
Oganesyan
, B. A.
Andreev
, D. I.
Kuritsyn
, A.
Misiuk
, B.
Surma
, and C. A.
Londos
, Phys. Status Solidi B
235
, 75
(2003
);A.
Chroneos
and C. A.
Londos
, J. Appl. Phys.
107
, 093518
(2010
);P.
Chen
, X. G.
Yu
, X. X.
Lin
, X. Z.
Chen
, Y. C.
Wu
, and D. R.
Yang
, Appl. Phys. Lett.
102
, 082107
(2013
);A.
Chroneos
and H.
Bracht
, Appl. Phys. Rev.
1
, 011301
(2014
).7.
A.
Chroneos
, C. A.
Londos
, and H.
Bracht
, Mater. Sci. Eng. B
176
, 453
(2011
);H.
Tahini
, A.
Chroneos
, R. W.
Grimes
, U.
Schwingenschlögl
, and A.
Dimoulas
, J. Phys. Condens. Matter
24
, 195802
(2012
).
[PubMed]
8.
V. P.
Markevich
, I. D.
Hawkins
, A. R.
Peaker
, V. V.
Litvinov
, L. I.
Murin
, L.
Dobaczewski
, and J. L.
Lindström
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1821
(2002
).9.
V. P.
Markevich
, V. V.
Litvinov
, L.
Dobaczewski
, J. L.
Lindström
, L. I.
Murin
, S. V.
Vetrov
, I. D.
Hawkins
, and A. R.
Peaker
, Physica B
340–342
, 844
(2003
).10.
H. H.
Silvestri
, H.
Bracht
, J. L.
Hansen
, A. N.
Larsen
, and E. E.
Haller
, Semicond. Sci. Technol.
21
, 758
(2006
).11.
A.
Chroneos
and A.
Dimoulas
, J. Appl. Phys.
111
, 023714
(2012
).12.
K.
Kita
, S.
Suzuki
, H.
Nomura
, T.
Takahashi
, T.
Nishimura
, and A.
Toriumi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
47
, 2349
(2008
).13.
Y.
Oshima
, M.
Shandalov
, Y.
Sun
, P.
Pianetta
, and P. C.
McIntyre
, Appl. Phys. Lett.
94
, 183102
(2009
).14.
H.
Wang
, A.
Chroneos
, C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, and U.
Schwingenschlogl
, Phys. Chem. Chem. Phys.
16
, 8487
(2014
).15.
A.
Chroneos
, C. A.
Londos
, and E. N.
Sgourou
, J. Appl. Phys.
110
, 093507
(2011
).16.
G. D.
Watkins
, Mater. Sci. Semicond. Process.
3
, 227
(2000
).17.
D.
Hall
, J.
Gow
, N.
Murray
, and A.
Holland
, IEEE Trans. Electron Devices
59
, 1099
(2012
).18.
M. D.
Segall
, P. J. D.
Lindan
, M. J.
Probert
, C. J.
Pickard
, P. J.
Hasnip
, S. J.
Clark
, and M. C.
Payne
, J. Phys.: Condens. Matter
14
, 2717
(2002
).19.
S. T.
Murphy
, A.
Chroneos
, C.
Jiang
, U.
Schwingenschlögl
, and R. W.
Grimes
, Phys. Rev. B
82
, 073201
(2010
).20.
A.
Chroneos
, C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, and P.
Pochet
, Appl. Phys. Lett.
99
, 241901
(2011
);H.
Tahini
, A.
Chroneos
, R. W.
Grimes
, U.
Schwingenschlögl
, and H.
Bracht
, Appl. Phys. Lett.
99
, 072112
(2011
);H. A.
Tahini
, A.
Chroneos
, H.
Bracht
, S. T.
Murphy
, R. W.
Grimes
, and U.
Schwingenschlögl
, Appl. Phys. Lett.
103
, 142107
(2013
).21.
T. J.
Pennycook
, M. J.
Beck
, K.
Varga
, M.
Varela
, S. J.
Pennycook
, and S. T.
Pantelides
, Phys. Rev. Lett.
104
, 115901
(2010
).22.
A.
Kushima
, D.
Parfitt
, A.
Chroneos
, B.
Yildiz
, J. A.
Kilner
, and R. W.
Grimes
, Phys. Chem. Chem. Phys.
13
, 2242
(2011
);
[PubMed]
I. D.
Seymour
, A.
Tarancon
, A.
Chroneos
, D.
Parfitt
, J. A.
Kilner
, and R. W.
Grimes
, Solid State Ionics
216
, 41
(2012
).23.
D.
Rupasov
, A.
Chroneos
, D.
Parfitt
, J. A.
Kilner
, R. W.
Grimes
, S. Ya.
Istomin
, and E. V.
Antipov
, Phys. Rev. B
79
, 172102
(2009
);A.
Chroneos
, B.
Yildiz
, A.
Tarancón
, D.
Parfitt
, and J. A.
Kilner
, Energy Environ. Sci.
4
, 2774
(2011
).24.
D.
Parfitt
, A.
Chroneos
, J. A.
Kilner
, and R. W.
Grimes
, Phys. Chem. Chem. Phys.
12
, 6834
(2010
);
[PubMed]
M. J. D.
Rushton
, A.
Chroneos
, S. J.
Skinner
, J. A.
Kilner
, and R. W.
Grimes
, Solid State Ionics
230
, 37
(2013
).25.
S. T.
Murphy
, W. M. D.
Cooper
, and R. W.
Grimes
, Solid State Ionics
267
, 80
(2014
).26.
C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, D.
Hall
, and A.
Chroneos
, J. Mater. Sci.: Mater. Electron.
25
, 2395
(2014
).27.
C. A.
Londos
, A.
Andrianakis
, E. N.
Sgourou
, V. V.
Emtsev
, and H.
Ohyama
, J. Appl. Phys.
109
, 033508
(2011
).28.
C. A.
Londos
, D.
Aliprantis
, E. N.
Sgourou
, A.
Chroneos
, and P.
Pochet
, J. Appl. Phys.
111
, 123508
(2012
).29.
C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, and A.
Chroneos
, J. Appl. Phys.
112
, 123517
(2012
);N. V.
Sarlis
, C. A.
Londos
, and L. G.
Fytros
, J. Appl. Phys.
81
, 1645
(1987
).30.
C. A.
Londos
, A.
Andrianakis
, V.
Emtsev
, and H.
Ohyama
, Semicond. Sci. Technol.
24
, 075002
(2009
).31.
A. R.
Bean
and R. C.
Newman
, Solid State Commun.
9
, 271
(1971
).32.
G.
Davies
and R. C.
Newman
, in Handbook of Semiconductors
, edited by S.
Mahajan
(Elsevier
, Amsterdam
, 1994
), Vol. 3
, pp. 1557
–1635
;N.
Inoue
, A.
Ohyama
, Y.
Goto
, and T.
Sugiyama
, Physica B
401–402
, 477
(2007
).33.
E. V.
Lavrov
, L.
Hoffmann
, and B.
Nielsen
, Phys. Rev. B
60
, 8081
(1999
).34.
C. A.
Londos
, M. S.
Potsidi
, and E.
Stakakis
, Physica B
340–342
, 551
(2003
).35.
C. A.
Londos
, M. S.
Potsidi
, G. D.
Antonaras
, and A.
Andrianakis
, Physica B
376–377
, 165
(2006
).36.
L. I.
Murin
, J. L.
Lindstrom
, G.
Davies
, and V. P.
Markevich
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B
253
, 210
(2006
).37.
D. J.
Backlund
and S. K.
Estreicher
, Physica B
401–402
, 163
(2007
).38.
D. J.
Backlund
and S. K.
Estreicher
, Phys. Rev. B
77
, 205205
(2008
).39.
C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, D.
Timerkaeva
, A.
Chroneos
, P.
Pochet
, and V. V.
Emtsev
, J. Appl. Phys.
114
, 113504
(2013
).40.
B.
Pajot
and B.
Clerjaud
, in Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals, II. Electronic Absorption of Deep Centers and Vibrational Spectra
, Springer Series in Solid-state physics Vol. 169
(Springer-Verlag
, Berlin Heidelberg
, 2013
).41.
D. R.
Bosomworth
, W.
Hayes
, A. R. L.
Spray
, and G. D.
Watkins
, Proc. R. Soc. London, Ser. A
317
, 133
(1970
).42.
T.
Halberg
, L. I.
Murin
, J. L.
Lindström
, and V. P.
Markevich
, J. Appl. Phys.
84
, 2466
(1998
).43.
H.
Yamada-Kaneta
, Phys. Status Solidi C
0
, 673
(2003
).44.
C. A.
Londos
, Phys. Stat. Solidi (a)
113
, 503
(1989
);G. D.
Watkins
and J. W.
Corbett
, Phys. Rev.
121
, 1001
(1961
).45.
H.
Wang
, A.
Chroneos
, C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, and U.
Schwingenschlogl
, Appl. Phys. Lett.
103
, 052101
(2013
).46.
B.
Pajot
, Semiconductors and Semimetals
, Oxygen in Silicon Vol. 42
, edited by F.
Shimura
(Academic
, London
, 1994
), p. 191
.47.
J.
Coutinho
, R.
Jones
, P. R.
Briddon
, and S.
Öberg
, Phys. Rev. B
62
, 10824
(2000
).48.
J. L.
Lindstrom
, L. I.
Murin
, V. P.
Markevich
, T.
Hallberg
, and B. G.
Svensson
, Physica B
273–274
, 291
(1999
).49.
T.
Umeda
, Y.
Mochizuchi
, K.
Okonogi
, and K.
Hamada
, Physica B
308–310
, 1169
(2001
).50.
T.
Umeda
, K.
Ohyu
, S.
Tsukada
, K.
Hamada
, S.
Fujieda
, and Y.
Mochizuchi
, Appl. Phys. Lett.
88
, 253504
(2006
).51.
K.
Gill
, G.
Hall
, and B.
MacEvoy
, J. Appl. Phys.
82
, 126
(1997
).52.
A.
Hallen
, N.
Keskitalo
, F.
Masszi
, and V.
Nagl
, J. Appl. Phys.
79
, 3906
(1996
).53.
I.
Murin
, J. L.
Lindstrom
, V. P.
Markevich
, A.
Misiuk
, and C. A.
Londos
, J. Phys.: Condens. Matter
17
, S2237
(2005
).54.
T.
Hallberg
and J. L.
Lindstrom
, J. Appl. Phys.
72
, 5130
(1992
).55.
V.
Akhmetov
, G.
Kissinger
, and W.
von Ammon
, Physica B
404
, 4572
(2009
).56.
B.
Surma
, C. A.
Londos
, V. V.
Emtsev
, A.
Misiuk
, A.
Bukowski
, and M. S.
Potsidi
, Mater. Sci. Eng. B
102
, 339
(2003
).57.
B. O.
Kolbersen
and A.
Mühlbauer
, Solid State Electron.
25
, 759
(1982
).58.
59.
R. C.
Newman
and R.
Jones
, “Oxygen in silicon
,” in Semiconductors and Semimetals
, edited by F.
Shimura
(Academic Press
, Orlando
, 1994
), Vol. 42
, p. 289
.60.
W.
Scorupa
and R. A.
Yankov
, Mater. Chem. Phys.
44
, 101
(1996
).61.
R. C.
Newman
and A. R.
Bean
, Radiat. Eff.
8
, 189
(1971
).62.
G. D.
Watkins
and K. L.
Brower
, Phys. Rev. Lett.
36
, 1329
(1976
).63.
F. L.
Vook
and H. J.
Stein
, Appl. Phys. Lett.
13
, 343
(1968
).64.
C. A.
Londos
, Phys. Rev. B
35
, 6295
(1987
).65.
G.
Davies
, E. C.
Lightowlers
, R. C.
Newman
, and A. S.
Oates
, Semicond. Sci. Technol.
2
, 524
(1987
).66.
C. L.
Liu
, W.
Windl
, L.
Borucki
, S.
Lu
, and X. Y.
Liu
, Appl. Phys. Lett.
80
, 52
(2002
).67.
H.
Wang
, A.
Chroneos
, C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, and U.
Schwingenschlögl
, Sci. Rep.
4
, 4909
(2014
).68.
S. D.
Brotherton
and P.
Bradley
, J. Appl. Phys.
53
, 5720
(1982
).69.
J. M.
Trombetta
and G. D.
Watkins
, Appl. Phys. Lett.
51
, 1103
(1987
).70.
J.
Coutinho
, R.
Jones
, P. R.
Briddon
, S.
Öberg
, L. I.
Murin
, V. P.
Markevich
, and J. L.
Lindström
, Phys. Rev. B
65
, 014109
(2001
).71.
S. G.
Cloutier
, P. A.
Kossyrev
, and J.
Xu
, Nat. Mater.
4
, 887
(2005
).72.
E.
Rotem
, J. M.
Shainline
, and J. M.
Xu
, Appl. Phys. Lett.
91
, 051127
(2007
).73.
K.
Murata
, Y.
Yasutake
, K.
Nittoh
, S.
Fukatsu
, and K.
Miki
, AIP Adv.
1
, 032125
(2011
).74.
D. D.
Berhanuddin
, M. A.
Lourenço
, R. M.
Gwilliam
, and K. P.
Homewood
, Adv. Funct. Mater.
22
, 2709
(2012
).75.
A.
Mattoni
, F.
Bernantini
, and L.
Colombo
, Phys. Rev. B
66
, 195214
(2002
).76.
M. S.
Potsidi
and C. A.
Londos
, J. Appl. Phys.
100
, 033523
(2006
).77.
78.
D.
Gilles
, E. R.
Weber
, and S.
Hahn
, Phys. Rev. Lett.
64
, 196
(1990
).79.
K.
Sumino
and I.
Yonenaga
, in Semiconductors and Semimetals
, edited by F.
Shimura
(Academic
, New York
, 1994
), Vol. 42
, p. 449
.80.
S.
Senkader
, K.
Jurkschat
, D.
Gambaro
, R. J.
Falster
, and P. R.
Wilshaw
, Philos. Mag. A
81
, 759
(2001
).81.
J. D.
Murphy
, P. R.
Wilshaw
, B. C.
Pygall
, S.
Senkader
, and R. J.
Falster
, J. Appl. Phys.
100
, 103531
(2006
).82.
H.
Helmreich
and E.
Sirtl
, Semiconductor Silicon
, edited by H. R.
Huff
and E.
Sirtl
(ECS
, 1981
), p. 626
.83.
U.
Gösele
and T.
Tan
, Appl. Phys. A
28
, 79
(1982
).84.
U.
Gösele
, K. Y.
Ahn
, B.
Marioton
, T.
Tan
, and S. T.
Lee
, Appl. Phys. A
48
, 219
(1989
).85.
Y. J.
lee
, J.
von Boem
, M.
Pesola
, and R. M.
Nieminen
, Phys. Rev. B
65
, 085205
(2002
).86.
H.
Takena
, Y.
Hayamizu
, and K.
Miki
, J. Appl. Phys.
84
, 3113
(1998
).87.
C.
Chui
, X.
Ma
, and D.
Yang
, Phys. Status Solidi A
205
, 1148
(2008
).88.
D.
Timerkaeva
, D.
Caliste
, and P.
Pochet
, Appl. Phys. Lett.
103
, 251909
(2013
).89.
J.
Adey
, R.
Jones
, D. W.
Palmer
, P. R.
Briddon
, and S.
Öberg
, Phys. Rev. Lett.
93
, 055504
(2004
).90.
A. S.
Oates
and R. C.
Newman
, Appl. Phys. Lett.
49
, 262
(1986
).91.
R. C.
Newman
, J. Phys.: Condens. Matter
12
, R335
(2000
).92.
T.
Sinno
, J.
Dai
, and S. S.
Kapur
, Mater. Sci. Eng. B
159–160
, 128
(2009
).93.
R.
Falster
and V. V.
Voronkov
, Mater. Sci. Eng. B
73
, 87
(2000
).94.
H.
Bracht
, S.
Schneider
, J. N.
Klug
, C. Y.
Liao
, J. L.
Hansen
, E. E.
Haller
, A. N.
Larsen
, D.
Bougeard
, M.
Posselt
, and C.
Wündisch
, Phys. Rev. Lett.
103
, 255501
(2009
).95.
S.
Brotzmann
and H.
Bracht
, J. Appl. Phys.
103
, 033508
(2008
).96.
A.
Chroneos
, H.
Bracht
, R. W.
Grimes
, and B. P.
Uberuaga
, Appl. Phys. Lett.
92
, 172103
(2008
).97.
P.
Tsouroutas
, D.
Tsoukalas
, and H.
Bracht
, J. Appl. Phys.
108
, 024903
(2010
).98.
S.
Brotzmann
, H.
Bracht
, J. L.
Hansen
, A. N.
Larsen
, E.
Simoen
, E. E.
Haller
, J. S.
Christensen
, and P.
Werner
, Phys. Rev. B
77
, 235207
(2008
).99.
A.
Chroneos
, R. W.
Grimes
, B. P.
Uberuaga
, and H.
Bracht
, Phys. Rev. B
77
, 235208
(2008
).100.
M.
Diebel
and S. T.
Dunham
, Phys. Rev. Lett.
93
, 245901
(2004
).101.
F.
Bernardi
, J. H. R.
dos Santos
, and M.
Behar
, Phys. Rev. B
76
, 033201
(2007
).102.
S.
Boninelli
, G.
Impellizzeri
, S.
Mirabella
, F.
Priolo
, E.
Napolitani
, N.
Cherkashin
, and F.
Cristiano
, Appl. Phys. Lett.
93
, 061906
(2008
).103.
A.
Chroneos
, R. W.
Grimes
, and H.
Bracht
, J. Appl. Phys.
106
, 063707
(2009
).104.
G.
Impellizzeri
, S.
Boninelli
, F.
Priolo
, E.
Napolitani
, C.
Spinella
, A.
Chroneos
, and H.
Bracht
, J. Appl. Phys.
109
, 113527
(2011
).105.
W. S.
Jung
, J. H.
Park
, A.
Nainani
, D.
Nam
, and K. C.
Saraswat
, Appl. Phys. Lett.
101
, 072104
(2012
).106.
K.
Weiser
, J. Phys. Chem. Solids
7
, 118
(1958
).107.
A.
Brelot
and J.
Charlemagne
, Radiat. Eff.
9
, 65
(1971
).108.
M. L.
David
, E.
Simoen
, C.
Clays
, V. B.
Neimash
, N.
Kra'sko
, A.
Kraitchinscii
, V.
Voytovych
, V.
Tishchenko
, and J. F.
Barbot
, in Proceedings of High Purity Silicon VIII
(The Electrochemical Society
, 2004
), Vol. 2004–05
, p. 395
.109.
V. G.
Golubev
, V. V.
Emtsev
, P. M.
Klinger
, G. I.
Kropotov
, and Yu.
V Shmartsev
, Sov. Phys. Semicond.
26
, 328
(1992
).110.
N. A.
Sobolev
and M. H.
Nazarre
, Physica B
273–274
, 271
(1999
).111.
Yu. V.
Pomozov
, L. I.
Khirunenko
, V. I.
Shakhovtsov
, and V. I.
Yashnik
, Sov. Phys. Semicond.
24
, 624
(1990
).112.
V. V.
Voronkov
, R.
Falster
, C. A.
Londos
, E. N.
Sgourou
, A.
Andrianakis
, and H.
Ohyama
, J. Appl. Phys.
110
, 093510
(2011
).113.
C.
Cui
, D.
Yang
, X.
Ma
, M.
Li
, and D.
Que
, Mater. Sci. Semicond. Process.
9
, 110
(2006
).114.
D.
Yang
, Phys. Status Solidi A
202
, 931
(2005
).115.
X.
Yu
, J.
Chen
, X.
Ma
, and D.
Yang
, Mater. Sci. Eng. R
74
, 1
(2013
).116.
J.
Chen
, D.
Yang
, X.
Ma
, Z.
Zeng
, D.
Tian
, L.
Li
, D.
Que
, and L.
Gong
, J. Appl. Phys.
103
, 123521
(2008
).117.
M.
Arivanandhan
, R.
Gotoh
, K.
Fujiwara
, and S.
Uda
, Appl. Phys. Lett.
94
, 072102
(2009
).118.
L.
Wang
, P.
Clancy
, and C. S.
Murthy
, Phys. Rev. B
70
, 165206
(2004
).119.
O. V.
Aleksandrov
and N. N.
Afonin
, Semicond. Sci. Technol.
18
, 139
(2003
).120.
Z.
Zeng
, J. D.
Murphy
, R. J.
Falster
, X.
Ma
, D.
Yang
, and D.
Wilshaw
, J. Appl. Phys.
109
, 063532
(2011
).121.
X.
Zhu
, X.
Yu
, and D.
Yang
, J. Cryst. Growth
401
, 141
(2014
).122.
M.
Arivanandhan
, R.
Gotoh
, T.
Watahiki
, K.
Fujiwara
, Y.
Hayakawa
, S.
Uda
, and M.
Konagai
, J. Appl. Phys.
111
, 043707
(2012
).123.
P.
Wang
, X.
Yu
, P.
Chen
, X.
Li
, D.
Yang
, X.
Chen
, and Z.
Haung
, Sol. Energy Mater. Sol. Cells
95
, 2466
(2011
).124.
F.
Tanay
, S.
Dubois
, N.
Enjalbert
, J.
Veirman
, P.
Gidon
, and I.
Perichaud
, Phys. Status Solidi C
9
, 1981
(2012
).125.
X.
Yu
, P.
Wang
, P.
Chen
, X.
Li
, and D.
Yang
, Appl. Phys. Lett.
97
, 051903
(2010
).126.
G. D.
Watkins
, Phys. Rev. B
12
, 4383
(1975
).127.
V. B.
Neimash
, M. G.
Sosnin
, B. M.
Turovskii
, V. P.
Markevich
, V. I.
Shakhovtsov
, and V. L.
Shindich
, Sov. Phys. Semicond.
16
, 577
(1982
).128.
L. I.
Khirunenko
, O. A.
Kobzar
, Yu. V.
Pomozov
, V. I.
Shakhovstov
, M. G.
Sosnin
, N. A.
Tripachko
, V. P.
Markevich
, L. I.
Murin
, and A. R.
Peaker
, Phys. Status Solidi C
0
, 694
(2003
).129.
E.
Simoen
, C.
Clays
, V.
Neimash
, A.
Kraitchinskii
, N.
Kras'ko
, O.
Puzenko
, A.
Blondeel
, and P.
Clauws
, Appl. Phys. Lett.
76
, 2838
(2000
).130.
A. N.
Larsen
, J. J.
Goubet
, P.
Mejlholm
, J. S.
Christensen
, M.
Fanciulli
, H. P.
Gunnlaugsson
, P.
Weyer
, J. W.
Petersen
, A.
Resende
, M.
Kaukonen
, R.
Jones
, S.
Oberg
, P. R.
Briddon
, B. G.
Svensson
, and S.
Dannefaer
, Phys. Rev. B
62
, 4535
(2000
).131.
E. V.
Lavrov
, M.
Fancialli
, M.
Kaukonen
, R.
Jones
, and P. R.
Briddon
, Phys. Rev. B
64
, 125212
(2001
).132.
L. I.
Khirunenko
, O. A.
Kobzar
, Yu V.
Pomozov
, M. G.
Sosnin
, N. A.
Tripachko
, N. V.
Abrosimov
, and H.
Riemann
, Solid State Phenom.
95–96
, 393
(2004
).133.
M. L.
David
, E.
Simoen
, C.
Clays
, V.
Neimash
, N.
Kras'ko
, A.
Kraitchinskii
, V.
Voytovych
, A.
Kabaldin
, and J. F.
Barbot
, J. Phys.: Condens. Matter
17
, S2255
(2005
).134.
J.
Fage-Pedersen
, A. N.
Larsen
, P.
Gaiduk
, and J. L.
Hansen
, Phys. Rev. Lett.
81
, 5856
(1998
).135.
A.
Brelot
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
19
, 220
(1972
).136.
T. H.
Yeh
and M. L.
Joshi
, J. Electrochem. Soc.
116
, 73
(1969
).137.
K.
Yagi
, N.
Miyamoto
, and J.-I.
Nishizawa
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
9
, 246
(1970
).138.
M.
Fanciulli
and J. R.
Byberg
, Physica B
273–274
, 524
(1999
).139.
C.
Claeys
, E.
Simoen
, V. B.
Neimash
, A.
Kraitchinskii
, M.
Kras'ko
, O.
Puzenko
, A.
Blondeel
, and P.
Clauws
, J. Electrochem. Soc.
148
, G738
(2001
).140.
E.
Simoen
, C.
Clays
, V.
Privitera
, S.
Coffa
, A. N.
Larsen
, and P.
Clauws
, Physica B
308–310
, 477
(2001
).141.
142.
V. B.
Neimash
, A.
Kraitchinskii
, M.
Kras'ko
, O.
Puzenko
, C.
Claeys
, E.
Simoen
, B.
Svensson
, and A.
Kuznetsov
, J. Electrochem. Soc.
147
, 2727
(2000
).143.
C.
Ghao
, X.
Ma
, J.
Zhao
, and D.
Yang
, J. Appl. Phys.
113
, 093511
(2013
).144.
D. E.
Hill
, H. W.
Gutsche
, M. S.
Wang
, K. P.
Gupta
, W. F.
Tucker
, J. D.
Dowdy
, and R. J.
Crepin
, in 12th IEEE Phtovoltaic Specialists Conference
, Baton Rouge, La.
, November 15–18, 1976, Conference Record (A78-10902 01-44), New York
, 1976
, pp. 112
–119
.145.
Y. V.
Pomozov
, M. G.
Sosnin
, L. I.
Khirunenko
, V. I.
Yashnik
, N. V.
Abrosimov
, W.
Schröder
, and M.
Höhne
, Semiconductors
34
, 989
(2000
).146.
V. P.
Markevich
, A. R.
Peaker
, L. I.
Murin
, and N. V.
Abrosimov
, Appl. Phys. Lett.
82
, 2652
(2003
).147.
V. P.
Markevich
, A. R.
Peaker
, J.
Coutinho
, R.
Jones
, V. J. B.
Torres
, S.
Öberg
, P. R.
Briddon
, L. I.
Murin
, L.
Dobaczewski
, and N. V.
Abrosimov
, Phys. Rev. B
69
, 125218
(2004
).148.
I.
Yonenaga
, M.
Nonaka
, and N.
Fukata
, Physica B
308–310
, 539
(2001
).149.
S.
Hao
, L.
Kantorovich
, and G.
Davies
, Phys. Rev. B
69
, 155204
(2004
).150.
S. L.
Sihto
, J.
Slotte
, J.
Lento
, K.
Saarinen
, E. V.
Monakhov
, A. Yu.
Kuznetsov
, and B. G.
Svensson
, Phys. Rev. B
68
, 115307
(2003
).151.
A.
Chroneos
, H.
Bracht
, C.
Jiang
, B. P.
Uberuaga
, and R. W.
Grimes
, Phys. Rev. B
78
, 195201
(2008
).152.
J.
Chen
, D.
Yang
, X.
Ma
, R.
Fan
, and D.
Que
, J. Appl. Phys.
102
, 066102
(2007
).153.
C. A.
Londos
, A.
Andrianakis
, V.
Emtsev
, and H.
Ohyama
, J. Appl. Phys.
105
, 123508
(2009
).154.
E. N.
Sgourou
, A.
Andrianakis
, C. A.
Londos
, and A.
Chroneos
, J. Appl. Phys.
113
, 113507
(2013
).155.
L. I.
Khirunenko
, V. I.
Shakhovtsov
, and V. V.
Shumov
, Semiconductors
32
, 120
(1998
).156.
C. A.
Londos
, A.
Andrianakis
, V. V.
Emtsev
, G. A.
Oganesyan
, and H.
Ohyama
, Mater. Sci. Eng. B
154–155
, 133
(2008
).157.
J.
Heyd
, G. E.
Scuseria
, and M.
Ernzerhof
, J. Chem. Phys.
118
, 8207
(2003
).158.
J.
Heyd
, G. E.
Scuseria
, and M.
Ernzerhof
, J. Chem. Phys.
124
, 219906
(2006
).159.
M.
Pesola
, J.
Von Boehm
, T.
Mattila
, and R. M.
Nieminen
, Phys. Rev. B
60
, 11449
(1999
).160.
V. V.
Voronkov
and R.
Falster
, Mater. Sci. Eng. B
134
, 227
(2006
).161.
H.
Bracht
and A.
Chroneos
, J. Appl. Phys.
104
, 076108
(2008
).162.
R.
Jones
and S.
Öberg
, Phys. Rev. Lett.
68
, 86
(1992
).163.
L. W.
Song
, X. D.
Zhan
, B. W.
Benson
, and G. D.
Watkins
, Phys. Rev. B
42
, 5765
(1990
).164.
E. N.
Sgourou
, D.
Timerkaeva
, C. A.
Londos
, D.
Aliprantis
, A.
Chroneos
, D.
Caliste
, and P.
Pochet
, J. Appl. Phys.
113
, 113506
(2013
).165.
F.
Zirkelbach
, B.
Stritzker
, K.
Nordlund
, J. K. N.
Lindner
, W. G.
Schmidt
, and E.
Rauls
, Phys. Rev. B
84
, 064126
(2011
).166.
H.
Höhler
, N.
Atodiresei
, K.
Schroeder
, R.
Zeller
, and P.
Dederichs
, Phys. Rev. B
71
, 35212
(2005
).167.
A. V. G.
Chizmeshya
, M. R.
Bauer
, and J.
Kouvetakis
, Chem. Mater.
15
, 2511
(2003
).168.
R.
Roucka
, J.
Tolle
, C.
Cook
, A. V. G.
Chizmeshya
, J.
Kouvetakis
, V.
D'Costa
, J.
Menendez
, and Z. D.
Chen
, Appl. Phys. Lett.
86
, 191912
(2005
).169.
J.
Kouvetakis
, J.
Menendez
, and A. V. G.
Chizmeshya
, Ann. Rev. Mater. Res.
36
, 497
(2006
);A.
Chroneos
, H.
Bracht
, R. W.
Grimes
, and B. P.
Uberuaga
, Mater. Sci. Eng. B
154–155
, 72
(2008
).170.
A.
Chroneos
, C.
Jiang
, R. W.
Grimes
, U.
Schwingenschlögl
, and H.
Bracht
, Appl. Phys. Lett.
94
, 252104
(2009
);A.
Chroneos
, C.
Jiang
, R. W.
Grimes
, U.
Schwingenschlögl
, and H.
Bracht
, Appl. Phys. Lett.
, 95
, 112101
(2009
).© 2015 AIP Publishing LLC.
2015
AIP Publishing LLC
You do not currently have access to this content.