We use UV nanoimprint lithography for the pit-patterning of silicon substrates. Ordered silicon-germanium islands are grown inside these pits by molecular-beam epitaxy on arrays of and characterized by atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements. AFM-based statistics reveals an extremely uniform size distribution of the islands in the patterned areas. These results are confirmed by very narrow and uniform PL peaks recorded at various positions across the patterned arrays.
REFERENCES
1.
S. Y.
Chou
, P. R.
Krauss
, and P. J.
Renstrom
, Science
272
, 85
(1996
).2.
M. D.
Austin
, H.
Ge
, W.
Wu
, M.
Li
, Z.
Yu
, D.
Wasserman
, S. A.
Lyon
, and S. Y.
Chou
, Appl. Phys. Lett.
84
, 5299
(2004
).3.
International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net/reports.html,
2003
.4.
J.
Haisma
, M.
Verheijen
, K. d.
Heuvel
, and J. d.
Berg
, J. Vac. Sci. Technol. B
14
, 4124
(1996
).5.
N.
Li
, W.
Wu
, and S. Y.
Chou
, Nano Lett.
6
, 2626
(2006
).6.
M.
Mühlberger
, I.
Bergmair
, W.
Schwinger
, M.
Gmainer
, R.
Schöftner
, T.
Glinsner
, Ch.
Hasenfuß
, K.
Hingerl
, M.
Vogler
, H.
Schmidt
, and E. B.
Kley
, Microelectron. Eng.
84
, 925
(2007
).7.
O. G.
Schmidt
and K.
Eberl
, IEEE Trans. Electron Devices
48
, 1175
(2001
).8.
L.
Tsybeskov
and D. J.
Lockwood
, Proc. IEEE
97
, 1284
(2009
).9.
V.
Jovanović
, C.
Biasotto
, L. K.
Nanver
, J.
Moers
, D.
Grützmacher
, J.
Gerharz
, G.
Mussler
, J. d.
Cingel
, J. J.
Zhang
, G.
Bauer
, O. G.
Schmidt
, and L.
Miglio
, IEEE Electron Device Lett.
31
, 1083
(2010
).10.
T. I.
Kamins
and R. S.
Williams
, Appl. Phys. Lett.
71
, 1201
(1997
).11.
G.
Jin
, J. L.
Liu
, and K. L.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
76
, 3591
(2000
).12.
E. S.
Kim
, N.
Usami
, and Y.
Shiraki
, Appl. Phys. Lett.
72
, 1617
(1998
).13.
Z.
Zhong
, A.
Halilovic
, T.
Fromherz
, F.
Schäffler
, and G.
Bauer
, Appl. Phys. Lett.
82
, 4779
(2003
).14.
Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots
, edited by O. G.
Schmidt
(Springer
, Berlin
, 2007
).15.
T. U.
Schülli
, G.
Vastola
, M. -I.
Richard
, A.
Malachias
, G.
Renaud
, F.
Uhlík
, F.
Montalenti
, G.
Chen
, L.
Miglio
, F.
Schäffler
, and G.
Bauer
, Phys. Rev. Lett.
102
, 025502
(2009
).16.
F.
Pezzoli
, M.
Stoffel
, T.
Merdzhanova
, A.
Rastelli
, and O. G.
Schmidt
, Nanoscale Res. Lett.
4
, 1073
(2009
).17.
M.
Brehm
, M.
Grydlik
, F.
Hackl
, E.
Lausecker
, T.
Fromherz
, and G.
Bauer
, Nanoscale Res. Lett.
5
, 1868
(2010
).18.
F.
Hackl
, M.
Grydlik
, M.
Brehm
, H.
Groiss
, F.
Schäffler
, T.
Fromherz
, and G.
Bauer
, Nanotechnology
22
, 165302
(2011
).19.
M.
Grydlik
, M.
Brehm
, F.
Hackl
, H.
Groiss
, T.
Fromherz
, F.
Schäffler
, and G.
Bauer
, New J. Phys.
12
, 063002
(2010
).20.
D.
Grützmacher
, T.
Fromherz
, Ch.
Dais
, J.
Stangl
, E.
Müller
, Y.
Ekinci
, H. H.
Solak
, H.
Sigg
, R. T.
Lechner
, E.
Wintersberger
, S.
Birner
, V.
Holý
, and G.
Bauer
, Nano Lett.
7
, 3150
(2007
).21.
The BGL-GZ-83 anti-sticking layer was developed at Profactor GmbH. Further information can be obtained from Profactor GmbH, http://www.profactor.at/en/nano/produkte-verfahren-lizenzierbares/bgl-gz-83.html.
22.
I.
Bergmair
, M.
Mühlberger
, M.
Gusenbauer
, R.
Schöftner
, and K.
Hingerl
, Microelectron. Eng.
85
, 822
(2008
).23.
G.
Bauer
and F.
Schäffler
, Phys. Status Solidi
203
, 3496
(2006
).24.
F.
Montalenti
, D. B.
Migas
, F.
Gamba
, and L.
Miglio
, Phys. Rev. B
70
, 245315
(2004
).25.
G.
Biasiol
, A.
Gustafsson
, K.
Leifer
, and E.
Kapon
, Phys. Rev. B
65
, 205306
(2002
).26.
J. J.
Zhang
, M.
Stoffel
, A.
Rastelli
, O. G.
Schmidt
, V.
Jovanović
, L. K.
Nanver
, and G.
Bauer
, Appl. Phys. Lett.
91
, 173115
(2007
).27.
J.
Weber
and M. I.
Alonso
, Phys. Rev. B
40
, 5683
(1989
).28.
M.
Wachter
, F.
Schäffler
, H. -J.
Herzog
, K.
Thonke
, and R.
Sauer
, Appl. Phys. Lett.
63
, 376
(1993
).29.
M.
Brehm
, F.
Montalenti
, M.
Grydlik
, G.
Vastola
, H.
Lichtenberger
, N.
Hrauda
, M. J.
Beck
, T.
Fromherz
, F.
Schäffler
, L.
Miglio
, and G.
Bauer
, Phys. Rev. B
80
, 205321
(2009
).30.
A.
Rastelli
, M.
Stoffel
, A.
Malachias
, T.
Merdzhanova
, G.
Katsaros
, K.
Kern
, T. H.
Metzger
, and O. G.
Schmidt
, Nano Lett.
8
, 1404
(2008
).31.
J. C.
Sturm
, H.
Manoharan
, L. C.
Lenchyshyn
, M. L. W.
Thewalt
, N. L.
Rowell
, J. -P.
Noël
, and D. C.
Houghton
, Phys. Rev. Lett.
66
, 1362
(1991
).© 2011 American Institute of Physics.
2011
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.