One important aspect of stretchable electronics design is to shield the active devices from strains through insertion of a soft layer between devices and substrate. An analytical model is established, which gives linear dependence of strain isolation on the reciprocal of strain-isolation layer thickness, and the reciprocal of device and substrate stiffness. Strain isolation is also linearly proportional to the shear modulus of strain-isolation layer and square of device length.

1.
J. A.
Rogers
,
T.
Someya
, and
Y.
Huang
,
Science
327
,
1603
(
2010
).
2.
J.
Viventi
,
D-H.
Kim
,
J. D.
Moss
,
Y-S.
Kim
,
J. A.
Blanco
,
N.
Annetta
,
A.
Hicks
,
J. L.
Xiao
,
Y.
Huang
,
D. J.
Callans
,
J. A.
Rogers
, and
B.
Litt
,
Sci. Transl. Med.
2
,
24ra22
(
2010
).
3.
D. -H.
Kim
,
J.
Viventi
,
J. J.
Amsden
,
J. L.
Xiao
,
L.
Vigeland
,
Y. -S.
Kim
,
J. A.
Blanco
,
D.
Contreras
,
D. L.
Kaplan
,
F. G.
Omenetto
,
Y.
Huang
,
K. -C.
Hwang
,
M. R.
Zakin
,
B.
Litt
, and
J. A.
Rogers
,
Nature Mater.
9
,
511
(
2010
).
4.
R. -H.
Kim
,
D. -H.
Kim
,
J. L.
Xiao
,
B. H.
Kim
,
S. -I.
Park
,
B.
Panilaitis
,
R.
Ghaffari
,
J. M.
Yao
,
M.
Li
,
Z. J.
Liu
,
V.
Malyarchuk
,
D. G.
Kim
,
A. -P.
Le
,
R. G.
Nuzzo
,
D. L.
Kaplan
,
F. G.
Omenetto
,
Y.
Huang
,
Z.
Kang
, and
J. A.
Rogers
,
Nature Mater.
9
,
929
(
2010
).
5.
S.
Wagner
,
S. P.
Lacour
,
J.
Jones
,
P. I.
Hsu
,
J. C.
Sturm
,
T.
Li
, and
Z.
Suo
,
Physica E
25
,
326
(
2004
).
6.
N.
Bowden
,
S.
Brittain
,
A. G.
Evans
,
J. W.
Hutchinson
, and
G. M.
Whitesides
,
Nature (London)
393
,
146
(
1998
).
7.
Z. Y.
Huang
,
W.
Hong
, and
Z.
Suo
,
J. Mech. Phys. Solids
53
,
2101
(
2005
).
8.
R.
Huang
,
J. Mech. Phys. Solids
53
,
63
(
2005
).
9.
D. -Y.
Khang
,
H.
Jiang
,
Y.
Huang
, and
J. A.
Rogers
,
Science
311
,
208
(
2006
).
10.
B.
Audoly
and
A.
Boudaoud
,
J. Mech. Phys. Solids
56
,
2401
(
2008
).
11.
B.
Audoly
and
A.
Boudaoud
,
J. Mech. Phys. Solids
56
,
2422
(
2008
).
12.
B.
Audoly
and
A.
Boudaoud
,
J. Mech. Phys. Solids
56
,
2444
(
2008
).
13.
D. -H.
Kim
,
J.
Song
,
W. M.
Choi
,
H. -S.
Kim
,
R. -H.
Kim
,
Z.
Liu
,
Y.
Huang
,
K. C.
Hwang
,
Y.
Zhang
, and
J. A.
Rogers
,
Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
105
,
18675
(
2008
).
14.
D.
Brosteaux
,
F.
Axisa
,
M.
Gonzalez
, and
J.
Vanfleteren
,
IEEE Electron Device Lett.
28
,
552
(
2007
).
15.
H. -J.
Kim
,
C.
Son
, and
B.
Ziaie
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
011904
(
2008
).
16.
T.
Sekitani
,
Y.
Noguchi
,
K.
Hata
,
T.
Fukushima
,
T.
Aida
, and
T.
Someya
,
Science
321
,
1468
(
2008
).
17.
T.
Zoumpoulidis
,
M.
Barteka
,
P.
de Graafb
, and
R.
Dekkera
,
Sens. Actuators, A
156
,
257
(
2009
).
18.
H. -J.
Kim
,
T.
Maleki
,
P.
Wei
,
B.
Ziaie
, and
S.
Member
,
J. Microelectromech. Syst.
18
,
138
(
2009
).
19.
L.
Guo
and
S. P.
DeWeerth
,
Adv. Mater.
22
,
4030
(
2010
).
20.
P. I.
Hsu
,
H.
Gleskova
,
M.
Huang
,
Z.
Suo
,
S.
Wagner
, and
J. C.
Sturm
,
J. Non-Cryst. Solids
299
,
1355
(
2002
).
21.
P. I.
Hsu
,
M.
Huang
,
H.
Gleskova
,
Z.
Xi
,
Z.
Suo
,
S.
Wagner
, and
J. C.
Sturm
,
IEEE Trans. Electron Devices
51
,
371
(
2004
).
22.
D. H.
Kim
,
Y. S.
Kim
,
J.
Wu
,
Z. J.
Liu
,
J.
Song
,
H. -S.
Kim
,
Y.
Huang
,
K. C.
Hwang
, and
J. A.
Rogers
,
Adv. Mater.
21
,
3703
(
2009
).
23.
J. -Y.
Sun
,
N.
Lu
,
J.
Yoon
,
K. -H.
Oh
,
Z.
Suo
, and
J. J.
Vlassak
,
J. Mater. Res.
24
,
3338
(
2009
).
24.
ABAQUS Analysis User’s Manual V6.9
(
Dassault Systèmes
,
Pawtucket, RI
,
2009
).
You do not currently have access to this content.