A fabrication process of coplanar homojunction thin-film transistors (TFTs) is proposed for amorphous In–Ga–Zn–O (a-IGZO), which employs highly doped contact regions naturally formed by deposition of upper protection layers made of hydrogenated silicon nitride (SiNX:H). The direct deposition of SiNX:H reduced the resistivity of the semiconductive a-IGZO layer down to 6.2×103Ωcm and formed a nearly ideal Ohmic contact with a low parasitic source-to-drain resistance of 34Ωcm. Simple evaluation of field-effect mobilities (μsat) overestimated their values especially for short-channel TFTs, while the channel resistance method proved that μsat was almost constant at 9.5cm2V1s1.

1.
K.
Nomura
,
H.
Ohta
,
A.
Takagi
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Nature (London)
432
,
488
(
2004
).
2.
H.
Yabuta
,
M.
Sano
,
K.
Abe
,
T.
Aiba
,
T.
Den
,
H.
Kumomi
,
K.
Nomura
,
T.
Kamiya
, and
H.
Hosono
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
112123
(
2006
).
3.
R.
Hayashi
,
M.
Ofuji
,
N.
Kaji
,
K.
Takahashi
,
K.
Abe
,
H.
Yabuta
,
M.
Sano
,
H.
Kumomi
,
K.
Nomura
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
J. Soc. Inf. Disp.
15
,
915
(
2007
).
4.
C. J.
Kim
,
D.
Kang
,
I.
Song
,
J. C.
Park
,
H.
Lim
,
S.
Kim
,
E.
Lee
,
R.
Chung
,
J. C.
Lee
, and
Y.
Park
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
2006
,
307
.
5.
J.
Lee
,
D.
Kim
,
D.
Yang
,
S.
Hong
,
K.
Yoon
,
P.
Hong
,
C.
Jeong
,
H.
Park
,
S. Y.
Kim
,
S. L.
Lim
,
S. S.
Kim
,
K.
Son
,
T.
Kim
,
J.
Kwon
, and
S.
Lee
,
Proceedings of the SID ’08 Digest
,
2008
(unpublished), p.
625
.
6.
J. K.
Jeong
,
J. H.
Jeong
,
H. W.
Yang
,
T. K.
Ahn
,
M.
Kim
,
K. S.
Kim
,
B. S.
Gu
,
H. -J.
Chung
,
J. -S.
Park
,
Y. -G.
Mo
,
H. D.
Kim
, and
H. K.
Chung
,
J. Soc. Inf. Disp.
17
,
95
(
2009
).
7.
J. -S.
Park
,
J. K.
Jeong
,
Y. -G.
Mo
,
H. D.
Kim
, and
C. -J.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
033513
(
2008
).
8.
M.
Kim
,
J. H.
Jeong
,
H. J.
Lee
,
T. K.
Ahn
,
H. S.
Shin
,
J. -S.
Park
,
J. K.
Jeong
,
Y. -G.
Mo
, and
H. D.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
212114
(
2007
).
9.
J. H.
Na
,
M.
Kitamura
, and
Y.
Arakawa
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
063501
(
2008
).
10.
J. -S.
Park
,
J. K.
Jeong
,
Y. -G.
Mo
,
H. D.
Kim
, and
S. -I.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
262106
(
2007
).
11.
J. K.
Jeong
,
J. H.
Jeong
,
H. W.
Yang
,
J. -S.
Park
,
Y. -G.
Mo
, and
H. D.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
113505
(
2007
).
12.
Y.
Shimura
,
K.
Nomura
,
H.
Yanagi
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Thin Solid Films
516
,
5899
(
2008
).
13.
T.
Sameshima
,
S.
Usui
, and
M.
Sekiya
,
IEEE Electron Device Lett.
7
,
276
(
1986
).
14.
J.
Park
,
I.
Song
,
S.
Kim
,
S.
Kim
,
C.
Kim
,
J.
Lee
,
H.
Lee
,
E.
Lee
,
H.
Yin
,
K. -K.
Kim
,
K. -W.
Kwon
, and
Y.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
053501
(
2008
).
15.
B. D.
Ahn
,
H. S.
Shin
,
H. K.
Kim
,
J. -S.
Park
, and
J. K.
Jeong
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
203506
(
2008
).
16.
K. -S.
Son
,
T. -S.
Kim
,
J. -S.
Jung
,
M. -K.
Ryu
,
K. -B.
Park
,
B. -W.
Yoo
,
K. C.
Park
,
J. -Y.
Kwon
,
S. -Y.
Lee
, and
J. -M.
Kim
,
Electrochem. Solid-State Lett.
12
,
H26
(
2009
).
17.
S.
Narushima
,
H.
Hosono
,
J.
Jisun
,
T.
Yoko
, and
K.
Shimakawa
,
J. Non-Cryst. Solids
274
,
313
(
2000
).
18.
C. H.
Seager
and
S. M.
Myers
,
J. Appl. Phys.
94
,
2888
(
2003
).
19.
H.
Omura
,
H.
Kumomi
,
K.
Nomura
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
, “
First-principles study of native point defects in crystalline indium gallium zinc oxide
,”
J. Appl. Phys.
(in press).
20.
J. G. J.
Chern
,
P.
Chang
,
R. F.
Motta
, and
N.
Godinho
,
IEEE Electron Device Lett.
1
,
170
(
1980
).
21.
A. S.
Grove
,
Physics and Technology of Semiconductor
(
Wiley
,
New York
,
1967
).
You do not currently have access to this content.