Smooth N-polar GaN films and GaN/AlGaN/GaN heterostructures with properties comparable to Ga-polar GaN-on-silicon films were grown by metal organic chemical vapor deposition on (111) silicon substrates with a misorientation angle of 3.5° toward the [112¯] direction. For heterostructures with a sheet electron density of 9×1012cm2 an electron mobility of 1500cm2/Vs was derived for transport parallel to the surface steps which formed as a result of the substrate misorientation.

1.
A.
Krost
and
A.
Dadgar
,
Mater. Sci. Eng., B
B93
,
77
(
2002
).
2.
S.
Arulkumaran
,
T.
Egawa
,
S.
Matsui
, and
H.
Ishikawa
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
123503
(
2005
).
3.
H.
Marchand
,
L.
Zhao
,
N.
Zhang
,
B.
Moran
,
R.
Coffie
,
U. K.
Mishra
,
J. S.
Speck
, and
S. P.
DenBaars
,
J. Appl. Phys.
89
,
7846
(
2001
).
4.
A.
Reiher
,
J.
Bläsing
,
A.
Dadgar
,
A.
Diez
, and
A.
Krost
,
J. Cryst. Growth
248
,
563
(
2003
).
5.
K.
Cheng
,
M.
Leys
,
S.
Dergoote
,
B.
Van Daele
,
S.
Boeykens
,
J.
Derluyn
,
M.
Germain
,
G.
Van Tendeloo
,
J.
Engelen
, and
G.
Borghs
,
J. Electron. Mater.
35
,
592
(
2006
).
6.
F.
Bernardini
,
V.
Fiorentini
, and
D.
Vanderbilt
,
Phys. Rev. B
56
,
R10024
(
1997
).
7.
R.
Dimitrov
,
M.
Murphy
,
J.
Smart
,
W.
Schaff
,
J. R.
Shealy
,
L. F.
Eastman
,
O.
Ambacher
, and
M.
Stutzmann
,
J. Appl. Phys.
87
,
3375
(
2000
).
8.
M.
Sumiya
,
K.
Yoshimura
,
T.
Ito
,
K.
Ohtsuka
,
S.
Fuke
,
K.
Mizuno
,
M.
Yoshimoto
,
H.
Koinuma
,
A.
Ohtomo
, and
M.
Kawasaki
,
J. Appl. Phys.
88
,
1158
(
2000
).
9.
P.
Guan
,
A. L.
Cai
,
J. S.
Cabalu
,
H. L.
Porter
, and
S.
Huang
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
2491
(
2000
).
10.
S.
Rajan
,
A.
Chini
,
M. H.
Wong
,
J. S.
Speck
, and
U. K.
Mishra
,
J. Appl. Phys.
102
,
044501
(
2007
).
11.
T.
Matsuoka
,
Y.
Kobayashi
,
H.
Takahata
,
T.
Mitate
,
S.
Mizuno
,
A.
Sasaki
,
M.
Yoshimoto
,
T.
Ohnishi
, and
M.
Sumiya
,
Phys. Status Solidi B
243
,
1446
(
2006
).
12.
S.
Keller
,
N. A.
Fichtenbaum
,
F.
Wu
,
D.
Brown
,
A.
Rosales
,
S. P.
DenBaars
,
J. S.
Speck
, and
U. K.
Mishra
,
J. Appl. Phys.
102
,
083546
(
2007
).
13.
D. F.
Brown
,
S.
Keller
,
F.
Wu
,
J. S.
Speck
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
J. Appl. Phys.
104
,
024301
(
2008
).
14.
S.
Keller
,
C. S.
Suh
,
Z.
Chen
,
R.
Chu
,
S.
Rajan
,
N. A.
Fichtenbaum
,
M.
Furukawa
,
S. P.
DenBaars
,
J. S.
Speck
, and
U. K.
Mishra
,
J. Appl. Phys.
103
,
033708
(
2008
).
15.
S.
Kolluri
,
Y.
Pei
,
S.
Keller
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
IEEE Electron Device Lett.
30
,
584
(
2009
).
16.
D. F.
Brown
,
R.
Chu
,
S.
Keller
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
153506
(
2009
).
17.
S.
Dasgupta
,
F.
Wu
,
J. S.
Speck
, and
U. K.
Mishra
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
151906
(
2009
).
18.
V.
Ramachandran
,
R. M.
Feenstra
,
W. L.
Sarney
,
L.
Salamanca-Riba
,
J. E.
Northrup
,
L. T.
Romano
, and
D. W.
Greve
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
808
(
1999
).
19.
P. R.
Tavernier
,
T.
Margalith
,
J.
Williams
,
D. S.
Green
,
S.
Keller
,
S. P.
DenBaars
,
U. K.
Mishra
,
S.
Nakamura
, and
D. R.
Clarke
,
J. Cryst. Growth
264
,
150
(
2004
).
20.
S.
Keller
,
Y.
Dora
,
S.
Chowdury
,
F.
Wu
,
X.
Chen
,
S. P.
DenBaars
,
J. S.
Speck
, and
U. K.
Mishra
,
Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors
, September
2010
(unpublished).
21.
P. A.
Stadelmann
,
Ultramicroscopy
21
,
131
(
1987
).
22.
H.
Xing
,
D. S.
Green
,
H.
Yu
,
T.
Mates
,
P.
Kozodoy
,
S.
Keller
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
50
(
2003
).
23.
C.
Hums
,
T.
Finger
,
T.
Hempel
,
J.
Christen
,
A.
Dadgar
,
A.
Hoffmann
, and
A.
Krost
,
J. Appl. Phys.
101
,
033113
(
2007
).
You do not currently have access to this content.