The influence of dopants and counterdopants on high-pressure phase transitions of silicon was investigated by high-pressure Raman microscopy. A small amount of dopants were found to dramatically influence the high pressure stability of silicon. The combination of doping and counterdoping provides an effective way to manipulate the critical pressures of the phase transitions, which offers unique insights on atomic mechanisms of high pressure phase transitions of Si.

1.
H.
Takeuchi
,
P.
Ranade
,
V.
Subramanian
, and
T. J.
King
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
3706
(
2002
).
2.
B. J.
Pawlak
,
T.
Janssens
,
B.
Brijs
,
W.
Vandervorst
,
E. J. H.
Collart
,
S. B.
Felch
, and
N. E. B.
Cowern
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
062110
(
2006
).
3.
J.
Zeman
,
M.
Zigone
,
G. L. J. A.
Rikken
, and
G.
Martinez
,
J. Phys. Chem. Solids
56
,
655
(
1995
).
4.
X. Q.
Yan
,
X. M.
Huang
,
S.
Uda
, and
M. W.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
191911
(
2005
).
5.
T.
Kume
,
H.
Fukuoka
,
T.
Koda
,
S.
Sasaki
,
H.
Shimizu
, and
S.
Yamanaka
,
Phys. Rev. Lett.
90
,
155503
(
2003
).
6.
S. M.
Hu
,
J. Appl. Phys.
70
,
R53
(
1991
).
7.
D. J.
Tweet
,
K.
Akimoto
,
T.
Tatsumi
,
I.
Hirosawa
,
J.
Mizuki
, and
J.
Matsui
,
Phys. Rev. Lett.
69
,
2236
(
1992
).
8.
H.
Olijinyk
,
S. K.
Sileka
, and
W. B.
Holzapfel
,
Phys. Lett.
103A
,
137
(
1984
).
9.
M. I.
McMahon
and
R. J.
Nelmes
,
Phys. Rev.
47
,
8337
(
1993
).
10.
M. T.
Yin
and
M. L.
Cohen
,
Phys. Rev. B
26
,
5668
(
1982
).
11.
M. M.
Khayyat
,
G. K.
Banini
,
D. G.
Hasko
, and
M. M.
Chaudhri
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
36
,
1300
(
2003
).
12.
D.
Ge
,
V.
Domnich
, and
Y.
Gogotsi
,
J. Appl. Phys.
93
,
2418
(
2003
).
13.
B. A.
Weinstein
and
G. J.
Piermarini
,
Phys. Rev. B
12
,
1172
(
1975
).
14.
J.
Zeman
,
M.
Zigone
,
G. L. J. A.
Rikken
, and
G.
Martinez
,
Thin Solid Films
276
,
47
(
1996
).
15.
X. Q.
Yan
,
Z.
Tang
,
L.
Zhang
,
J. J.
Guo
,
C. Q.
Jin
,
Y.
Zhang
,
T.
Goto
,
J. W.
McCauley
, and
M. W.
Chen
,
Phys. Rev. Lett.
102
,
075505
(
2009
).
16.
K. H.
Wu
,
X. Q.
Yan
, and
M. W.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
101903
(
2007
).
17.
T. P.
Mernagh
and
L.
Liu
,
J. Phys. Chem. Solids
52
,
507
(
1991
).
18.
R. A.
Senter
,
C.
Pantea
,
Y.
Wang
,
H.
Liu
,
T. W.
Zerda
, and
J. L.
Coffer
,
Phys. Rev. Lett.
93
,
175502
(
2004
).
19.
S. K.
Deb
,
M.
Wilding
,
M.
Somayazulu
, and
P. F.
McMillan
,
Nature (London)
414
,
528
(
2001
).
20.
M. A.
Lourenço
,
D. J.
Gardiner
,
V.
Gouvernayre
,
M.
Bowden
,
J.
Hedley
, and
D.
Wood
,
J. Mater. Sci. Lett.
19
,
771
(
2000
).
21.
M.
Braden
,
B.
BÄuchner
,
S.
Klotz
,
W. G.
Marshall
,
M.
Behruzi
, and
G.
Heger
,
Phys. Rev. B
60
,
9616
(
1999
).
22.
S. V.
Ovsyannikov
,
V. V. S.
Jr
,
N. A.
Shaydarova
,
V. V.
Shchennikov
,
A.
Misiuk
,
D. R.
Yang
,
I. V.
Antonova
, and
S. N.
Shamin
,
Physica B
376–377
,
177
(
2006
).
23.
T.
Sekine
,
A.
Uji
,
Y.
Oono
,
Y.
Tanokura
,
T.
Masuda
, and
K.
Uchinokura
,
J. Phys. Soc. Jpn.
70
,
290
(
2001
).
24.
R.
Turan
,
B.
Hugsted
,
O. M.
Lonsjo
, and
T. G.
Finstad
,
J. Appl. Phys.
66
,
1155
(
1989
).
25.
K. G.
McQuhae
and
A. S.
Brown
,
Solid-State Electron.
15
,
259
(
1972
).
26.
J. E.
Lawrence
,
J. Electrochem. Soc.
113
,
819
(
1966
).
27.
H. J.
Herzog
,
L.
Csepregi
, and
H.
Seidel
,
J. Electrochem. Soc.
131
,
2969
(
1984
).
28.
W. P.
Maszara
and
T.
Thompson
,
J. Appl. Phys.
72
,
4477
(
1992
).
29.
H.
Hirayama
,
T.
Tatsumi
, and
N.
Aizaki
,
Appl. Phys. Lett.
52
,
1335
(
1988
).
You do not currently have access to this content.