The mobility of heterostructure two dimensional electron gas channel limited by surface roughness scattering was calculated considering the strong spontaneous and piezoelectric polarizations in III-group nitride heterostructure. The electronic mobility on the order of was estimated. We found that the mobility limited by surface roughness scattering is very sensitive to barrier layer thickness fluctuation.
REFERENCES
1.
A.
Özgür
, W.
Kim
, Z.
Fan
, A.
Botchkarev
, A.
Salvador
, S. N.
Mohammed
, B.
Sverdlov
, and H.
Morkoc
, Electron. Lett.
31
, 1389
(1995
).2.
M.
Asif Khan
, Q.
Chen
, M. S.
Shur
, B. T.
Dermott
, J. A.
Higgins
, J.
Burm
, W.
Schaff
, and L. F.
Eastman
, IEEE Electron Device Lett.
17
, 584
(1996
).3.
S. C.
Binari
, J. M.
Redwing
, G.
Kelner
, and W.
Kruppa
, Electron. Lett.
33
, 242
(1997
).4.
R.
Gaska
, Q.
Chen
, J.
Yang
, M.
Asif Khan
, M. S.
Shur
, A.
Ping
, and I.
Adesida
, IEEE Electron Device Lett.
18
, 492
(1997
).5.
Y. F.
Wu
, S.
Keller
, P.
Kozodoy
, B. P.
Keller
, P.
Parikh
, D.
Kapolnek
, S. P.
Denbaars
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
18
, 290
(1997
).6.
D.
Jena
, A. C.
Gossard
, and U. K.
Mishra
, Appl. Phys. Lett.
76
, 1707
(2000
).7.
R.
Gaska
, M. S.
Shur
, A. D.
Bykhovski
, A. O.
Orlov
, and G. L.
Snider
, Appl. Phys. Lett.
74
, 287
(1999
).8.
S.
Keller
, G.
Parish
, P. T.
Fini
, S.
Heikman
, C. -H.
Chen
, N.
Zhang
, S. P.
DenBaars
, U. K.
Mishra
, and Y. F.
Wu
, J. Appl. Phys.
86
, 5850
(1999
).9.
C. R.
Elsass
, I. P.
Smorchkova
, B.
Heying
, E.
Haus
, P.
Fini
, K.
Maranowski
, J. P.
Ibbetson
, S.
Keller
, P. M.
Petroff
, S. P.
DenBaars
, U. K.
Mishra
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
74
, 3528
(1999
).10.
I. P.
Smorchkova
, E.
Elsass
, J. P.
Ibbetson
, R.
Vetury
, B.
Heying
, P.
Fini
, E.
Haus
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
86
, 4520
(1999
).11.
L. K.
Li
, B.
Turk
, W. I.
Wang
, S.
Syed
, D.
Simonian
, and H. L.
Stormer
, Appl. Phys. Lett.
76
, 742
(2000
).12.
S.
Strite
and H.
Morkoc
, J. Vac. Sci. Technol. B
10
, 1237
(1992
).13.
X. L.
Wang
, C. M.
Wang
, G. X.
Hu
, J. X.
Wang
, T. S.
Chen
, G.
Jiao
, J. P.
Li
, Y. P.
Zeng
, and J. M.
Li
, Solid-State Electron.
49
, 1387
(2005
).14.
A. V.
Lobanova
, K. M.
Mazaev
, R. A.
Talalaev
, M.
Leys
, S.
Boeykens
, K.
Cheng
, and S.
Degroote
, J. Cryst. Growth
287
, 601
(2006
).15.
O.
Ambacher
, J.
Smart
, J. R.
Shealy
, N. G.
Weimann
, K.
Chu
, M.
Murphy
, W. J.
Schaff
, L. F.
Eastman
, R.
Dimitrov
, L.
Wittmer
, M.
Stutzmann
, W.
Rieger
, and J.
Hilsenbeck
, J. Appl. Phys.
85
, 3222
(1999
).16.
Y.
Cao
and D.
Jena
, Appl. Phys. Lett.
90
, 182112
(2007
).17.
L. S.
Yu
, D. J.
Qiao
, Q. J.
Xing
, S. S.
Lau
, K. S.
Boutros
, and J. M.
Redwing
, Appl. Phys. Lett.
73
, 238
(1998
).18.
M. S.
Shur
, Power Semiconductor Materials and Devices
, MRS Symposia Proceedings
No. 483 (Materials Research Society
, Pittsburgh
, 1998
), p. 15
.19.
G.
Martin
, S.
Strite
, A.
Botchkaev
, A.
Agarwal
, A.
Rockett
, H.
Morkoc
, W. R. L.
Lambrecht
, and B.
Segall
, Appl. Phys. Lett.
65
, 610
(1994
).20.
G.
Martin
, A.
Botchkarev
, A.
Rockett
, and H.
Morkoc
, Appl. Phys. Lett.
68
, 2541
(1996
).21.
D. K.
Ferry
, S. M.
Goodnick
, and J.
Bird
, Transport in Nanostructures
, 2nd ed. (Cambridge University Press
, Cambridge, England
, 2009
).22.
H.
Tang
, J. B.
Webb
, P.
Coleridge
, J. A.
Bardwell
, C. H.
Ko
, Y. K.
Su
, and S. J.
Chang
, Phys. Rev. B
66
, 245305
(2002
).23.
T.
Noda
, M.
Tanaka
, and H.
Sakaki
, J. Cryst. Growth
111
, 348
(1991
).24.
M.
Higashiwaki
, S.
Chowdhury
, M. S.
Miao
, B. L.
Swenson
, C. G.
Van de Walle
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
108
, 063719
(2010
).© 2010 American Institute of Physics.
2010
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
