We demonstrate the modification of the memory effect in organic memory devices by adjusting the thickness of silver nanoparticles (NPs) layer embedded into the organic semiconductor. The memory window widens with increasing Ag NPs layer thickness, a maximum window of 90 V is achieved for 5 nm Ag NPs and the on/off current ratio decreases from 105 to 10 when the Ag NPs layer thickness increases from 1 to 10 nm. We also compare the charge retention properties of the devices with different Ag NPs thicknesses. Our investigation presents a direct approach to optimize the performance of organic memory with the current structure.

1.
C. D.
Dimitrakopoulos
and
P. R. L.
Malenfant
,
Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
14
,
99
(
2002
).
2.
W.
Wang
,
J.
Shi
, and
D.
Ma
,
IEEE Trans. Electron Devices
56
,
1036
(
2009
).
3.
T.
Sekitani
,
T.
Yokota
,
U.
Zschieschang
,
H.
Klauk
,
S.
Bauser
,
K.
Takeuchi
,
M.
Takamiya
,
T.
Sakurai
, and
T.
Someya
,
Science
326
,
1516
(
2009
).
4.
R. C. G.
Naber
,
C.
Tanase
,
P. W. M.
Blom
,
G. H.
Gelinck
,
A. W.
Marsman
,
F. J.
Touwslager
,
S.
Setayesh
, and
D. M.
De Leeuw
,
Nature Mater.
4
,
243
(
2005
).
5.
Y. J.
Park
,
H. J.
Jeong
,
J.
Chang
,
S. J.
Kang
, and
C.
Park
,
J. Semicond. Technol. Sci.
8
,
51
(
2008
).
6.
W. L.
Leong
,
P. S.
Lee
,
A.
Lohani
,
Y. M.
Lam
,
T. P.
Chen
,
S.
Zhang
,
A.
Dodabalapur
, and
S. G.
Mhaisalkar
,
Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
20
,
2325
(
2008
).
7.
B. N.
Pal
,
P.
Trottman
,
J.
Sun
, and
H. E.
Katz
,
Adv. Funct. Mater.
18
,
1832
(
2008
).
8.
C. J.
Kim
,
S. W.
Ryu
,
Y. K.
Choi
,
J. J.
Chang
,
S. H.
Bae
, and
B. H.
Sohn
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
052106
(
2008
).
9.
D.
Gupta
,
M.
Anand
,
S. W.
Ryu
,
Y. K.
Choi
, and
S. H.
Yoo
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
224106
(
2008
).
10.
J. S.
Lee
,
J. H.
Cho
,
C. Y.
Lee
,
I.
Kim
,
J. J.
Park
,
Y. -M.
Kim
,
H. Y.
Shin
,
J.
Lee
, and
F.
Caruso
,
Nat. Nanotechnol.
2
,
790
(
2007
).
11.
Z.
Liu
,
C.
Lee
,
V.
Narayanan
,
G.
Pei
, and
E. C.
Kan
,
IEEE Trans. Electron Devices
49
,
1606
(
2002
).
12.
S. M.
Wang
,
C. W.
Leung
, and
P. K. L.
Chan
,
Org. Electron.
11
,
990
(
2010
).
13.
J. H.
Cho
,
D. H.
Kim
,
Y.
Jang
,
W. H.
Lee
,
K.
Ihm
,
J. H.
Han
,
S.
Chung
, and
K.
Cho
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
132101
(
2006
).
14.
J.
Lin
and
D. G.
Ma
,
J. Appl. Phys.
103
,
024507
(
2008
).
15.
C.
Novembre
,
D.
Guérin
,
K.
Lmimouni
,
C.
Gamrat
, and
D.
Vuillaume
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
103314
(
2008
).
16.
H. K.
Lau
and
C. W.
Leung
,
J. Appl. Phys.
104
,
123705
(
2008
).
17.
K.
Wong
,
S.
Vongehr
, and
V. V.
Kresin
,
Phys. Rev. B
67
,
035406
(
2003
).
18.
K. H.
Meiwes-Broer
,
Hyperfine Interact.
89
,
263
(
1994
).
19.
N. S.
Phala
and
E.
Steen
,
Gold Bull.
40
,
150
(
2007
).
20.
Y.
Shi
,
K.
Saito
,
H.
Ishikuro
, and
T.
Hiramoto
,
J. Appl. Phys.
84
,
2358
(
1998
).
21.
H. C.
You
,
T. H.
Hsu
,
F. H.
Ko
,
J. W.
Huang
,
W. L.
Yang
, and
T. F.
Lei
,
IEEE Electron Device Lett.
27
,
653
(
2006
).
22.
M. C.
Kim
,
S.
Kim
,
S. H.
Choi
,
K.
Belay
,
R. G.
Elliman
, and
S. P.
Russo
,
IEEE Electron Device Lett.
30
,
837
(
2009
).
You do not currently have access to this content.