Time-dependent second-harmonic generation (TD-SHG) is shown to be a sensitive, noncontact probe of dopant type and concentration at Si/SiO2 interfaces. TD-SHG signal magnitude increases for n-Si(111)/SiO2, while for p-Si(111)/SiO2 TD-SHG is nonmonotonic. This behavior is interpreted as a consequence of SHG sensitivity to electric fields induced by interfacial charge transfer and trapping.

2.
O. A.
Aktsipetrov
,
A. A.
Fedyanin
,
E. D.
Mishina
,
A. N.
Rubtsov
,
C. W.
van Hasselt
,
M. A.
Devillers
, and
T.
Rasing
,
Phys. Rev. B
54
,
1825
(
1996
).
3.
D.
Lim
,
M. C.
Downer
, and
J. G.
Ekerdt
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
181
(
2000
).
4.
J.
Qi
,
M. S.
Yeganeh
,
I.
Koltover
, and
A. G.
Yodh
,
Phys. Rev. Lett.
71
,
633
(
1993
).
5.
L.
Mantese
,
K.
Selinidis
,
P. T.
Wilson
,
D.
Lim
,
Y. Y.
Jiang
,
J. G.
Ekerdt
, and
M. C.
Downer
,
Appl. Surf. Sci.
154–155
,
229
(
2000
).
6.
O. A.
Aktsipetrov
,
A. A.
Fedyanin
,
A. V.
Melnikov
,
E. D.
Mishina
,
A. N.
Rubtsov
,
M. H.
Anderson
,
P. T.
Wilson
,
H.
ter Beek
,
X. F.
Hu
,
J. I.
Dadap
, and
M. C.
Downer
,
Phys. Rev. B
60
,
8924
(
1999
).
7.
O. A.
Aktsipetrov
,
A. A.
Fedyanin
,
J. I.
Dadap
, and
M. C.
Downer
,
Laser Phys.
6
,
1142
(
1996
).
8.
J.
Bloch
,
J. G.
Mihaychuk
, and
H. M.
van Driel
,
Phys. Rev. Lett.
77
,
920
(
1996
).
9.
Y. D.
Glinka
,
W.
Wang
,
S. K.
Singh
,
Z.
Marka
,
S. N.
Rashkeev
,
Y.
Shirokaya
,
R.
Albridge
,
S. T.
Pantelides
, and
N. H.
Tolk
,
Phys. Rev. B
65
,
193103
(
2002
).
10.
J.
Fang
,
W. W.
Heidbrink
, and
G. P.
Li
,
J. Appl. Phys.
88
,
2641
(
2000
).
11.
W.
Mönch
,
Semiconductor Surfaces and Interfaces
(
Springer
,
New York
,
1995
), pp.
12
25
.
12.
S. M.
Sze
,
Physics of Semiconductor Devices
, 2nd ed. (
Wiley
,
New York
,
1981
), p
368
378
.
13.
J. I.
Dadap
,
X. F.
Hu
,
M. H.
Anderson
,
M. C.
Downer
,
J. K.
Lowell
, and
O. A.
Aktsipetrov
,
Phys. Rev. B
53
,
R7607
(
1996
).
14.
S. A.
Mitchell
,
S.
Janz
, and
J. A.
Bardwell
,
Chem. Phys. Lett.
310
,
361
(
1999
).
15.
V.
Fomenko
,
C.
Hurth
,
T.
Ye
, and
E.
Borguet
,
J. Appl. Phys.
91
,
4394
(
2002
).
16.
V.
Fomenko
,
J. F.
Lami
, and
E.
Borguet
,
Phys. Rev. B
63
,
121316
(
2001
).
17.
P.
Lautenschlager
,
M.
Garriga
,
L.
Vina
, and
M.
Cardona
,
Phys. Rev. B
36
,
4821
(
1987
).
18.
J. G.
Mihaychuk
,
J.
Bloch
,
Y.
Liu
, and
H. M.
van Driel
,
Opt. Lett.
20
,
2063
(
1995
).
19.
J. G.
Mihaychuk
,
N.
Shamir
, and
H. M.
van Driel
,
Phys. Rev. B
59
,
2164
(
1999
).
20.
V.
Fomenko
and
E.
Borguet
,
Phys. Rev. B
68
,
081301
(R) (
2003
).
21.
H.
Park
,
J.
Qi
,
Y.
Xu
,
K.
Varga
,
S. M.
Weiss
,
B. R.
Rogers
,
G.
Lupke
, and
N.
Tolk
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
062102
(
2009
).
22.
J. F.
McGilp
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
29
,
1812
(
1996
).
23.
P.
Balk
, in The SiSiO2 System, edited by
P.
Balk
(
Elseiver
,
Amsterdam
,
1988
), Vol.
32
, pp.
2
20
.
24.
J. I.
Dadap
,
X. F.
Hu
,
N. M.
Russell
,
J. G.
Ekerdt
,
J. K.
Lowell
, and
M. C.
Downer
,
IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.
1
,
1145
(
1995
).
25.
26.
M.
Cardona
and
L.
Ley
, in
Topics in Applied Physics
, edited by
M.
Cardona
and
L.
Ley
(
Springer
,
Berlin
,
1978
), Vol.
26
.
27.
T.
Scheidt
,
E. G.
Rohwer
,
H. M.
von Bergmann
, and
H.
Stafast
,
Phys. Rev. B
69
,
165314
(
2004
).
28.
T.
Scheidt
,
E. G.
Rohwer
,
P.
Neethling
,
H. M.
von Bergmann
, and
H.
Stafast
,
J. Appl. Phys.
104
,
083712
(
2008
).
You do not currently have access to this content.