The reduction and removal of surface native oxides from as-degreased and HCl-treated GaAs substrates using dimethylaluminumhydride (DMAH) have been studied by x-ray photoelectron spectroscopy. It is revealed that higher oxide states are more easily removed from the GaAs surface after exposure to DMAH at 300°C. Complete consumption of native oxides on HCl-treated GaAs surface has been realized with 10 s DMAH exposure. In addition, the metallization of the Al–O bonding with increase of DMAH exposure confirms the reduction of native oxides on GaAs.

1.
M.
Hong
,
J.
Kwo
,
A. R.
Kortan
,
J. P.
Mannaerts
, and
A. M.
Sergent
,
Science
283
,
1897
(
1999
).
2.
M. M.
Frank
,
G. D.
Wilk
,
D.
Starodub
,
T.
Gustafsson
,
E.
Garfunkel
,
Y. J.
Chabal
,
J.
Grazul
, and
D. A.
Muller
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
152904
(
2005
).
3.
P. D.
Ye
,
G. D.
Wilk
,
B.
Yang
,
J.
Kwo
,
S. N. G.
Chu
,
S.
Nakahara
,
H. -J. L.
Gossmann
,
J. P.
Mannaerts
,
M.
Hong
,
K. K.
Ng
, and
J.
Bude
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
180
(
2003
).
4.
J. P.
de Souza
,
E.
Kiewra
,
Y.
Sun
,
A.
Callegari
,
D. K.
Sadana
,
G.
Shahidi
,
D. J.
Webb
,
J.
Fompeyrine
,
R.
Germann
,
C.
Rossel
, and
C.
Marchiori
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
153508
(
2008
).
5.
A.
Molle
,
S.
Spiga
,
A.
Andreozzi
,
M.
Fanciulli
,
G.
Brammertz
, and
M.
Meuris
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
133504
(
2008
).
6.
P. D.
Ye
,
G. D.
Wilk
,
J.
Kwo
,
B.
Yang
,
H. -J. L.
Gossmann
,
M.
Frei
,
S. N. G.
Chu
,
J. P.
Mannaerts
,
M.
Sergent
,
M.
Hong
,
K. K.
Ng
, and
J.
Bude
,
IEEE Electron Device Lett.
24
,
209
(
2003
).
7.
H. L.
Lu
,
L.
Sun
,
S. J.
Ding
,
M.
Xu
,
D. W.
Zhang
, and
L. K.
Wang
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
152910
(
2006
).
8.
J.
Robertson
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
152104
(
2009
).
9.
C. L.
Hinkle
,
M.
Milojevic
,
B.
Brennan
,
A. M.
Sonnet
,
F. S.
Aguirre-Tostado
,
G. J.
Hughes
,
E. M.
Vogel
, and
R. M.
Wallace
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
162101
(
2009
).
10.
H. L.
Lu
,
M.
Xu
,
S. J.
Ding
,
W.
Chen
,
D. W.
Zhang
, and
L. K.
Wang
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
162905
(
2006
).
11.
C. C.
Cheng
,
C. H.
Chien
,
G. L.
Luo
,
C. H.
Yang
,
C. C.
Chang
,
C. Y.
Chang
,
C. C.
Kei
,
C. N.
Hsiao
, and
T. P.
Perng
,
J. Appl. Phys.
103
,
074102
(
2008
).
12.
S.
Koveshnikov
,
W.
Tsai
,
I.
Ok
,
J. C.
Lee
,
V.
Torkanov
,
M.
Yakimov
, and
S.
Oktyabrsky
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
022106
(
2006
).
13.
H.
Kim
,
I.
Ok
,
M.
Zhang
,
C.
Choi
,
T.
Lee
,
F.
Zhu
,
G.
Thareja
,
L.
Yu
, and
J. C.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
252906
(
2006
).
14.
M.
Passlack
,
N.
Medendorp
,
R.
Gregory
, and
D.
Braddock
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
5262
(
2003
).
15.
C. L.
Hinkle
,
A. M.
Sonnet
,
E. M.
Vogel
,
S.
McDonnell
,
G. J.
Hughes
,
M.
Milojevic
,
B.
Lee
,
F. S.
Aguirre-Tostado
,
K. J.
Choi
,
J.
Kim
, and
R. M.
Wallace
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
163512
(
2007
).
16.
G. K.
Dalapati
,
Y.
Tong
,
W. -Y.
Loh
,
H. K.
Mun
, and
B. J.
Cho
,
IEEE Trans. Electron Devices
54
,
1831
(
2007
).
17.
C. L.
Hinkle
,
A. M.
Sonnet
,
E. M.
Vogel
,
S.
McDonnell
,
G. J.
Hughes
,
M.
Milojevic
,
B.
Lee
,
F. S.
Aguirre-Tostado
,
K. J.
Choi
,
H. C.
Kim
,
J.
Kim
, and
R. M.
Wallace
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
071901
(
2008
).
18.
H. D.
Lee
,
T.
Feng
,
L.
Yu
,
D.
Mastrogiovanni
,
A.
Wan
,
T.
Gustafsson
, and
E.
Garfunkel
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
222108
(
2009
).
19.
B.
Shin
,
D.
Choi
,
J. S.
Harris
, and
P. C.
McIntyre
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
052911
(
2008
).
20.
G.
He
,
S.
Toyoda
,
Y.
Shimogaki
, and
M.
Oshima
,
Appl. Phys. Express
2
,
075503
(
2009
).
21.
J. C.
Hackley
,
J. D.
Demaree
, and
T.
Gougousi
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
162902
(
2008
).
22.
D.
Shahrjerdi
,
D. I.
Garcia-Gutierrez
,
T.
Akyol
,
S. R.
Bank
,
E.
Tutuc
,
J. C.
Lee
, and
S. K.
Banerjee
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
193503
(
2007
).
23.
C. Y.
Kim
,
S. W.
Cho
,
M. -H.
Cho
,
K. B.
Chung
,
C. -H.
An
,
H.
Kim
,
H. J.
Lee
, and
D. -H.
Ko
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
192902
(
2008
).
24.
M.
Sugiyama
,
H.
Itoh
,
J.
Aoyama
,
H.
Komiyama
, and
Y.
Shimogaki
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
39
,
1074
(
2000
).
25.
M.
Milojevic
,
C. L.
Hinkle
,
F. S.
Aguirre-Tostado
,
H. C.
Kim
,
E. M.
Vogel
,
J.
Kim
, and
R. M.
Wallace
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
252905
(
2008
).
26.
M.
Kobayashi
,
P. T.
Chen
,
Y.
Sun
,
N.
Goel
,
P.
Majhi
,
M.
Garner
,
W.
Tsai
,
P.
Pianetta
, and
Y.
Nishi
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
182103
(
2008
).
27.
R.
Suri
,
D. J.
Lichtenwalner
, and
V.
Misra
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
243506
(
2008
).
28.
M.
Zhu
,
C. H.
Tung
, and
Y. C.
Yeo
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
202903
(
2006
).
29.
C. -W.
Cheng
and
E. A.
Fitzgerald
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
031902
(
2008
).
You do not currently have access to this content.