Amorphous-gallium-indium-zinc-oxide (a-GIZO) thin filmtransistors (TFTs) are fabricated without annealing, using processes and equipment for conventional a-Si:H TFTs. It has been very difficult to obtain sound TFT characteristics, because the a-GIZO active layer becomes conductive after dry etching the Mo source/drain electrode and depositing the a-SiO2 passivation layer. To prevent such damages, N2O plasma is applied to the back surface of the a-GIZO channel layer before a-SiO2 deposition. N2O plasma-treated a-GIZO TFTs exhibit excellent electrical properties: a field effect mobility of 37cm2Vs, a threshold voltage of 0.1V, a subthreshold swing of 0.25V/decade, and an Ionoff ratio of 7.

1.
R. L.
Hoffman
,
B. J.
Norris
, and
J. F.
Wager
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
733
(
2003
).
2.
H. Q.
Chiang
,
J. F.
Wager
,
R. L.
Hoffman
,
J.
Jeong
, and
D. A.
Keszler
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
013503
(
2005
).
3.
I. D.
Kim
,
M. H.
Lim
,
K. T.
Kang
,
H. G.
Kim
, and
S. Y.
Choi
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
022905
(
2006
).
4.
N. L.
Dehuff
,
E. S.
Kettenring
,
D.
Hong
,
H. Q.
Chiang
,
J. F.
Wager
,
R. L.
Hoffman
,
C. H.
Park
, and
D. A.
Keszler
,
J. Appl. Phys.
97
,
064505
(
2005
).
5.
J. I.
Song
,
J. S.
Park
,
H.
Kim
,
Y. W.
Heo
,
G. M.
Kim
, and
B. D.
Choi
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
022106
(
2007
).
6.
R.
Navamathavan
,
E. J.
Yang
,
J. H.
Lim
,
D. K.
Hwang
,
J. Y.
Oh
,
J. H.
Yang
,
J. H.
Jang
, and
S. J.
Park
,
J. Electrochem. Soc.
153
,
G385
(
2006
).
7.
E. M. C.
Fortunato
,
P. M. C.
Barquinha
,
A. C. M. B. G.
Pimental
,
A. M. F.
Goncalves
,
A. J. S.
Marques
,
L. M. N.
Pereira
, and
R. F. P.
Martins
,
Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
17
,
590
(
2005
).
8.
Y.
Kwon
,
Y.
Li
,
Y. W.
Heo
,
M.
Jones
,
P. H.
Holloway
,
D. P.
Norton
,
Z. V.
Park
, and
S.
Li
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2685
(
2004
).
9.
Y. J.
Li
,
Y. W.
Kwon
,
M.
Jones
,
Y. H.
Heo
,
J.
Zhou
,
S. C.
Luo
,
P. H.
Holloway
,
E.
Douglas
,
D. P.
Norton
,
Z.
Park
, and
S.
Li
,
Semicond. Sci. Technol.
20
,
720
(
2005
).
10.
C.
Kim
,
D.
Kang
,
I.
Song
,
J.
Park
,
H.
Lim
,
S.
Kim
,
E.
Lee
,
R.
Chung
,
J.
Lee
, and
Y.
Park
,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
307
(
2006
).
11.
J. S.
Park
,
J. K.
Jeong
,
Y. G.
Mo
,
H. D.
Kim
, and
S. I.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
262106
(
2007
).
12.
M.
Kim
,
J. H.
Jeong
,
H. J.
Lee
,
T. K.
Ahn
,
H. S.
Shin
,
J. S.
Park
,
J. K.
Jeong
,
Y. G.
Mo
, and
H. D.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
212114
(
2007
).
13.
K.
Nomura
,
H.
Ohta
,
A.
Takagi
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Nature (London)
432
,
488
(
2004
).
14.
K.
Nomura
,
H.
Ohta
,
K.
Ueda
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Science
300
,
1269
(
2003
).
15.
S.
Kim
,
C.
Kim
,
J.
Park
,
I.
Song
,
J.
Lee
,
E.
Lee
, and
Y.
Park
,
Proceeding of the Materials Research Society Fall Meeting
,
2007
(unpublished), Vol.
348
.
16.
C. G.
Van de Walle
,
Phys. Rev. Lett.
85
,
1012
(
2000
).
You do not currently have access to this content.