A dual gate transistor was fabricated using a self-assembled monolayer as the semiconductor. We show the possibility of processing a dielectric on top of the self-assembled monolayer without deteriorating the device performance. The two gates of the transistor accumulate charges in the monomolecular transport layer and artifacts caused by the semiconductor thickness are negated. We investigate the electrical transport in a dual gate self-assembled monolayer field-effect transistor and present a detailed analysis of the importance of the contact geometry in monolayer field-effect transistors.

1.
G. H.
Gelinck
,
H. E. A.
Huitema
,
E.
Van Veenendaal
,
E.
Cantatore
,
L.
Schrijnemakers
,
J. B. P. H.
Van der Putten
,
T. C. T.
Geuns
,
M.
Beenhakkers
,
J. B.
Giesbers
,
B. H.
Huisman
,
E. J.
Meijer
,
E. M.
Benito
,
F. J.
Touwslager
,
A. W.
Marsman
,
B. J. E.
Van Rens
, and
D. M.
De Leeuw
,
Nature Mater.
3
,
106
(
2004
).
2.
M.
Takamiya
,
T.
Sekitani
,
Y.
Kato
,
H.
Kawaguchi
,
T.
Someya
, and
T.
Sakurai
,
IEEE J. Solid-state Circuits
42
,
93
(
2007
).
3.
E.
Cantatore
,
T. C. T.
Geuns
,
G. H.
Gelinck
,
E.
van Veenendaal
,
A. F. A.
Gruijthuijsen
,
L.
Schrijnemakers
,
S.
Drews
, and
D. M.
de Leeuw
,
IEEE J. Solid-state Circuits
42
,
84
(
2007
).
4.
J. R.
Hauser
,
IEEE Trans. Educ.
36
,
363
(
1993
).
5.
M. G.
Buhler
and
T. W.
Griswold
,
J. Electrochem. Soc.
83–1
,
391
(
1983
).
6.
M.
Spijkman
,
E. C. P.
Smits
,
P. W. M.
Blom
,
D. M.
de Leeuw
,
Y. B.
Saint Come
,
S.
Setayesh
, and
E.
Cantatore
,
Appl. Phys. Lett.
92
(
2008
).
7.
G. H.
Gelinck
,
E.
van Veenendaal
, and
R.
Coehoorn
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
073508
(
2005
).
8.
L. L.
Chua
,
R. H.
Friend
, and
P. K. H.
Ho
,
Appl. Phys. Lett.
87
, (
2005
).
9.
G.
Horowitz
,
R.
Hajlaoui
, and
P.
Delannoy
,
J. Phys. III
5
,
355
(
1995
).
10.
E. C. P.
Smits
,
S. G. J.
Mathijssen
,
P. A.
van Hal
,
S.
Setayesh
,
T. C. T.
Geuns
,
K.
Mutsaers
,
E.
Cantatore
,
H. J.
Wondergem
,
O.
Werzer
,
R.
Resel
,
M.
Kemerink
,
S.
Kirchmeyer
,
A. M.
Muzafarov
,
S. A.
Ponomarenko
,
B.
de Boer
,
P. W. M.
Blom
, and
D. M.
de Leeuw
,
Nature (London)
455
,
956
(
2008
).
11.
F.
Maddalena
,
M.
Spijkman
,
J. J.
Brondijk
,
P.
Fonteijn
,
F.
Brouwer
,
J. C.
Hummelen
,
D. M.
de Leeuw
,
P. W. M.
Blom
, and
B.
de Boer
,
Org. Electron.
9
,
839
(
2008
).
12.
Y. L.
Wu
,
Y. N.
Li
, and
B. S.
Ong
,
J. Am. Chem. Soc.
128
,
4202
(
2006
).
13.
I. G.
Hill
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
3
(
2005
).
14.
R. A.
Street
and
A.
Salleo
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
2887
(
2002
).
15.
T. J.
Richards
and
H.
Sirringhaus
,
J. Appl. Phys.
102
,
094510
(
2007
).
16.
S. G. J.
Mathijssen
,
E. C. P.
Smits
,
P. A.
van Hal
,
H. J.
Wondergem
,
S. A.
Ponomarenko
,
A.
Moser
,
R.
Resel
,
P. A.
Bobbert
,
M.
Kemerink
,
R. A. J.
Janssen
, and
D. M.
de Leeuw
,
Nat. Nanotechnol.
4
,
674
(
2009
).
You do not currently have access to this content.