X-ray photoelectron spectroscopy was used to measure the energy discontinuity in the valence band of (IGZO) heterostructures deposited by low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition and sputtering at , respectively. A value of was obtained by using the Ga and Zn and In and energy levels as references. Given the experimental bandgap of 3.2 eV for the IGZO, this would indicate a conduction band offset of 4.27 eV in this system.
REFERENCES
1.
E. M. C.
Fortunato
, P. M. C.
Barquinha
, A. C. M. B. G.
Pimentel
, A. M. F.
Goncalves
, A. J. S.
Marques
, L. M. N.
Pereira
, and R. F. P.
Martins
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
17
, 590
(2005
).2.
S. -Y.
Sung
, J. H.
Choi
, U. B.
Han
, K. C.
Lee
, J. -H.
Lee
, J. -J.
Kim
, W.
Lim
, S. J.
Pearton
, D. P.
Norton
, and Y. W.
Heo
, Appl. Phys. Lett.
96
, 102107
(2010
).3.
W.
Lim
, E. A.
Douglas
, D. P.
Norton
, S. J.
Pearton
, F.
Ren
, Y. W.
Heo
, S. Y.
Son
, and J. H.
Yuh
, J. Vac. Sci. Technol. B
28
, 116
(2010
).4.
W.
Lim
, J. H.
Jang
, S. H.
Kim
, D. P.
Norton
, V.
Craciun
, S. J.
Pearton
, F.
Ren
, and H.
Shen
, Appl. Phys. Lett.
93
, 082102
(2008
).5.
J. K.
Jeong
, H. W.
Yang
, J. H.
Jeong
, Y. G.
Mo
, and H. D.
Kim
, Appl. Phys. Lett.
93
, 123508
(2008
).6.
Y. W.
Heo
, K.
Cho
, S.
Sun
, S.
Kim
, J.
Lee
, J.
Kim
, D. P.
Norton
, and S. J.
Pearton
, J. Vac. Sci. Technol. B
29
, 021203
(2011
).7.
K.
Nomura
, H.
Ohta
, A.
Takagi
, T.
Kamiya
, M.
Hirano
, and H.
Hosono
, Nature (London)
432
, 488
(2004
).8.
J.
Kanicki
, Amorphous & Microcrystalline Semiconductor Devices
, Materials and Device Physics
(Artech House
, Boston
, 1992
) Vol. II
, p. 6
.9.
A.
Takagi
, K.
Nomura
, H.
Ohta
, H.
Yanagi
, T.
Kamiya
, M.
Hirano
, and H.
Hosono
, Thin Solid Films
486
, 38
(2005
).10.
C. -S.
Chuang
, T. -C.
Fung
, B. G.
Mullins
, K.
Nomura
, T.
Kamiya
, H. -P.
Shieh
, H.
Hosono
, and J.
Kanicki
, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers
39
, 1215
(2008
).11.
T. -C.
Fung
, C. -S.
Chuang
, K.
Nomura
, H. -P.
Shieh
, H.
Hosono
, and J.
Kanicki
, J. Soc. Inf. Disp.
9
, 21
(2008
).12.
K. W.
Lee
, K. Y.
Heo
, S. H.
Oh
, A.
Moujoud
, G. H.
Kim
, and H. J.
Kim
, Thin Solid Films
517
, 4011
(2009
).13.
J.
Yao
, N.
Xu
, S.
Deng
, J.
Chen
, J.
She
, H. P.
Shieh
, P. T.
Liu
, and Y. P.
Huang
, IEEE Trans. Electron Devices
58
, 1121
(2011
).14.
15.
J. R.
Waldrop
and R. W.
Grant
, Appl. Phys. Lett.
68
, 2879
(1996
).16.
J. R.
Waldrop
, R. W.
Grant
, S. P.
Kowalczyk
, and E. A.
Kraut
, J. Vac. Sci. Technol. A
3
, 835
(1985
).17.
E. A.
Kraut
, R. W.
Grant
, J. R.
Waldrop
, and S. P.
Kowalczyk
, Phys. Rev. B
28
, 1965
(1983
).18.
L. F.
Edge
, D. G.
Schlom
, S. A.
Chambers
, E.
Cicerrella
, J. L.
Freeouf
, B.
Hollander
, and J.
Schubert
, Appl. Phys. Lett.
84
, 726
(2004
).19.
S. A.
Ding
, S. R.
Barman
, K.
Horn
, H.
Yang
, B.
Yang
, O.
Brandt
, and K.
Ploog
, Appl. Phys. Lett.
70
, 2407
(1997
).20.
A. C.
Tuan
, T. C.
Kaspar
, T.
Droubay
, J. W.
Rogers
, Jr., and S. A.
Chambers
, Appl. Phys. Lett.
83
, 3734
(2003
).21.
T.
Kitatani
, M.
Kondow
, T.
Kikawa
, Y.
Yazawa
, M.
Okai
, and K.
Uomi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, 5003
(1999
).22.
G.
Venkata Rao
, F.
Säuberlich
, and A.
Klein
, Appl. Phys. Lett.
87
, 032101
(2005
).23.
A.
Walsh
, J. L. F.
Da Silva
, and S. -H.
Wei
, Chem. Mater.
21
, 5119
(2009
).© 2011 American Institute of Physics.
2011
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
