InxGa1-xN p-i-n homojunction solar cells with different In content are studied. The measured open circuit voltages (Voc) are 2.24, 1.34, and 0.96 V, for x=0.02, 0.12, and 0.15, respectively. By comparing the x-ray rocking curves, the I-V characteristics and the external quantum efficiencies, it’s demonstrated that the deterioration of InGaN crystal quality for larger In contents causes the decrease of Voc. The result demonstrates that reduction of defect is a key factor in the fabrication of nitride solar cell.

1.
R. R.
King
,
D. C.
Law
,
K. M.
Edmondson
,
C. M.
Fetzer
,
G. S.
Kinsey
,
H.
Yoon
,
R. A.
Sherif
, and
N. H.
Karam
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
183516
(
2007
).
2.
J. F.
Geisz
,
D. J.
Friedman
,
J. S.
Ward
,
A.
Duda
,
W. J.
Olavarria
,
T. E.
Moriarty
,
J. T.
Kiehl
,
M. J.
Romero
,
A. G.
Norman
, and
K. M.
Jones
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
123505
(
2008
).
3.
V. Yu.
Davydov
,
A. A.
Klochikhin
,
R. P.
Seisyan
,
V. V.
Emtsev
,
S. V.
Ivanov
,
F.
Bechstedt
,
J.
Furthmuller
,
H.
Harima
,
A. V.
Mudryi
,
J.
Aderhold
,
O.
Semchinova
, and
J.
Garul
,
Phys. Status Solidi B
229
,
r1
(
2002
).
4.
J.
Wu
,
W.
Walukiewicz
,
K. M.
Yu
,
J. W.
Ager
 III
,
E. E.
Haller
,
H.
Lu
,
W. J.
Schaff
,
Y.
Saito
, and
Y.
Nanishi
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
3967
(
2002
).
5.
T.
Matsuoka
,
H.
Okamoto
,
M.
Nakao
,
H.
Harima
, and
E.
Kurimoto
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
1246
(
2002
).
6.
A.
Barnett
,
C.
Honsberg
,
D.
Kirkpatrick
,
S.
Kurtz
,
D.
Moore
,
D.
Salzman
,
R.
Schwartz
,
J.
Gray
,
S.
Bowden
,
K.
Goossen
,
M.
Haney
,
D.
Aiken
,
M.
Wanlass
, and
K.
Emery
,
Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
, Hawaii (IEEE, New York,
2006
), p.
2560
.
7.
H.
Hamzaoui
,
A. S.
Bouazzi
, and
B.
Rezig
,
Sol. Energy Mater. Sol. Cells
87
,
595
(
2005
).
8.
J. F.
Muth
,
J. H.
Lee
,
I. K.
Shmagin
,
R. M.
Kolbas
,
H. C.
Casey
,
B. P.
Keller
,
U. K.
Mishra
, and
S. P.
DenBaars
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
2572
(
1997
).
9.
O.
Jani
,
I.
Ferguson
,
C.
Honsberg
, and
S.
Kurtz
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
132117
(
2007
).
10.
X.
Zheng
,
R. -H.
Horng
,
D. -S.
Wuu
,
M. -T.
Chu
,
W. -Y.
Liao
,
M. -H.
Wu
,
R. -M.
Lin
, and
Y. -C.
Lu
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
261108
(
2008
).
11.
S. W.
Zeng
,
B. P.
Zhang
,
J. W.
Sun
,
J. F.
Cai
,
C.
Chen
, and
J. Z.
Yu
,
Semicond. Sci. Technol.
24
,
055009
(
2009
).
12.
C. J.
Neufeld
,
N. G.
Toledo
,
S. C.
Cruz
,
M.
Iza
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
143502
(
2008
).
13.
Y.
Nanishi
,
Y.
Saito
, and
T.
Yamaguchi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
2549
(
2003
).
14.
C.
Yang
,
X.
Wang
,
H.
Xiao
,
J.
Ran
,
C.
Wang
,
G.
Hu
,
X.
Wang
,
X.
Zhang
, and
J.
Li
,
Phys. Status Solidi A
204
,
4288
(
2007
).
15.
X.
Chen
,
K. D.
Matthews
,
D.
Hao
,
W. J.
Schaff
, and
L. F.
Eastman
,
Phys. Status Solidi A
205
,
1103
(
2008
).
16.
P.
Kozodoy
,
J. P.
Ibbetson
,
H.
Marchand
,
P. T.
Fini
,
S.
Keller
,
J. S.
Speck
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
975
(
1998
).
17.
M. -J.
Jeng
,
Y. -L.
Lee
, and
L. -B.
Chang
,
J. Phys. D: Appl. Phys.
42
,
105101
(
2009
).
You do not currently have access to this content.