Microdisk lasers with active region made of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the GaAs substrate have been demonstrated. A microdisk cavity with diameter of 3.9μm was fabricated from a 225-nm-thick GaAs layer filled with GaSb quantum dots. Lasing at wavelengths near 1000 nm at 150 K was achieved for this microdisk. A high threshold characteristic temperature of 77 K was also observed. It is found that the lasing wavelength matches closely with the first-order whispering-gallery mode of the cavity as obtained from the finite-element method simulation.

1.
F.
Heinrichsdorff
,
M. -H.
Mao
,
N.
Kirstaedter
,
A.
Krost
,
D.
Bimberg
,
A. O.
Kosogov
, and
P.
Werner
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
22
(
1997
).
2.
H. Y.
Liu
,
D. T.
Childs
,
T. J.
Badcock
,
K. M.
Groom
,
I. R.
Sellers
,
M.
Hopkinson
,
R. A.
Hogg
,
D. J.
Robbins
,
D. J.
Mowbray
, and
M. S.
Skolnick
,
IEEE Photonics Technol. Lett.
17
,
1139
(
2005
).
3.
Z. -C.
Lin
,
C. -Y.
Lu
, and
C. -P.
Lee
,
Semicond. Sci. Technol.
21
,
1221
(
2006
).
4.
C. -K.
Sun
,
G.
Wang
,
J. E.
Bowers
,
B.
Brar
,
H. -R.
Blank
,
H.
Kroemer
, and
M. H.
Pilkuhn
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
1543
(
1996
).
5.
F.
Hatami
,
M.
Grundmann
,
N. N.
Ledentsov
,
F.
Heinrichsdorff
,
R.
Heitz
,
J.
Böhrer
,
D.
Bimberg
,
S. S.
Ruvimov
,
P.
Werner
,
V. M.
Ustinov
,
P. S.
Kop’ev
, and
Zh. I.
Alferov
,
Phys. Rev. B
57
,
4635
(
1998
).
6.
T. T.
Chen
,
C. L.
Cheng
,
Y. F.
Chen
,
F. Y.
Chang
,
H. H.
Lin
,
C. -T.
Wu
, and
C. -H.
Chen
,
Phys. Rev. B
75
,
033310
(
2007
).
7.
Y. R.
Lin
,
H. H.
Lin
, and
J. H.
Chu
,
Electron. Lett.
45
,
13
(
2009
).
8.
J.
Tatebayashi
,
A.
Khoshakhlagh
,
S. H.
Huang
,
G.
Balakrishnan
,
L. R.
Dawson
, and
D. L.
Huffaker
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
261115
(
2007
).
9.
T.
Yang
,
L.
Lu
,
M. -H.
Shih
,
J. D.
O’Brien
,
G.
Balakrishnan
, and
D. L.
Huffaker
,
J. Vac. Sci. Technol. B
25
,
1622
(
2007
).
10.
M.
Geller
,
C.
Kapteyn
,
L.
Müller-Kirsch
,
R.
Heitz
, and
D.
Bimberg
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2706
(
2003
).
11.
M.
Geller
,
A.
Marent
,
T.
Nowozin
,
D.
Bimberg
,
N.
Akçay
, and
N.
Öncan
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
092108
(
2008
).
12.
S. -Y.
Lin
,
C. -C.
Tseng
,
W. -H.
Lin
,
S. -C.
Mai
,
S. -Y.
Wu
,
S. -H.
Chen
, and
J. -I.
Chyi
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
123503
(
2010
).
13.
M. -C.
Lo
,
S. -J.
Huang
,
C. -P.
Lee
,
S. -D.
Lin
, and
S. -T.
Yen
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
243102
(
2007
).
14.
M. H.
Shih
,
K. S.
Hsu
,
Y. C.
Wang
,
Y. C.
Yang
,
S. K.
Tsai
,
Y. C.
Liu
,
Z. C.
Chang
, and
M. C.
Wu
,
Opt. Express
17
,
991
(
2009
).
15.
S.
Kim
,
S. Y. K.
Lim
,
E. G.
Soltesz
,
A. M.
De Grand
,
J.
Lee
,
A.
Nakayama
,
J. A.
Parker
,
T.
Mihaljevic
,
R. G.
Laurence
,
D. M.
Dor
,
L. H.
Cohn
,
M. G.
Bawendi
, and
J. V.
Frangioni
,
Nat. Biotechnol.
22
,
93
(
2004
).
16.
S. L.
McCall
,
A. F.
Levi
,
R. E.
Sludher
,
S. J.
Pearton
, and
R. A.
Logan
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
289
(
1992
).
17.
D.
Alonso-Álvarez
,
B.
Alén
,
J. M.
García
, and
J. M.
Ripalda
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
263103
(
2007
).
18.
W. -S.
Liu
,
D. M. T.
Kuo
, and
J. -I.
Chyi
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
243103
(
2006
).
19.
B.
Liang
,
A.
Lin
,
N.
Pavarelli
,
C.
Reyner
,
J.
Tatebayashi
,
K.
Nunna
,
J.
He
,
T. J.
Ochalski
,
G.
Huyet
, and
D. L.
Huffaker
,
Nanotechnology
20
,
455604
(
2009
).
20.
C. H.
Wang
,
T. T.
Chen
,
Y. F.
Chen
,
M. L.
Ho
,
C. W.
Lai
, and
P. T.
Chou
,
Nanotechnology
19
,
115702
(
2008
).
21.
M. C.-K.
Cheung
,
A. N.
Cartwright
,
I. R.
Sellers
,
B. D.
McCombe
, and
I. L.
Kuskovsky
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
032106
(
2008
).
22.
P. -T.
Lee
,
J. R.
Cao
,
S. -J.
Choi
,
Z. -J.
Wei
,
J. D.
O’Brien
, and
P. D.
Dapkus
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
3311
(
2002
).
23.
T.
Yang
,
S.
Lipson
,
A.
Mock
,
J. D.
O’Brien
, and
D. G.
Deppe
,
Opt. Express
15
,
7281
(
2007
).
You do not currently have access to this content.