Amorphous silicon–indium–zinc–oxide (a-SIZO) thin film transistor (TFT) was investigated with the process temperature below . The a-SIZO TFT exhibited a field effect mobility of and an on/off ratio of . The stabilities of a-SIZO TFT and indium–zinc–oxide (IZO) TFT were compared, and a-SIZO TFT showed 3.7 V shift for threshold voltage compared to 10.8 V shift in IZO TFT after bias temperature stress. Si incorporation into IZO-system as a stabilizer, which was confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy, resulted in small shift in in a-SIZO TFT without deteriorating mobility of higher than .
REFERENCES
1.
K.
Nomura
, H.
Ohta
, A.
Takagi
, T.
Kamiya
, M.
Hirano
, and H.
Hosono
, Nature (London)
432
, 488
(2004
).2.
V.
Wood
, M. J.
Panzer
, J.
Chen
, M. S.
Bradley
, J. E.
Halpert
, M. G.
Bawendi
, and V.
Bulovic
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
21
, 2151
(2009
).3.
W. A.
MacDonald
, J. Mater. Chem.
14
, 4
(2004
).4.
J. S.
Park
, K. S.
Kim
, Y. G.
Park
, Y. G.
Mo
, H. D.
Kim
, and J. K.
Jeong
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
21
, 329
(2009
).5.
T.
Kamiya
, K.
Nomura
, and H.
Hosono
, J. Disp. Technol.
5
(12), 462
(2009
).6.
N.
Itagaki
, T.
Iwasaki
, H.
Kumomi
, T.
Den
, K.
Nomura
, T.
Kamiya
, and H.
Hosono
, Phys. Status Solidi
205
(8), 1915
(2008
).7.
A.
Suresh
and J.
Muth
, Appl. Phys. Lett.
92
, 033502
(2008
).8.
K. W.
Kim
, P. C.
Debnath
, D. H.
Park
, S. S.
Kim
, and S. Y.
Lee
, Appl. Phys. Lett.
96
, 083103
(2010
).9.
E. G.
Chong
, K. C.
Jo
, and S. Y.
Lee
, Appl. Phys. Lett.
96
, 152102
(2010
).10.
C. J.
Kim
, S. W.
Kim
, J. H.
Lee
, J. S.
Park
, S. I.
Kim
, J. C.
Park
, E. H.
Lee
, J. C.
Lee
, Y. S.
Park
, J. H.
Kim
, S. T.
Shin
, and U. I.
Chung
, Appl. Phys. Lett.
95
, 252103
(2009
).11.
S. M.
Yoon
, S. H.
Yang
, C. W.
Byun
, S. H. K.
Park
, D. H.
Cho
, S. W.
Jung
, O. S.
Kwon
, and C. S.
Hwang
, Adv. Funct. Mater.
20
, 921
(2010
).12.
A. K.
Das
, P.
Misra
, and L. M.
Kukreja
, J. Phys. D: Appl. Phys.
42
, 165405
(2009
).13.
J. W.
He
, C. D.
Bai
, K. W.
Xu
, and N. S.
Hu
, Surf. Coat. Technol.
74
, 387
(1995
).14.
F.
Verpoort
, P.
Persoon
, L.
Fiermans
, G.
Dedoncker
, and L.
Verdonck
, J. Chem. Soc., Faraday Trans.
93
, 3555
(1997
).15.
K.
Yamamoto
and H.
Itoh
, Surf. Sci.
600
, 3753
(2006
).16.
D. H.
Cho
, S.
Yang
, C. W.
Byun
, J. H.
Shin
, M. K.
Ryu
, S. H. K.
Park
, C. S.
Hwang
, S. M.
Chung
, W. S.
Cheong
, S. M.
Yoon
, and H. Y.
Chu
, Appl. Phys. Lett.
93
, 142111
(2008
).17.
M. J.
Powell
, Appl. Phys. Lett.
43
, 597
(1983
).18.
F. R.
Libsch
and J.
Kanicki
, Appl. Phys. Lett.
62
, 1286
(1993
).19.
Y.
Vygranenko
, K.
Wang
, and A.
Nathan
, Appl. Phys. Lett.
91
, 263508
(2007
).20.
S. W.
Lee
, K. C.
Jeon
, J. H.
Park
, S. C.
Kim
, D. S.
Kong
, D. M.
Kim
, D. H.
Kim
, S. W.
Kim
, S. I.
Kim
, J. H.
Hur
, J. C.
Park
, I.
Song
, C. J.
Kim
, Y. S.
Park
, and U. I.
Jung
, Appl. Phys. Lett.
95
, 132101
(2009
).21.
T.
Minami
, H.
Nanto
, S.
Shooji
, and S.
Takata
, Thin Solid Films
111
, 167
(1984
).22.
D.
Kang
, H.
Lim
, C. J.
Kim
, I. H.
Song
, J. C.
Park
, and Y. S.
Park
, Appl. Phys. Lett.
90
, 192101
(2007
).23.
M. K.
Ryu
, S. H.
Yang
, S. H. K.
Park
, C. S.
Hwang
, and J. K.
Jeong
, Appl. Phys. Lett.
95
, 072104
(2009
).© 2010 American Institute of Physics.
2010
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
