Heterojunction light emitting diodes have been fabricated. Their performance was investigated for different annealing temperature for ZnO nanorods. Annealing in oxygen atmosphere had significant influence on carrier concentration in the nanorods, as well as on the emission spectra of the nanorods. Surprisingly, annealing conditions, which yield the lowest band edge-to-defect emission ratio in the photoluminescence spectra, result in the highest band edge-to-defect emission ratio in the electroluminescence spectra. The influence of the native defects on ZnO light emitting diode performance is discussed.
REFERENCES
1.
Y. Y.
Xi
, Y. F.
Hsu
, A. B.
Djurišić
, A. M. C.
Ng
, W. K.
Chan
, H. L.
Tam
, and K. W.
Cheah
, Appl. Phys. Lett.
92
, 113505
(2008
).2.
W. I.
Park
and G. -C.
Yi
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
16
, 87
(2004
).3.
J. D.
Ye
, S. L.
Gu
, S. M.
Zhu
, W.
Liu
, S. M.
Liu
, R.
Zhang
, Y.
Shi
, and Y. D.
Zheng
, Appl. Phys. Lett.
88
, 182112
(2006
).4.
H.
Ohta
, K.
Kawamura
, M.
Orita
, M.
Hirano
, N.
Sarukura
, and H.
Hosono
, Appl. Phys. Lett.
77
, 475
(2000
).5.
6.
C. S.
Rout
and C. N. R.
Rao
, Nanotechnology
19
, 285203
(2008
).7.
Z. P.
Wei
, Y. M.
Lu
, D. Z.
Shen
, Z. Z.
Zhang
, B.
Yao
, B. H.
Li
, J. Y.
Zhang
, D. X.
Zhao
, X. W.
Fan
, and Z. K.
Tang
, Appl. Phys. Lett.
90
, 042113
(2007
).8.
K. H.
Tam
, C. K.
Cheung
, Y. H.
Leung
, A. B.
Djurišić
, C. C.
Ling
, C. D.
Beling
, S.
Fung
, W. M.
Kwok
, W. K.
Chan
, D. L.
Phillips
, L.
Ding
, and W. K.
Ge
, J. Phys. Chem. B
110
, 20865
(2006
).9.
A. B.
Djurišić
, Y. H.
Leung
, K. H.
Tam
, Y. F.
Hsu
, L.
Ding
, W. K.
Ge
, Y. C.
Zhong
, K. S.
Wong
, W. K.
Chan
, H. L.
Tam
, K. W.
Cheah
, W. M.
Kwok
, and D. L.
Philips
, Nanotechnology
18
, 095702
(2007
).10.
Y. F.
Hsu
, Y. Y.
Xi
, A. B.
Djurišić
, and W. K.
Chan
, Appl. Phys. Lett.
92
, 133507
(2008
).11.
Q.
Zhao
, X. Y.
Xu
, X. F.
Song
, D. P.
Yu
, C. P.
Li
, and L.
Guo
, Appl. Phys. Lett.
88
, 033102
(2006
).12.
H. S.
Kang
, J. S.
Kang
, J. W.
Kim
, and S. Y.
Lee
, J. Appl. Phys.
95
, 1246
(2004
).13.
M.
Law
, L. E.
Greene
, J. C.
Johnson
, R.
Saykally
, and P.
Yang
, Nature Mater.
4
, 455
(2005
).14.
L. E.
Greene
, M.
Law
, D. H.
Tan
, M.
Montano
, J.
Goldberger
, G.
Somorjai
, and P.
Yang
, Nano Lett.
5
, 1231
(2005
).15.
I.
Mora-Seró
, F.
Fabregat-Santiago
, B.
Denier
, J.
Bisquert
, R.
Tena-Zaera
, J.
Elias
, and C.
Levy-Clement
, Appl. Phys. Lett.
89
, 203117
(2006
).16.
G.
Golan
, A.
Axelevitch
, B.
Gorenstein
, and V.
Manevych
, Microelectron. J.
37
, 910
(2006
).17.
JCPDS Card. No. 12–0241.
18.
JCPDS Card. No. 77–0125.
19.
JCPDS Card. No. 39–1058.
20.
S. L. M.
Schroeder
, G. D.
Moggridge
, T.
Rayment
, and R. M.
Lambert
, J. Phys. IV
7
, 923
(1997
).21.
N. S.
Norberg
and D. R.
Gamelin
, J. Phys. Chem. B
109
, 20810
(2005
).22.
A. B.
Djurišić
and Y. H.
Leung
, Small
2
, 944
(2006
).23.
R. G.
Xie
, D. S.
Li
, D. R.
Yang
, T.
Sekiguchi
, and M. H.
Jiang
, Nanotechnology
17
, 2789
(2006
).24.
D. C.
Olson
, Y. -J.
Lee
, M. S.
White
, N.
Kopidakis
, S. E.
Shaheen
, D. S.
Ginley
, J. A.
Voigt
, and J. W. P.
Hsu
, J. Phys. Chem. C
112
, 9544
(2008
).25.
H. F.
Liu
, G. X.
Hu
, H.
Gong
, K. Y.
Zhang
, and S. J.
Chua
, J. Vac. Sci. Technol. A
26
, 1462
(2008
).26.
J. H.
He
and C. H.
Ho
, Appl. Phys. Lett.
91
, 233105
(2007
).27.
X.
Li
, B.
Zhang
, H.
Zhu
, X.
Dong
, X.
Xia
, Y.
Cui
, Y.
Ma
, and G.
Du
, J. Phys. D
41
, 035101
(2008
).28.
J. C.
Zhang
, Y. H.
Zhu
, T.
Egawa
, S.
Sumiya
, M.
Miyoshi
, and M.
Tanaka
, Appl. Phys. Lett.
92
, 191917
(2008
).© 2009 American Institute of Physics.
2009
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
