Epitaxial graphene on silicon carbide labeled 6H-SiC (0001) substrate has been patterned using high resolution focused ion beam. Atomic force microscopy and Raman spectroscopy measurements give evidence of the strong resilience of the graphene monolayer to ion irradiation. The morphology and electronic properties of defects versus ion doses exhibit a progressive local amorphization of graphene.

1.
K. S.
Novoselov
,
Z.
Jiang
,
Y.
Zhang
,
S. V.
Morozov
,
H. L.
Stormer
,
U.
Zeitler
,
J. C.
Maan
,
G. S.
Boebinger
,
P.
Kim
, and
A. K.
Geim
,
Science
315
,
1379
(
2008
).
2.
K. S.
Novoselov
,
A. K.
Geim
,
S. V.
Morozov
,
D.
Jiang
,
Y.
Zhang
,
S. V.
Dubonos
,
I. V.
Grigorieva
, and
A. A
Firsov
,
Science
306
,
666
(
2004
).
3.
D. C.
Elias
,
R. R.
Nair
,
T. M. G.
Mohiuddin
,
S. V.
Morozov
,
P.
Blake
,
M. P.
Halsall
,
A. C.
Ferrari
,
D. W.
Boukhvalov
,
M. I.
Katsnelson
,
A. K.
Geim
, and
K. S.
Novoselov
,
Science
323
,
610
(
2009
).
4.
B.
Zhang
,
Y. W.
Tan
,
H. L.
Stormer
, and
P.
Kim
,
Nature
438
,
201
(
2005
).
5.
J. O.
Sofo
,
A. S.
Chaudhari
, and
G. D.
Barber
,
Phys. Rev. B
75
,
153401
(
2007
).
6.
H. W.
Li
,
D. H.
Kang
,
M. G.
Blamire
, and
W. T. S.
Huck
,
Nanotechnology
14
,
220
(
2003
).
7.
B.
Prével
,
L.
Bardotti
,
S.
Fanget
,
A.
Hannour
,
P.
Mélinon
,
A.
Perez
,
J.
Gierak
,
G.
Faini
,
E.
Bourhis
, and
D.
Mailly
,
Appl. Surf. Sci.
226
,
173
(
2004
).
8.
A.
Ouerghi
,
R.
Belkhou
,
M.
Marangolo
,
M. G.
Silly
,
S.
El Moussaoui
,
M.
Eddrief
,
L.
Largeau
,
M.
Portail
, and
F.
Sirotti
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
161905
(
2010
).
9.
J.
Gierak
,
A.
Madouri
,
A. L.
Biance
,
E.
Bourhis
,
G.
Patriarche
,
C.
Ulysse
,
D.
Lucot
,
X.
Lafosse
,
L.
Auvray
,
L.
Bruchhaus
, and
R.
Jede
,
Microelectron. Eng.
84
,
779
(
2007
).
10.
I.
Horcas
,
R.
Fernandez
,
J. M.
Gomez-Rodriguez
,
J.
Colchero
,
J.
Gomez-Herrero
, and
A. M.
Baro
,
Rev. Sci. Instrum.
78
,
013705
(
2007
).
11.
J. B.
Hannon
and
R. M.
Tromp
,
Phys. Rev. B
77
,
241404
(
2008
).
12.
F.
Varchon
,
R.
Feng
,
J.
Hass
,
X.
Li
,
B.
NgocNguyen
,
C.
Naud
,
P.
Mallet
,
J. Y.
Veuillen
,
C.
Berger
,
E. H.
Conrad
, and
L.
Magaud
,
Phys. Rev. Lett.
99
,
126805
(
2007
).
13.
A.
Cortijo
and
M. A. H.
Vozmediano
,
Eur. Phys. J. Spec. Top.
148
,
83
(
2007
).
14.
P.
Mélinon
,
A.
Hannour
,
L.
Bardotti
,
B.
Prével
,
J.
Gierak
,
E.
Bourhis
,
G.
Faini
, and
B.
Canut
,
Nanotechnology
19
,
235305
(
2008
).
15.
J. F.
Ziegler
,
J. P.
Biersack
, and
U.
Littmark
,
The Stopping and Ranges of Ions in Solids
(
Pergamon
,
New York
,
1985
).
16.
A. C.
Ferrari
,
J. C.
Meyer
,
V.
Scardaci
,
C.
Casiraghi
,
M.
Lazzeri
,
F.
Mauri
,
S.
Piscanec
,
D.
Jiang
,
K. S.
Novoselov
,
S.
Roth
, and
A. K.
Geim
,
Phys. Rev. Lett.
97
,
187401
(
2006
).
17.
D.
Graf
,
F.
Molitor
,
K.
Ensslin
,
C.
Stampfer
,
A.
Jungen
,
C.
Hierold
, and
L.
Wirtz
,
Nano Lett.
7
,
238
(
2007
).
18.
A.
Das
,
S.
Pisana
,
B.
Chakraborty
,
S.
Piscanec
,
S. K.
Saha
,
U. V.
Waghmare
,
K. S.
Novoselov
,
H. R.
Krishnamurthy
,
A. K.
Geim
,
A. C.
Ferrari
, and
A. K.
Sood
,
Nat. Nanotechnol.
3
,
210
(
2008
).
19.
K. S.
Subrahmanyam
,
R.
Voggu
,
A.
Govindaraj
, and
C. N. R.
Rao
,
Chem. Phys. Lett.
472
,
96
(
2009
).
20.
C.
Casiraghi
,
S.
Pisana
,
K. S.
Novoselov
,
A. K.
Geim
, and
A. C.
Ferrari
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
233108
(
2007
).
21.
Z. H.
Ni
,
W.
Chen
,
X. F.
Fan
,
J. L.
Kuo
,
T.
Yu
,
A. T. S.
Wee
, and
Z. X.
Shen
,
Phys. Rev. B
77
,
115416
(
2008
).
22.
N.
Ferralis
,
R.
Maboudian
, and
C.
Carraro
,
Phys. Rev. Lett.
101
,
156801
(
2008
).
23.
J.
Röhrl
,
M.
Hundhausen
,
K. V.
Emtsev
,
Th.
Seyller
,
R.
Graupner
, and
L.
Ley
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
201918
(
2008
).
24.
L.
Liu
,
S.
Ryu
,
M. R.
Tomasik
,
E.
Stolyarova
,
N.
Jung
,
M. S.
Hybertsen
,
M. L.
Steigerwald
,
L. E.
Brus
, and
G. W.
Flynn
,
Nano Lett.
8
,
1965
(
2008
).
25.
J.
Dong
and
A. B.
Chen
,
“Fundamental Properties of SiC: Crystal Structure Bonding Energy and Structure and Lattice Vibrations”
in
SiC Power Materials: Devices and Applications
, edited by
Z. C.
Feng
(
Springer
,
Berlin Heidelberg
,
2004
).
26.
A. V.
Krasheninnikov
and
K.
Nordlung
,
J. Appl. Phys.
107
,
071301
(
2010
).
You do not currently have access to this content.