Amorphous silicon–indium–zinc–oxide (a-SIZO) thin film transistor (TFT) was investigated with the process temperature below 150°C. The a-SIZO TFT exhibited a field effect mobility of 21.6cm2/Vs and an on/off ratio of 107. The stabilities of a-SIZO TFT and indium–zinc–oxide (IZO) TFT were compared, and a-SIZO TFT showed 3.7 V shift for threshold voltage (Vth) compared to 10.8 V shift in IZO TFT after bias temperature stress. Si incorporation into IZO-system as a stabilizer, which was confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy, resulted in small shift in Vth in a-SIZO TFT without deteriorating mobility of higher than 21.6cm2/Vs.

1.
K.
Nomura
,
H.
Ohta
,
A.
Takagi
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Nature (London)
432
,
488
(
2004
).
2.
V.
Wood
,
M. J.
Panzer
,
J.
Chen
,
M. S.
Bradley
,
J. E.
Halpert
,
M. G.
Bawendi
, and
V.
Bulovic
,
Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
21
,
2151
(
2009
).
3.
W. A.
MacDonald
,
J. Mater. Chem.
14
,
4
(
2004
).
4.
J. S.
Park
,
K. S.
Kim
,
Y. G.
Park
,
Y. G.
Mo
,
H. D.
Kim
, and
J. K.
Jeong
,
Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
21
,
329
(
2009
).
5.
T.
Kamiya
,
K.
Nomura
, and
H.
Hosono
,
J. Disp. Technol.
5
(12),
462
(
2009
).
6.
N.
Itagaki
,
T.
Iwasaki
,
H.
Kumomi
,
T.
Den
,
K.
Nomura
,
T.
Kamiya
, and
H.
Hosono
,
Phys. Status Solidi
205
(8),
1915
(
2008
).
7.
A.
Suresh
and
J.
Muth
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
033502
(
2008
).
8.
K. W.
Kim
,
P. C.
Debnath
,
D. H.
Park
,
S. S.
Kim
, and
S. Y.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
083103
(
2010
).
9.
E. G.
Chong
,
K. C.
Jo
, and
S. Y.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
152102
(
2010
).
10.
C. J.
Kim
,
S. W.
Kim
,
J. H.
Lee
,
J. S.
Park
,
S. I.
Kim
,
J. C.
Park
,
E. H.
Lee
,
J. C.
Lee
,
Y. S.
Park
,
J. H.
Kim
,
S. T.
Shin
, and
U. I.
Chung
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
252103
(
2009
).
11.
S. M.
Yoon
,
S. H.
Yang
,
C. W.
Byun
,
S. H. K.
Park
,
D. H.
Cho
,
S. W.
Jung
,
O. S.
Kwon
, and
C. S.
Hwang
,
Adv. Funct. Mater.
20
,
921
(
2010
).
12.
A. K.
Das
,
P.
Misra
, and
L. M.
Kukreja
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
42
,
165405
(
2009
).
13.
J. W.
He
,
C. D.
Bai
,
K. W.
Xu
, and
N. S.
Hu
,
Surf. Coat. Technol.
74
,
387
(
1995
).
14.
F.
Verpoort
,
P.
Persoon
,
L.
Fiermans
,
G.
Dedoncker
, and
L.
Verdonck
,
J. Chem. Soc., Faraday Trans.
93
,
3555
(
1997
).
15.
K.
Yamamoto
and
H.
Itoh
,
Surf. Sci.
600
,
3753
(
2006
).
16.
D. H.
Cho
,
S.
Yang
,
C. W.
Byun
,
J. H.
Shin
,
M. K.
Ryu
,
S. H. K.
Park
,
C. S.
Hwang
,
S. M.
Chung
,
W. S.
Cheong
,
S. M.
Yoon
, and
H. Y.
Chu
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
142111
(
2008
).
17.
M. J.
Powell
,
Appl. Phys. Lett.
43
,
597
(
1983
).
18.
F. R.
Libsch
and
J.
Kanicki
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
1286
(
1993
).
19.
Y.
Vygranenko
,
K.
Wang
, and
A.
Nathan
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
263508
(
2007
).
20.
S. W.
Lee
,
K. C.
Jeon
,
J. H.
Park
,
S. C.
Kim
,
D. S.
Kong
,
D. M.
Kim
,
D. H.
Kim
,
S. W.
Kim
,
S. I.
Kim
,
J. H.
Hur
,
J. C.
Park
,
I.
Song
,
C. J.
Kim
,
Y. S.
Park
, and
U. I.
Jung
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
132101
(
2009
).
21.
T.
Minami
,
H.
Nanto
,
S.
Shooji
, and
S.
Takata
,
Thin Solid Films
111
,
167
(
1984
).
22.
D.
Kang
,
H.
Lim
,
C. J.
Kim
,
I. H.
Song
,
J. C.
Park
, and
Y. S.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
192101
(
2007
).
23.
M. K.
Ryu
,
S. H.
Yang
,
S. H. K.
Park
,
C. S.
Hwang
, and
J. K.
Jeong
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
072104
(
2009
).
You do not currently have access to this content.